JP2001115263A - ２つのフリットを有するバブラー - Google Patents
２つのフリットを有するバブラーInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 有機金属化合物物質で飽和された流体を安定
に化学蒸着系に供給する装置を提供する。 【解決手段】 以下の構成とする。（１）閉じられた円
筒形容器３０の上部閉鎖部分にガス導入開口部２４とガ
ス出口開口部２５を設ける。（２）円筒形容器３０内
に、ガス導入開口部と連結し、ガス出口開口部と連結し
ない空間２８を設ける。（３）空間２８の底部２７と円
筒形容器３０の底部の間に隙間を設け、底部２７に第１
の多孔性エレメント３２を設置し、空間２８で生成され
た蒸気をガス出口開口部を含む空間２９に移送すること
を可能とする。そのため空間２８に固定の有機金属化合
物を設置する。（４）空間２９の内部で、ガス出口開口
部に第２の多孔性エレメント３３を設置する。以上の構
成により、前記有機金属化合物材料で飽和された流体が
化学蒸着系に供給される。
に化学蒸着系に供給する装置を提供する。 【解決手段】 以下の構成とする。（１）閉じられた円
筒形容器３０の上部閉鎖部分にガス導入開口部２４とガ
ス出口開口部２５を設ける。（２）円筒形容器３０内
に、ガス導入開口部と連結し、ガス出口開口部と連結し
ない空間２８を設ける。（３）空間２８の底部２７と円
筒形容器３０の底部の間に隙間を設け、底部２７に第１
の多孔性エレメント３２を設置し、空間２８で生成され
た蒸気をガス出口開口部を含む空間２９に移送すること
を可能とする。そのため空間２８に固定の有機金属化合
物を設置する。（４）空間２９の内部で、ガス出口開口
部に第２の多孔性エレメント３３を設置する。以上の構
成により、前記有機金属化合物材料で飽和された流体が
化学蒸着系に供給される。
Description
【０００１】本発明は、高い集結度で（ｈｉｇｈ−ｉｎ
ｔｅｇｒｉｔｙ）、高い純度の２つのチャンバーを有す
る化学蒸着（ＣＶＤ）ソース容器を含む蒸気発生器（ｖ
ａｐｏｒ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）に関する。蒸気発生器
は、蒸気相エピタキシー、ならびに化合物半導体および
薄膜プロセスに用いられる他の化学蒸着装置の特有の要
求を満たすためにデザインされている。蒸気発生器は、
最も高純度の、反応性の非常に高い化学物質を安全に取
り扱い、保持するようにデザインされている。特に、本
発明は、２つのチャンバーを有する（ｄｕａｌ ｃｈａ
ｍｂｅｒｅｄ）蒸気発生器の容器、および化学蒸着シス
テムのための固体有機金属ソースの、定常的な、すなわ
ち、均一な移送（ｄｅｌｉｖｅｒｙ）を得る方法に関す
る。不均一な移送速度は、ＭＯＶＰＥ（金属−有機−蒸
気−相エピタキシー（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ−Ｖ
ａｐｏｒ−Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）システムを用
いて成長したエピタキシャル層の組成に、有害な影響を
及ぼす。本発明は、ＭＯＭＢＥ（金属−有機分子ビーム
エピタキシー（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏｌｅ
ｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）およびＣＢＥ
（ケミカルビームエピタキシー（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｂ
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ））蒸着システムを用いる際に
も、有利である。
ｔｅｇｒｉｔｙ）、高い純度の２つのチャンバーを有す
る化学蒸着（ＣＶＤ）ソース容器を含む蒸気発生器（ｖ
ａｐｏｒ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）に関する。蒸気発生器
は、蒸気相エピタキシー、ならびに化合物半導体および
薄膜プロセスに用いられる他の化学蒸着装置の特有の要
求を満たすためにデザインされている。蒸気発生器は、
最も高純度の、反応性の非常に高い化学物質を安全に取
り扱い、保持するようにデザインされている。特に、本
発明は、２つのチャンバーを有する（ｄｕａｌ ｃｈａ
ｍｂｅｒｅｄ）蒸気発生器の容器、および化学蒸着シス
テムのための固体有機金属ソースの、定常的な、すなわ
ち、均一な移送（ｄｅｌｉｖｅｒｙ）を得る方法に関す
る。不均一な移送速度は、ＭＯＶＰＥ（金属−有機−蒸
気−相エピタキシー（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ−Ｖ
ａｐｏｒ−Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）システムを用
いて成長したエピタキシャル層の組成に、有害な影響を
及ぼす。本発明は、ＭＯＭＢＥ（金属−有機分子ビーム
エピタキシー（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏｌｅ
ｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）およびＣＢＥ
（ケミカルビームエピタキシー（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｂ
ｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ））蒸着システムを用いる際に
も、有利である。
【０００２】組成変化をともない、１ミクロンの何分の
１から数ミクロンの範囲の厚さを有する異なった単結晶
層（ｍｏｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｌａｙｅｒ）を
含む、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質は、多くの電子デ
バイス、特にレーザーおよび光検出器といったオプトエ
レクトロニック（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）デバ
イスの製造に用いられる。有機金属化合物を用いる化学
