JPS5996258A - 気体化装置 - Google Patents
気体化装置Info
- Publication number
- JPS5996258A JPS5996258A JP20616882A JP20616882A JPS5996258A JP S5996258 A JPS5996258 A JP S5996258A JP 20616882 A JP20616882 A JP 20616882A JP 20616882 A JP20616882 A JP 20616882A JP S5996258 A JPS5996258 A JP S5996258A
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- Japan
- Prior art keywords
- vessel
- gas
- tank
- container
- source
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明にｌｏ、気体化装置に係シ、特に、昇華物を気体
化するのに好鏑な気体化装置に関する。
化するのに好鏑な気体化装置に関する。
）ｌＪ、近、半導体装いの高集ム丁化、高迎化に伴い、
行来の多結晶シリコン（Ｓｌ）に代わる低抵抗配線材料
の適用が強く要求されている。モリブデン（ム１０）や
タングステン（Ｗ）、Ｔａｆ’クンタル）屑の山融点金
属は多結晶Ｓｉｎ：りも抵抗が約２桁欽いが面ｊ荒品性
、耐酊化性等に問題がある。一方、話；：’ｆｉ１：点
金仄のシリサイド（ＭｏＳｉ２ 、ＷＳｉ２ 。
行来の多結晶シリコン（Ｓｌ）に代わる低抵抗配線材料
の適用が強く要求されている。モリブデン（ム１０）や
タングステン（Ｗ）、Ｔａｆ’クンタル）屑の山融点金
属は多結晶Ｓｉｎ：りも抵抗が約２桁欽いが面ｊ荒品性
、耐酊化性等に問題がある。一方、話；：’ｆｉ１：点
金仄のシリサイド（ＭｏＳｉ２ 、ＷＳｉ２ 。
ＴａＳｉ２ 、ＴｉＳｉ２；Ｊ）は、多結晶Ｓｊ、ｌ：
、９も抵抄が約１桁低いだけでなく、而・ｊ薬品性、耐
酸化性に曽オ、Ｓｉゲートプロセスとの互換性がかな９
ある。
、９も抵抄が約１桁低いだけでなく、而・ｊ薬品性、耐
酸化性に曽オ、Ｓｉゲートプロセスとの互換性がかな９
ある。
ζねら訂、蔭’ｉｊ ｐ、４ル５．シリサイド膜の形成
方法の一つとして、ＣＶＤ法の利用が考えられ、てお９
、このようなＣＶＤ法として、例えば、５塩化モリブデ
ン（ｔ、１ｏｃｚ、、） ガスを反応ガスとして使用
する方法が提案てれている。ところが、このＭ。
方法の一つとして、ＣＶＤ法の利用が考えられ、てお９
、このようなＣＶＤ法として、例えば、５塩化モリブデ
ン（ｔ、１ｏｃｚ、、） ガスを反応ガスとして使用
する方法が提案てれている。ところが、このＭ。
Ｃｌ３ はＩ−！−草物であるため、取シ扱いに問題が
多く、これがこのＣＶＤ法のプロセス技術確立の障害の
一つになっている。
多く、これがこのＣＶＤ法のプロセス技術確立の障害の
一つになっている。
従来、このような昇華物ｌ・気体化する技術として、例
えは、ボンベにＪ４華物（以下、固体ソースという。）
をあらかじめ充カ）シておき、この７］シンベをへ（体
化（τ゛Ｅとしてそのまま使用して加テ１：几、固体ソ
ースが昇華してなる気体（以下、気体という。）’ｃ
ａ８．する技術や、ガラスアンプルに固体ソースをあら
かじめｔ・１人しておき、窒素ガス（Ｎ２）、アンボン
ガス（Ａｒ）が充Ｗパ（されたドライボックス内でガラ
スアンプルから固体ソースを気体化槽に詰め替え、その
後、この槽重加熱して気体を得る技術が抗案芒れている
。
えは、ボンベにＪ４華物（以下、固体ソースという。）
をあらかじめ充カ）シておき、この７］シンベをへ（体
化（τ゛Ｅとしてそのまま使用して加テ１：几、固体ソ
ースが昇華してなる気体（以下、気体という。）’ｃ
ａ８．する技術や、ガラスアンプルに固体ソースをあら
かじめｔ・１人しておき、窒素ガス（Ｎ２）、アンボン
ガス（Ａｒ）が充Ｗパ（されたドライボックス内でガラ
スアンプルから固体ソースを気体化槽に詰め替え、その
後、この槽重加熱して気体を得る技術が抗案芒れている
。
しかしなから、このような従来の昇華物気体化技術にあ
っては次のような欠点がある。
っては次のような欠点がある。
固体ソースを元かしたボンベｋ ７ＪＬＩ Ｐｌ’％す
る方法にあっては、第１に、少量充填し頻繁に交換する
ことができない、第２に、気体供餡艮調節のためにバル
