JP5009367B2 - 三塩化ガリウムの大容量送達システム - Google Patents
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Description
便宜上およびこれに限定することなく、本発明を、3つの基本的サブシステム:即ち、プロセスガス(または液体)を供給するためのサブシステム1;反応チャンバを含むサブシステム3;および無駄の低減のためのサブシステム5に関して、図1を参照しながら概略的に記述する。
第1のサブシステムの構造、プロセスガスサブシステム、特にガリウム化合物蒸気供給源は、本発明の重要な特徴である。知られているGaN VPEプロセスについて、次に簡単に記述する。GaV VPEエピタキシーは、窒素(N)およびガリウム(Ga)を含有する前駆体ガスから(および任意選択で、混合窒化物を形成するために、1種または複数のその他の第III族金属含有ガス、および任意選択で、特定の電子伝導率をもたらす1種または複数のドーパント)、加熱された基板の表面に直接GaNを合成するステップを含む。Ga含有ガスは、通常、一塩化ガリウム(GaCl)または三塩化ガリウム(GaCl3)、あるいはガリウム−有機化合物、例えばトリ−エチル−ガリウム(TEG)またはトリ−メチル−ガリウム(TMG)である。第1のケースでは、このプロセスをHVPE(ハロゲン化物蒸気エピタキシー)と呼び、第2のケースでは、MOVPE(有機金属蒸気圧エピタキシー)と呼ぶ。
次に、高い経済性を実現するために、反応器サブシステムは、市販の反応器システムを好ましく応用したものである。本発明での適用および使用に好ましい入手可能な反応器は、次に記述される特徴のほとんどまたは全てをそのまま含む。これらの特徴は、本明細書に開示される修正および強化により、GaN層のHVMに有用であることが決定されている。以下の記述は、主に、既存の装置を適応させた実施形態を対象とするが、反応器および反応器システムは、これから記述される特徴を含むように専用のものにすることができる。本発明は、既存の装置の再設計および修正と、新しい装置の設計および製作の両方を含む。本発明は、結果的に得られる装置も含む。
まず、新しいウェハーを導入した後の温度上昇に費やされる時間、および堆積を実行した後の温度低下に費やされる時間は、生産的ではなく、制限しまたは最小限に抑えるべきである。したがって、好ましい反応器および加熱装置は、やはりより低い熱質量を有し(即ち、熱を素早く吸収する能力)、熱質量が低くなるほどより好ましい。そのような好ましい反応器は、赤外線(IR)加熱ランプで加熱され、赤外線透過壁を有する。図1は、石英で作製され、かつ下部縦方向IRランプ27および上部横方向IRランプ29により加熱される、反応器25を示す。石英は、十分にIR透過性であり、十分に耐Cl性であり、十分に耐火性であるので、好ましいチャンバ壁材料である。
反応チャンバ内部を清浄化するのに費やされる時間も生産的ではなく、やはりこの時間を制限しまたは最小限に抑えるべきである。GaN堆積プロセス中、前駆体、生成物、または副生成物が、内壁に堆積しまたは凝縮する可能性がある。そのような堆積または凝縮は、一般に、前駆体および副生成物が凝縮しないよう十分に高く、しかし壁面でのGaNの形成および堆積が防止されるよう十分に低い中間温度に冷却することでチャンバ壁の温度を制御することにより、著しく制限しまたは低減させることができる。GaCl3 HVPEプロセスに使用される前駆体は、約70から80℃よりも低い温度で凝縮し;主な副生成物、NH4Clは、約140℃よりも低い温度でしか凝縮せず、GaNは、約500℃よりも高い温度で形成および堆積し始める。チャンバ壁は、好ましくは前駆体および副生成物の凝縮が著しく制限されるように十分高いことがわかっている200℃と、チャンバ壁でのGaN堆積が著しく制限されるように十分低いことがわかっている500℃との間の温度T5に制御される。チャンバ壁に好ましい温度範囲は、250から350℃である。
ウェハーローディングおよびアンローディング時間も、生産的ではない。この時間は、39で概略的に示される自動装置によって、通常通り制限することができる。当技術分野で知られるように、この装置はウェハーを格納することができ、ウェハーを反応チャンバにロードすることができ、ウェハーを反応チャンバからアンロードすることができ、一般には、例えば移送棒を使用して、外部ホルダと反応チャンバ内のサセプタとの間で例えばウェハーを移動させるロボットアームなどを含む。ウェハーの移送中、反応チャンバは、中間ウェハー移送チャンバによって周囲への曝露から切り離すことができる。例えば、移送チャンバと外部との間の制御可能なドアは、ローディングおよびアンローディングを可能にし、次いで周囲への曝露に対して移送チャンバを密閉することができる。フラッシングおよび調製の後、移送チャンバと反応器との間の別の制御可能なドアを開放して、サセプタ上にウェハーを配置しまたは除去することが可能になる。また、そのようなシステムは、酸素、水分、またはその他の雰囲気中汚染部物質に対する反応器内側の曝露も防止し、ウェハーをロードしアンロードする前のパージ時間を短縮する。汚染を引き起こさずに高温ウェハーの取扱いを可能にすることによって、非生産的時間を短縮するので、石英ベルヌーイ移送棒を使用することが好ましい。
矢印31の方向で入口マニホールド33から出口マニホールド35までのプロセスガス流制御は、高品質のGaN層を堆積するのに重要である。この流れは、プロセスガスに関する下記の好ましい特徴を含む。まず、ガリウム含有ガス、例えばGaCl3と、窒素含有ガス、例えばNH3は、個別の入口を通して反応器内に進入することが好ましい。これらのガスは、反応チャンバの外側で混合されるべきではなく、その理由は、そのような混合が、望ましくない反応をもたらす可能性があり、例えば、後続のGaN堆積を妨げるGaCl3およびNH3分子の複合体が形成されるからである。
サセプタおよびその取付けは、当技術分野で一般に知られている標準的な構成のものである。例えば、シリコンカーバイドまたは窒化シリコンでコーティングされた黒鉛、あるいは耐熱金属または合金を含むことができる。サセプタは、シャフト上での回転のために取り付けられることが好ましい。GaN堆積中、サセプタ温度T4は、約1000から1100℃(またはそれ以上)にすることができ、知られている温度制御回路によって、石英IRランプにより維持される。サセプタ直下にデッドゾーンが形成されないようにするために、サセプタの取付けでは、パージガスの注入を行うことが好ましい。この注入は、加熱されたサセプタおよび加熱してもよい(直接または間接的に)隣接する構成要素の下面での、望ましくない堆積を制限しまたは最小限に抑えることができるので、やはり有利である。サセプタは、1枚または複数の基板を保持するように構成することができる。
反応チャンバの出口マニホールド35は、反応チャンバから排出ライン41を通って廃棄物低減システム5に至る、自由で遮るもののない排出ガス流を提供する。排出システムは、ポンプ(42)、およびこれに関連した圧力制御システム(圧力制御弁(44)、圧力計(46)、およびこれに関連した、減圧下で動作させるための制御装置)を含むこともできる。出口マニホールド排出ラインおよび圧力制御装置(使用する場合)は、反応生成物の凝縮が制限されるように温度制御することも有利である。排出ガスおよび反応生成物は、典型的にはキャリアガス;未反応プロセスガス、GaCl3およびNH3;主にNH4Cl、NH4GaCl4、HCl、およびH2である反応副生成物を含む。上述のように、約130℃程度よりも高い温度は、GaCl3の凝集を防止するのに必要である。NH4Clは、約140℃程度よりも低い温度で粉末状材料に凝縮し、出口マニホールドおよび廃棄システムは、この温度よりも高い温度に保たれるべきである。その一方で、密封材料の劣化を防止するには、出口マニホールド温度が約160℃程度よりも超えるべきである。
