JPH053159A - 化合物半導体結晶気相成長装置 - Google Patents
化合物半導体結晶気相成長装置Info
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- JPH053159A JPH053159A JP17777491A JP17777491A JPH053159A JP H053159 A JPH053159 A JP H053159A JP 17777491 A JP17777491 A JP 17777491A JP 17777491 A JP17777491 A JP 17777491A JP H053159 A JPH053159 A JP H053159A
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- Japan
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- crystal
- substrate
- sheath
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、原料ガスの不要な分解を抑え、分解
生成物の堆積を少なくして、良質の結晶を安定して効率
良く成長させるＭＯＣＶＤ装置に関する。 【構成】反応容器と、この反応容器内に設けられた基板
結晶を保持・加熱するサセプタと、前記基板結晶を所定
温度に加熱する高周波誘導加熱コイルと、反応容器内に
反応ガスを供給する反応ガス供給口と、ガスを排出する
ガス排出口を備える。そして、サセプタの反応ガスに接
する部分を断熱性の鞘で囲むように構成された化合物半
導体結晶気相成長装置である。
生成物の堆積を少なくして、良質の結晶を安定して効率
良く成長させるＭＯＣＶＤ装置に関する。 【構成】反応容器と、この反応容器内に設けられた基板
結晶を保持・加熱するサセプタと、前記基板結晶を所定
温度に加熱する高周波誘導加熱コイルと、反応容器内に
反応ガスを供給する反応ガス供給口と、ガスを排出する
ガス排出口を備える。そして、サセプタの反応ガスに接
する部分を断熱性の鞘で囲むように構成された化合物半
導体結晶気相成長装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体結晶の気
相成長装置に関するものである。
相成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機金属の化合物と、水素化物とを原料
ガスとして用いる有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）に
より、基板上に結晶を成長させる化合物半導体結晶気相
成長技術は、近年特に成長速度の制御性、操作の単純
性、量産性等に優れているとして注目されている。
ガスとして用いる有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）に
より、基板上に結晶を成長させる化合物半導体結晶気相
成長技術は、近年特に成長速度の制御性、操作の単純
性、量産性等に優れているとして注目されている。
【０００３】ここで化合物半導体としては、ＧａＡｓ、
ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰなどのIII 〜Ｖ
族化合物半導体、或いはＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＨｇＣｄＴ
ｅなどのII〜VI族化合物半導体が一般的である。基板も
ＧａＡｓ、ＩｎＰなどのIII 〜Ｖ族化合物半導体、或い
はＣｄＴｅ、ＺｎＳｅなどの化合物半導体を用いること
が多い。
ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰなどのIII 〜Ｖ
族化合物半導体、或いはＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＨｇＣｄＴ
ｅなどのII〜VI族化合物半導体が一般的である。基板も
ＧａＡｓ、ＩｎＰなどのIII 〜Ｖ族化合物半導体、或い
はＣｄＴｅ、ＺｎＳｅなどの化合物半導体を用いること
が多い。
【０００４】III 〜Ｖ族化合物の場合、III 族を含む有
機金属のガスと、Ｖ族を含む水素化物ガスが用いられ
る。たとえば、III 族金属を含む材料としては、トリメ
チルアルミニウムＡｌ（ＣＨ3)3 、トリエチルガリウム
Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 )3、トリメチルインジウムＩｎ（ＣＨ3)
3 などのガスが有用である。またＶ族元素を含む化合物
としてはＰＨ3 （ホスフィン）、ＡｓＨ3 （アルミン
ン）、ＳｂＨ3 などがある。
機金属のガスと、Ｖ族を含む水素化物ガスが用いられ
る。たとえば、III 族金属を含む材料としては、トリメ
チルアルミニウムＡｌ（ＣＨ3)3 、トリエチルガリウム
Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 )3、トリメチルインジウムＩｎ（ＣＨ3)
3 などのガスが有用である。またＶ族元素を含む化合物
としてはＰＨ3 （ホスフィン）、ＡｓＨ3 （アルミン
ン）、ＳｂＨ3 などがある。
【０００５】ＭＯＣＶＤ法により、インジウムリン（Ｉ
ｎＰ）を成長させる従来の化合物半導体結晶成長装置の
概略構造を図５により説明する。
ｎＰ）を成長させる従来の化合物半導体結晶成長装置の
概略構造を図５により説明する。
【０００６】縦長の狭まった頭部を有する反応容器（反
応炉）２の中にサセプタ４がサセプタホルダ５により支
持されている。サセプタ４は円筒形で、上面に基板結晶
３が載置・保持されている。サセプタ４を加熱するた
め、反応炉２の外部に高周波誘導加熱用コイル（ＲＦコ
イル）７が設けられている。
応炉）２の中にサセプタ４がサセプタホルダ５により支
持されている。サセプタ４は円筒形で、上面に基板結晶
３が載置・保持されている。サセプタ４を加熱するた
め、反応炉２の外部に高周波誘導加熱用コイル（ＲＦコ
イル）７が設けられている。
【０００７】反応炉２の上頂部の原料導入部１から原料
がガス反応炉２の中へ導入される。サセプタ４は鉛直方
向のサセプタホルダ５によって支持され、サセプタ回転
機構（図示せず）によりサセプタホルダ５の軸を中心に
回転する。反応炉２の下側部に排ガス管（下流配管）６
が設けられており、排ガスは下方側面から排気される。
がガス反応炉２の中へ導入される。サセプタ４は鉛直方
向のサセプタホルダ５によって支持され、サセプタ回転
機構（図示せず）によりサセプタホルダ５の軸を中心に
回転する。反応炉２の下側部に排ガス管（下流配管）６
が設けられており、排ガスは下方側面から排気される。
【０００８】原料ガスは反応炉２の上頂部の原料導入部
１からキャリヤガスと共に導入され、ＭＯＣＶＤ法で基
板結晶３に原料をキャリヤガスにより移送し、原料を熱
分解させ、結晶成長を行わせる。ＩｎＰを成長させる場
合、原料として、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物と
トリメチルインジウム（ＴＭＩ）等の有機金属が、基板
結晶３としてＩｎＰが用いられる。キャリヤガスとして
は水素等が用いられる。
１からキャリヤガスと共に導入され、ＭＯＣＶＤ法で基
板結晶３に原料をキャリヤガスにより移送し、原料を熱
分解させ、結晶成長を行わせる。ＩｎＰを成長させる場
合、原料として、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物と
トリメチルインジウム（ＴＭＩ）等の有機金属が、基板
結晶３としてＩｎＰが用いられる。キャリヤガスとして
は水素等が用いられる。
【０００９】基板３を所定の温度にするためサセプタ４
を加熱する手段として、図５では、反応炉２の外側に置
かれたＲＦコイル７によりサセプタ４を加熱する場合を
示しているが、サセプタ４の加熱方法としては、このほ
かに、抵抗加熱、放射加熱等による方法がある。
を加熱する手段として、図５では、反応炉２の外側に置
かれたＲＦコイル７によりサセプタ４を加熱する場合を
示しているが、サセプタ４の加熱方法としては、このほ
かに、抵抗加熱、放射加熱等による方法がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＯＣＶＤ装置
では、上記のように、原料ガスは基板表面及び基板付近
で分解して、基板３上にＩｎＰを結晶させる。しかしな
がら低圧成長用の真空排気系が反応炉２の下側部の下流
配管６から、排ガスを吸引して排出している。そのた
め、図６に示されるように、結晶成長の際の原料ガスの
分解生成物８が反応炉２の内壁及び、下流の配管６に堆
積する。
では、上記のように、原料ガスは基板表面及び基板付近
で分解して、基板３上にＩｎＰを結晶させる。しかしな
がら低圧成長用の真空排気系が反応炉２の下側部の下流
配管６から、排ガスを吸引して排出している。そのた
