DE60106675T2 - Verdampfer - Google Patents

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DE60106675T2
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gas
inlet
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Richard J. Newburyport Colby
Robert North Andover Stennick
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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf einen Dampfgenerator zur Verwendung in einer Dampfabscheidungseinrichtung bzw. -ausrüstung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen Dampfgenerator, der für die Erfordernisse von Dampfphasen-Epitaxie- oder andere chemische Dampfabscheidungseinrichtung bzw. -ausbildung konstruiert bzw. geeignet ist.
  • Gruppe III–V Verbindungs-Halbleitermaterialien, die unterschiedliche monokristalline Schichten mit unterschiedlichen bzw. variierenden Zusammensetzungen und mit Dicken beinhalten, die von Bruchteilen eines Mikrometers bis einige Mikrometer reichen, werden in der Herstellung von zahlreichen elektronischen und optoelektronischen Vorrichtungen, wie Laser und Photodetektoren verwendet. Chemische Dampfabscheidungsverfahren unter Verwendung von metallorganischen Verbindungen werden typischerweise in der chemischen Dampfabscheidungs- ("CVD") -Technik für die Abscheidung von dünnen Metallfilmen bzw. -folien oder Halbleiterdünnfilmen aus Gruppe III–V-Verbindungen verwendet. Verbindungen, die typischerweise als Vorläufer in einer CVD für die Halbleiterindustrie verwendet werden, umfassen bzw. beinhalten Cyclopentadienyl-Magnesium ("Cp2Mg"), Trimethyl-Aluminium ("TMA"), Trimethyl-Gallium ("TMG"), Triethyl-Gallium ("TEG"), Trimethyl-Antimon ("TMSb"), Dimethyl-Hydrazin ("DMHy"), Trimethyl-Indium ("TMI") und dgl. Feste Vorläufer, wie TMI, werden in der metallorganischen Dampfphasen- Epitaxie ("MOVPE") von Indium enthaltenden Halbleitern verwendet.
  • Typischerweise werden derartige feste Vorläufer in einem zylindrischen Kesseln oder Behältern angeordnet, der als ein "Verdampfer" bezeichnet wird, und einer konstanten Temperatur unterworfen, worin der feste Vorläufer verdampft wird. Ein Trägergas, wie Wasserstoff, wird verwendet, um den Vorläuferverbindungsdampf aufzunehmen und ihn zu einem Abscheidungssystem zu transportieren. Die meisten festen Vorläufer zeigen schlechte oder unregelmäßige Liefergeschwindigkeiten bzw. -raten, wenn sie in konventionellen verdampferartigen Vorläuferbehältern verwendet werden. Derartige konventionelle Verdampfer beinhalten sowohl Verdampferbehälter, die ein Tauchrohr an dem Einlaß festgelegt aufweisen, siehe beispielsweise US-Patent Nr. 4,506,815 (Melas et al.), oder die Gaszuführungsvorrichtung, wie sie in US-Patent Nr. 5,755,885 geoffenbart ist, welches eine Mehrzahl von ein Gas ausspritzenden Löchern in dem Tauchrohr aufweist, um das Trägergas in den Behälter einzubringen. Derartige konventionelle Verdampfersysteme können in einer nicht stabilen, nicht gleichmäßigen Flußgeschwindigkeit bzw. Strömungsrate der Vorläuferdämpfe resultieren, insbesondere wenn feste metallorganische Vorläuferverbindungen verwendet werden. Nicht gleichmäßige Flußgeschwindigkeiten bilden einen nachteiligen Effekt auf die Zusammensetzungen der Folien bzw. Filme, insbesondere Halbleiterfilme, die in MOVPE-Reaktoren gezüchtet werden bzw. wachsen.
  • Andere Verdampfersysteme wurden entwickelt wie jenes, das von Morton International Inc. entwickelt wurde, welches die Verwendung eines Tauchrohrs eliminiert. Jedoch versagten, während für derartige von einem Tauchrohr freie Verdampfer gefunden wurde, daß sie eine gleichmäßige Flußgeschwindigkeit zur Verfügung stellen, sie, eine konsistent bzw. gleichbleibend hohe Konzentration von Vorläufermaterial zur Verfügung zu stellen. Die Unfähigkeit, eine stabile Zufuhr von Zufuhrdampf von festen Vorläufern mit bzw. bei einer konstant hohen Konzentration zu erhalten, ist für die Benutzer einer derartigen Einrichtung bzw. Ausrüstung insbesondere in der Halbleitervorrichtungsherstellung problematisch. Die ungleichmäßige bzw. unstetige Strömungsrate des metallorganischen Vorläufers kann auf einer Vielzahl von Faktoren beruhen, beinhaltend eine progressive Reduktion des Gesamtoberflächenbereichs der Chemikalie, von welcher die Verdampfung stattfindet, eine Tunnelbildung durch die Verbindung des festen Vorläufers, wo das Trägergas einen minimalen Kontakt mit der Vorläuferverbindung besitzt, und die Sublimation des Vorläuferfestmaterials zu Teilen des Verdampfers, wo ein effizienter Kontakt mit dem Trägergas schwierig oder unmöglich ist.