蒸着法は、金属薄膜またはＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体
薄膜の蒸着に対するＣＶＤ技術において慣例的に用いら
れる。半導体産業で慣例的に用いられる化合物として
は、シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍ
ｇ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、
トリメチルアンチモン（ＴＭＳｂ）ジメチルヒドラジン
（ＤＭＨｙ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、等が
挙げられる。ＴＭＩといった固体の先駆物質は、インジ
ウムを含む半導体のＭＯＶＰＥで用いられる。固体ＴＭ
Ｉは、一般にバブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）と呼ばれる円
筒形容器またはコンテナの中に置かれ、固体先駆物質が
気化する一定の温度をかけられる。キャリアガス、例え
ば、水素は、先駆物質蒸気をピックアップ（ｐｉｃｋ
ｕｐ）し、堆積システムに運ぶのに用いられる。たいて
いの固体先駆物質は、公知のバブラータイプ先駆物質容
器で用いられる際に、不十分および不規則な移送速度を
示す。公知のバブラーには、米国特許第４，５０６，８
１５号の開示によって例示されている、ディップチュー
ブ（ｄｉｐ−ｔｕｂｅ）がインレットに取り付けられた
バブラー容器、または、米国特許第５，７５５，８８５
号の開示によって例示されている、ディップチューブが
ガス供給デバイスに取り付けられたバブラー容器の両方
が含まれ、コンテナにキャリアガスを導入するため、デ
ィップチューブに複数のガス噴出（ｇａｓ−ｅｊｅｃｔ
ｉｎｇ）ホールがある。これらの公知のバブラーシステ
ムは、特に固体有機金属先駆物質で、先駆物質蒸気の不
安定で不均一な流量をもたらす可能性がある。そのよう
な不均一な流量は、ＭＯＶＰＥ反応器で成長する半導体
膜の組成に不利な影響を及ぼす。モートンインターナシ
ョナル社（Ｍｏｒｔｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ、Ｉｎｃ．）によって開発された他のバブラーシステ
ムは、ディップチューブを使用しない。そのようなディ
ップチューブを使用しないバブラーが、均一な流量をも
たらすことが分かったが、一定した高い濃度の先駆物質
を供給することはできなかった。
１から数ミクロンの範囲の厚さを有する異なった単結晶
層（ｍｏｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｌａｙｅｒ）を
含む、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質は、多くの電子デ
バイス、特にレーザーおよび光検出器といったオプトエ
レクトロニック（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）デバ
イスの製造に用いられる。有機金属化合物を用いる化学
蒸着法は、金属薄膜またはＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体
薄膜の蒸着に対するＣＶＤ技術において慣例的に用いら
れる。半導体産業で慣例的に用いられる化合物として
は、シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍ
ｇ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、
トリメチルアンチモン（ＴＭＳｂ）ジメチルヒドラジン
（ＤＭＨｙ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、等が
挙げられる。ＴＭＩといった固体の先駆物質は、インジ
ウムを含む半導体のＭＯＶＰＥで用いられる。固体ＴＭ
Ｉは、一般にバブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）と呼ばれる円
筒形容器またはコンテナの中に置かれ、固体先駆物質が
気化する一定の温度をかけられる。キャリアガス、例え
ば、水素は、先駆物質蒸気をピックアップ（ｐｉｃｋ
ｕｐ）し、堆積システムに運ぶのに用いられる。たいて
いの固体先駆物質は、公知のバブラータイプ先駆物質容
器で用いられる際に、不十分および不規則な移送速度を
示す。公知のバブラーには、米国特許第４，５０６，８
１５号の開示によって例示されている、ディップチュー
ブ（ｄｉｐ−ｔｕｂｅ）がインレットに取り付けられた
バブラー容器、または、米国特許第５，７５５，８８５
号の開示によって例示されている、ディップチューブが
ガス供給デバイスに取り付けられたバブラー容器の両方
が含まれ、コンテナにキャリアガスを導入するため、デ
ィップチューブに複数のガス噴出（ｇａｓ−ｅｊｅｃｔ
ｉｎｇ）ホールがある。これらの公知のバブラーシステ
ムは、特に固体有機金属先駆物質で、先駆物質蒸気の不
安定で不均一な流量をもたらす可能性がある。そのよう
な不均一な流量は、ＭＯＶＰＥ反応器で成長する半導体
膜の組成に不利な影響を及ぼす。モートンインターナシ
ョナル社（Ｍｏｒｔｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ、Ｉｎｃ．）によって開発された他のバブラーシステ
ムは、ディップチューブを使用しない。そのようなディ
ップチューブを使用しないバブラーが、均一な流量をも
たらすことが分かったが、一定した高い濃度の先駆物質
を供給することはできなかった。
【０００３】一定した高い濃度で、固体先駆物質からの
供給蒸気の安定した供給を達成することができないこと
は、そのような設備、特に半導体成分の製造のユーザー
にとって、問題となる。不安定な有機金属の流量は、様
々な要因による：例えば、蒸発が起こる化学物質の全表
面積の減少の進行、キャリアガスが先駆物質と最小の接
触を有する所で固体先駆物質を通ることとなるチャネリ
ング、およびキャリアガスとの充分な接触が不可能であ
るバブラー部分への先駆物質固体の昇華が挙げられる。
流れの問題を克服するために、例えば、１）逆流バブラ
ーを使用すること、２）先駆物質におけるディスパージ
ョン物質を使用すること、３）固体ベッド（ｂｅｄ）の
下にディフューザープレート（ｄｉｆｆｕｓｅｒ ｐｌ
ａｔｅ）を採用すること、４）コニカルシリンダー（ｃ
ｏｎｉｃａｌ ｃｙｌｉｎｄｅｒ）デザインを採用する