め、図６に示されるように、結晶成長の際の原料ガスの
分解生成物８が反応炉２の内壁及び、下流の配管６に堆
積する。
【００１１】その結果、結晶成長回数が増加するに従い
装置に堆積した分解生成物によって、結晶成長装置、例
えば排気ポンプ、基板搬送機構などに故障を生じたり、
結晶成長条件が変動したり、結晶欠陥が発生したりす
る、など、種々の不都合を引き起こし、そのため、定期
的に反応炉２及び下流配管６を洗浄する必要がある。
装置に堆積した分解生成物によって、結晶成長装置、例
えば排気ポンプ、基板搬送機構などに故障を生じたり、
結晶成長条件が変動したり、結晶欠陥が発生したりす
る、など、種々の不都合を引き起こし、そのため、定期
的に反応炉２及び下流配管６を洗浄する必要がある。
【００１２】また、結晶成長の際原料ガスの分解が基板
３の表面、基板３の付近だけでなく、サセプタ４の周囲
でも起きる。そのために、装置の洗浄なしに結晶を成長
させうる期間が短くなる。例えば、常圧で行うＭＯＣＶ
Ｄ法のＩｎＰを成長させた場合、２〜４週間成長を続け
たら装置の洗浄を行う必要がある。その結果、洗浄に伴
う問題点として、安全面及び結晶成長条件の変化の面か
ら、次の問題が起こる。 ａ）安全面 １）洗浄に、王水等の取扱いに注意を要する薬品を用い
なければらなない。 ２）反応炉、配管等に付着した分解生成物は空気と反応
して有毒ガスを発生する。 ｂ）結晶成長条件の変化 １）分解生成物の堆積により反応炉内のガスの流れが変
化する。 ２）洗浄後の反応炉、配管組立寸法のばらつきにより反
応炉内ガスの流れの再現性が低下する。 ３）堆積した分解生成物からの放出ガスにより結晶成長
条件が変化する。
３の表面、基板３の付近だけでなく、サセプタ４の周囲
でも起きる。そのために、装置の洗浄なしに結晶を成長
させうる期間が短くなる。例えば、常圧で行うＭＯＣＶ
Ｄ法のＩｎＰを成長させた場合、２〜４週間成長を続け
たら装置の洗浄を行う必要がある。その結果、洗浄に伴
う問題点として、安全面及び結晶成長条件の変化の面か
ら、次の問題が起こる。 ａ）安全面 １）洗浄に、王水等の取扱いに注意を要する薬品を用い
なければらなない。 ２）反応炉、配管等に付着した分解生成物は空気と反応
して有毒ガスを発生する。 ｂ）結晶成長条件の変化 １）分解生成物の堆積により反応炉内のガスの流れが変
化する。 ２）洗浄後の反応炉、配管組立寸法のばらつきにより反
応炉内ガスの流れの再現性が低下する。 ３）堆積した分解生成物からの放出ガスにより結晶成長
条件が変化する。
【００１３】本発明は上記の問題点を解決すべく成され
たものであって、原料ガスの不要な分解を抑え、分解生
成物の堆積を少なくし、装置の洗浄頻度を低下させるこ
とによって、作業の安全性の向上及び安定した結晶成長
を行えるＭＯＣＶＤ装置を提供することを目的とするも
のである。
たものであって、原料ガスの不要な分解を抑え、分解生
成物の堆積を少なくし、装置の洗浄頻度を低下させるこ
とによって、作業の安全性の向上及び安定した結晶成長
を行えるＭＯＣＶＤ装置を提供することを目的とするも
のである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記の目的を
達成するために鋭意研究を行い、原料ガスの不要な分解
は前記サセプタのまわりを断熱性の鞘で取り囲むことに
よって効果的に防止できることを知見し、本発明を完成
させるに至った。すなわち、本発明は反応ガスの供給口
と排出口を有する反応容器と、この反応容器内に設けら
れた表面に新たな結晶が形成・成長される基板を保持・
加熱するサセプタと、前記基板の加熱手段とを具備する
化合物半導体結晶気相成長装置において、前記サセプタ
の上面より反応ガス下流側のサセプタの周囲を断熱性の
鞘で囲包することを特徴とする化合物半導体結晶気相成
長装置を提供するものである。
達成するために鋭意研究を行い、原料ガスの不要な分解
は前記サセプタのまわりを断熱性の鞘で取り囲むことに
よって効果的に防止できることを知見し、本発明を完成
させるに至った。すなわち、本発明は反応ガスの供給口
と排出口を有する反応容器と、この反応容器内に設けら
れた表面に新たな結晶が形成・成長される基板を保持・
加熱するサセプタと、前記基板の加熱手段とを具備する
化合物半導体結晶気相成長装置において、前記サセプタ
の上面より反応ガス下流側のサセプタの周囲を断熱性の
鞘で囲包することを特徴とする化合物半導体結晶気相成
長装置を提供するものである。
【００１５】
【作用】サセプタの周囲を断熱性の鞘で取り囲むことに