  • Es wurden verschiedene Verfahren angewandt, um die Strömungs- bzw. Flußprobleme zu beseitigen, wie die Verwendung von Umkehrflußverdampfern, die Verwendung von Dispersionsmaterialien in den Vorläufermaterialien, ein Verwenden bzw. Anwenden von Diffusor-Platten unter dem Bett des festen Vorläufermaterials ein Anwenden von konischen Zylinderausbildungen bzw. -designs und ein Schlagen auf den Zylinder, um die festen Vorläufermaterialien zu deagglomerieren. Beispielsweise offenbart das US-Patent Nr. 4,704,988 (Mellet) einen Verdampfer, wobei der Behälter durch eine poröse Unterteilung in erste und zweite Abteile unterteilt bzw. getrennt ist. In diesem Design ist das Vorläufermaterial in dem ersten Abteil in einem flüssigen Zustand enthalten, und wenn es verdampft wird, diffundiert es durch die Trennwand in das zweite Abteil, wo es ein Trägergas kontaktiert und in diesem für einen Transport von dem Behälter in die geeignete Abscheidungskammer mitgerissen wird.
  • US-Patent Nr. 5,603,169 (Kim) offenbart ein Verdampferdesign, das obere und untere poröse Platten aufweist, durch welche das Trägergas hindurchtritt. Die untere poröse Platte ist über dem Trägergaszufuhreinlaß und trägt das feste Vorläufermaterial. Im Betrieb tritt das Trägergas durch die untere poröse Platte durch, bevor es das feste Vorläufermaterial kontaktiert. Eine komprimierende bzw. Komprimierplatte ist über der unteren porösen Platte angeordnet, um das Vorläufermaterial durch ihr Gewicht zusammenzupressen. Ein derartiges Verdampferdesign ist relativ komplex und leidet an einem Problem eines Fluidisierens des festen Vorläufermaterials aufgrund des Trägerstroms bzw. -flusses durch den porösen Pfropfen, bevor es nach oben, d.h. gegen die Schwerkraft durch den Verdampfer hindurchtritt. Dies bewirkt Änderungen in der effektiven Fläche des festen Vorläufermaterials, welches die Leistung des Verdampfers nachteilig beeinflußt.
  • Konventionelle Verdampferdesigns versagen beim Bereitstellen einer gleichmäßigen Flußgeschwindigkeit mit bzw. bei maximaler Aufnahme des Vorläufermaterials. Es besteht daher ein fortgesetztes Bedürfnis für einen stabilen Fluß/Aufnahme von Dampf des festen Vorläufermaterials. Weiters besteht eine Nachfrage nach Verdampfervorrichtungen, die maßgeschneidert sind, um eine gleichmäßige und hohe Konzentration an Vorläufermaterialdampf bis zu einer totalen Erschöpfung der Dampfquelle zur Verfügung zu stellen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es wurde überraschenderweise gefunden, daß die Verdampferdesigns der vorliegenden Erfindung eine stabile Flußgeschwindigkeit bzw. Strömungsrate von Vorläufermaterialdampf zur Verfügung stellen, eine hohe Konzentration von Vorläuferdampf in dem Trägergas zur Verfügung stellen, bei niedrigeren Drücken als konventionelle Verdampfer verwendet werden können und einen maximalen Kontakt des Trägergases mit dem Vorläufermaterial zur Verfügung stellen.
  • In einem Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Bereitstellen einer verdampften festen metallorganischen Verbindung zu einem chemischen Dampfabscheidungssystem zur Verfügung, umfassend bzw. beinhaltend einen Kessel bzw. Behälter, der einen länglichen, zylindrisch geformten Abschnitt, der eine innere Oberfläche besitzt, die einen im wesentlichen konstanten Querschnitt über die Länge des zylindrischen Abschnitts definiert, einen oberen Verschlußabschnitt, einen Bodenverschlußabschnitt und Einlaß- und Auslaßkammern aufweist, die in Fluidverbindung und getrennt durch ein poröses Element sind, wobei der oberen Verschlußabschnitt einen Einfüllpfropfen bzw. -stopfen, eine Gaseinlaßöffnung und eine Gasauslaßöffnung aufweist, wobei der Einfüllpfropfen und die Gaseinlaßöffnung mit der Einlaßkammer kommunizieren bzw. in Verbindung stehen, wobei die Gasauslaßöffnung mit der Auslaßkammer in Verbindung steht, wobei die Einlaßkammer einen konisch geformten, unteren Abschnitt aufweist, der das poröse Element enthält, wobei das poröse Element von dem Bodenverschlußabschnitt beabstandet ist.
  • In einem zweiten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bereitstellen einer metallorganischen Vorläuferverbindung in der Dampfphase zu einem chemischen Dampfabscheidungssystem zur Verfügung, umfassend bzw. beinhaltend die Schritte: a) Einbringen einer festen metallorganischen Vorläuferverbindung in die Einlaßkammer der oben beschriebenen Vorrichtung; b) Erhitzen bzw. Erwärmen der metallorganischen Vorläuferverbindung; c) Durchleiten eines Trägergases durch die metallorganische Vorläuferverbindung, um einen Gasstrom zur Verfügung zu stellen, enthaltend verdampfte metallorganische Vorläuferverbindung; und d) Zuführen bzw. Liefern des Gasstrom zu einem chemischen Dampfabscheidungssystem.
  • In einem dritten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung einer metallorganischen Vorläuferverbindung zur Verfügung, umfassend bzw. beinhaltend die oben beschriebene Vorrichtung.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die für einen konventionellen Tauchrohr-Verdampfer illustrativ ist.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die für einen Verdampfer der vorliegenden Erfindung mit einem ringförmigen Design illustrativ ist.