こと、５）固体先駆物質を解凝集するために円筒をたた
くこと、といった様々な方法が採用されてきた。米国特
許第４，７０４，９８８号は、容器が、多孔性のパーテ
ィション（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）によって、第１および
第２のコンパートメントに分けられているバブラーデザ
インを開示している。第１のコンパートメントに含まれ
る気化された反応性の物質は、パーティションを通し
て、第２のコンパートメントに拡散し、そこで物質がキ
ャリアガスと接触し、容器から適切な堆積チャンバーに
移送するキャリアガスに乗せられる。
供給蒸気の安定した供給を達成することができないこと
は、そのような設備、特に半導体成分の製造のユーザー
にとって、問題となる。不安定な有機金属の流量は、様
々な要因による：例えば、蒸発が起こる化学物質の全表
面積の減少の進行、キャリアガスが先駆物質と最小の接
触を有する所で固体先駆物質を通ることとなるチャネリ
ング、およびキャリアガスとの充分な接触が不可能であ
るバブラー部分への先駆物質固体の昇華が挙げられる。
流れの問題を克服するために、例えば、１）逆流バブラ
ーを使用すること、２）先駆物質におけるディスパージ
ョン物質を使用すること、３）固体ベッド（ｂｅｄ）の
下にディフューザープレート（ｄｉｆｆｕｓｅｒ ｐｌ
ａｔｅ）を採用すること、４）コニカルシリンダー（ｃ
ｏｎｉｃａｌ ｃｙｌｉｎｄｅｒ）デザインを採用する
こと、５）固体先駆物質を解凝集するために円筒をたた
くこと、といった様々な方法が採用されてきた。米国特
許第４，７０４，９８８号は、容器が、多孔性のパーテ
ィション（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）によって、第１および
第２のコンパートメントに分けられているバブラーデザ
インを開示している。第１のコンパートメントに含まれ
る気化された反応性の物質は、パーティションを通し
て、第２のコンパートメントに拡散し、そこで物質がキ
ャリアガスと接触し、容器から適切な堆積チャンバーに
移送するキャリアガスに乗せられる。
【０００４】それゆえ、上記に記載されているように、
固体先駆物質蒸気の安定な流れ／ピックアップは、公知
のバブラー容器に関連した、現状の、および主要な欠点
である。現在のバブラー容器デザインおよび異なった移
送形状（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）は、先駆物質の
最大のピックアップを伴った均一な流量を提供すること
ができない。同時係属中の米国特許出願第０９／３７
８，２７４号の１つのフリットを有するバブラーデザイ
ンは、フリット（ｆｒｉｔ）エレメントを採用せず、改
良された先駆物質のピックアップを提供することができ
る公知のバブラーよりも、先駆物質蒸気のより良い安定
性およびピックアップを提供するが、蒸気ソースが全部
なくなるまで、均一で高い濃度の先駆物質蒸気を提供す
るようにされたバブラーデバイスのための技術が依然と
して必要とされている。先駆物質のピックアップを改良
するためにデザインされた他のバブラーは、米国特許第
５，６０３，１６９号に開示されており、キャリアガス
が通過する下部および上部の多孔性プレートを採用して
いる。下部の多孔性プレートは、キャリアガス供給イン
レットの上方にあり、充填固体先駆物質を支えている。
操作中、キャリアガスは、固体先駆物質に接触する前
に、下部の多孔性プレートを通過する。圧縮プレート
は、その重さによって、先駆物質をプレスするために、
下部の多孔性プレートの上方にある。この公知のデバイ
スは、本発明の単純な構造で具体化されるよりも、より
複雑な構造を含む。
固体先駆物質蒸気の安定な流れ／ピックアップは、公知
のバブラー容器に関連した、現状の、および主要な欠点
である。現在のバブラー容器デザインおよび異なった移
送形状（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）は、先駆物質の
最大のピックアップを伴った均一な流量を提供すること
ができない。同時係属中の米国特許出願第０９／３７
８，２７４号の１つのフリットを有するバブラーデザイ
ンは、フリット（ｆｒｉｔ）エレメントを採用せず、改
良された先駆物質のピックアップを提供することができ
る公知のバブラーよりも、先駆物質蒸気のより良い安定
性およびピックアップを提供するが、蒸気ソースが全部
なくなるまで、均一で高い濃度の先駆物質蒸気を提供す
るようにされたバブラーデバイスのための技術が依然と
して必要とされている。先駆物質のピックアップを改良
するためにデザインされた他のバブラーは、米国特許第
５，６０３，１６９号に開示されており、キャリアガス
が通過する下部および上部の多孔性プレートを採用して
いる。下部の多孔性プレートは、キャリアガス供給イン
レットの上方にあり、充填固体先駆物質を支えている。
操作中、キャリアガスは、固体先駆物質に接触する前
に、下部の多孔性プレートを通過する。圧縮プレート
は、その重さによって、先駆物質をプレスするために、
下部の多孔性プレートの上方にある。この公知のデバイ
スは、本発明の単純な構造で具体化されるよりも、より
複雑な構造を含む。
【０００５】本発明により提供される蒸気発生器は、現
存している従来のデザインによって示される遅く不規則
な移送速度、および先駆物質がなくなるまで完全に均一
な提供ができないことを解消するようにデザインされ
る。本発明の新規の装置は、固体の試薬ソースのための
蒸気移送容器として操作するようにデザインされる。２
つの多孔性フリットエレメントを使用することによる本
発明のバブラー装置は、キャリアガスを固体の先駆物質
を通してバブルすることなしに、キャリアガスの有機金
属蒸気での飽和を達成する。この働きを避けることが固
体中のチャンネルの形成を妨げ、それにより、図７に示
されるように、物質がなくなるまで、物質の均一な移送
が得られた。本発明の新規な２つのフリットのバブラー
デザイン（図３）は、固体の先駆物質を通してバブルす
るのを回避することにより、多孔性フリットエレメント
を使用しない従来のバブラーの問題点を克服した。本発
明に従った新規の装置のデザインは、エピタキシー反応
器を含む、蒸気相エピタキシー系において、特に、エピ
タキシー反応器に少なくとも１つの試薬、すなわち、半
導体産業において使用される、ＴＭＩ、Ｃｐ２Ｍｇ、Ｃ
Ｂｒ４等のような固体の有機金属化合物をガス状で導入
するために、使用されることができる。