より、原料ガスは基板上以外では高温にさらされること
がなくなる。従って原料の不要な分解を抑えることがで
きる。また、有機金属原料は基板結晶表面よりも石英表
面では遥かに分解が起こり難い。従って、鞘の材料に石
英を用いることにより、サセプタ周囲での原料の不要な
分解をさらに抑えることができる。
より、原料ガスは基板上以外では高温にさらされること
がなくなる。従って原料の不要な分解を抑えることがで
きる。また、有機金属原料は基板結晶表面よりも石英表
面では遥かに分解が起こり難い。従って、鞘の材料に石
英を用いることにより、サセプタ周囲での原料の不要な
分解をさらに抑えることができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明を図示の実施例に従って説明す
る。
る。
【００１７】図１は本発明のＭＯＣＶＤ装置の概略断面
図である。ＩｎＰを成長させる場合原料として、ホスフ
ィン（ＰＨ3 ）等の水素化物、トリメチルインジウム
（ＴＭＩ）等の有機金属等を、キャリヤガスとして水素
等を、基板結晶３としてＩｎＰを用いる。
図である。ＩｎＰを成長させる場合原料として、ホスフ
ィン（ＰＨ3 ）等の水素化物、トリメチルインジウム
（ＴＭＩ）等の有機金属等を、キャリヤガスとして水素
等を、基板結晶３としてＩｎＰを用いる。
【００１８】上記の原料をキャリヤガスにより原料導入
部１を通って反応炉（反応容器）２の上頂部へ供給され
る。反応炉２は上部に細く形成された塔頂部を有する縦
長円筒状の空間に形成されている。
部１を通って反応炉（反応容器）２の上頂部へ供給され
る。反応炉２は上部に細く形成された塔頂部を有する縦
長円筒状の空間に形成されている。
【００１９】反応炉２の中には、円筒状のサセプタ４
が、鉛直軸のサセプタホルダ５により回転自在に設けら
れている。サセプタ４は、カーボン等の耐熱性の導体材
料によって作られており、上面に基板結晶３を載置・保
持できるようになっている。鉛直のサセプタホルダ５に
よって支持されたサセプタ４は、サセプタ回転機構（図
示せず）によって回転させられる。サセプタ４を回転さ
せることによって、基板結晶３へ、新たな結晶の成長を
均一に行わせることができる。サセプタ４を加熱するた
めに、反応炉２の外部に高周波誘導加熱コイル（ＲＦコ
イル）７が設けられている。サセプタ４が導体であるの
で、ＲＦコイル７によって、高周波加熱することがで
き、本実施例の場合は結晶成長を行うために６００〜７
５０℃に加熱される。
が、鉛直軸のサセプタホルダ５により回転自在に設けら
れている。サセプタ４は、カーボン等の耐熱性の導体材
料によって作られており、上面に基板結晶３を載置・保
持できるようになっている。鉛直のサセプタホルダ５に
よって支持されたサセプタ４は、サセプタ回転機構（図
示せず）によって回転させられる。サセプタ４を回転さ
せることによって、基板結晶３へ、新たな結晶の成長を
均一に行わせることができる。サセプタ４を加熱するた
めに、反応炉２の外部に高周波誘導加熱コイル（ＲＦコ
イル）７が設けられている。サセプタ４が導体であるの
で、ＲＦコイル７によって、高周波加熱することがで
き、本実施例の場合は結晶成長を行うために６００〜７
５０℃に加熱される。
【００２０】サセプタ４が加熱されると、反応炉３の壁
面を加熱される。しかし壁面の温度が高いと、壁面でも
原料ガスの熱分解反応が起こる。これは前述したような
問題点を起こし望ましくないので、本実施例において
は、サセプタ４は基板結晶３の置かれる部分を除いて、
石英製の鞘９で覆う。石英製鞘９は中空構造とし、中空
部での熱伝達による熱の流れを抑制するために、中空部
を真空１０にしている。そして石英製鞘９はサセプタ４
及びサセプタホルダ５により保持されている。また、上
記のように、反応炉３の外側からＲＦ加熱するほかに、
サセプタ４の内部に抵抗加熱ヒータを設けて、これによ
って加熱することもできる。
面を加熱される。しかし壁面の温度が高いと、壁面でも
原料ガスの熱分解反応が起こる。これは前述したような
問題点を起こし望ましくないので、本実施例において
は、サセプタ４は基板結晶３の置かれる部分を除いて、
石英製の鞘９で覆う。石英製鞘９は中空構造とし、中空
部での熱伝達による熱の流れを抑制するために、中空部
を真空１０にしている。そして石英製鞘９はサセプタ４
及びサセプタホルダ５により保持されている。また、上
記のように、反応炉３の外側からＲＦ加熱するほかに、
サセプタ４の内部に抵抗加熱ヒータを設けて、これによ
