KR200454322Y1 - 증착가스 공급장치 - Google Patents
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Abstract
특정량의 증착물질(160)만 증착과정에 이용되도록 하여, 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 있는 증착가스 공급장치가 개시된다. 본 고안에 따른 증착가스 공급장치는 증착물질을 저장하는 증착물질 저장부(200); 및 증착물질 저장부(200)에서 공급되는 증착물질(160)을 가열하여 기체화된 증착가스를 생성하되, 외부에서 공급되는 운반가스를 이용하여 증착챔버(500) 내부로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부(100)를 포함하고, 증착가스 공급부(100)는 증착가스 공급부(100) 내부의 상부 공간을 점유하는 제1 공간부(110) 및 증착가스 공급부(100) 내부의 하부 공간을 점유하는 제2 공간부(120)를 포함하며, 제1 공간부(110)는 제1 공간부(110)의 양측 내벽에 회전 가능하도록 결합되는 회전판(130)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
증착물질, 증착가스, 회전판
Description
본 고안은 증착가스 공급장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 특정량의 증착물질만 증착과정에 이용되도록 하여 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 있는 증착가스 공급장치에 관한 것이다.
반도체 소자나 집적회로의 제작에는 다양한 종류의 박막(Thin film)이 증착 되는데 박막 증착 방법은 크게 물리기상 증착법(PVD: physical vapor deposition) 과 화학 반응을 이용한 화학기상 증착법(CVD: chemical vapor deposition)이 있다.
이중 화학기상 증착법은 증착하고자 하는 필름을 가스 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 가스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법으로서 재료의 선택에 따라 각종의 박막 형성이 가능하며, 비교적 간단한 공정으로 대량의 작업 처리가 가능하다는 장점을 가지고 있어 폭넓게 사용되고 있다. 또한, 화학기상 증착법은 미세 박막층의 형성에 용이하기 때문에 반도체 소자의 절연층과 능동층, 액정 표시 소자의 투명 전극, 전기 발광표시 소자의 발광층과, 보호층 등의 여러 분야로의 응용이 가능한 장점이 있다.
화학기상 증착법의 경우 증착 압력은 증착하고자 하는 박막 물질의 원료를 공급하는 증착가스 공급장치로부터 공급되는 증착가스의 유량(즉, 증착가스의 압력)에 직접적으로 영향을 받는다. 즉, 화학기상 증착법에서 증착 압력을 적절하게 제어하기 위해서는 무엇보다도 증착가스 공급장치의 증착가스의 압력을 정확하게 조절하여야 한다. 증착가스의 압력 조절은 증착 속도를 정밀하고 일정하게 조절할 필요가 있는 경우에 특히 중요하다.
도 1은 종래기술에 의한 증착가스 공급장치의 전체 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 증착가스 공급장치는 증착물질(13)을 저장하는 증착물질 공급부(11), 히터(12), 운반가스 공급부(20) 및 증착챔버(30)를 포함한다.
일반적으로 증착물질(13)은 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하기 때문에 히터(12)에 의해 증착물질(13)을 가열해야만이 증착물질(13)이 기체화될 수 있다. 이때, 외부에 위치하는 운반가스 공급부(20)에서 제1 밸브(V1)를 통해 운반가스(carrier gas)를 증착가스 공급부(11)의 상부로 공급함으로써, 증착가스 공급부(11) 내에서 기체화된 증착물질(13)이 증착가스 공급부(11)의 상부와 연결된 제2 밸브(V2)를 통해 증착챔버(30) 내부로 원활하게 운반되도록 할 수 있다. 이러한 증착물질(13)을 포함하는(즉, 기체화된 증착물질(13)을 포함하는) 가스는 증착챔버(30) 내에서 박막을 형성하는 증착가스의 기능을 수행할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 증착가스 공급장치는 증착물질(13)의 휘발 및 응축이 반복됨에 따라 증착가스 공급부(11) 내에 남아 있는 증착물질(13)의 표면적이 변하는 등의 이유로 인하여 증착 과정에 필요한 증착물질(12)의 양을 조절하기 어려워 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 없는 문제점이 있다. 특히, 이러한 문제점은 화학기상 증착 공정시 배치마다 증착가스의 압력을 균일하게 조절하지 못하게 됨에 따라 기판 상에 형성되는 박막의 균일성, 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 없는 문제점이 있었다.