次に廃棄物低減サブシステム5について検討すると、好ましい低減システムは、反応チャンバから排出された廃棄物ガリウム化合物を回収することによって、本発明の経済的な操作を補助することができる。本発明の一実施形態は、1カ月の持続的な大量生産中に、30kg、または60kg、またはそれ以上(廃棄物約50%と想定される)を排出することができる。現在のGa価格では、この廃棄物Gaを回収し、GaCl3前駆体に再生することが経済的であり、それによって、約90から100%のGa効率を効果的に実現することが経済的である。
次に、上記にて概略的に述べてきた、本発明の特に好ましい実施形態について述べる。この実施形態は、ASM America,Inc.製のEPSILON(登録商標)シリーズ、単一ウェハーエピタキシャル反応器の修正および適応に基づく。したがって、下記の特徴の多くは、この好ましい特定の実施形態に特有のものである。しかし、これらの特徴は、限定するものではない。その他の特定の実施形態は、その他の入手可能なエピタキシャル反応器の修正および適応を基にすることができ、本発明の範囲内である。
(実施例)
次に、本発明による第III−V族材料のHVMを実施した場合にもたらされた、利点および予期せぬ利益について示すために、本発明を、標準的なまたは従来のHVPEシステムと比較する。この比較の前にかつ前置きとして、従来のHVPEシステムを、その要部についてまず手短に説明する。
Claims (16)
- 大量生産プロセスの中断を必要とせずに、少なくとも48時間にわたって1時間当たり少なくとも50gである第III族元素の制御可能な質量流の、気状第III族前駆体の供給源を含み、
前駆体供給源は、
液体形態の第III族前駆体を保持するための、耐腐食性の内面を有する金属容器と、
容器内の液体中にキャリアガスをバブリングするための出口を備えた、容器内の浸漬管と、
浸漬管に至る、弁制御された容器入口と、
送達ラインに至る、弁制御された容器出口と
をさらに含み、前記送達ラインは、キャリアガスおよび気状形態の第III族前駆体を、第III族前駆体を第III−V族半導体材料に変換するための反応ゾーンに運ぶためのものであることを特徴とする、第III−V族半導体材料を形成する大量生産プロセスを促進させるためのシステム。 - 第III族元素の制御可能な質量流は、前駆体が供給される時間中、200mm基板上で、少なくとも100μm/時に等しい第III−V族半導体材料の堆積速度を可能にするのに十分であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- キャリアガスの質量流を制御するための、質量流制御器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 5ppb以下にまで、キャリアガスから水分を除去することが可能な、精製器をさらに含むことを特徴する請求項1に記載のシステム。
- キャリアガス精製器の下流に、キャリアガスフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 固体形態の第III族前駆体を融解するのに十分な温度まで、容器を加熱するための容器加熱器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- キャリアガスの供給源と、少なくとも110℃の温度にキャリアガスを加熱するためのキャリアガス加熱器とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- キャリアガス加熱器に近接して広い熱交換面を設けるために、正弦状の湾曲部を有するように構成されたキャリアガスラインをさらに含み、前記キャリアガスは、水素、ヘリウム、ネオン、またはこれらの混合物であり、110℃から130℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項7に記載のシステム。
- 前記容器は、絶縁外側部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記送達ラインは、キャリアガスおよび第III族前駆体を運ぶ内部ラインと、加熱媒体を含有するための環状空間を提供する封入同軸ラインとを有する、同軸部分をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 容器は、ステンレス鋼、ハステロイ、モネル、またはこれらの組合せをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記送達ラインは、ステンレス鋼、ハステロイ、モネル、またはこれらの組合せをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 弁付き入口、弁付き出口、並びにそのような入口および出口における弁は、ステンレス鋼、またはハステロイ、モネル、あるいはこれらの混合物をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記弁は、ポリテトラフルオロエチレン弁座をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記容器の内面は、ポリテトラフルオロエチレンを含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 容器、弁付き入口、弁付き出口、入口弁、出口弁、または送達ラインの少なくとも1つは、ニッケルベースの合金、タンタル、タンタルベースの合金、シリコンカーバイド、窒化ホウ素、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、溶融石英層、結合非晶質シリコン層、およびその他の知られている耐塩素性材料からなる群から選択された材料をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
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Families Citing this family (34)
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WO2008064083A2 (en) | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Gallium trichloride injection scheme |
EP2231898A2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-09-29 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Methods for in-situ chamber cleaning process for high volume manufacture of semiconductor materials |
WO2009110436A1 (ja) | 2008-03-03 | 2009-09-11 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体結晶とその製造方法 |
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KR101478977B1 (ko) | 2009-11-18 | 2015-01-06 | 소이텍 | 글라스 접합층을 이용한 반도체 구조들 및 디바이스들의 제조 방법들 및 이와 같은 방법들에 의해 형성되는 반도체 구조들 및 디바이스들 |
FR2968678B1 (fr) | 2010-12-08 | 2015-11-20 | Soitec Silicon On Insulator | Procédés pour former des matériaux a base de nitrure du groupe iii et structures formées par ces procédés |
FR2968830B1 (fr) | 2010-12-08 | 2014-03-21 | Soitec Silicon On Insulator | Couches matricielles ameliorees pour le depot heteroepitaxial de materiaux semiconducteurs de nitrure iii en utilisant des procedes hvpe |