って加熱することもできる。
【００２１】本発明は、このような内部加熱型の装置に
も適用することができて、上記の場合と同様に、断熱性
の鞘９により壁面での原料ガスの熱分解反応を防止でき
る。反応炉２の下部から、原料ガスの残りや、反応生成
物であるガスが吸引排出される。このために真空排気系
（図示せず）に接続された下流配管６が設けられてい
る。そして、図１に示すように、断熱性の鞘９が反応炉
３の下側部の下方にまで十分延びていて、下流配管６が
不要に加熱されることを防止しているため、壁面と同様
に分解生成物が堆積することがない。
も適用することができて、上記の場合と同様に、断熱性
の鞘９により壁面での原料ガスの熱分解反応を防止でき
る。反応炉２の下部から、原料ガスの残りや、反応生成
物であるガスが吸引排出される。このために真空排気系
（図示せず）に接続された下流配管６が設けられてい
る。そして、図１に示すように、断熱性の鞘９が反応炉
３の下側部の下方にまで十分延びていて、下流配管６が
不要に加熱されることを防止しているため、壁面と同様
に分解生成物が堆積することがない。
【００２２】また、有機金属原料は、基板結晶３の表面
よりも石英表面では遥かに分解が起こり難いので、断熱
性の鞘９の材料に石英が用いられているため、サセプタ
４の周囲での原料の不要な分解がさらに抑制される。
よりも石英表面では遥かに分解が起こり難いので、断熱
性の鞘９の材料に石英が用いられているため、サセプタ
４の周囲での原料の不要な分解がさらに抑制される。
【００２３】その結果、この装置で上記原料ガスを用い
てＩｎＰの結晶成長を行ったところ、これまで１ケ月に
１回洗浄を行う必要があったものが、６ケ月に１回の洗
浄で十分なほど分解生成物８の堆積が少なくなった。す
なわち、安全面及び結晶成長条件の変化の面で生じる問
題の発生を大幅に低減、改善することができた。
てＩｎＰの結晶成長を行ったところ、これまで１ケ月に
１回洗浄を行う必要があったものが、６ケ月に１回の洗
浄で十分なほど分解生成物８の堆積が少なくなった。す
なわち、安全面及び結晶成長条件の変化の面で生じる問
題の発生を大幅に低減、改善することができた。
【００２４】図２は本発明の気相成長装置の他例の断面
図であり、図１では、石英製鞘９を中空構造とし、中空
部での熱伝達による熱の流れを抑制するために、中空部
を真空１０にして、石英製鞘９に断熱効果をもたらして
いたのに対して、図２では、石英製鞘９の中空部内に反
射板１１を設け、熱伝達及び照射による熱の流れを抑制
して、図１と同様の効果を挙げるようにしている。な
お、図２〜図４において図１と同符号は同じものを示
す。
図であり、図１では、石英製鞘９を中空構造とし、中空
部での熱伝達による熱の流れを抑制するために、中空部
を真空１０にして、石英製鞘９に断熱効果をもたらして
いたのに対して、図２では、石英製鞘９の中空部内に反
射板１１を設け、熱伝達及び照射による熱の流れを抑制
して、図１と同様の効果を挙げるようにしている。な
お、図２〜図４において図１と同符号は同じものを示
す。
【００２５】図３はさらに本発明の他例を示す断面図で
あり、外形的には図１の断熱性の鞘９と同じであるが、
石英製鞘９の中空部が真空でないこと、及び石英製鞘９
の中空部が断熱材１２で満たされていることが異なる。
しかしながら、この実施例でも図１と同様の断熱効果が
もたらされ、同様に堆積物減少に伴う効果が得られる。
あり、外形的には図１の断熱性の鞘９と同じであるが、
石英製鞘９の中空部が真空でないこと、及び石英製鞘９
の中空部が断熱材１２で満たされていることが異なる。
しかしながら、この実施例でも図１と同様の断熱効果が
もたらされ、同様に堆積物減少に伴う効果が得られる。
【００２６】図４はさらに本発明の他例であり、石英製
の鞘９の中に、ガス流路を有するサセプタホルダ１３を
通して、水素等の熱伝導性の良いガスを流すことによ
り、鞘９の温度が上がらないようにして図１と同様の効
果を挙げることができる。
の鞘９の中に、ガス流路を有するサセプタホルダ１３を
通して、水素等の熱伝導性の良いガスを流すことによ
り、鞘９の温度が上がらないようにして図１と同様の効
果を挙げることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の装置によれ
ば、サセプタの原料ガスに接する部分を断熱性の鞘で囲
むことにより、原料ガスは基板結晶付近以外では高温に
さらされることがなくなる。従って原料の不要な分解を
抑えることができる。その結果、反応炉、下流配管への