  • 2A ist eine Querschnittsansicht des konischen Abschnitts der Einlaßkammer des Verdampfers von 2.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, die für einen Verdampfer der vorliegenden Erfindung illustrativ ist, der ein nicht ringförmiges Design aufweist.
  • 3A ist eine Querschnittsansicht des konischen Querschnitts der Einlaßkammer des Verdampfers von 3.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Wie dies in der Beschreibung verwendet werden wird, sollen die folgenden Abkürzungen die folgenden Bedeutungen besitzen, außer der Kontext zeigt deutlich etwas anderes an: cm = Zentimeter, sccm = Standardkubikzentimeter pro Minute; und °C = Grad Celsius. Alle numerischen Bereiche sind inklusive und kombinierbar.
  • Der Dampfgenerator oder Verdampfer der vorliegenden Erfindung ist ausgebildet bzw. entworfen, um schlechte und ungleichmäßige Lieferraten bzw. Verteilungsgeschwindigkeiten, die durch bekannte Designs gezeigt werden, ebenso wie ihre Unfähigkeit zu eliminieren, eine vollständige gleichmäßige Erschöpfung bzw. ein Aufbrauchen des metallorganischen Vorläufermaterials zur Verfügung zu stellen.
  • Der Verdampfer der vorliegenden Erfindung umfaßt bzw. beinhaltet einen mit einer Doppelkammer versehenen, zylindrisch geformten Behälter, um Dämpfe eines festen metallorganischen Vorläufers unter Verwendung eines Trägergases auszubilden. Derartige Verdampfer haben einen länglichen zylindrisch geformten Abschnitt, der eine Innenoberfläche aufweist, die einen im wesentlichen konstanten Querschnitt über die Länge des zylindrischen Abschnitts definiert, einen oberen Verschlußabschnitt, einen Bodenverschlußabschnitt und Einlaß- und Auslaßkammern in Fluidverbindung und durch ein poröses Element getrennt, wobei der obere Verschlußabschnitt einen Einfüllpfropfen und eine Gaseinlaßöffnung aufweist, wobei der Einfüllpfropfen bzw. -stopfen und die Gaseinlaßöffnung mit der Einlaßkammer kommunizieren bzw. in Verbindung stehen, die Auslaßöffnung mit der Auslaßkammer kommuniziert, die Einlaßkammer einen konisch geformten unteren Abschnitt enthaltend das poröse Element aufweist, wobei das poröse Element von dem Bodenverschlußabschnitt beabstandet ist.
  • Diese Verdampfer können aus jedem geeigneten Material, wie Glas, Poly(Tetrafluorethylen) oder Metall gefertigt sein, solange das Material gegenüber der metallorganischen Verbindung, die darin enthalten ist, inert ist. Metalle sind bevorzugt und insbesondere Nickellegierungen und rostfreie Stähle. Geeignete rostfreie Stähle beinhalten, sind jedoch nicht beschränkt auf 304, 304 L, 316, 316 L, 321, 347 und 430. Geeignete Nickellegierungen beinhalten, sind jedoch nicht beschränkt auf INCONEL, MONEL, HASTELLOY und dgl. Es wird durch den Fachmann in der Technik erkannt bzw. geschätzt werden, daß eine Materialmischung in der Herstellung der vorliegenden Verdampfer verwendet werden kann.
  • Das poröse Element ist typischerweise ein Sintermaterial bzw. eine Fritte, die eine kontrollierte bzw. geregelte Porosität besitzt. Poröse Elemente, die eine große Verschiedenheit von Porositäten besitzen, können in der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Die spezielle Porosität wird von einer Vielzahl von Faktoren abhängen, welche innerhalb der Fähigkeit des Fachmanns liegen. Typischerweise hat das poröse Element eine Porengröße von etwa 1 bis 100 Mikrometer, vorzugsweise von etwa 1 bis 10 Mikrometer. Jedoch können poröse Elemente, die Porositäten von mehr als 100 Mikrometer besitzen, für bestimmte Anwendungen geeignet sein. Jedes Material kann verwendet werden, um die Fritte auszubilden bzw. aufzubauen unter der Voraussetzung, daß es gegenüber der metallorganischen Verbindung, die verwendet wird, inert ist und die gewünschte Porosität gesteuert bzw. geregelt werden kann. Geeignete Materialien beinhalten, sind jedoch nicht beschränkt auf Glas, Poly(tetrafluorethylen) oder Metalle, wie rostfreie Stähle oder Nickellegierungen. Es ist bevorzugt, daß das poröse Element gesintertes Metall ist, und noch bevorzugter rostfreier Stahl. Die geeigneten rostfreien Stähle und Nickellegierungen, die für das Herstellen des porösen Elements geeignet sind, sind jene, die oben für die Herstellung des Verdampfers beschrieben wurden.