이에 본 고안은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 특정량의 증착물질만 증착 과정에 이용되도록 하여 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 있는 증착가스 공급장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 증착챔버 내부로 공급되는 증착가스의 압력을 균일하게 하여 화학기상 증착 공정의 배치간 균일성, 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 있는 증착가스 공급장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 고안에 따른 증착가스 공급장치는 증착물질을 저장하는 증착물질 저장부; 및 상기 증착물질 저장부에서 공급되는 상기 증착물질을 가열하여 기체화된 증착가스를 생성하되, 외부에서 공급되는 운반가스를 이용하여 증착챔버 내부로 상기 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부를 포함하고, 상기 증착가스 공급부는 상기 증착가스 공급부 내부의 상부 공간을 점유하는 제1 공간부 및 상기 증착가스 공급부 내부의 하부 공간을 점유하는 제2 공간부를 포함하며, 상기 제1 공간부는 상기 제1 공간부의 양측 내벽에 회전 가능하도록 결합되는 회전판을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 증착가스 공급장치는 상기 증착가스 공급부에 공급되는 상기 증착물질의 양을 제어하는 증착물질 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 증착가스 공급부의 측면에는 상기 회전판을 고정시키는 고정 수단이 설치될 수 있다.
상기 증착가스 공급부는 구동부를 더 포함하며, 상기 구동부는 회전 동력을 발생시키는 구동 모터 및 상기 회전판과 연결되고 상기 구동 모터로부터 발생된 회전 동력을 전달 받아 상기 회전판을 회전시키는 회전축을 포함할 수 있다.
상기 증착가스 공급부는 공간 연결부를 더 포함하며, 상기 공간 연결부에 의하여 상기 제1 공간과 상기 제2 공간이 분리될 수 있다.
상기 회전판에 열을 공급하는 열 공급부를 더 포함할 수 있다.
상기 회전판에 진동을 가하는 진동부를 더 포함할 수 있다.
상기 회전판에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
상기 증착물질은 상기 제1 공간부 내의 상기 회전판 상에서 가열되어 증착가스화 되고, 상기 증착가스화 과정이 완료된 후 상기 회전판 상에 남아 있는 상기 증착물질은 상기 회전판의 회전에 의하여 상기 제2 공간부 내로 이동할 수 있다.
본 고안에 따르면, 회전판의 회전에 의하여 회전판 상에 남아있는 증착물질을 용이하게 제거할 수 있다.
또한, 본 고안에 따르면, 특정량의 증착물질만 증착 과정에 이용되도록 하여 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 있다.
또한, 본 고안에 따르면, 증착챔버 내부로 공급되는 증착가스의 압력을 균일하게 하여 화학기상 증착 공정의 배치간 균일성, 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 있 다.
후술하는 본 고안에 대한 상세한 설명은, 본 고안이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 고안을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 고안의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 고안의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 고안을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 고안의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 고안에 의한 증착가스 공급장치의 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 고안에 따른 증착가스 공급장치는 크게 증착가스 공급부(100), 증착물질 저장부(200) 및 증착물질 제어부(300)를 포함하여 구성될 수 있다.
증착가스 공급부(100)는 기본적으로 증착물질(160)을 가열하여 기체화함으로써, 증착챔버(500) 내의 기판(미도시함) 상에 박막(미도시함)을 형성시키는 증착가스를 공급하는 기능을 수행할 수 있다.
이때, 증착가스 공급부(100)의 상부에 연결된 제1 밸브(V1)에 의해 제어되는 공급관을 통해 운반가스 공급부(400)에서 공급되는 운반가스가 증착가스 공급부(100)로 공급될 수 있다. 따라서, 기체화된 증착물질(160)은 증착가스 공급부(100)의 상부에 연결된 제2 밸브(V2)에 의해 제어되는 공급관을 통해 증착챔버(500)로 용이하게 운반될 수 있다. 이러한 운반가스로는 불활성이며, 기체화된 증착물질(160)을 증착챔버(500)로 용이하게 이동할 수 있는 고순도의 아르곤, 헬륨, 질소 등이 사용될 수 있다.
