JPH05259087A - 薄膜トランジスタアレイの製造装置 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイの製造装置Info
- Publication number
- JPH05259087A JPH05259087A JP5121892A JP5121892A JPH05259087A JP H05259087 A JPH05259087 A JP H05259087A JP 5121892 A JP5121892 A JP 5121892A JP 5121892 A JP5121892 A JP 5121892A JP H05259087 A JPH05259087 A JP H05259087A
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- JP
- Japan
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- heater panel
- panel
- substrate
- periphery
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大型基板上の薄膜トランジスタアレイの薄膜形
成工程で、基板の温度分布を向上させることにより、膜
厚分布，膜質分布の優れた薄膜を形成する。 【構成】成膜装置に用いられるヒーターパネル２におい
て、周辺部は中央部に比べヒーター線を高密度に埋め込
むことにより、周辺部により多くの熱量を供給し、熱の
逃げを補い温度分布を向上させる。これにより大面積で
も膜厚，膜質とも均一な優れた薄膜を形成することが可
能となる。
成工程で、基板の温度分布を向上させることにより、膜
厚分布，膜質分布の優れた薄膜を形成する。 【構成】成膜装置に用いられるヒーターパネル２におい
て、周辺部は中央部に比べヒーター線を高密度に埋め込
むことにより、周辺部により多くの熱量を供給し、熱の
逃げを補い温度分布を向上させる。これにより大面積で
も膜厚，膜質とも均一な優れた薄膜を形成することが可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタアレ
イの製造装置に関し、特に薄膜成膜装置に関する。
イの製造装置に関し、特に薄膜成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子等に用いる３００〜
４００ｍｍ口程度の大型基板上の薄膜トランジスタアレ
イの製造工程で、アモルファスシリコン膜，シリコン窒
化膜，シリコン酸化膜等をプラズマＣＶＤの技術を用い
て成膜する場合、図３に示すような装置を用いて行われ
ていた。図３に於いて、成膜室１は、中央のヒーターパ
ネル２をはさんで両側にある複数の被成膜ガラス基板５
が取り付けられた基板ホルダー３と、高周波電力，反応
ガスを供給する電極板４より構成される。処理能力を向
上させるため、複数のガラス基板５が取り付けられた８
００〜９００ｍｍ口の大面積の基板ホルダー３を２枚同
時に処理できるようになっている。
４００ｍｍ口程度の大型基板上の薄膜トランジスタアレ
イの製造工程で、アモルファスシリコン膜，シリコン窒
化膜，シリコン酸化膜等をプラズマＣＶＤの技術を用い
て成膜する場合、図３に示すような装置を用いて行われ
ていた。図３に於いて、成膜室１は、中央のヒーターパ
ネル２をはさんで両側にある複数の被成膜ガラス基板５
が取り付けられた基板ホルダー３と、高周波電力，反応
ガスを供給する電極板４より構成される。処理能力を向
上させるため、複数のガラス基板５が取り付けられた８
００〜９００ｍｍ口の大面積の基板ホルダー３を２枚同
時に処理できるようになっている。
【０００３】しかし、成膜面積が広いため、温度の均一
性，放電の均一性等から±５％以上の膜厚分布を得るこ
とは、非常に困難である。基板温度はヒーターパネル２
の熱の輻射により保温されているが、基板ホルダー３の
周辺部は、中央部に比べて熱が逃げ易い。このため基板
周辺部の温度が下り膜厚分布も±２０％程度しか得られ
なかった。
性，放電の均一性等から±５％以上の膜厚分布を得るこ
とは、非常に困難である。基板温度はヒーターパネル２
の熱の輻射により保温されているが、基板ホルダー３の
周辺部は、中央部に比べて熱が逃げ易い。このため基板
周辺部の温度が下り膜厚分布も±２０％程度しか得られ
なかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の一対の大面積の