存している従来のデザインによって示される遅く不規則
な移送速度、および先駆物質がなくなるまで完全に均一
な提供ができないことを解消するようにデザインされ
る。本発明の新規の装置は、固体の試薬ソースのための
蒸気移送容器として操作するようにデザインされる。２
つの多孔性フリットエレメントを使用することによる本
発明のバブラー装置は、キャリアガスを固体の先駆物質
を通してバブルすることなしに、キャリアガスの有機金
属蒸気での飽和を達成する。この働きを避けることが固
体中のチャンネルの形成を妨げ、それにより、図７に示
されるように、物質がなくなるまで、物質の均一な移送
が得られた。本発明の新規な２つのフリットのバブラー
デザイン（図３）は、固体の先駆物質を通してバブルす
るのを回避することにより、多孔性フリットエレメント
を使用しない従来のバブラーの問題点を克服した。本発
明に従った新規の装置のデザインは、エピタキシー反応
器を含む、蒸気相エピタキシー系において、特に、エピ
タキシー反応器に少なくとも１つの試薬、すなわち、半
導体産業において使用される、ＴＭＩ、Ｃｐ２Ｍｇ、Ｃ
Ｂｒ４等のような固体の有機金属化合物をガス状で導入
するために、使用されることができる。
【０００６】本発明の目的は、現存するバブラーデザイ
ンから可能な濃度よりも、より高い濃度のアウトプット
濃度において、安定で／一定のフローを移送するため
の、簡単で経済的な構造を有する蒸気移送装置を提供す
ることである。本発明の他の目的は、固体の有機金属先
駆物質の全てがなくなるまで、一定の移送速度を達成す
ることができる、蒸気移送装置デザインを提供すること
である。本発明のさらに他の目的としては、温度および
キャリアガスのフローパラメータの変化に対して、素早
い応答をすることができる蒸気発生器デザインが提供さ
れる。本発明のさらなる目的としては、キャリアガスの
温度、圧力、特質およびその流量のような、操作パラメ
ータに応じた濃度範囲にわたる、一定の流量／濃度での
移送を達成することができる、蒸気移送デザインが提供
される。
ンから可能な濃度よりも、より高い濃度のアウトプット
濃度において、安定で／一定のフローを移送するため
の、簡単で経済的な構造を有する蒸気移送装置を提供す
ることである。本発明の他の目的は、固体の有機金属先
駆物質の全てがなくなるまで、一定の移送速度を達成す
ることができる、蒸気移送装置デザインを提供すること
である。本発明のさらに他の目的としては、温度および
キャリアガスのフローパラメータの変化に対して、素早
い応答をすることができる蒸気発生器デザインが提供さ
れる。本発明のさらなる目的としては、キャリアガスの
温度、圧力、特質およびその流量のような、操作パラメ
ータに応じた濃度範囲にわたる、一定の流量／濃度での
移送を達成することができる、蒸気移送デザインが提供
される。
【０００７】本発明のガス供給装置は、キャリアガスを
用いて、固体有機金属先駆物質の飽和蒸気を生じさせる
ための２つのチャンバーを有する円筒形容器を含む。容
器を構成するのに使用される物質は限定されないが、ガ
ラス、テフロンまたはその中で処理される有機金属化合
物に不活性な金属であることができる。通常、安全上の
理由から、金属が使用される。ステンレス鋼が特に好ま
しい。例えば、全ての部品は３１６Ｌステンレス鋼から
なることができる。キャリアガスは、有機金属化合物と
反応しない任意の不活性ガスを含むことができる。本発
明を行う場合に使用されることができるキャリアガスの
例としては、水素、窒素、アルゴン、およびヘリウムが
挙げられる。容器は、容器の上部の好適な充填ポート
（ｆｉｌｌｐｏｒｔ）を通して、固体の先駆物質有機金
属化合物で満たされる。
用いて、固体有機金属先駆物質の飽和蒸気を生じさせる
ための２つのチャンバーを有する円筒形容器を含む。容
器を構成するのに使用される物質は限定されないが、ガ
ラス、テフロンまたはその中で処理される有機金属化合
物に不活性な金属であることができる。通常、安全上の
理由から、金属が使用される。ステンレス鋼が特に好ま
しい。例えば、全ての部品は３１６Ｌステンレス鋼から
なることができる。キャリアガスは、有機金属化合物と
反応しない任意の不活性ガスを含むことができる。本発
明を行う場合に使用されることができるキャリアガスの
例としては、水素、窒素、アルゴン、およびヘリウムが
挙げられる。容器は、容器の上部の好適な充填ポート
（ｆｉｌｌｐｏｒｔ）を通して、固体の先駆物質有機金
属化合物で満たされる。
【０００８】固体先駆物質ソースを含む容器は定温浴内
に配置され、好適な温度に維持されることができる。容
器が加熱される温度範囲は、特定の先駆物質有機金属化
合物の蒸発温度に応じて変化するであろう。固体の先駆
物質を蒸発させるのに必要な熱を提供しさえすれば、好
適な温度に容器を加熱する任意の系でよい。例えば、容
器は、バブラーを取り囲む銅管を通って流れるハロゲン
化炭素オイルの使用によって、または加熱された油浴中
に直接浸漬することにより、加熱されることができる。
キャリアガスは容器の上部のインレット（ｉｎｌｅｔ）
を通じて装置のインプットチャンバーに入り、チャンバ
ーが有機金属化合物の蒸気で満たされた後に、キャリア
ガスストリームが装置のインプットチャンバーから、イ
ンレットチャンバーのフロア（ｆｌｏｏｒ）に配置され
た第１の多孔性フリットエレメントを通って、流体が連
絡するように、インレットチャンバーに接触しているア
ウトレットチャンバーに出て、次いで、容器のアウトレ
ット（ｏｕｔｌｅｔ）に配置されている第２の多孔性フ
リットエレメントを通って容器を出る。好ましくは、第
２の多孔性フリットエレメントは、バブラーの内部に配
置されるアウトレット管のその部分の内表面に接続され
る。標準のマスフローコントローラ（ｍａｓｓ ｆｌｏ
ｗ ｃｏｍｔｒｏｌｌｅｒ）（図示せず）はキャリアガ
スの流量を制御する。アウトレットから出た後、有機金
属の蒸気で飽和されたキャリアガスは、好適な堆積チャ
ンバーに供給される。
に配置され、好適な温度に維持されることができる。容
器が加熱される温度範囲は、特定の先駆物質有機金属化
合物の蒸発温度に応じて変化するであろう。固体の先駆
物質を蒸発させるのに必要な熱を提供しさえすれば、好
適な温度に容器を加熱する任意の系でよい。例えば、容
器は、バブラーを取り囲む銅管を通って流れるハロゲン
化炭素オイルの使用によって、または加熱された油浴中
に直接浸漬することにより、加熱されることができる。
キャリアガスは容器の上部のインレット（ｉｎｌｅｔ）