分解生成物の堆積を低く抑えることができるため、作業
の安全性の向上及び安定した結晶成長を、効率よく、か
つ容易に実現することができる。また、本発明の気相成
長装置において石英製の鞘とする場合、有機金属原料は
基板結晶表面よりも石英表面で分解が起こりにくい。従
って、サセプタ周囲での原料の不要な分解をさらに抑え
ることができ、良質の結晶成長層を、一層効率よく成長
させることができる。
ば、サセプタの原料ガスに接する部分を断熱性の鞘で囲
むことにより、原料ガスは基板結晶付近以外では高温に
さらされることがなくなる。従って原料の不要な分解を
抑えることができる。その結果、反応炉、下流配管への
分解生成物の堆積を低く抑えることができるため、作業
の安全性の向上及び安定した結晶成長を、効率よく、か
つ容易に実現することができる。また、本発明の気相成
長装置において石英製の鞘とする場合、有機金属原料は
基板結晶表面よりも石英表面で分解が起こりにくい。従
って、サセプタ周囲での原料の不要な分解をさらに抑え
ることができ、良質の結晶成長層を、一層効率よく成長
させることができる。
【図１】本発明の化合物半導体結晶気相成長装置の１実
施例の縦断面図である。
施例の縦断面図である。
【図２】本発明の装置の他例の縦断面図である。
【図３】本発明の装置のさらに他例の縦断面図である。
【図４】本発明の装置の他例の縦断面図である。
【図５】従来の化合物半導体結晶気相成長装置の縦断面
図である。
図である。
【図６】従来の気相成長装置における問題点を説明する
図である。
図である。
１ 反応ガス供給口（原料導入部）
２ 反応容器（反応炉）
３ 基板
４ サセプタ
６ ガス排出口（下流配管）
７ 外部加熱手段（高周波誘導加熱用コイル）
９ 断熱性の鞘（石英製鞘）
Claims (2)
- 【請求項１】 反応ガスの供給口と排出口を有する反応
容器と、この反応容器内に設けられた表面に新たな結晶
が形成・成長される基板を保持・加熱するサセプタと、
前記基板の加熱手段とを具備する化合物半導体結晶気相
成長装置において、前記サセプタの上面より反応ガス下
流側のサセプタの周囲を断熱性の鞘で囲包することを特
徴とする化合物半導体結晶気相成長装置。 - 【請求項２】 前記断熱性の鞘が石英製であることを特
徴とする請求項１記載の化合物半導体結晶気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17777491A JPH053159A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17777491A JPH053159A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053159A true JPH053159A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16036884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17777491A Pending JPH053159A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053159A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013159826A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JP2017017255A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | 株式会社エピクエスト | Ｎｈ３雰囲気高温加熱装置 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP17777491A patent/JPH053159A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013159826A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JP2017017255A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | 株式会社エピクエスト | Ｎｈ３雰囲気高温加熱装置 |
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