JP6512543B2 - 蒸着セル、薄膜作製装置および薄膜作製方法 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 106
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 title description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 122
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 120
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 65
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 16
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000005477 standard model Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
近年、有機半導体材料をインク化し、印刷や塗布といった方法で大面積基板へ成膜するウェットプロセスで、単結晶薄膜を作製する技術が発表され、高いキャリア移動度が得られ始めたことから、低コストプロセスとして実用化に期待が集まっている。しかし、このウェットプロセスを用いて単結晶薄膜を作製するには、以下に述べる問題点がある。
まず、印刷や塗布といった方法を用いることから、インク化が必要であり、インク化のため、溶媒に可溶な材料に限定されてしまうことである。次に、仮に、不溶性の材料に可溶性を持たせる官能基を付加する場合、付加する官能基によって電荷輸送を妨げてしまうことである。さらには、材料を乾燥させる時に発生する応力によって、不規則に欠陥が発生しやすいということである。その上、成膜の際に行う乾燥・熱処理に時間がかかるため、サイクルタイムが長くなることである。
通常、真空蒸着法は、蒸着装置として“るつぼ”(蒸着セル)を用いて、蒸着させる材料を蒸発させる。多くの有機低分子材料は、真空中で昇華性であり、熱伝導率が低く粉末状態であるため、蒸着セルの温度を一定に制御しても材料全体が均一な温度とならない。その上、個々の粒子の構造や接触状態に応じて、突発的に蒸発分子が、蒸着セルの外に放出されてしまうので、高い分子流密度を一定制御することが困難である。そのため、蒸着セルから放出する分子流密度を安定して制御できる範囲の温和な条件で、材料の蒸着を行う必要があるため、面積あたりの成膜速度が遅くなってしまう。
また、真空蒸着法では、大がかりな真空チャンバーと高性能真空ポンプが必要であり、これらの装置導入コストが高いことに加えて、薄膜への残留ガス混入を抑制するためには高真空が必要であり、真空排気のための大がかりな真空ポンプと長い排気時間を要する。
これらのことから、真空蒸着法では、面積あたりの成膜速度の遅さと、真空排気の待ち時間とから、サイクルタイムが長く、製品あたりのコストが高くなるといった問題がある。かかる問題を克服するためには、蒸着速度を高速に制御できる仕組みが必要である。
軽減し、蒸着マスクの膨張を抑制することで精度の高い蒸着を行うことのできる蒸着装置が知られている(特許文献1を参照)。
特許文献1に開示された真空蒸着装置の場合、被蒸着基板と対向するるつぼ上部に突出した状態に突出部が、るつぼの長手方向に複数形成されており、突出部の外形状は円柱形状、円錐台形状、角錐台形状などであり、るつぼ上面より突出している構造になっている。そして、突出部の高さは、突出部の周囲に、金属製の蒸着マスクの温度上昇に伴う膨張を抑制するための放射阻止体が設けられるため、その放射阻止体上面と同等の高さもしくは高くなるようにしている。そして、突出部の内側は、るつぼ内より蒸発させた蒸着材料を射出する出射孔が、るつぼ内部より被蒸着基板方向に向かって段階的あるいは連続的に先細りとなる形状を有しており、るつぼ内で蒸発させた蒸着材料が出射孔の射出側開口部に向かって飛散する際の妨げにならないような構造となっている。
特許文献1に開示された真空蒸着装置では、蒸着マスクへの放射熱の影響を軽減する目的で成されたもので、蒸着速度を高速に制御するものではない。
特許文献2に開示された蒸発源及び真空蒸着装置の場合、るつぼの内側壁にノズルの板厚以上の長さで接するように設けることから、ノズルを支持する構造をるつぼに設ける必要や、ノズルの温度低下による放熱や蒸気漏れを低減するための部材の選定や板厚の調整、シール性を確保できる構造を設ける必要があり、るつぼの構成が複雑になるといったデメリットがある。また、特許文献2に開示された蒸発源及び真空蒸着装置では、高い分子流密度を一定制御できるものではない。