US9023721B2 (en) | 2010-11-23 | 2015-05-05 | Soitec | Methods of forming bulk III-nitride materials on metal-nitride growth template layers, and structures formed by such methods |
JP2013229494A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Sharp Corp | 半導体成長装置 |
US9840790B2 (en) | 2012-08-23 | 2017-12-12 | Hexatech, Inc. | Highly transparent aluminum nitride single crystalline layers and devices made therefrom |
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JP2016511938A (ja) | 2013-01-29 | 2016-04-21 | ヘクサテック,インコーポレイテッド | 単結晶窒化アルミニウム基板を組み込む光電子デバイス |
WO2014159954A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Hexatech, Inc. | Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate |
US20140326752A1 (en) * | 2013-05-06 | 2014-11-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Dispensing vessel having a self-supporting secondary container for use in a printing apparatus for depositing a liquid composition on a backplane |
KR102387359B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2022-04-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 자동-리필 앰풀 및 사용 방법들 |
EP3162914A1 (en) * | 2015-11-02 | 2017-05-03 | IMEC vzw | Apparatus and method for delivering a gaseous precursor to a reaction chamber |
CN108779580B (zh) | 2016-03-15 | 2021-11-16 | 三菱化学株式会社 | GaN结晶的制造方法 |
US10876205B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
US11926894B2 (en) | 2016-09-30 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
US11390950B2 (en) * | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10658205B2 (en) * | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
JP6425850B1 (ja) * | 2017-11-22 | 2018-11-21 | 日本エア・リキード株式会社 | 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品 |
JP2019151894A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 東芝メモリ株式会社 | 気化装置および気化ガス供給ユニット |
KR20200020608A (ko) | 2018-08-16 | 2020-02-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 승화기 |
TWI821363B (zh) | 2018-08-31 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 前驅物遞送系統 |
US11624113B2 (en) | 2019-09-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heating zone separation for reactant evaporation system |
CN111690381B (zh) * | 2020-07-22 | 2021-06-04 | 福建美庆热传科技有限公司 | 一种液态金属导热膏及其制备方法 |
Family Cites Families (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3075494A (en) * | 1960-02-19 | 1963-01-29 | Union Carbide Corp | Apparatus for making metallized porous refractory material |
US3476152A (en) * | 1966-10-10 | 1969-11-04 | Ibm | Multiple outlet valve |
US3724490A (en) * | 1970-07-06 | 1973-04-03 | Fuller Co | Gate valve |
US3699666A (en) * | 1971-04-08 | 1972-10-24 | Mead Corp | Film heating system |
US4033550A (en) * | 1974-02-08 | 1977-07-05 | Wheatley Company | Water gate valve |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
US4264406A (en) * | 1979-06-11 | 1981-04-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method for growing crystals |
US4519999A (en) * | 1980-03-31 | 1985-05-28 | Union Carbide Corporation | Waste treatment in silicon production operations |
US4362560A (en) * | 1980-11-28 | 1982-12-07 | Abrjutin Vladimir N | Process for producing high-purity gallium |
US4545512A (en) * | 1981-01-19 | 1985-10-08 | Uss Engineers & Consultants, Inc. | Full throttle valve and method of tube and gate change |
JPS59188118A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | Toshiba Corp | 気相エピタキシヤル結晶の製造方法 |
US4498953A (en) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