ブケ設けると、一度昇華した気体も湿度が低下すれは固
体化するので、パルプが供給路における５、ξすの原因
になる、第３に、詰め替え口にコ゛ムリング全使用する
と加熱の制約になる。
る方法にあっては、第１に、少量充填し頻繁に交換する
ことができない、第２に、気体供餡艮調節のためにバル
ブケ設けると、一度昇華した気体も湿度が低下すれは固
体化するので、パルプが供給路における５、ξすの原因
になる、第３に、詰め替え口にコ゛ムリング全使用する
と加熱の制約になる。
詰め替える方法にあっては、第１に、固体ソースは醇化
され易いため、詰め替え中に量化する危険がある、第２
に、ドライボックスを必要とするため、設体費、糾持も
゛・等が大きくなり経済的にネオＵである。
され易いため、詰め替え中に量化する危険がある、第２
に、ドライボックスを必要とするため、設体費、糾持も
゛・等が大きくなり経済的にネオＵである。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解決し、固体ソ
ースを筒峠に気体化することができる気体色装「）ヲ伝
供するにある。
ースを筒峠に気体化することができる気体色装「）ヲ伝
供するにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって５弁明す
る。
る。
第１図および第２図は本発明による気体化装置の一実施
例を示す各趨所面図である。
例を示す各趨所面図である。
本実旌例において、この気体化装置は気密室２を形成す
る気体化（゛コ１全侃ｉえておｐ、この槽１は本体３と
こね、に螺オ′コ自在な蓋体４とから構成でれている。
る気体化（゛コ１全侃ｉえておｐ、この槽１は本体３と
こね、に螺オ′コ自在な蓋体４とから構成でれている。
本体３内の天井面には突出部５が円筒形状に下向きに突
設嘔九てお９、天井間にはキャリアガス鵠・８人智・６
と、招・華気体導出ロアとが突出部５の内部空間にそ力
ぞれ連通するように設けら力ている。気体化４曹１の内
部にはロッド９の上端に支持芒れたヨψ十台８が相対的
に上下動自在に設けらね、ロッド９は蓋体４が形成する
底壁を下方にＪ′ｊ辿している。また、気体化槽１の外
部には加熱手段としてのヒータ１０が巻装芒）］ている
。
設嘔九てお９、天井間にはキャリアガス鵠・８人智・６
と、招・華気体導出ロアとが突出部５の内部空間にそ力
ぞれ連通するように設けら力ている。気体化４曹１の内
部にはロッド９の上端に支持芒れたヨψ十台８が相対的
に上下動自在に設けらね、ロッド９は蓋体４が形成する
底壁を下方にＪ′ｊ辿している。また、気体化槽１の外
部には加熱手段としてのヒータ１０が巻装芒）］ている
。
この気気体化装置は、気体化対角物質としての固体ソー
ス（例えは、Ｍｏ ０７５ ’） １２ｆｆｉあらかじ
め」”１人した答礼）１１を備えてお９、容器１１はガ
ラス等のような脆弱性の材料から円筒形状に成形されて
′いる。容器１１の天井壁は破接が容易に′ｈてれるよ
うに肉厚の吾い破絡可能部１３が形成されている。容器
１１の上端部における筒内径は突よ・部５の外径とほぼ
等しく設定さねている。
ス（例えは、Ｍｏ ０７５ ’） １２ｆｆｉあらかじ
め」”１人した答礼）１１を備えてお９、容器１１はガ
ラス等のような脆弱性の材料から円筒形状に成形されて
′いる。容器１１の天井壁は破接が容易に′ｈてれるよ
うに肉厚の吾い破絡可能部１３が形成されている。容器
１１の上端部における筒内径は突よ・部５の外径とほぼ
等しく設定さねている。
次に作用全説明する。
本体３から蓋体４を外し、押上台８上に固体ソース１２
全あらがじめ圭４人した容器１１全載飴し、蓋体４を本
体３に螺着して容器１１を気密室２内に収容する。
全あらがじめ圭４人した容器１１全載飴し、蓋体４を本
体３に螺着して容器１１を気密室２内に収容する。
続いて、図示しない鹿動器具により押上台８が押し上げ
られると、第２図に示すように、容器１１の破壊可能部
１３が突出部５に突き破らｊ、容器１１の内周が突出部
５の外周に密着する。
られると、第２図に示すように、容器１１の破壊可能部
１３が突出部５に突き破らｊ、容器１１の内周が突出部
５の外周に密着する。
その後、ヒータ１０により槽１を経て容器１１内の固体
ソース１２が加熱昇華さね気体化テワる。
ソース１２が加熱昇華さね気体化テワる。
導入憤６からキャリアガス（例えは、Ｎ２ガス）が導入
で力１、このガスにより気体が導出ロアから例えばＣｖ
Ｄ装置の反応槽へと１示出でれていく。