非特許文献1の方法では、超音速分子線によって、高い分子流密度を一定制御して、面積あたりの成膜速度を速くできるという利点があるが、大量の希ガスと超高真空雰囲気を要することから、膜の作製コスト面で問題がある。
かかる状況に鑑みて、本発明は、簡易な構成で、高い分子流密度を一定制御し、成膜速度を速めることができる蒸着セル、薄膜作製装置及び薄膜作製方法を提供することを目的とする。
蒸着源となる蒸着セルに、キャピラリ構造の放出口を用いることにより、高い分子流密度を一定制御し、成膜速度を速めることができる。このキャピラリ内部には、圧力勾配が生じるように、材料蒸気圧が調整されることが必要である。
本明細書において、キャピラリ構造とは、密閉型の蒸着セルのケーシングの一部に設けられた細管(髪の毛のように細い管)構造と定義する。キャピラリ構造の直径と長さは、入射口側で十分に粘性流領域にまで高められた蒸着材料の蒸気圧と蒸着セル外の真空との間の圧力差によって、十分に速い成膜速度が得られるだけの分子流束が生じるようなコンダクタンス(直径d、長さlの円柱状キャピラリの場合において、粘性係数ηの原料分子のキャピラリ内平均圧力がpの粘性流状態である場合、コンダクタンスは(π/128)・(d4p/ηl)で表されるが、本発明の場合はキャピラリ両端での圧力差が大きく、粘性流状態から中間流状態を経て分子流状態にまで至るため、シミュレーション等によらなければ決めることが困難である。)が得られるように調整される。また、本明細書では、“キャピラリ構造”と単に“キャピラリ”と言う場合があるが、“キャピラリ”は“キャピラリ構造体”を指す意味で使用する。
上記構造により、より高い温度で、閉じられた蒸着セル内で平衡蒸気圧が達成され、キャピラリ構造の放出口から高い分子流密度の蒸着材料を放出でき、成膜速度を速めることができる。また、真空であるチャンバー雰囲気との間で急激な圧力勾配を形成することができる。
なお、蒸着させる材料は、昇華性の材料であれば、有機無機問わず用いることが可能である。蒸着セルは、準閉鎖型構造にして、蒸着方向にキャピラリ構造の放出口を設ける。
細いビーム状のように射出された高速の材料分子によって、ターゲット基板上での分子拡散が促進され、基板温度を昇温することによる結晶性向上と等価ではないが同様の効果を得られることになる。従って、基板上に成膜される薄膜の結晶性あるいはアモルファス膜の構造安定性を高めるために行う基板の昇温プロセスを省略することが可能となり、真空蒸着法のサイクルタイムの更なる短縮及び加熱昇温装置のコスト低減の2つの効果が期待できる。
蒸着セル全体、或は、キャピラリ全体が、熱伝導性材料で構成されてもよい。熱伝導性材料としては、金属、金属酸化物、炭素、若しくは、それらの複合材料が挙げられる。
また、キャピラリ内壁が材料蒸気の温度より低くなるとキャピラリ内で材料が凝集し、閉塞状態となるため、特にキャピラリ部は蒸着セル加熱源からの熱伝導を良くする必要がある。そのために、キャピラリは特許文献1に見られるような突出した構造とせず、キャピラリ−の長さがそのまま厚みとなる熱伝導性材料壁に形成されていることが望ましい。
また、キャピラリ内の空間は、少なくとも分子流状態となる部分が直線状である。上述の通り、蒸着セルは準閉鎖型構造にして、蒸着方向にキャピラリ構造の放出口を設けるのであるが、このキャピラリ構造は、パスカルの原理から、蒸着セルに設けられる場所に左右されることなく、圧力条件は同じになる。通常、蒸着セルの上に基板が設けられることから、蒸着セルの上蓋中央にキャピラリ構造が設けられることでよい。キャピラリ構造が設けられる位置よりも重要なことは、キャピラリ構造が直線状であることである。分子流状態となる部分が直線状であることによって、蒸着材料の気体分子の多くが整ったビーム状に放出されることになる。仮に、キャピラリ構造が曲がっていて、分子流状態となる部分が直線状でないとすると、放出される蒸着材料の気体分子の多くがキャピラリ内壁によって不規則に散乱され、ビーム状に放出されないといった不都合が生じることになる。
円錐台、楕円錐台、多角錐台などの場合、入射側開口面積と出射側開口面積が異なり、キャピラリ内部に圧力勾配が生じやすいが、この時に、出射側開口面積が入射側開口面積よりも大きくする方がよい。但し、面積差が大きくなれば、圧力勾配の指向性が低下してしまうことに留意しなければならない。