US4716130A (en) * | 1984-04-26 | 1987-12-29 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | MOCVD of semi-insulating indium phosphide based compositions |
US4669821A (en) * | 1984-09-19 | 1987-06-02 | Hughes Aircraft Company | Radiation resistant optical fiber waveguide |
JPS6291494A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-25 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物半導体単結晶成長方法及び装置 |
US5151395A (en) * | 1987-03-24 | 1992-09-29 | Novapure Corporation | Bulk gas sorption and apparatus, gas containment/treatment system comprising same, and sorbent composition therefor |
US5080549A (en) * | 1987-05-11 | 1992-01-14 | Epsilon Technology, Inc. | Wafer handling system with Bernoulli pick-up |
US4798701A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-17 | International Business Machines Corporation | Method of synthesizing amorphous group IIIA-group VA compounds |
JP3037928B2 (ja) * | 1987-10-24 | 2000-05-08 | 忠弘 大見 | ステンレス鋼及びその製造方法並びに減圧装置 |
JPH02179867A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tadahiro Omi | プロセスガス供給システム |
US4881719A (en) * | 1988-09-23 | 1989-11-21 | Bowman Jeffrey M | Gate valve |
JP2538042B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1996-09-25 | 株式会社エステック | 有機金属化合物の気化供給方法とその装置 |
US5136978A (en) * | 1989-10-30 | 1992-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Heat pipe susceptor for epitaxy |
US5078922A (en) * | 1990-10-22 | 1992-01-07 | Watkins-Johnson Company | Liquid source bubbler |
JP2722833B2 (ja) * | 1991-03-18 | 1998-03-09 | 富士通株式会社 | 気相エピタキシャル成長装置および気相エピタキシャル成長方法 |
US5300185A (en) * | 1991-03-29 | 1994-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing III-V group compound semiconductor |
US5974069A (en) * | 1994-09-16 | 1999-10-26 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor laser and manufacturing method thereof |
US5668395A (en) * | 1994-11-22 | 1997-09-16 | Northwestern University | Composition for InSB and GaAs thin film on silicon substrate for use in photodetectors |
JPH08335573A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-12-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜方法及びその装置 |
JPH09148257A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
US5820641A (en) * | 1996-02-09 | 1998-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Fluid cooled trap |
US5965046A (en) * | 1996-04-17 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for baking out a gate valve in a semiconductor processing system |
JP3644191B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2005-04-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子 |
US6174377B1 (en) * | 1997-03-03 | 2001-01-16 | Genus, Inc. | Processing chamber for atomic layer deposition processes |
US6073366A (en) * | 1997-07-11 | 2000-06-13 | Asm America, Inc. | Substrate cooling system and method |
JP3349931B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2002-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
JP2001522142A (ja) * | 1997-11-03 | 2001-11-13 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 改良された低質量ウェハ支持システム |
JPH11243222A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Canon Inc | 半導体膜形成装置、半導体膜の製造方法及び光起電力素子の製造方法 |
CN1139726C (zh) * | 1998-03-04 | 2004-02-25 | 株式会社荏原制作所 | 流体机械的性能调整装置 |
TW393786B (en) * | 1998-03-26 | 2000-06-11 | Min Shr | Method for manufacturing an epitaxial chip |
US6620256B1 (en) * | 1998-04-28 | 2003-09-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-plasma in-situ cleaning of processing chambers using static flow methods |