で力１、このガスにより気体が導出ロアから例えばＣｖ
Ｄ装置の反応槽へと１示出でれていく。
本実旋例Ｃてよれば、固体ソースをガラス容器に封入す
るので、少Ｓｊ−充填が可能であり、頻繁に交Ｉ急する
ことができるとともに、気体流辿路に開閉バルブを介設
する必要がなく、流路閉塞の危険性が少ない。また、詰
め替え作条が介在しないので、１、勺化の危険が皆無で
あり、詰め替え専用のドライボックスが不必要になり、
かつ構造簡卑であるから、経済的に有利である。
るので、少Ｓｊ−充填が可能であり、頻繁に交Ｉ急する
ことができるとともに、気体流辿路に開閉バルブを介設
する必要がなく、流路閉塞の危険性が少ない。また、詰
め替え作条が介在しないので、１、勺化の危険が皆無で
あり、詰め替え専用のドライボックスが不必要になり、
かつ構造簡卑であるから、経済的に有利である。
このようにして、高純度、篩品質の昇華気体を所望址安
定供紹することができるので、ＯＶＤ方法によるｋｉ
ａ’ｔ！点金属 シリサイド膜の高品質で再現性の艮好
な形成方法のプロセス技術の確立を促）１！−すること
ができる。
定供紹することができるので、ＯＶＤ方法によるｋｉ
ａ’ｔ！点金属 シリサイド膜の高品質で再現性の艮好
な形成方法のプロセス技術の確立を促）１！−すること
ができる。
第３図は本発明の他の実施例を示すものであり、ｊ）ｉ
ｉ記実施例と異なる点は、気体化槽１の蓋体４Ａが第４
ｉ□ａにベローズ８Ａを弁して着脱自在に連設芒わ、ベ
ローズ８Ａの伸縮により着体４ＡＫ載訝された容器１１
が本体３に相対的に手下動じて破壊ｎ」化部１３が突出
部５により突き破られるように＋ｊ６成芒れた点にある
。
ｉ記実施例と異なる点は、気体化槽１の蓋体４Ａが第４
ｉ□ａにベローズ８Ａを弁して着脱自在に連設芒わ、ベ
ローズ８Ａの伸縮により着体４ＡＫ載訝された容器１１
が本体３に相対的に手下動じて破壊ｎ」化部１３が突出
部５により突き破られるように＋ｊ６成芒れた点にある
。
なお、容器は破壊可能部を少なくとも一部に倫えておれ
ばよく、破ｔと可能部はガラス等の脆弱性材料で形成す
る場合に限らない。但し、カロ熱されたときに異質ガス
を発生する材料（例えば、合成４ν・１１旨）のイ吏用
は回メ：ｆｆることが望ましい。これば♀ｌ：１．気体
化枯についても同様である。
ばよく、破ｔと可能部はガラス等の脆弱性材料で形成す
る場合に限らない。但し、カロ熱されたときに異質ガス
を発生する材料（例えば、合成４ν・１１旨）のイ吏用
は回メ：ｆｆることが望ましい。これば♀ｌ：１．気体
化枯についても同様である。
捷だ、破壊手段としては容器を突出部に相対移動させて
突出部で破壊可能部を突き破るように４７１成したが、
これに限らず、例えば、加熱により収縮変形して破壊で
れるようにしてもよい。
突出部で破壊可能部を突き破るように４７１成したが、
これに限らず、例えば、加熱により収縮変形して破壊で
れるようにしてもよい。
前ＦｒＣ実飽例では、固体ソース金気体化させる場合に
つき説明したが、液体全気体化させる場合にも通用する
ことができる。また、得られた気体の用途はＯＶＤ方法
に使用ツーる場合に限定されるものではない。
つき説明したが、液体全気体化させる場合にも通用する
ことができる。また、得られた気体の用途はＯＶＤ方法
に使用ツーる場合に限定されるものではない。
以上説明したように、本発明によね、は、固体または液
体を篩品質で再現性よく気体化することができる。
体を篩品質で再現性よく気体化することができる。
（￥１面のｆ箭沖な説明
第１図および第２図は本発明による気体化装酋の一実飽
例を示す各ｉｉ断面図、 第３図は本発明の他の実飽例を示す縦断面図である。
例を示す各ｉｉ断面図、 第３図は本発明の他の実飽例を示す縦断面図である。
ｌ・・・気体化僧、５・・・突出部、６・・・キャリア
ガス樽人５′、７・・・気体導出口、８・・・押上台、
１０・・・ヒータ、１１・・・容器、１２・・・固体ソ
ース、１３・・・破ｔ；′二可能部。
ガス樽人５′、７・・・気体導出口、８・・・押上台、
１０・・・ヒータ、１１・・・容器、１２・・・固体ソ
ース、１３・・・破ｔ；′二可能部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 気体化対象物質を封入し、少なくとも一部に破壊可
能部を有する容器と、この容器を内部に収容自在な棺と
、この槽内に収容はれた容器の前記破壊可能部全破壊す
る破壊手段と、ルＩＪ記檜の内部に連辿する出口と全備