を通じて装置のインプットチャンバーに入り、チャンバ
ーが有機金属化合物の蒸気で満たされた後に、キャリア
ガスストリームが装置のインプットチャンバーから、イ
ンレットチャンバーのフロア（ｆｌｏｏｒ）に配置され
た第１の多孔性フリットエレメントを通って、流体が連
絡するように、インレットチャンバーに接触しているア
ウトレットチャンバーに出て、次いで、容器のアウトレ
ット（ｏｕｔｌｅｔ）に配置されている第２の多孔性フ
リットエレメントを通って容器を出る。好ましくは、第
２の多孔性フリットエレメントは、バブラーの内部に配
置されるアウトレット管のその部分の内表面に接続され
る。標準のマスフローコントローラ（ｍａｓｓ ｆｌｏ
ｗ ｃｏｍｔｒｏｌｌｅｒ）（図示せず）はキャリアガ
スの流量を制御する。アウトレットから出た後、有機金
属の蒸気で飽和されたキャリアガスは、好適な堆積チャ
ンバーに供給される。
【０００９】図１は、米国特許第４５０６８１５号に開
示される、伸長した（ｅｌｏｎｇａｔｅｄ）円筒形コン
テナ１、キャリアガスを移送するためのインレット管
２、および先駆物質の蒸気を排出するアウトレット管３
を含み、該管３は末端がディップチューブ４で終わって
おり、該ディップチューブ４はコンテナ１中に含まれる
先駆物質中に伸びている、従来のディップ−チューブ
（ｄｉｐ−ｔｕｂｅ）バブラーデザインを示す。
示される、伸長した（ｅｌｏｎｇａｔｅｄ）円筒形コン
テナ１、キャリアガスを移送するためのインレット管
２、および先駆物質の蒸気を排出するアウトレット管３
を含み、該管３は末端がディップチューブ４で終わって
おり、該ディップチューブ４はコンテナ１中に含まれる
先駆物質中に伸びている、従来のディップ−チューブ
（ｄｉｐ−ｔｕｂｅ）バブラーデザインを示す。
【００１０】図２は、同時係属中の米国特許出願第０９
／３７８２７４号に開示されている装置の態様を示し、
該装置は、円筒１０の長さ方向に実質的に一定の断面を
定める内表面１１を有する、伸長した円筒形コンテナ１
０、上部の閉鎖部分１５、および平らな底部１７を有す
る、底部の金属製の閉鎖部分１６を有する。上部の閉鎖
部分１５は充填ポート１８、インレット開口部１９およ
びアウトレット開口部２０を有している。インレット管
１２およびアウトレット管１３は、コンテナの閉鎖部分
１５におけるインレット開口部１９およびアウトレット
開口部２０に通じている。管１３の下部端は、ポート１
８を通ってコンテナ１０に添加される充填先駆物質レベ
ルの上方で終了し、すなわち、該下端部は有機金属内容
物中に浸らない。アウトレット管１３は、その内表面側
に配置される多孔性の円筒形エレメント１４を有する。
全ての部品は、３１６Ｌステンレス鋼のようなステンレ
ス鋼から造られる。例えば、多孔性エレメント１４は約
１インチの長さで、１／４インチの外径を有するもので
ある。多孔性フリットエレメント１４の外径は、アウト
レットチューブ１３の内径としっかり適合する寸法であ
る。エレメント１４のポアサイズは１〜１０ミクロンの
範囲で変化することができる。
／３７８２７４号に開示されている装置の態様を示し、
該装置は、円筒１０の長さ方向に実質的に一定の断面を
定める内表面１１を有する、伸長した円筒形コンテナ１
０、上部の閉鎖部分１５、および平らな底部１７を有す
る、底部の金属製の閉鎖部分１６を有する。上部の閉鎖
部分１５は充填ポート１８、インレット開口部１９およ
びアウトレット開口部２０を有している。インレット管
１２およびアウトレット管１３は、コンテナの閉鎖部分
１５におけるインレット開口部１９およびアウトレット
開口部２０に通じている。管１３の下部端は、ポート１
８を通ってコンテナ１０に添加される充填先駆物質レベ
ルの上方で終了し、すなわち、該下端部は有機金属内容
物中に浸らない。アウトレット管１３は、その内表面側
に配置される多孔性の円筒形エレメント１４を有する。
全ての部品は、３１６Ｌステンレス鋼のようなステンレ
ス鋼から造られる。例えば、多孔性エレメント１４は約
１インチの長さで、１／４インチの外径を有するもので
ある。多孔性フリットエレメント１４の外径は、アウト
レットチューブ１３の内径としっかり適合する寸法であ
る。エレメント１４のポアサイズは１〜１０ミクロンの
範囲で変化することができる。
【００１１】図３は本発明の２つのフリットバブラーデ
ザインを示す。上部の閉鎖部分２１および底部の閉鎖部
分２２を有する円筒形容器４０が、キャリアガスを用い
て固体の先駆物質有機金属化合物の飽和蒸気を生じさせ
るために使用される。上部の閉鎖部分２１は充填ポート
２３、インレット開口部２４およびアウトレット開口部
２５を有する。容器４０は壁２６およびフロア２７によ
り、インレットチャンバー２８およびアウトレットチャ
ンバー２９に区分けされる。キャリアガスの例として
は、窒素、アルゴンおよびヘリウムが挙げられる。キャ
リアガスはインレット管３０を通って容器４０の上部に
入り、インレットチャンバー２８内に含まれる有機金属
固形物３１を通過する。キャリアガスは有機金属化合物
で飽和されることとなり、フロア２７にある多孔性フリ
ットディスク３２を通って、アウトレットチャンバー２
９に出る。飽和されたキャリアガスは、容器４０のアウ
トレット２５に配置される多孔性フリット３３を通り、
アウトレット管３４を通って、容器４０を出る。例え
ば、多孔性フリットエレメント３２は直径１インチで、
厚さ０．１２５インチのディスク型であり、フリットエ
レメント３３は、長さ１インチ、直径０．２５インチの
円筒形である。容器４０に存在する有機金属先駆物質
は、図示しないが、公知の堆積チャンバーに移送され
る。容器４０は、充填ポート２３を通って、先駆物質金
属有機化合物で充填される。ポート３５は、クリーニン
グを容易にするために容器４０の壁に提供されることが
できる。該ポートは洗浄するために開けられ、有機金属
を充填する間は閉じられることができる。公知の機構
（図示していない）が使用され、ポート３５の開放、閉
鎖を容易にすることができる。容器４０は定温浴（図示
していない）中に配置され、固体の有機金属先駆物質を
蒸発させるための好適な温度に維持されることができ
る。
ザインを示す。上部の閉鎖部分２１および底部の閉鎖部
分２２を有する円筒形容器４０が、キャリアガスを用い
て固体の先駆物質有機金属化合物の飽和蒸気を生じさせ
るために使用される。上部の閉鎖部分２１は充填ポート
２３、インレット開口部２４およびアウトレット開口部
２５を有する。容器４０は壁２６およびフロア２７によ