본 고안의 따른 증착가스 공급부(100)는 여러가지 실시예에 따라 다양한 형태로 구성될 수 있는데 이에 대해서는 후술하도록 하겠다.
다음으로, 본 고안에 따른 증착물질 저장부(200)는 대용량의 증착물질(160)을 저장하며, 저장된 증착물질(160) 중 일정한 양을 증착가스 공급부(100)로 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 증착물질(160)은 일정한 종류로서 제한되지 않으며, 형성하고자 하는 박막의 종류에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
다음으로, 본 고안에 따른 증착물질 제어부(300)는 증착가스 공급부(200)에 서 증착가스 공급부(100)로 공급되는 증착물질(160)의 양을 제어하는 기능을 수행할 수 있다. 일례로, 전기식 또는 기계식 밸브일 수 있으나, 본 고안이 이에 한정되는 것은 아니며 개폐를 제어할 수 있는 공지된 수단을 제한 없이 사용할 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 증착물질 제어부(300)가 개방 동작할 경우에는 특정량의 증착물질(160)을 증착가스 공급부(100)로 공급한 후 폐쇄하는 것이 바람직하지만, 반드시 1 배치의 특정량의 증착물질로 한정될 필요는 없으며, 필요에 따라서는 2 배치 이상의 복수 배치의 특정량의 증착물질(160)을 증착가스 공급부(100)에 공급할 수 있다.
이하에서는, 도 2를 참조하여, 본 고안에 따른 증착가스 공급부(100)에 대하여 자세하게 설명하도록 하겠다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 증착가스 공급부(100)는 제1 공간부(110), 제2 공간부(120) 및 회전판(130)을 포함하여 구성될 수 있다.
먼저, 제1 공간부(110; 바람직하게는, 제1 공간부(110)에 결합되는 회전판(130) 상부의 공간)는 증착가스 공급부(100) 내부의 상부 공간으로서, 증착물질 저장부(200)로부터 증착물질(160)을 일정한 양만큼 공급받고 이를 가열하여 기체화하는 공간으로서의 기능을 수행할 수 있다.
이를 위하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 공간부(110)는 증착물질(160)을 가열하여 기체화시키는 기능을 수행하는 가열부(140)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 가열부(140)는 코일 형태의 열선으로 형성될 수 있는데, 이에 한정되는 것 은 아니며 열을 방출할 수 있는 종래의 공지된 다양한 기술을 적용할 수도 있다. 보다 상세하게 설명하면, 가열부(140)는 제1 공간부(110)와 절연되면서 제1 공간부(110)를 둘러싸는 형태로 배치될 수 있는데, 제1 공간부(110) 전체에 대응되게 분포함으로써 제1 공간부(110)를 균일하게 가열하는 것이 바람직하다.
다음으로, 제2 공간부(120)는 증착가스 공급부(100) 내부의 하부 공간으로서, 증착가스화 과정이 완료된 후 회전판(130)의 회전에 의하여 회전판(130) 상에 남아 있는 증착물질(160)이 이동되는 공간으로서의 기능을 수행할 수 있다.
이때, 제 2 공간부(120)의 높이는 제1 공간부(110)의 높이 보다 다소 높게 형성되는 것이 바람직한데, 이는 제2 공간부(120)의 기압이 제1 공간부(110)의 기압보다 낮게 형성되도록 함으로써 증착물질(160)의 이동이 더욱 원활히 이루어지도록 할 수 있기 때문이다.
또한, 위와 같은 원리로, 본 고안의 제2 공간부(120)는 흡입부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 흡입부는 제2 공간부(120)에 있는 공기를 흡입하여 제2 공간부(120)의 기압을 낮춤으로써 증착물질(160)의 이동이 더욱 원활히 이루어지도록 하는 기능을 수행할 수 있다.