WO1999066565A1 (en) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | University Of Florida | Method and apparatus for producing group-iii nitrides |
US6406677B1 (en) * | 1998-07-22 | 2002-06-18 | Eltron Research, Inc. | Methods for low and ambient temperature preparation of precursors of compounds of group III metals and group V elements |
US6129043A (en) * | 1999-02-25 | 2000-10-10 | United Microelectronics Corp. | Gas tube with heating apparatus |
US6406540B1 (en) * | 1999-04-27 | 2002-06-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Process and apparatus for the growth of nitride materials |
US6290774B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-09-18 | Cbl Technology, Inc. | Sequential hydride vapor phase epitaxy |
US6645884B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a silicon nitride layer on a substrate |
KR100729253B1 (ko) * | 1999-11-02 | 2007-06-15 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 배기가스처리용 연소기 |
JP4252702B2 (ja) * | 2000-02-14 | 2009-04-08 | 株式会社荏原製作所 | 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 |
US6596079B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | III-V nitride substrate boule and method of making and using the same |
TW578214B (en) * | 2000-05-29 | 2004-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Method of forming oxynitride film or the like and system for carrying out the same |
EP1160355B1 (en) * | 2000-05-31 | 2004-10-27 | Shipley Company LLC | Bubbler |
US6602346B1 (en) * | 2000-08-22 | 2003-08-05 | Novellus Systems, Inc. | Gas-purged vacuum valve |
FR2817395B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
FR2840731B3 (fr) * | 2002-06-11 | 2004-07-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche utile en materiau semi-conducteur monocristallin de proprietes ameliorees |
US6599362B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-07-29 | Sandia Corporation | Cantilever epitaxial process |
JP2002217118A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Japan Pionics Co Ltd | 窒化ガリウム膜半導体の製造装置、排ガス浄化装置、及び製造設備 |
US6707011B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
US6613143B1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-09-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for fabricating bulk GaN single crystals |
US20060011135A1 (en) * | 2001-07-06 | 2006-01-19 | Dmitriev Vladimir A | HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run |
US6800255B2 (en) * | 2002-01-23 | 2004-10-05 | Agere Systems, Inc. | System and method for the abatement of toxic constituents of effluent gases |
EP1485513A2 (en) * | 2002-03-08 | 2004-12-15 | Sundew Technologies, LLC | Ald method and apparatus |
KR100481008B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2005-04-07 | 주성엔지니어링(주) | 화학기상증착공정용 기체 가열장치 및 이를 이용한반도체소자 제조방법 |
GB0219735D0 (en) * | 2002-08-23 | 2002-10-02 | Boc Group Plc | Utilisation of waste gas streams |
US6845619B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-01-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated system and process for effluent abatement and energy generation |
US6911065B2 (en) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | Matheson Tri-Gas, Inc. | Method and system for supplying high purity fluid |
US20060169996A1 (en) * | 2002-12-27 | 2006-08-03 | General Electric Company | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US20040182315A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-23 | Tokyo Electron Limited | Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system |
US7261118B2 (en) * | 2003-08-19 | 2007-08-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and vessel for the delivery of precursor materials |