り、インレットチャンバー２８およびアウトレットチャ
ンバー２９に区分けされる。キャリアガスの例として
は、窒素、アルゴンおよびヘリウムが挙げられる。キャ
リアガスはインレット管３０を通って容器４０の上部に
入り、インレットチャンバー２８内に含まれる有機金属
固形物３１を通過する。キャリアガスは有機金属化合物
で飽和されることとなり、フロア２７にある多孔性フリ
ットディスク３２を通って、アウトレットチャンバー２
９に出る。飽和されたキャリアガスは、容器４０のアウ
トレット２５に配置される多孔性フリット３３を通り、
アウトレット管３４を通って、容器４０を出る。例え
ば、多孔性フリットエレメント３２は直径１インチで、
厚さ０．１２５インチのディスク型であり、フリットエ
レメント３３は、長さ１インチ、直径０．２５インチの
円筒形である。容器４０に存在する有機金属先駆物質
は、図示しないが、公知の堆積チャンバーに移送され
る。容器４０は、充填ポート２３を通って、先駆物質金
属有機化合物で充填される。ポート３５は、クリーニン
グを容易にするために容器４０の壁に提供されることが
できる。該ポートは洗浄するために開けられ、有機金属
を充填する間は閉じられることができる。公知の機構
（図示していない）が使用され、ポート３５の開放、閉
鎖を容易にすることができる。容器４０は定温浴（図示
していない）中に配置され、固体の有機金属先駆物質を
蒸発させるための好適な温度に維持されることができ
る。
【００１２】以下の実施例は本発明を例示する非限定的
なものである。これらの実施例においては、Ｍｏｔｔ
Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
から入手される、焼結３１６Ｌステンレス鋼からなり、
１０ミクロンのポロシティー（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）を有
する約１インチの長さで１／４インチの外径の円筒、お
よび直径１インチ、厚さ０．１２５インチのディスクに
よって構成される多孔性フリットエレメントが使用され
る。多孔性フリットエレメントは、約１〜約１０ミクロ
ンの範囲で変化するポアサイズを有する、任意の適合性
のある金属または非金属物質から製造されることもでき
る。多孔性エレメントに適する他の好適な金属として
は、３０４Ｌ ＳＳ、３２１ ＳＳ、３４７ＳＳ、４３
０ ＳＳ、ＭＯＮＥＬ、ＩＮＣＯＮＥＬ、ＨＡＳＴＥＬ
ＬＯＹおよびアロイ（Ａｌｌｏｙ）２０が挙げられる。
ガラスおよびテフロンの様な非金属は、それらが必要と
される制御されたポロシティーを示す限りは、多孔性フ
リットのために使用されることができる。特定の形状の
多孔性エレメントが具体的に記載されているが、多孔性
フリットエレメントの具体的な幾何学的形状は、所望の
安定なフロー特性を達成するのに必要な、制御されたポ
ロシティーが維持される限りは重要ではない。
なものである。これらの実施例においては、Ｍｏｔｔ
Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
から入手される、焼結３１６Ｌステンレス鋼からなり、
１０ミクロンのポロシティー（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）を有
する約１インチの長さで１／４インチの外径の円筒、お
よび直径１インチ、厚さ０．１２５インチのディスクに
よって構成される多孔性フリットエレメントが使用され
る。多孔性フリットエレメントは、約１〜約１０ミクロ
ンの範囲で変化するポアサイズを有する、任意の適合性
のある金属または非金属物質から製造されることもでき
る。多孔性エレメントに適する他の好適な金属として
は、３０４Ｌ ＳＳ、３２１ ＳＳ、３４７ＳＳ、４３
０ ＳＳ、ＭＯＮＥＬ、ＩＮＣＯＮＥＬ、ＨＡＳＴＥＬ
ＬＯＹおよびアロイ（Ａｌｌｏｙ）２０が挙げられる。
ガラスおよびテフロンの様な非金属は、それらが必要と
される制御されたポロシティーを示す限りは、多孔性フ
リットのために使用されることができる。特定の形状の
多孔性エレメントが具体的に記載されているが、多孔性
フリットエレメントの具体的な幾何学的形状は、所望の
安定なフロー特性を達成するのに必要な、制御されたポ
ロシティーが維持される限りは重要ではない。
【００１３】実施例１ ４０グラムの半導体グレートのトリメチル−インジウム
装填材料（ｃｈａｒｇｅ）が、図３の２つのフリットを
有するバブラー中に配置され、水素キャリアを使用する
ことにより、トリメチル−インジウム装填（ｃｈａｒｇ
ｅｄ）水素ストリームが得られた。系の圧力８００ト
ル、水素流量２００ｓｃｃｍに維持された。バブラーは
約１．３％の均一な濃度に維持された。試験は５０℃
で、約３．５時間行われた。移送プロファイルについて
のＥｐｉｓｏｎプロットが図７に示される。
装填材料（ｃｈａｒｇｅ）が、図３の２つのフリットを
有するバブラー中に配置され、水素キャリアを使用する
ことにより、トリメチル−インジウム装填（ｃｈａｒｇ
ｅｄ）水素ストリームが得られた。系の圧力８００ト
ル、水素流量２００ｓｃｃｍに維持された。バブラーは
約１．３％の均一な濃度に維持された。試験は５０℃
で、約３．５時間行われた。移送プロファイルについて
のＥｐｉｓｏｎプロットが図７に示される。
【００１４】実施例２ ３５グラムの半導体グレートのトリメチル−インジウム
が、図３の２つのフリットを有するバブラー中に配置さ
れ、キャリアガスとして水素が使用された。ＴＭＩの移
送プロファイルのためのＥｐｉｓｏｎプロットが図８に
示され、それは、水素ガス流量を１００ｓｃｃｍ〜５０
０ｓｃｃｍに変化し、系の圧力８００トル、および温度
を３５℃〜５０℃に変化することにより得られた。ＴＭ
Ｉフローは、ＴＭＩがなくなった場合を除き、全ての操
作条件において一定であった。
が、図３の２つのフリットを有するバブラー中に配置さ
れ、キャリアガスとして水素が使用された。ＴＭＩの移
送プロファイルのためのＥｐｉｓｏｎプロットが図８に
示され、それは、水素ガス流量を１００ｓｃｃｍ〜５０
０ｓｃｃｍに変化し、系の圧力８００トル、および温度
を３５℃〜５０℃に変化することにより得られた。ＴＭ
Ｉフローは、ＴＭＩがなくなった場合を除き、全ての操
作条件において一定であった。
【００１５】比較例１ 試験は、同時係属中の米国特許出願第０９／３７８２７
４号に開示されるバブラーを用いて、固体の半導体グレ
ードのトリメチルインジウム装填材料１０ｇがソースバ
ブラー中に配置され（図２）、８０ｓｃｃｍの速度で流