이러한 제1 공간부(110) 및 제2 공간부(120)의 형상, 구조, 높이 등은 제1 공간부(110)가 제2 공간부(120)의 상부에 위치한다는 조건 하에서 증착가스 공급장치가 응용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있음을 밝혀둔다.
한편, 본 고안의 일 실시예에 따르면, 증착가스 공급부(100)는 제1 공간부(110)와 제2 공간부(120)를 연결하거나 분리하는 기능을 수행하는 공간 연결부 (미도시)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 상기 공간 연결부는 회전판(130) 상에 남아 있는 증착물질(160)이 회전판(130)의 회전에 의하여 제2 공간부(120)로 이동되는 경우, 제1 공간부(110)와 제2 공간부(120)가 분리될 수 있도록 하여 이동된 증착물질(160)의 수거를 용이하게 할 수 있다.
물론, 이동된 증착물질(160)의 수거를 위하여 반드시 본 고안의 제1 공간부(110)와 제2 공간부(120)가 분리되도록 구성되어야 하는 것은 아니며, 본 고안의 목적을 달성할 수 있는 범위 내에서 얼마든지 다른 구성(예를 들면, 제2 공간부(120)에 출입부(미도시)를 형성하는 등의 구성)을 채용할 수 있다.
다음으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 회전판은 제1 공간부(110)의 양측 내벽에 회전 가능하도록 결합되어, 증착가스 공급부(200)로부터 공급된 증착물질(160)이 안착되는 면으로서의 기능을 수행할 수 있다. 즉, 증착가스화 과정(증착물질이 가열되어 기체화되는 과정)이 진행되는 동안 증착가스 공급부(200)로부터 공급된 증착물질(160)을 지탱하는 기능을 수행할 수 있다.
상술한 바와 같이 회전판(130)은 회전 가능하도록 구성되는데, 이는 증착가스화 과정이 완료된 후에 회전판(130) 상에 남아 있는 증착물질(160)을 제2 공간부(120)로 이동시키기 위함이다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 회전판(130)은 증착가스 공급부(200)로부터 공급된 증착물질(160)이 용이하게 안착될 수 있도록 다소 편평하게 형성되는 것이 바람직하다.
회전판(130)은 강도가 높으면서 변형이 쉽게 일어나지 않는 물질로 구성되는 것이 바람직하며, 그 재질, 사양 등은 본 고안의 목적에 따라 적절하게 변경될 수 있다.
한편, 본 고안의 일 실시예에 따르면, 증착물질(160)의 안착시 증착물질(160)이 규칙성을 가지면서 분포될 수 있도록 대칭 경사면과 같은 소정의 패턴이 회전판(130) 상에 형성될 수 있다. 그러나, 이러한 패턴은 회전판(130)의 회전이 방해되지 않도록 하는 범위 내에서 적절하게 형성되는 것이 바람직하다. 일례로, 증착물질(160)이 규칙성을 가지면서 분포되도록 하는 원뿔 형상의 패턴은, 회전판(130)의 회전을 방해할 수 있으므로 제한적으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 본 고안의 일 실시예에 따르면, 회전판(130)에 의한 증착물질(160)의 지탱이 좀 더 용이하게 이루어지도록 하기 위하여, 증착가스 공급부(100)의 측면에는 회전판(130)을 고정시키는 고정 수단(미도시)이 설치될 수 있다. 상기 고정 수단은 회전판(130)이 증착물질(160)의 무게를 견딜 수 있도록 도와주는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 이러한 고정 수단은 회전판(130)의 아래에서 회전판(130)을 고정시키며 지지할 수 있도록 구성되어 틈새 부분(회전판(130)의 너비가 제1 공간부(110)의 너비보다 다소 작게 형성되는 관계로 회전판(130)에 의해 커버되지 못하는 만큼의 너비 부분)을 가로 막아서 증착가스화 과정이 이루어지는 동안 제1 공간부(110)가 밀폐되도록 하는 기능을 수행할 수도 있다.