  • Das poröse Element ist in dem konischen unteren Abschnitt der Einlaßkammer enthalten. Das poröse Element hält den festen metallorganischen Vorläufer in der Einlaßkammer zurück und die Kombination des konischen Querschnitts und des porösen Elements stellt eine Be- bzw. Einschränkung für den Gasfluß bzw. -strom zur Verfügung. Diese Beschränkung gewährt bzw. liefert einen gleichmäßigen Trägergasstrom durch den gepackten festen metall-organischen Vorläufer. Der konische Querschnitt bzw. Abschnitt erhöht die Bewegung des festen Vorläufers innerhalb des Verdampfers und richtet bzw. leitet das feste Material auf die poröse, d.h. gesinterte Oberfläche. Dies ist insbesondere gegen Ende der Lebensdauer des Verdampfers wichtig und verbessert die Ausbeute von dem Verdampfer. Der konische Querschnitt des unteren Abschnitts der Einlaßkammer kann von jedem Winkel, wie beispielsweise 1 bis 89 Grad sein. Vorzugsweise hat der konische Abschnitt einen Winkel von etwa 60 Grad oder mehr.
  • Die Größe des porösen Elements ist nicht kritisch. Beispielsweise kann das poröse Element eine Scheibe sein, die einen Durchmesser von etwa 1 Zoll (2,54 cm) und eine Dicke von etwa 0,125 Zoll (0,32 cm) aufweist. In einer alternati ven Ausbildung kann das poröse Element ein Innenrohr aufweisen, das mit seinem Außendurchmesser konzentrisch ist.
  • Die Querschnittsabmessung des Verdampfers ist für die Leistung des Zylinders kritisch, ansonsten sind die Abmessungen des Verdampfers nicht kritisch und hängen von dem Trägergasstrom, der zu verwendenden Vorläuferverbindung, dem speziellen verwendeten chemischen Dampfabscheidungssystem und dgl. ab. Die Querschnittsabmessung bestimmt bei einem gegebenen Druck und einer Flußgeschwindigkeit die Lineargeschwindigkeit des Gases in dem Zylinder, welche wiederum die Kontaktzeit zwischen dem Vorläufermaterial und dem Trägergas und somit die Sättigung des Trägergases steuert bzw. regelt. Typischerweise hat der Verdampfer eine Querschnittsabmessung von etwa 2 Zoll (5 cm) bei etwa 6 Zoll (15 cm). Die anderen Abmessungen für einen speziellen Verdampfer sind jene, die innerhalb der Fähigkeit eines Fachmanns liegen.
  • Eine große Vielzahl von festen, metallorganischen Verbindungsvorläufern kann mit den Verdampfern der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Geeignete metallorganische Vorläufer beinhalten, sind jedoch nicht beschränkt auf Cyclopentadienyl-Magnesium, Trialkyl-Aluminium, wie Trimethyl-Aluminium und Triethyl-Aluminium, Trialkyl-Gallium, wie Trimethyl-Gallium und Triethyl-Gallium, Trialkyl-Antimon, wie Trimethyl-Antimon, Dimethyl-Hydrazin, Trialkyl-Indium, wie Trimethyl-Indium und dgl. Es ist bevorzugt, daß der metallorganische Vorläufer Cyclopentadienyl-Magnesium und Trialkyl-Indium und noch bevorzugter Trimethyl-Indium ist. Derartige metallorganische Vorläufer sind allgemein kommerziell erhältlich von einer Vielzahl von Lieferanten.
  • Jedes geeignete Trägergas kann mit den vorliegenden Verdampfern verwendet werden, solange es nicht mit dem metallorganischen Vorläufer reagiert. Die spezielle Auswahl des Trägergases hängt von einer Vielzahl von Faktoren, wie dem metallorganischen Vorläufer, dem speziellen chemischen Dampfabscheidungssystem, das angewandt ist, und dgl. ab. Geeignete Trägergase beinhalten, sind jedoch nicht beschränkt auf Wasserstoff, Stickstoff, Argon, Helium und dgl. Wasserstoff ist bevorzugt. Das Trägergas kann bei den vorliegenden Verdampfern in einer großen Vielzahl von Flußgeschwindigkeiten bzw. Strömungsraten verwendet werden. Derartige Flußgeschwindigkeiten sind eine Funktion der Verdampferquerschnittsabmessung und des Drucks. Größere Querschnittsabmessungen erlauben höhere Trägergasströme, d.h. Lineargeschwindigkeit, bei einem gegebenen Druck. Beispielsweise können, wenn der Verdampfer eine Querschnittsabmessung von 2 Zoll aufweist, Trägergas-Flußgeschwindigkeiten von bis zu 500 sccm verwendet werden, obwohl höhere Gasflußgeschwindigkeiten verwendet werden können. Der Trägergasfluß, der in den Verdampfer eintritt, der aus dem Verdampfer austritt oder sowohl derjenige, der in den Verdampfer eintritt und aus diesem austritt, kann durch Kontroll- bzw. Steuer- bzw. Regelmittel reguliert werden. Jegliche konventionelle Steuer- bzw. Regelmittel können verwendet werden, wie händisch betätigte Steuer- bzw. Regelventile und computerbetätigte Steuer- bzw. Regelventile.