れ、温度を４０℃に維持しているキャリアガスＮ２を流
すことにより、トリメチル−インジウム装填窒素ストリ
ームが得られた。１００時間にわたり、ＴＭＩフローの
濃度が観察され、一定の流量で、約０．１２％の平均濃
度で移送された。５ｇのＴＭＩがバブラー中に残存して
いた。Ｅｐｉｓｏｎ装置が用いられ、図５に示すような
ＴＭＩの移送プロファイルをプロットした。Ｅｐｉｓｏ
ｎ装置で、通常Ｈ２、Ｎ２またはアルゴンのような他の
不活性ガスにおける化学的蒸発物の濃度を測定した。
４号に開示されるバブラーを用いて、固体の半導体グレ
ードのトリメチルインジウム装填材料１０ｇがソースバ
ブラー中に配置され（図２）、８０ｓｃｃｍの速度で流
れ、温度を４０℃に維持しているキャリアガスＮ２を流
すことにより、トリメチル−インジウム装填窒素ストリ
ームが得られた。１００時間にわたり、ＴＭＩフローの
濃度が観察され、一定の流量で、約０．１２％の平均濃
度で移送された。５ｇのＴＭＩがバブラー中に残存して
いた。Ｅｐｉｓｏｎ装置が用いられ、図５に示すような
ＴＭＩの移送プロファイルをプロットした。Ｅｐｉｓｏ
ｎ装置で、通常Ｈ２、Ｎ２またはアルゴンのような他の
不活性ガスにおける化学的蒸発物の濃度を測定した。
【００１６】比較例２ 同時係属中の米国特許出願第０９／３７８２７４号に開
示されるバブラーを用いて第２の試験が行われ、５ｇの
半導体グレードのトリメチルインジウム装填材料がソー
スバブラー（図２）中に配置され、次のシークエンス；
４０℃で８０ｓｃｃｍ；４０℃で２００ｓｃｃｍ；４０
℃で４００ｓｃｃｍ；４０℃で８０ｓｃｃｍ；５０℃で
８０ｓｃｃｍ；５５℃で８０ｓｃｃｍ；５５℃で２００
ｓｃｃｍ；および５５℃で４００ｓｃｃｍに従って、８
０〜４００ｓｃｃｍの範囲で窒素ガス流量を変化させ、
４０〜５５℃の範囲で温度を変化させることにより、ト
リメチルインジウム装填窒素ストリームが得られた。７
２時間にわたり、操作パラメータの各セットにおいて、
ＴＭＩの濃度は一定であった。試験終了時には、ＴＭＩ
はバブラーから完全になくなった。異なる条件のセット
でのＴＭＩの移送プロファイルに関するＥｐｉｓｏｎプ
ロットは図６に示される。
示されるバブラーを用いて第２の試験が行われ、５ｇの
半導体グレードのトリメチルインジウム装填材料がソー
スバブラー（図２）中に配置され、次のシークエンス；
４０℃で８０ｓｃｃｍ；４０℃で２００ｓｃｃｍ；４０
℃で４００ｓｃｃｍ；４０℃で８０ｓｃｃｍ；５０℃で
８０ｓｃｃｍ；５５℃で８０ｓｃｃｍ；５５℃で２００
ｓｃｃｍ；および５５℃で４００ｓｃｃｍに従って、８
０〜４００ｓｃｃｍの範囲で窒素ガス流量を変化させ、
４０〜５５℃の範囲で温度を変化させることにより、ト
リメチルインジウム装填窒素ストリームが得られた。７
２時間にわたり、操作パラメータの各セットにおいて、
ＴＭＩの濃度は一定であった。試験終了時には、ＴＭＩ
はバブラーから完全になくなった。異なる条件のセット
でのＴＭＩの移送プロファイルに関するＥｐｉｓｏｎプ
ロットは図６に示される。
【００１７】上述の実施例は、本発明の２つのフリット
を有するバブラーが均一な流量で試薬を供給するのに対
し、比較例の装置は不規則な移送を提供するという点
で、本発明の２つのフリットを有するバブラーデザイン
は、比較例での従来の移送システムを超える顕著な利点
を提供することを示す。同時係属中の米国特許出願第０
９／３７８２７４号のフリットを有するバブラーを超え
る２つのフリットを有するバブラーの利点は、同じ操作
条件下で本発明の２つのフリットを有するバブラーがよ
り高濃度の固体先駆物質の蒸気を移送することである。
これは、早い成長速度または広範囲に渡る堆積が必要と
される場合での、ＭＯＶＰＥ装置の操作において重要で
ある。２つのフリットを有するバブラーにおいては、キ
ャリアガスは固体の有機金属先駆物質のベッドを通過
し、インレットチャンバーのフロアに配置される多孔性
フリットを通って出る前に飽和されることとなる。これ
は、結果として、キャリアガスが固体先駆物質上を単に
通過するだけでは達成されることができない飽和量を生
じさせることとなる。２つのフリットを有するバブラー
のこの特別な特徴は、同時係属中の米国特許出願第０９
／３７８２７４号のシングルフリットを有するバブラー
を含む、従来のバブラーデザインで可能なアウトプット
よりも、高濃度のアウトプットを生じさせることとな
る。上述の記載は、非限定的な例示として与えられるも
のである。本発明の範囲内でバリエーションおよび改変
が可能である。例えば、蒸気発生器は円筒形以外の幾何
学的形状を有することができる。
を有するバブラーが均一な流量で試薬を供給するのに対
し、比較例の装置は不規則な移送を提供するという点
で、本発明の２つのフリットを有するバブラーデザイン
は、比較例での従来の移送システムを超える顕著な利点
を提供することを示す。同時係属中の米国特許出願第０
９／３７８２７４号のフリットを有するバブラーを超え
る２つのフリットを有するバブラーの利点は、同じ操作
条件下で本発明の２つのフリットを有するバブラーがよ
り高濃度の固体先駆物質の蒸気を移送することである。
これは、早い成長速度または広範囲に渡る堆積が必要と
される場合での、ＭＯＶＰＥ装置の操作において重要で
ある。２つのフリットを有するバブラーにおいては、キ
ャリアガスは固体の有機金属先駆物質のベッドを通過
し、インレットチャンバーのフロアに配置される多孔性
フリットを通って出る前に飽和されることとなる。これ
は、結果として、キャリアガスが固体先駆物質上を単に
通過するだけでは達成されることができない飽和量を生
じさせることとなる。２つのフリットを有するバブラー
のこの特別な特徴は、同時係属中の米国特許出願第０９
／３７８２７４号のシングルフリットを有するバブラー
を含む、従来のバブラーデザインで可能なアウトプット
よりも、高濃度のアウトプットを生じさせることとな
る。上述の記載は、非限定的な例示として与えられるも
のである。本発明の範囲内でバリエーションおよび改変
が可能である。例えば、蒸気発生器は円筒形以外の幾何
学的形状を有することができる。
【図１】 図１は従来の公知のディップチューブバブラ
ーの断面図である。
ーの断面図である。
【図２】 図２は同時係属中の米国特許出願第０９／３
７８２７４号に開示されるフリットを有するバブラーの
断面図である。
７８２７４号に開示されるフリットを有するバブラーの
断面図である。
【図３】 図３は本発明の２つのフリットを有するバブ
ラーの断面図である。
ラーの断面図である。