蒸着セル単体での蒸着面積は微細素子を作製するのには十分であるが、大型ディスプレイのような大面積デバイスの大量生産を達成するためには、蒸着面積を大きくする必要がある。このような場合には、同一セルに対して一次元的あるいは二次元的にキャピラリを並べて取り付けた拡張型の蒸着セルを用いて、セルを走査するか基板を走査することにより、蒸着面積を大きくする。
ここで、キャピラリ構造を一次元に等間隔に配置した蒸着セルに対しては、基板側を走査する方法、或は、ロール・ツー・ロール方式により、基板上に材料を蒸着させて薄膜を作製する。一方、キャピラリ構造を二次元に等間隔に配置した蒸着セルに対しては、蒸着セルのサイズと薄膜を作製する基板側のサイズによって、基板を固定して蒸着させることや、或は、基板側を走査しながら材料を蒸着させて、基板上に薄膜を作製する。
単一の蒸着セルに複数のキャピラリ構造を設けることにより、総出射分子を上回る分子が蒸着材料から現実的な温度で蒸発できる。また、1つのセルに複数のキャピラリ−を有する構造では、加工精度さえ確かであれば、全てのキャピラリからの出射分子流が同じになるという利点がある。
同一形状、同一サイズのキャピラリ構造を有する複数の蒸着セルが、一次元的あるいは二次元的に等間隔に配置されて、薄膜を作製する場合も、キャピラリの中心間距離と、基板とキャピラリの放出口との距離と、材料蒸気圧による材料の放出角度分布とから、薄膜の膜厚分布が制御されるのがよい。
キャピラリ単位で複数配置される場合や、蒸着セル単位で複数配置される場合に、蒸着用キャピラリとは別に、フラックスモニタリング用のキャピラリを設けて、フラックス(単位時間・単位面積あたりに流れる量)の変化によって出射分子速度を制御することができる。例えば、大型の複数のキャピラリ構造を有する蒸着セルにおいて、1つだけ離れた位置にモニタリング用のキャピラリ構造(蒸着用と同じ形状ならびにサイズ)を設け、その出射口の直上に水晶振動子を配置することによって分子フラックスをモニタリングする。
本発明の蒸着セルは、材料を真空蒸着法によって基板上に薄膜を作製するために用いられる蒸着セルにおいて、蒸着セルは、少なくとも1つのキャピラリ構造の放出口を備え、キャピラリ内部に、入射側が粘性流状態、出射側が分子流状態となるような圧力勾配が生じる材料蒸気圧にセル内圧力が調整された場合に、ビーム状分子線を射出する。
この蒸着セルにおいて、少なくとも蒸着セルの内壁とキャピラリの内壁に、熱伝導性材料が被覆されることが好ましい。また、熱伝導性材料が金属であり、熱伝導性材料の表面には、前記材料に対して不活性なコート剤が被覆されることが好ましい。
キャピラリの内径に対する長さは、目的とする蒸着速度が得られる状態で、前記圧力勾配条件が得られるコンダクタンスとなるよう調整される。キャピラリ内の空間は、少なくとも分子流状態となる部分が直線状である。そして、キャピラリ内の空間形状は、円柱、楕円柱、多角柱、円錐台、楕円錐台、又は、多角錐台、若しくは、それらを組み合わせた形状である。
本発明の薄膜作製装置は、材料を真空蒸着法によって基板上に薄膜を作製する装置において、上述の本発明の蒸着セルが、同一形状、同一サイズの複数のキャピラリ構造を備え、複数のキャピラリが一次元的あるいは二次元的に等間隔に配置されたものである。そして、蒸着セルからの放出フラックスを一定制御するために、蒸着用のキャピラリ構造と同一形状、同一サイズのフラックスモニタリング用キャピラリが設けられる。大面積基板に均一な厚みの薄膜を作製するために、この蒸着セル、あるいは、フラックスモニタと蒸着セルを一組としたものを直交する二方向に走査する機構を有してもよい。或は、この目的のために、蒸着セル、あるいは、フラックスモニタと蒸着セルを一組としたものを一方向に走査する機構と、それとは直交する方向に基板を移動させる機構を有してもよい。
或は、本発明の薄膜作製装置は、材料を真空蒸着法によって基板上に薄膜を作製する装置において、上述の本発明の蒸着セルが、一次元的あるいは二次元的に等間隔に複数配置されたものである。そして、蒸着セル毎に、キャピラリ構造と同一形状、同一サイズのフラックスモニタリング用キャピラリが設けられる。
なお、蒸着セルは、真空付近でなくとも、大気圧付近でも、微粒子作製法としての材料蒸発源として用いることが可能である。
蒸着セル1の内部には、蒸着材料4が置かれ、蒸着セル1の下側と周囲にはヒータ(図示せず)が設けられている。ヒータで蒸着セル1を加熱すると、蒸着材料4が蒸発して気体分子となり、蒸着セル1内部の圧力が増大する。キャピラリ3のセル内部側が入射口31、セル外部側が出射口32となり、キャピラリ3から気体分子が放出されることになる。
膜厚分布の測定のため、ドーム状ホルダ5の内側の蒸着セル1の射出口32の直上部分をθ=0°とし、15°刻みでθ=75°まで、19 mm×13 mmのガラス基板7を計6枚設置した。また、40°の位置に開口部を設け、膜厚センサ6を設置した。