  • Allgemein wird die metallorganische Vorläuferverbindung zu der Verdampfereinlaßkammer durch eine Einfüllöffnung in dem oberen Abschnitt des Verdampfers zugefügt. In der Verwendung kann der Verdampfer bei einer Vielzahl von Temperaturen verwendet werden. Die exakte Temperatur wird von der speziellen Vorläuferverbindung und der gewünschten Anwendung abhängen. Die Temperatur steuert bzw. regelt den Dampfdruck der Vorläuferverbindung, welche den Fluß des Materials steuert bzw. regelt, der für die spezifischen Aufwachsraten oder Legierungszusammensetzungen erforderlich ist. Eine derartige Temperaturauswahl liegt innerhalb der Fähigkeiten des Fachmanns. Beispielsweise kann, wenn die metallorganische Vorläuferverbindung Trimethyl-Indium ist, die Temperatur des Verdampfers von etwa 10° bis etwa 60 °C, vorzugsweise von etwa 35 ° bis etwa 55 °, noch bevorzugter von etwa 35 ° bis 50 °C liegen. Die vorliegenden Verdampfer können durch eine Vielzahl von Heizmitteln beheizt werden, wie durch ein Anordnen des Verdampfers in einem thermostatischen Bad, durch direktes Eintauchen des Verdampfers in ein geheiztes Ölbad oder durch die Verwendung von Halogenkohlenstofföl, das durch ein Metallrohr, wie ein Kupferrohr, fließt, das den Verdampfer umgibt bzw. umschließt.
  • Das Trägergas tritt in die Verdampfereinlaßkammer durch die Einlaßöffnung an der Oberseite des Verdampfers ein. Das Trägergas tritt dann durch den metallorganischen Vorläufer durch und nimmt verdampften Vorläufer auf, um einen Gasstrom zu bilden, der verdampften Vorläufer beinhaltet, der mit Trägergas vermischt ist. Die Menge an verdampftem Vorläufer, der durch das Trägergas aufgenommen ist, kann gesteuert bzw. geregelt werden. Es ist bevorzugt, daß das Trägergas mit verdampftem Vorläufer gesättigt ist. Das Trägergas wird dann mittels eines konisch geformten unteren Abschnitts der Einlaßkammer zu einem porösen Element gerichtet, das an der Spitze des konischen Abschnitts angeordnet ist. Das Trägergas verläßt die Einlaßkammer durch das poröse Element zu der Auslaßkammer, welche in Fluidkontakt mit der Einlaßkammer ist. Das Trägergas tritt dann aus der Auslaßkammer durch die Auslaßöffnung aus und wird zu einem chemischen Dampfabscheidungssystem gerichtet. Die Verdampfer der vorliegenden Erfindung können mit jedem chemischen Dampfabscheidungssystem verwendet werden.
  • 1 illustriert ein konventionelles Tauchrohr-Verdampferdesign der Art, wie es im US-Patent Nr. 4,506,815 geoffenbart ist, beinhaltend einen länglichen zylindrischen Behälter 1, ein Einlaßrohr 2, um Trägergas abzugeben bzw. zu liefern und ein Auslaßrohr 3, um den Vorläuferdampf auszutragen, welcher in einem Tauchrohr 4 endet, welches sich in das Vorläufermaterial fortsetzt erstreckt bzw. fortsetzt, das in dem Behälter enthalten ist.
  • 2 illustriert eine Querschnittsansicht des Verdampfers der vorliegenden Erfindung mit einem ringförmigen Design. In dieser Ausbildung weist ein länglicher zylindrischer Behälter 10 eine Innenoberfläche 11, die einen im wesentlichen konstanten Querschnitt über die Länge des Zylinders 10 definiert, einen oberen Verschlußabschnitt 15 und einen unteren Verschlußabschnitt 16 auf, der einen ebenen inneren Bodenabschnitt 17 aufweist. Der obere Verschlußabschnitt 15 hat eine Einfüllöffnung 18, Einlaßöffnung 19 und Auslaßöffnung 20. Das Einlaßrohr 12 und das Auslaßrohr 13 kommunizieren bzw. stehen in Verbindung mit der Einlaßöffnung 19 bzw. der Auslaßöffnung 20 in dem Verschlußabschnitt 15 des Behälters. Ein Trägergasfluß, der in den Behälter durch das Einlaßrohr 12 eintritt, wird durch ein Steuer- bzw. Regelventil CV1 reguliert. Ein Trägergasstrom, der aus dem Behälter durch das Auslaßrohr 13 austritt, wird durch ein Steuer- bzw. Regelventil CV2 reguliert. Das untere Ende der Einlaßöffnung 19 kommuniziert direkt mit der Einlaßkammer 25, die einen konisch geformten unteren Abschnitt 21 auf weist. Die Einlaßkammer 25 und die Auslaßkammer 30 sind in Fluidkommunikation bzw. -verbindung mittels des porösen Glieds 14. Das poröse Glied bzw. Element 14 ist an der Spitze oder dem Boden des konischen Abschnitts 21 der Einlaßkammer angeordnet. Die Auslaßöffnung 20 kommuniziert direkt mit der Auslaßkammer 30.
  • 2A zeigt einen Querschnitt durch A des konischen Abschnitts 21 des unteren Abschnitts der Einlaßkammer 25 des Verdampfers von 2, beinhaltend das poröse Element 14.
  • Trägergas tritt in den Behälter durch das Einlaßrohr 12 und in die Einlaßkammer 25 ein, enthaltend den metallorganischen Vorläufer. Das Trägergas nimmt den verdampften metallorganischen Vorläufer auf, um einen Gasstrom zu bilden. Der Gasstrom verläßt die Einlaßkammer 25 durch das poröse Element 14 und tritt in die Auslaßkammer 30 ein. Der Gasstrom tritt dann aus der Auslaßkammer 30 durch die Auslaßöffnung 20 in das Auslaßrohr 13 aus und wird dann in ein chemisches Dampfabscheidungssystem gerichtet.