JP2005109098A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Nec Kansai Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
GB2415707A (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-04 | Arima Optoelectronic | Vertical hydride vapour phase epitaxy deposition using a homogenising diaphragm |
JP4583104B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2010-11-17 | 原子燃料工業株式会社 | メチルトリクロロシランガス発生装置 |
DE102004047440B4 (de) * | 2004-09-28 | 2007-11-08 | Centrotherm Clean Solutions Gmbh & Co.Kg | Anordnung zur Reinigung von toxischen Gasen aus Produktionsprozessen |
US7390360B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Organometallic compounds |
JP2006165317A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Elpida Memory Inc | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
US20060131606A1 (en) * | 2004-12-18 | 2006-06-22 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures employing seed layers and related fabrication methods |
US7942970B2 (en) * | 2005-12-20 | 2011-05-17 | Momentive Performance Materials Inc. | Apparatus for making crystalline composition |
DE602007011917D1 (de) * | 2006-05-08 | 2011-02-24 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Verfahren zur herstellung eines iii-n-volumenkristalls und eines freistehenden iii-n-substrats und iii-n-volumenkristall und freistehendes iii-n-substrat |
US20080018004A1 (en) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | High Flow GaCl3 Delivery |
JP5009367B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2012-08-22 | ソイテック | 三塩化ガリウムの大容量送達システム |
WO2008064077A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
JP5244814B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2013-07-24 | ソイテック | 化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁を使用した方法、アセンブリ及びシステム |
WO2008064080A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | High volume delivery system for gallium trichloride |
WO2008064083A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Gallium trichloride injection scheme |
ATE546570T1 (de) * | 2006-11-22 | 2012-03-15 | Soitec Silicon On Insulator | Verfahren zur epitaktischen abscheidung von einkristallinen iii-v halbleitermaterial |
US7663148B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-02-16 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer |
EP2227576B1 (en) * | 2007-12-20 | 2015-06-03 | Soitec | Apparatus for delivering precursor gases to an epitaxial growth substrate |
US8291856B2 (en) * | 2008-03-07 | 2012-10-23 | Tokyo Electron Limited | Gas heating device for a vapor deposition system |
EP2403975A1 (en) * | 2009-03-03 | 2012-01-11 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Gas injectors for cvd systems with the same |
US8486192B2 (en) * | 2010-09-30 | 2013-07-16 | Soitec | Thermalizing gas injectors for generating increased precursor gas, material deposition systems including such injectors, and related methods |
-
2007
- 2007-06-08 JP JP2009514548A patent/JP5009367B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2007-06-08 EP EP07812070.6A patent/EP2038456B1/en not_active Not-in-force
-
2012
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-
2014
- 2014-05-27 JP JP2014109394A patent/JP5923553B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012096994A (ja) * | 2006-06-09 | 2012-05-24 | Soitec | 三塩化ガリウムを製造するための大容量送達方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009539748A (ja) | 2009-11-19 |
WO2007143743A3 (en) | 2008-03-20 |
SG174771A1 (en) | 2011-10-28 |
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