基板洗浄後、蒸着セル1を用いてペンタセンを蒸着した。本実施例では、キャピラリのサイズとして、長さ3 mm,直径が0.25,0.50,1.00 mmの3種類を用いている。洗浄したガラス基板をセットしたドーム状ホルダ5を蒸着チャンバー内に固定し、2.0×10−4Paまで真空排気後、蒸着セル1を電熱ヒータで加熱し、所望の成膜速度まで高めて安定させた後に蒸着を開始した。蒸着終了後、ガラス基板を取り出し、各ガラス基板の中心の膜厚を触針式段差計により測定し、極座標表示でプロットし、膜厚分布を得た。
図3において、膜厚分布は0°位置の膜厚を基準とした相対膜厚で表している。また、塗りつぶし部分が成膜された範囲を示している。なお、破線は理想的な微小面蒸着源のからの拡散条件である、f(θ)=cosθのプロットを示している。
それぞれの正確な成膜速度は各々の膜厚分布図の右上に記している。ここでは、成膜速度(Deposition rate)を便宜的に、“low”,“mid”,“high”の3つの領域に分けて示している。また、比較用に、キャピラリ構造が無く上端が開口された蒸着セル(キャピラリ径が13mm相当)を用いた測定を行った。以下では、本発明の蒸着セルと区別するため「従来型セル」と呼ぶ。
なお、従来型セルを用いた場合、開口部が広いため“mid”以上の成膜速度に達するまでに材料が枯渇してしまい、また、準閉鎖型の構造ではないために成膜速度を安定させることができなかったため、“mid”及び“high”に相当する成膜速度での蒸着ができなかったことから、“low”に相当する成膜速度の結果だけを示している。
一方、成膜速度が“mid”の条件では、それぞれAの値が大きくなっていることから、成分(I)の寄与が大きくなっており、より並行ビームに近づいていることが確認された。このような変化は、キャピラリ内での圧力勾配の発生による並行ビーム化が起きたことを示している。また、この条件下では、キャピラリ径dが小さくなるほどAが大きくなっていることも特徴であり、キャピラリ径が小さいほど成膜速度の変化に対して、より大きく放出角度分布が変化することが確認できた。
実施例2では、実施例1の蒸着セルを用いて、キャピラリ径と成膜速度を変化させた条件で、ペンタセン薄膜を形成し、薄膜表面状態の変化や、有機薄膜トランジスタ(OTFT)の特性の変化について、キャピラリの放出角度分布と照らし合わせて説明を行う。
最終的に成長した結晶同士が衝突して基板の蒸着範囲を覆うと、単位面積当たりに存在するグレインが多くなる。またそれに伴い、一つ一つの結晶グレイン、またドメインのサイズが小さくなる。よって、成膜速度が速くなるほど、ドメインサイズは小さくなる。
実施例3では、基板の回転を止めて、回転によって基板に間欠的に与えられていたフラックスを定常的に与えるようにし成膜し、また、蒸着セルと基板の間の距離を小さくしフラックスを増やして、高指向性条件で蒸着させて成膜した。すなわち、より高速分子線効果を大きくするような条件で成膜を行った。そして、実施例2と同様のサイズの有機薄膜トランジスタを作製し特性比較を行った。キャピラリの直径dが0.25mmの蒸着セルを用いて、実施例2における成膜速度“mid”と同じ条件で成膜を行った結果を示す。
図21は、一次元的に配置されたマルチキャピラリ構造を備えた蒸着セルの構造図を示している。図17において、(1)は蒸着セルの上面、(2)は蒸着セルの長辺方向断面、(3)は蒸着セルの短辺方向断面を示している。同一形状、同一サイズの複数の円筒状のキャピラリ3が、1つの蒸着セル41の上面に5つ設けられている。キャピラリ3は成膜条件下での放出角度分布を考慮して等間隔に設計されている。このような条件においては、それぞれのキャピラリの放出角度分布が同じであることが保証されているため、蒸着範囲から離れた点にフラックスモニタリング用のキャピラリ3mを設置することで、単一のフラックスモニタで成膜量を観測できることになる。
このような成膜速度は、従来型セルと基板の間の距離が長い装置をそのまま利用した場合の値であり、実施例3のように、多数のキャピラリを有する走査型の蒸着セルを基板により近接させて配置する場合、この数十倍の成膜速度とすることも可能であろう。
さらに、このような高い成膜速度では、単位時間あたりに基板に入射する分子線密度が高くなることから、相対的に成膜室内残留ガスを膜に取り込む割合が小さくなる。従って、従来よりも2桁程度低い真空度の装置で同等の不純物量の膜を成膜することが可能となり、装置コストを低減する効果が期待できる。
2 上蓋
3 キャピラリ
4 蒸着材料
5 ドーム状ホルダ
6 膜厚センサ