  • 3 illustriert eine Querschnittsansicht eines Verdampfers der vorliegenden Erfindung, der ein nicht ringförmiges Design aufweist. In dieser Ausbildung weist ein länglicher zylindrischer Behälter 10 eine Innenoberfläche 11, die einen im wesentlichen konstanten Querschnitt über die Länge des Zylinders 10 definiert, einen oberen Verschlußabschnitt 15 und einen Bodenverschlußabschnitt 16 auf, der einen flachen bzw. ebenen inneren Bodenabschnitt 17 aufweist. Der obere Verschlußabschnitt 15 hat eine Einfüllöffnung 18, Einlaßöffnung 19 und Auslaßöffnung 20. Ein Einlaßrohr 12 und ein Auslaßrohr 13 kommunizieren mit der Einlaßöffnung 19 bzw. der Auslaßöffnung 20 in dem Verschlußabschnitt 15 des Behälters. Ein Trägergasstrom, der in den Behälter durch das Einlaßrohr 12 eintritt, wird durch ein Steuer- bzw. Regelventil CV1 gesteuert bzw. geregelt. Ein Trägergasstrom, der aus dem Behälter durch das Auslaßrohr 13 austritt, wird durch ein Steuer- bzw. Regelventil CV2 reguliert. Das untere Ende der Einlaßöffnung 19 kommuniziert direkt mit der Einlaßkammer 25, die ein zentrales Rohr 31, das konzentrisch zu seinem Außendurchmesser ist, und einen konisch geformten unteren Abschnitt 21 aufweist. Die Einlaßkammer 25 und die Auslaßkammer 30 sind in Fluidverbindung mittels des porösen Glieds 14. Das poröse Glied 14 ist an der Spitze oder dem Boden des konischen Abschnitts 21 der Einlaßkammer angeordnet. Die Auslaßöffnung 20 kommuniziert mit der Auslaßkammer 30 mittels eines zentralen bzw. Mittelrohrs 31.
  • 3A zeigt einen Querschnitt durch A des konischen Abschnitts 21 des unteren Abschnitts der Einlaßkammer 25 des Verdampfers von 3, beinhaltend das poröse Element 14 und das zentrale Rohr 31.
  • Trägergas tritt in den Behälter durch das Einlaßrohr 12 und in die Einlaßkammer 25 ein, enthaltend den metallorganischen Vorläufer. Das Trägergas nimmt den verdampften metallorganischen Vorläufer auf, um einen Gasstrom zu bilden. Der Gasstrom verläßt die Einlaßkammer 25 durch das poröse Element 14 und tritt in die Auslaßkammer 30 ein. Der Gasstrom passiert dann durch das zentrale Rohr 31 und tritt in die Auslaßkammer 30 durch die Auslaßöffnung 20 in das Auslaßrohr 13 aus und wird dann zu einem chemischen Dampfabscheidungssystem gerichtet.
  • Während die vorliegende Erfindung bei einer Vielzahl von Systemdrücken verwendet werden kann, ist es ein Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß niedrigere Drücke verwendet werden können. Die Verdampfer der vorliegenden Erfindung haben den zusätzlichen Vorteil, daß sie Verdampfer zur Verfügung stellen, die einen gleichmäßigen bzw. einheitlichen Trägergasstrom durch den gepackten festen metallorganischen Vorläufer besitzen. Die konischen Quer- bzw. Abschnitte der vorliegenden Verdampfer erhöhen auch die Bewegung des festen Vorläufers innerhalb des Verdampfers und richten bzw. leiten das feste Material auf die Oberfläche des Elements.
  • Das nicht ringförmige Verdampferdesign der vorliegenden Erfindung hat den weiteren Vorteil, daß der Wärmeübergang verbessert ist bzw. wird. Die einzige Wand des nicht ringförmigen Designs und das Fehlen eines ringförmigen Raums führt zu einem verbesserten Wärmetransfer. Das zentrale Rohr des nicht ringförmigen Designs liefert einen zusätzlichen Wärmetransfer zu dem Zentrum des festen Vorläufermaterials. Ein derartiges nicht ringförmiges Design stellt eine konsistentere bzw. gleichmäßigere Betriebstemperatur zur Verfügung.

Claims (15)

  1. Vorrichtung zum Bereitstellen einer verdampften, festen, metallorganischen Verbindung zu einem chemischen Dampfabscheidungssystem, umfassend einen Kessel bzw. Behälter, der einen länglichen, zylindrisch geformten Abschnitt, der eine innere Oberfläche bzw. Fläche besitzt, die einen im wesentlichen konstanten Querschnitt über die Länge des zylindrischen Abschnitts definiert, einen oberen Verschlußabschnitt, einen Bodenverschlußabschnitt und Einlaß- und Auslaßkammern aufweist, die in Fluidverbindung und getrennt durch ein poröses Element sind, wobei der oberen Verschlußabschnitt einen Einfüllpfropfen, eine Gaseinlaßöffnung und eine Gasauslaßöffnung aufweist, wobei der Einfüllpfropfen und die Gaseinlaßöffnung mit der Einlaßkammer kommunizieren bzw. in Verbindung stehen, wobei die Gasauslaßöffnung mit der Auslaßkammer in Verbindung steht, wobei die Einlaßkammer einen konisch geformten, unteren Abschnitt aufweist, der das poröse Element enthält, wobei das poröse Element von dem Bodenverschlußabschnitt beabstandet ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der konisch geformte Abschnitt einen Winkel von etwa 60 Grad oder mehr aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das poröse Element eine Fritte ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Fritte gesintertes Metall ist.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das poröse Glied eine Porengröße von etwa 1 bis 100 Mikrometer aufweist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Einlaßkammer ein ringförmiges Design bzw. eine ringförmige Ausgestaltung aufweist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Einlaßkammer ein nicht-ringförmiges Design bzw. eine nicht-ringförmige Ausgestaltung aufweist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei das poröse Element ein konzentrisches Innenrohr aufweist.