基板ホルダーを有する成膜装置では、一系統のヒーター
線が均一に埋め込まれたヒーターパネルにより温度制御
されていたため、熱が逃げ易い基板ホルダーの周辺部と
中央部を同じ温度に保つことは困難であった。従って、
上述した装置で成膜した場合、基板の温度分布が悪いた
め良好な膜厚，膜質分布が得られないという問題点があ
った。
基板ホルダーを有する成膜装置では、一系統のヒーター
線が均一に埋め込まれたヒーターパネルにより温度制御
されていたため、熱が逃げ易い基板ホルダーの周辺部と
中央部を同じ温度に保つことは困難であった。従って、
上述した装置で成膜した場合、基板の温度分布が悪いた
め良好な膜厚，膜質分布が得られないという問題点があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜トランジス
タアレイの製造装置は、成膜時に基板の温度分布を均一
に保つため中央部と周辺部でヒーター線の埋め込む密度
を変えた単一のヒーターパネルを備えている。
タアレイの製造装置は、成膜時に基板の温度分布を均一
に保つため中央部と周辺部でヒーター線の埋め込む密度
を変えた単一のヒーターパネルを備えている。
【０００６】
【作用】本発明によれば、単一のヒーターパネル内で、
周辺部は中央部より高密度にヒーター線を埋め込むこと
により周辺部の熱の逃げを補い、成膜時の基板の温度分
布を向上させより均一な膜厚分布，膜質分布が得られ
る。
周辺部は中央部より高密度にヒーター線を埋め込むこと
により周辺部の熱の逃げを補い、成膜時の基板の温度分
布を向上させより均一な膜厚分布，膜質分布が得られ
る。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施例を説明する図であ
る。図１（Ａ）は、本発明のヒーターパネルを備えたプ
ラズマＣＶＤ装置の断面図で、１は成膜室、２はヒータ
ーパネル、３は基板ホルダー、４は電極板、５はガラス
基板である。本実施例のヒーターパネル２は、図１
（Ｂ）に示すようにヒーター線２０を中央部より周辺部
に高密度に埋め込み、周辺部の熱の逃げを補う構造にな
っている。
る。図１は、本発明の第１の実施例を説明する図であ
る。図１（Ａ）は、本発明のヒーターパネルを備えたプ
ラズマＣＶＤ装置の断面図で、１は成膜室、２はヒータ
ーパネル、３は基板ホルダー、４は電極板、５はガラス
基板である。本実施例のヒーターパネル２は、図１
（Ｂ）に示すようにヒーター線２０を中央部より周辺部
に高密度に埋め込み、周辺部の熱の逃げを補う構造にな
っている。
【０００８】従って、図１（Ｃ）に示すように、従来の
ヒーターパネルを用いた場合と比べ、温度分布が向上す
る。又、一系統のヒーター線で構成されているため、従
来と同じ温度制御装置を用いることができ、価格的にも
従来と同等である。本発明の構造のプラズマＣＶＤ装置
を用いて、モノシラン（ＳｉＨ4 ），アンモニア（ＮＨ
3 ），窒素（Ｎ2 ）を用いて、基板温度３００〜４００
℃高周波電力１０００Ｗでシリコン窒化膜を成膜した場
合、膜厚分布が従来±２０％であったのに対し、±５％
の分布を得ることができた。
ヒーターパネルを用いた場合と比べ、温度分布が向上す
る。又、一系統のヒーター線で構成されているため、従
来と同じ温度制御装置を用いることができ、価格的にも
従来と同等である。本発明の構造のプラズマＣＶＤ装置
を用いて、モノシラン（ＳｉＨ4 ），アンモニア（ＮＨ
3 ），窒素（Ｎ2 ）を用いて、基板温度３００〜４００
℃高周波電力１０００Ｗでシリコン窒化膜を成膜した場
合、膜厚分布が従来±２０％であったのに対し、±５％
の分布を得ることができた。
【０００９】さらに、基板温度に大きな依存性を持つ、
バッファードフッ酸に対するエッチングレートも、従
来、周辺部は中央部に比べ約２０％速ったが、ほとんど
差を無くすことができた。従って、本発明の構造のヒー
ターパネルを備えた成膜装置を用いることにより、大型
基板上に膜厚，膜質とも均一な薄膜を形成することがで
きる。
バッファードフッ酸に対するエッチングレートも、従
来、周辺部は中央部に比べ約２０％速ったが、ほとんど
差を無くすことができた。従って、本発明の構造のヒー
ターパネルを備えた成膜装置を用いることにより、大型
基板上に膜厚，膜質とも均一な薄膜を形成することがで
きる。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例を示す図で、