7 ガラス基板
11 セル内壁
12 ヒータ
31 入射口
32 出射口
Claims (19)
- 昇華性の材料を真空蒸着法によって基板上に薄膜を作製する方法において、
蒸着源となる蒸着セルには、直径0.1〜1mmのキャピラリ構造の少なくとも1つの放出口が用いられ、
前記蒸着セル内で、前記材料を蒸発させて気体分子同士の衝突が支配的な粘性流状態となるまで圧力を高め、前記キャピラリ内部の入射側と出射側に圧力差があり、前記入射側の粘性流状態から前記出射側の分子流状態に遷移する圧力勾配が生じる材料蒸気圧に調整され、ビーム状分子線のような材料分子を前記放出口から射出することを特徴とする薄膜作製方法。 - 前記蒸着セルにおいて、少なくとも前記蒸着セルの内壁と前記キャピラリの内壁に、熱伝導性材料が被覆されたことを特徴とする請求項1に記載の薄膜作製方法。
- 前記熱伝導性材料が金属であり、
前記熱伝導性材料の表面には、前記材料に対して不活性なコート剤が被覆されたことを特徴とする請求項2に記載の薄膜作製方法。 - 前記キャピラリの内径に対する長さが2倍以上である請求項1〜3の何れかに記載の薄膜作製方法。
- 前記キャピラリ内の空間は、少なくとも分子流状態となる部分が直線状であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の薄膜作製方法。
- 前記キャピラリ内の空間形状は、円柱、楕円柱、多角柱、円錐台、楕円錐台、又は、多角錐台、若しくは、それらを組み合わせた形状であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の薄膜作製方法。
- 前記蒸着セルは、同一形状、同一サイズの複数の前記キャピラリ構造を備え、複数の前記キャピラリは、一次元的あるいは二次元的に等間隔に配置されたことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の薄膜作製方法。
- 同一形状、同一サイズの前記キャピラリ構造を有する複数の前記蒸着セルが、一次元的あるいは二次元的に等間隔に配置されたことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の薄膜作製方法。
- 前記キャピラリの中心間距離と、基板と前記キャピラリの放出口との距離と、前記材料蒸気圧による前記材料の放出角度分布とから、薄膜の膜厚分布が制御されることを特徴とする請求項7又は8に記載の薄膜作製方法。
- 前記蒸着セル毎に、前記キャピラリ構造と同一形状、同一サイズのフラックスモニタリング用キャピラリが設けられたことを特徴とする請求項7又は8に記載の薄膜作製方法。
- 昇華性の材料を真空蒸着法によって基板上に薄膜を作製するために用いられる蒸着セルにおいて、
前記蒸着セルは、直径0.1〜1mmのキャピラリ構造の少なくとも1つの放出口を備え、
前記蒸着セル内で、前記材料を蒸発させて気体分子同士の衝突が支配的な粘性流状態となるまで圧力を高め、前記キャピラリ内部に、入射側が粘性流状態、出射側が分子流状態となるような圧力勾配が生じる材料蒸気圧にセル内圧力が調整された場合に、ビーム状分子線のような材料分子を前記放出口から射出することを特徴とする蒸着セル。 - 前記蒸着セルにおいて、少なくとも前記蒸着セルの内壁と前記キャピラリの内壁に、熱伝導性材料が被覆されたことを特徴とする請求項11に記載の蒸着セル。
- 前記熱伝導性材料が金属であり、
前記熱伝導性材料の表面には、前記材料に対して不活性なコート剤が被覆されたことを特徴とする請求項12に記載の蒸着セル。 - 前記キャピラリの内径に対する長さが2倍以上である請求項11〜13の何れかに記載の蒸着セル。
- 前記キャピラリ内の空間は、少なくとも分子流状態となる部分が直線状であることを特徴とする請求項11〜14の何れかに記載の蒸着セル。
- 前記キャピラリ内の空間形状は、円柱、楕円柱、多角柱、円錐台、楕円錐台、又は、多角錐台、若しくは、それらを組み合わせた形状であることを特徴とする請求項11〜14の何れかに記載の蒸着セル。
- 材料を真空蒸着法によって基板上に薄膜を作製する装置において、
請求項11〜16の何れかの蒸着セルが、同一形状、同一サイズの複数の前記キャピラリ構造を備え、複数の前記キャピラリが一次元的あるいは二次元的に等間隔に配置されたことを特徴とする薄膜作製装置。 - 材料を真空蒸着法によって基板上に薄膜を作製する装置において、