【図４】 図４は、図１の公知の装置についての、ＴＭ
Ｉの濃度移送プロファイル（％）を示すＥｐｉｓｏｎプ
ロットである。
Ｉの濃度移送プロファイル（％）を示すＥｐｉｓｏｎプ
ロットである。
【図５】 図５は、図２の装置についての、ＴＭＩの濃
度移送プロファイル（％）を示すＥｐｉｓｏｎプロット
である。
度移送プロファイル（％）を示すＥｐｉｓｏｎプロット
である。
【図６】 図６は、図２の装置についての、温度および
流量の関数としての、ＴＭＩの濃度移送プロファイル
（％）を示すＥｐｉｓｏｎプロットである。
流量の関数としての、ＴＭＩの濃度移送プロファイル
（％）を示すＥｐｉｓｏｎプロットである。
【図７】 図７は、本発明の図３の装置についての、Ｔ
ＭＩの濃度移送プロファイル（％）を示すＥｐｉｓｏｎ
プロットである。
ＭＩの濃度移送プロファイル（％）を示すＥｐｉｓｏｎ
プロットである。
【図８】 図８は、本発明の図３の装置についての、水
素流量の関数としての、ＴＭＩの濃度移送プロファイル
（％）を示すＥｐｉｓｏｎプロットである。
素流量の関数としての、ＴＭＩの濃度移送プロファイル
（％）を示すＥｐｉｓｏｎプロットである。
１ 伸長した円筒形コンテナ ２ インレット管 ３ アウトレット管 ４ ディップチューブ １０ 円筒 １１ 内表面 １２ インレット管 １３ アウトレット管 １４ 多孔性の円筒形エレメント １５ 上部の閉鎖部分 １６ 底部の閉鎖部分 １７ 平らな底部 １８ 充填ポート １９ インレット開口部 ２０ アウトレット開口部 ２１ 上部の閉鎖部分 ２２ 底部の閉鎖部分 ２３ 充填ポート ２４ インレット開口部 ２５ アウトレット開口部 ２６ 壁 ２７ フロア ２８ インレットチャンバー ２９ アウトレットチャンバー ３０ インレット管 ３１ 有機金属固形物 ３２ 多孔性フリットディスク ３３ 多孔性フリット ３４ アウトレット管 ３５ ポート ４０ 円筒形容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・オグラディ アメリカ合衆国マサチューセッツ州01915, ビバリー，クラーク・アベニュー・13
Claims (11)
- 【請求項１】 有機金属化合物物質で飽和された流体ス
トリームを化学蒸着系に供給するための装置であって、 円筒形部分の長さ方向に実質的に一定の断面を定める内
表面を有する伸長した円筒形部分、上部の閉鎖部分、お
よび底部の閉鎖部分を有し、該上部の閉鎖部分がキャリ
アガスの導入のためのインレット開口部およびアウトレ
ット開口部を有しており、該伸長した円筒形部分は、流
体が連絡するインレットチャンバーおよびアウトレット
チャンバーを有しており、該インレットチャンバーのフ
ロアと前記底部の閉鎖部分との間には隙間があり、該イ
ンレットチャンバーのフロアは、該インレットチャンバ
ー内で生成された蒸気を該アウトレットチャンバーに移
送することを可能にする第１の多孔性エレメントを含む
容器、 前記容器のインレットチャンバー内に含まれる固体の有
機金属先駆物質化合物のソース、 を含む前記装置であって、 前記装置がアウトレット開口部に配置される第２の多孔
性エレメントをさらに含み、それにより前記流体ストリ
ームが前記多孔性エレメントを通過して前記容器を出
る、前記有機金属化合物材料で飽和された流体ストリー
ムを化学蒸着系に供給するための装置。 - 【請求項２】 アウトレットが、容器内にある一方の端
部から伸びている管を含む請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 第２の多孔性エレメントがアウトレット
管の内部に取り付けられている請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 上部の閉鎖部分が反応物質をインレット
チャンバーに充填するための充填ポートをさらに含む請
求項１記載の装置。 - 【請求項５】 第１および第２の多孔性エレメントが多
孔性フリット物質を含む請求項３記載の装置。 - 【請求項６】 多孔性フリット物質が燒結金属からなる
請求項５記載の装置。 - 【請求項７】 燒結金属がステンレス鋼を含む請求項６
記載の装置。 - 【請求項８】 多孔性フリット物質がガラスまたはテフ
ロン（登録商標）を含む請求項５記載の装置。 - 【請求項９】 時間の関数としての、一貫して高濃度の
有機金属化合物で実質的に飽和された供給物ガスの均一
な供給をする方法であって、 固体の有機金属化合物物質をインレットチャンバーに充
填し、熱を請求項１の容器に供給し、 キャリアガスを、キャリアガスインレット管を通じて、
前記容器のインレットチャンバーに導入し、前記容器は
有機金属化合物を蒸発させるのに充分な一定の温度で維
持され、さらに 前記キャリアガスを、前記有機金属化合物と接触し、前
記化合物でキャリアガスを実質的に飽和させるのに充分
な流量で流し、 化合物で飽和されたキャリアガスが、インレットチャン
バーのフロアにおける第１の多孔性エレメントを通って
インレットチャンバーから、容器のアウトレットチャン
バーに出て、前記化合物で飽和されたキャリアガスが容
器のアウトレットでの第２の多孔性エレメントを通っ
て、該アウトレットチャンバーから流出し、 それにより、実質的に一貫した高濃度の有機金属化合物
を有する、実質的に均一な流量の前記有機金属化合物飽
和キャリアガスを生じさせることを含む前記方法。 - 【請求項１０】 容器から流出する有機金属化合物で実
質的に飽和されたガスが、膜形成のための供給物ガスと
しての使用に適する請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 蒸着プロセスにおける使用のための固
体の先駆物質を含む２つのチャンバーを有するバブラー
であって、 上部および底部を有する閉鎖された円筒形容器であっ
て、前記容器の上部にキャリアガスがバブラーに入りお
よびバブラーを出る、インレットポートおよびアウトレ
ットポートを有しており、 前記容器は固体の先駆物質を収容するためのインレット
チャンバーを有しており、該インレットチャンバーは容
器の底部から隙間のあるフロアにその境界があり、 前記フロアに第１の多孔性エレメントが配置され、 アウトレットチャンバーとインレットチャンバーとは流
体が連絡し、さらに第２の多孔性エレメントが前記アウ
トレットチャンバーのアウトレットポートに配置されて
いる前記バブラー。
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