  9. Verfahren zum Bereitstellen einer metallorganischen Vorläuferverbindung in der Dampfphase zu einem chemischen Dampfabscheidungssystem, umfassend die Schritte: a) Einbringen einer festen metallorganischen Vorläuferverbindung in die Einlaßkammer der Vorrichtung von Anspruch 1; b) Erhitzen bzw. Erwärmen der metallorganischen Vorläuferverbindung; c) Durchleiten eines Trägergases durch die metallorganische Vorläuferverbindung, um einen Gasstrom zur Verfügung zu stellen, enthaltend verdampfte bzw. verdunstete metallorganische Vorläuferverbindung; und d) Zuführen bzw. Liefern des Gasstroms zu dem chemischen Dampfabscheidungssystem.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der metallorganische Vorläufer aus Cyclopentadienyl-Magnesium, Trialkyl-Aluminium, Trialkyl-Gallium, Trialkyl-Antimon, Dimethyl-Hydrazin oder Trialkyl-Indium gewählt ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der metallorganische Vorläufer aus Cyclopentadienyl-Magnesium oder Trialkyl-Indium gewählt ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der metallorganische Vorläufer Trimethyl-Indium ist.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der metallorganische Vorläufer auf eine Temperatur im Bereich von etwa 10° bis etwa 60 °C erhitzt wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Trägergas aus Wasserstoff, Stickstoff, Argon oder Helium gewählt wird.
  15. Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung einer metallorganischen Vorläuferverbindung, umfassend die Vorrichtung nach Anspruch 1.
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6790475B2 (en) * 2002-04-09 2004-09-14 Wafermasters Inc. Source gas delivery
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US20040134327A1 (en) * 2002-11-20 2004-07-15 Roberto Capodieci Apparatus and method for shaped cutting and slitting of food products
DE10256038A1 (de) * 2002-11-30 2004-06-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Bedampfungsvorrichtung
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
JP4954448B2 (ja) 2003-04-05 2012-06-13 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 有機金属化合物
JP4714422B2 (ja) 2003-04-05 2011-06-29 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置
JP4689969B2 (ja) 2003-04-05 2011-06-01 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. Iva族およびvia族化合物の調製
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US7261118B2 (en) * 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
JP2005272232A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Canon Inc ダイヤモンドおよび炭素繊維の集合体およびそれらの製造方法
CA2566944C (en) * 2004-05-20 2016-10-11 Nam Hung Tran Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical
US20060037540A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery system
US7722720B2 (en) * 2004-12-08 2010-05-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device
SG160401A1 (en) * 2005-03-16 2010-04-29 Advanced Tech Materials System for delivery of reagents from solid sources thereof
US7451621B2 (en) * 2005-05-25 2008-11-18 Praxair Technology, Inc. Bubble formation in liquid such as molten glass
DE102005030862B4 (de) * 2005-07-01 2009-12-24 Sintec Keramik Gmbh Erstbenetzungshilfsmaterial für einen Verdampferkörper, seine Verwendung zum Herrichten der Verdampferfläche eines Verdampferkörpers und ein elektrisch beheizbarer keramischer Verdampferkörper
JP4710481B2 (ja) * 2005-08-17 2011-06-29 住友化学株式会社 有機金属化合物供給容器
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
WO2007062242A2 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Msp Corporation High stability and high capacity precursor vapor generation for thin film deposition
MX2008006791A (es) * 2005-11-29 2008-10-23 Air Diffusion Systems A John H Entrega de burbuja fina para agua potable, agua de desperdicio, y tratamiento de agua limpia.