えてなる気体化装置。 ２、破壊手段が、前記槽内に収容嘔れた容器を楢の少な
くとも一部に対して相対移動させ前記破壊可能部を押し
付けるようにした移動装置から構成さ力、たこと全特徴
とする特ム１−請求の屈囲第１項記載の気体化装置。 ３、破壊可能部が、脆弱性月料〃・ら形成さハた薄叛で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の久体
化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20616882A JPS5996258A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 気体化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20616882A JPS5996258A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 気体化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996258A true JPS5996258A (ja) | 1984-06-02 |
Family
ID=16518930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20616882A Pending JPS5996258A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 気体化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996258A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987001614A1 (en) * | 1985-09-16 | 1987-03-26 | J.C. Schumacher Company | Vacuum vapor transport control |
| KR100767296B1 (ko) | 2006-01-16 | 2007-10-17 | 주식회사 테라세미콘 | 화학기상증착장치의 소스파우더 공급장치 |
| KR200454322Y1 (ko) | 2009-08-26 | 2011-06-28 | 주식회사 테라세미콘 | 증착가스 공급장치 |
| WO2019101572A1 (en) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Solid material container and solid material product in which said solid material container is filled with a solid material |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20616882A patent/JPS5996258A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987001614A1 (en) * | 1985-09-16 | 1987-03-26 | J.C. Schumacher Company | Vacuum vapor transport control |
| KR100767296B1 (ko) | 2006-01-16 | 2007-10-17 | 주식회사 테라세미콘 | 화학기상증착장치의 소스파우더 공급장치 |
| KR200454322Y1 (ko) | 2009-08-26 | 2011-06-28 | 주식회사 테라세미콘 | 증착가스 공급장치 |
| WO2019101572A1 (en) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Solid material container and solid material product in which said solid material container is filled with a solid material |
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