한편, 본 고안의 일 실시예에 따르면, 본 고안에 따른 증착가스 공급부(100)는 구동부를 더 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 구동부는 회전 동력을 발생시키는 구동 모터(151) 및 회전판(130)과 연결되고 구동 모터(151)로부터 발생된 회전 동력을 전달 받아 회전판(130)을 회전시키는 회전축(152)을 포함할 수 있다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 회전축(152)은 두 개가 회전판(130) 양단에 연결되어 구성될 수도 있으며, 경우에 따라 하나의 회전축이 회전판(130)의 중앙 부분과 연결되어 구성될 수도 있다. 이와 같이 구성된 구동부는 회전판(130)을 회전시켜 증착가스화 과정이 완료된 후에 회전판(130) 상에 남아 있는 증착물질(160)을 제2 공간부(120)로 이동시키는 기능을 할 수 있다.
한편, 본 고안의 일 실시예에 따르면, 본 고안의 증착가스 공급장치는 회전판(130)에 열을 공급하는 열 공급부(미도시), 회전판(130)에 진동을 가하는 진동부(미도시) 및 회전판(130)에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부(미도시)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
열 공급부에 의하여 회전판(130)에 공급되는 열, 진동부에 의하여 회전판(130)에 가해지는 진동, 퍼지가스 공급부에 의하여 회전판(130)에 공급되는 퍼지가스는 회전판(130) 상에 남아있는 증착물질(160)이 제2 공간부(120)로 이동되는 것을 더욱 용이하게 할 수 있다.
이하에서는, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 증착 과정에 대하여 설명하도록 하겠다.
먼저, 증착물질 저장부(200)와 증착가스 공급부(100)를 연결하는 공급관을 통하여, 증착물질 저장부(200)에 저장되어 있는 고체 또는 액상의 증착물질(161)이 증착가스 공급부(100)로 공급된다. 이때, 증착물질 제어부(300)는 1 배치(batch)의 특정량의 증착물질(161)만 증착가스 공급부(100)에 공급되도록 조절할 수 있다. 이렇게 공급된 증착물질(161)은 도 3에 도시된 바와 같이 회전판(130) 상에 안착되게 되며, 회전판(130)은 증착가스화 과정 동안 고정 수단(미도시)에 의하여 지지되어 공급된 증착물질(161)을 지탱할 수 있다.
다음으로, 도 4를 참조하면, 공급된 증착물질(161)의 대부분은 증착가스화 과정을 거쳐 증착챔버(500)로 공급된다. 그러나, 일정한 기준에 따라 증착가스화 과정을 실시하여도, 가열로 인한 휘발 및 응축 과정이 반복됨에 따라, 일부의 증착물질(162)은 증착되지 못하고, 도 4에 도시된 바와 같이 회전판(130) 상에 남아있게 된다. 이러한 잔류 증착물질(162)은 후속 화학기상 증착 공정시에 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 없게 하는 원인이 된다. 다시 말하면, 증착물질 제어부(300)에서 1 배치(batch)의 특정량의 증착물질(161)을 공급하여도 회전판(130) 상에 남아있는 잔류 증착물질(162) 때문에, 증착되는 증착물질(161)의 양을 정확하게 조절할 수 없게 되고, 이에 따라 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 없게 된다. 따라서, 후속 화학기상 증착 공정에 앞서서 잔류 증착물질(162)을 제거하는 공정이 필요하다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 회전판(130)의 회전에 의하여 잔류 증착물질(162)이 제2 공간부(120)로 이동된다. 잔류 증착물질(162)이 제2 공간부(120)로 이동되는 원리는 원운동을 하고 있는 물체에 나타나는 관성력, 즉 원심력에 의하여 설명될 수 있다. 회전판(130)이 회전되는 경우 회전판(130) 상에 남아있는 잔류 증착물질(162)은 회전판(130) 중심에서 멀어지려는 방향으로 작용하는 원심력을 가지게 되는데, 이러한 원심력에 의하여 잔류 증착물질(162)은 제2 공간부(120)로 이동될 수 있다.
회전판(130) 상에 남아있던 잔류 증착물질(162)이 제거되면, 다시 1 배치(batch)의 특정량의 증착물질(161)을 회전판에 공급하여 후속 증착공정을 실시할 수 있다. 이러한 경우, 정확히 1 배치(batch)의 특정량의 증착물질(161)만 증착 과정에 이용되도록 하므로 증착가스의 압력을 정확하게 조절할 수 있으며, 나아가 증착챔버(500) 내부로 공급되는 증착가스의 압력을 균일하게 하여 화학기상 증착 공정의 배치간 균일성, 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 고안은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시 예에 한정되지 아니하며 본 고안의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 고안과 첨부된 실용신안등록청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 종래기술에 의한 증착가스 공급장치의 전체 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 2는 본 고안에 의한 증착가스 공급장치의 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 증착가스 공급부 110: 제1 공간부
120: 제2 공간부 130: 회전판
140: 가열부 151: 구동모터
152: 회전축 160: 증착물질
161: 공급 증착물질 162: 잔류 증착물질
200: 증착물질 저장부 300: 증착물질 제어부
400: 운반가스 공급부 500: 증착챔버
Claims (9)
- 증착물질을 저장하는 증착물질 저장부; 및상기 증착물질 저장부에서 공급되는 상기 증착물질을 가열하여 기체화된 증착가스를 생성하되, 외부에서 공급되는 운반가스를 이용하여 증착챔버 내부로 상기 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부;를 포함하고,상기 증착가스 공급부는 상기 증착가스 공급부 내부의 상부 공간을 점유하는 제1 공간부 및 상기 증착가스 공급부 내부의 하부 공간을 점유하는 제2 공간부를 포함하며,상기 제1 공간부는 상기 제1 공간부의 양측 내벽에 회전 가능하도록 결합되는 회전판을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 증착가스 공급부로 공급되는 상기 증착물질의 양을 제어하는 증착물질 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 증착가스 공급부의 측면에는 상기 회전판을 고정시키는 고정 수단이 설 치되는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 증착가스 공급부는 구동부를 더 포함하며,상기 구동부는 회전 동력을 발생시키는 구동 모터; 및 상기 회전판과 연결되고 상기 구동 모터로부터 발생된 회전 동력을 전달 받아 상기 회전판을 회전시키는 회전축을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 증착가스 공급부는 공간 연결부를 더 포함하며,상기 공간 연결부에 의하여 상기 제1 공간과 상기 제2 공간이 분리되는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 회전판에 열을 공급하는 열 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 회전판에 진동을 가하는 진동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 회전판에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
- 제1항에 있어서,상기 증착물질은 상기 제1 공간부 내의 상기 회전판 상에서 가열되어 증착가스화 되고, 상기 증착가스화 과정이 완료된 후 상기 회전판 상에 남아 있는 상기 증착물질은 상기 회전판의 회전에 의하여 상기 제2 공간부 내로 이동하는 것을 특징으로 하는 증착가스 공급장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020090011161U KR200454322Y1 (ko) | 2009-08-26 | 2009-08-26 | 증착가스 공급장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020090011161U KR200454322Y1 (ko) | 2009-08-26 | 2009-08-26 | 증착가스 공급장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110002155U KR20110002155U (ko) | 2011-03-04 |
KR200454322Y1 true KR200454322Y1 (ko) | 2011-06-28 |
Family
ID=44207500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2020090011161U KR200454322Y1 (ko) | 2009-08-26 | 2009-08-26 | 증착가스 공급장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR200454322Y1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101055979B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2011-08-11 | (주)에이디에스 | 원료 공급 장치와 원료 공급 방법 및 박막 증착 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5996258A (ja) | 1982-11-26 | 1984-06-02 | Hitachi Ltd | 気体化装置 |
KR19990032259U (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 김영환 | 수동용 감광막 코팅 장치 |
JP2002083777A (ja) | 2000-05-31 | 2002-03-22 | Shipley Co Llc | バブラー |
KR20090043479A (ko) * | 2009-04-02 | 2009-05-06 | 주식회사 테라세미콘 | 소스가스 공급장치 및 방법 |
-
2009
- 2009-08-26 KR KR2020090011161U patent/KR200454322Y1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20090043479A (ko) * | 2009-04-02 | 2009-05-06 | 주식회사 테라세미콘 | 소스가스 공급장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110002155U (ko) | 2011-03-04 |
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