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7967911B2 (en) * 2006-04-11 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical vapor deposition
JP5209899B2 (ja) 2006-05-22 2013-06-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. デリバリーデバイス
US20090159003A1 (en) * 2006-05-30 2009-06-25 Ube Industries Ltd Device for supplying organic metal compound
US20080018004A1 (en) * 2006-06-09 2008-01-24 Air Products And Chemicals, Inc. High Flow GaCl3 Delivery
KR101094913B1 (ko) * 2006-06-09 2011-12-16 소이텍 Iii-v 족 반도체 물질을 형성하기 위한 제조 공정 시스템
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US9109287B2 (en) * 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
GB2444143B (en) * 2006-11-27 2009-10-28 Sumitomo Chemical Co Apparatus of supplying organometallic compound
JP5437594B2 (ja) 2007-06-05 2014-03-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 有機金属化合物
US8142847B2 (en) 2007-07-13 2012-03-27 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Precursor compositions and methods
US7659414B2 (en) 2007-07-20 2010-02-09 Rohm And Haas Company Method of preparing organometallic compounds
JP4900110B2 (ja) * 2007-07-20 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 薬液気化タンク及び薬液処理システム
US8348248B2 (en) 2009-03-11 2013-01-08 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Bubbling supply system for stable precursor supply
JP5690498B2 (ja) 2009-03-27 2015-03-25 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 基体上に膜を堆積する方法および気化前駆体化合物を送達する装置
US8568529B2 (en) * 2009-04-10 2013-10-29 Applied Materials, Inc. HVPE chamber hardware
KR200454322Y1 (ko) 2009-08-26 2011-06-28 주식회사 테라세미콘 증착가스 공급장치
EP2339048B1 (de) 2009-09-14 2016-12-07 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Verfahren zum Abscheiden von organometallischen Verbindungen
EP3922751A1 (de) 2009-11-02 2021-12-15 Sigma-Aldrich Co. LLC Feststoffvorläuferbereitstellungsanordnungen und zugehörige verfahren
US8758515B2 (en) 2010-08-09 2014-06-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device and method of use thereof
US20130248611A1 (en) * 2010-11-30 2013-09-26 Socpra Sciences Et Genie S.E.C. Epitaxial Deposition Apparatus, Gas Injectors, and Chemical Vapor Management System Associated Therewith
US8997775B2 (en) 2011-05-24 2015-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US8776821B2 (en) 2011-05-24 2014-07-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
KR20210135341A (ko) 2012-05-31 2021-11-12 엔테그리스, 아이엔씨. 배취식 침착을 위한 고 물질 플럭스를 갖는 유체의 소스 시약-기반 수송
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US20140026977A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 William Kimmerle Chemical precursor bubbler assembly
DE102012021527A1 (de) * 2012-10-31 2014-04-30 Dockweiler Ag Vorrichtung zur Erzeugung eines Gasgemisches
KR101416977B1 (ko) * 2012-12-27 2014-07-08 주식회사 선익시스템 증발원 및 이를 구비한 증착장치
WO2015164029A1 (en) * 2014-04-21 2015-10-29 Entegris, Inc. Solid vaporizer
DE102015108430A1 (de) 2015-05-28 2016-12-01 Dockweiler Ag Vorrichtung zur Erzeugung eines Gases mit einer ringzylindrischen Reaktionskammer
US10041873B2 (en) 2016-05-02 2018-08-07 Kla-Tencor Corporation Porosity measurement of semiconductor structures
US10145674B2 (en) * 2016-05-02 2018-12-04 Kla-Tencor Corporation Measurement of semiconductor structures with capillary condensation
US10281263B2 (en) * 2016-05-02 2019-05-07 Kla-Tencor Corporation Critical dimension measurements with gaseous adsorption
TWI617764B (zh) * 2017-06-06 2018-03-11 江蘇南大光電材料股份有限公司 固體金屬有機化合物的封裝容器
KR102344996B1 (ko) * 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11166441B2 (en) * 2018-07-13 2021-11-09 Versum Materials Us, Llc Vapor delivery container with flow distributor

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2569207B1 (fr) * 1984-08-14 1986-11-14 Mellet Robert Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie
JPS6311598A (ja) * 1986-07-03 1988-01-19 Toyo Sutoufuaa Chem:Kk 有機金属気相成長用シリンダ−
DE3801147A1 (de) * 1988-01-16 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms
JPH0623565Y2 (ja) * 1988-03-28 1994-06-22 日本電気株式会社 Cvd装置用原料収納容器
JPH01318229A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Toshiba Corp 半導体気相成長装置
JPH0269389A (ja) * 1988-08-31 1990-03-08 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
GB2223509B (en) * 1988-10-04 1992-08-05 Stc Plc Vapour phase processing
JPH02172889A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Nippon Mining Co Ltd 気相成長用シリンダー
US5711816A (en) * 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
JPH05117864A (ja) * 1991-06-25 1993-05-14 Anelva Corp Cvd装置
GB9116381D0 (en) * 1991-07-30 1991-09-11 Shell Int Research Method for deposition of a metal
EP0555614A1 (de) * 1992-02-13 1993-08-18 International Business Machines Corporation Organo-Metall-Gas Quelle für MOVPE- und MOMBE-Verfahren
JPH07278818A (ja) * 1994-04-14 1995-10-24 Murata Mfg Co Ltd Cvd粉体原料用気化器
US5553395A (en) * 1995-05-31 1996-09-10 Hughes Aircraft Company Bubbler for solid metal organic source material and method of producing saturated carrying gas
JPH1067594A (ja) * 1996-08-26 1998-03-10 Sony Corp 有機金属気相成長装置
JPH10223540A (ja) * 1997-02-03 1998-08-21 Sony Corp 有機金属気相成長装置
US6444038B1 (en) * 1999-12-27 2002-09-03 Morton International, Inc. Dual fritted bubbler

Also Published As

Publication number Publication date
US6607785B2 (en) 2003-08-19
EP1160355B1 (de) 2004-10-27
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EP1160355A3 (de) 2003-10-29
US20020078894A1 (en) 2002-06-27
DE60106675D1 (de) 2004-12-02
KR20010109202A (ko) 2001-12-08
JP4789126B2 (ja) 2011-10-12
KR100794201B1 (ko) 2008-01-14
JP2002083777A (ja) 2002-03-22

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