請求項11〜16の何れかの蒸着セルが、一次元的あるいは二次元的に等間隔に複数配置されたことを特徴とする薄膜作製装置。 - 前記蒸着セル毎に、前記キャピラリ構造と同一形状、同一サイズのフラックスモニタリング用キャピラリが設けられたことを特徴とする請求項17又は18に記載の薄膜作製装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015039709A JP6512543B2 (ja) | 2015-02-28 | 2015-02-28 | 蒸着セル、薄膜作製装置および薄膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015039709A JP6512543B2 (ja) | 2015-02-28 | 2015-02-28 | 蒸着セル、薄膜作製装置および薄膜作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016160481A JP2016160481A (ja) | 2016-09-05 |
JP6512543B2 true JP6512543B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=56844548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015039709A Active JP6512543B2 (ja) | 2015-02-28 | 2015-02-28 | 蒸着セル、薄膜作製装置および薄膜作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6512543B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115938804A (zh) * | 2023-03-15 | 2023-04-07 | 四川省科学城久信科技有限公司 | 一种薄膜电容金属化膜片的制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02270959A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸発源用坩堝 |
JPH04120270A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置 |
JPH0478263U (ja) * | 1990-11-15 | 1992-07-08 | ||
JP3802846B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2006-07-26 | 株式会社エイコー・エンジニアリング | 薄膜堆積用分子線源セル |
JP2004158337A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Sony Corp | 蒸着装置 |
US20080131587A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Boroson Michael L | Depositing organic material onto an oled substrate |
KR101181680B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 알박 | 증착원, 유기 el 소자의 제조 장치 |
JP5346239B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-11-20 | 株式会社アルバック | 真空蒸着装置 |
JP2014095131A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2014198863A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 蒸発源及び真空蒸着装置及び有機el表示装置の製造方法 |
JP6513201B2 (ja) * | 2014-12-17 | 2019-05-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 材料堆積装置、真空堆積システム、及び材料堆積方法 |
-
2015
- 2015-02-28 JP JP2015039709A patent/JP6512543B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016160481A (ja) | 2016-09-05 |
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