スパッタ装置に適用した場合を示している。図２に於い
ては、１は成膜室、２はヒーターパネル、３は基板ホル
ダー、６はターゲット、５はガラス基板、７はマグネッ
トを示す。本実施例のヒーターパネルも第１の実施例と
同じ構造を有している。このヒーターパネル２を用いＩ
ＴＯ膜を形成した場合、４００×４００ｍｍの大型基板
上でも±５％以内の膜厚分布を得ることができ、膜構
造、組成、抵抗、透過率に関しても中央部と周辺部で差
がなく均一な成膜が可能であった。
スパッタ装置に適用した場合を示している。図２に於い
ては、１は成膜室、２はヒーターパネル、３は基板ホル
ダー、６はターゲット、５はガラス基板、７はマグネッ
トを示す。本実施例のヒーターパネルも第１の実施例と
同じ構造を有している。このヒーターパネル２を用いＩ
ＴＯ膜を形成した場合、４００×４００ｍｍの大型基板
上でも±５％以内の膜厚分布を得ることができ、膜構
造、組成、抵抗、透過率に関しても中央部と周辺部で差
がなく均一な成膜が可能であった。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、成膜装置
に用いるヒーターパネルにおいて、周辺部は中央部に比
べヒーター線を高密度に埋め込むことにより、周辺部に
より多くの熱量を供給し熱の逃げを補い、成膜時に基板
ホルダーの温度分布つまり基板の温度分布が均一とな
り、膜厚均一性も従来±２０％であったのに対し±５％
に向上させることが可能となった。
に用いるヒーターパネルにおいて、周辺部は中央部に比
べヒーター線を高密度に埋め込むことにより、周辺部に
より多くの熱量を供給し熱の逃げを補い、成膜時に基板
ホルダーの温度分布つまり基板の温度分布が均一とな
り、膜厚均一性も従来±２０％であったのに対し±５％
に向上させることが可能となった。
【図１】本発明の第１の実施例を示し、（Ａ）図は成膜
装置の断面図、（Ｂ）図はヒーターパネルの平面図、
（Ｃ）図は温度分布を説明する図である。
装置の断面図、（Ｂ）図はヒーターパネルの平面図、
（Ｃ）図は温度分布を説明する図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】従来技術を示す成膜装置の断面図である。
１ 成膜室 ２ ヒーターパネル ３ 基板ホルダー ４ 電極板 ５ ガラス基板 ６ ターゲット ７ マグネット
Claims (1)
- 【請求項１】 成膜室内の中央のヒーターパネルの両側
の基板ホルダー上にガラス基板を設置し、成膜室内に導
入したガスのプラズマ化学反応を利用して前記ガラス基
板上に成膜する薄膜トランジスタアレイ製造装置におい
て、ヒーター線を中央部より周辺部により高密度に埋め
込んだヒーターパネルを具備することを特徴とする薄膜
トランジスタアレイの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121892A JPH05259087A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121892A JPH05259087A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259087A true JPH05259087A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12880791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5121892A Withdrawn JPH05259087A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013253286A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Kaneka Corp | 薄膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5121892A patent/JPH05259087A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013253286A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Kaneka Corp | 薄膜の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |