JPH11246970A - ワークピース用処理システム - Google Patents

ワークピース用処理システム

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JPH11246970A
JPH11246970A JP10277495A JP27749598A JPH11246970A JP H11246970 A JPH11246970 A JP H11246970A JP 10277495 A JP10277495 A JP 10277495A JP 27749598 A JP27749598 A JP 27749598A JP H11246970 A JPH11246970 A JP H11246970A
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JP
Japan
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workpiece
pressure
jacket
portions
opening
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Pending
Application number
JP10277495A
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English (en)
Inventor
Andrew I Jeffryes
アイザック ジェフェリーズ，アンドリュー
Gordon R Green
ロバート グリーン，ゴードン
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Aviza Europe Ltd
Original Assignee
Aviza Europe Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワークピースが制御された状態で高圧力にさ
らされるような設備を提供する。 【解決手段】 圧力容器を具備し、該圧力容器が複数の
外被部分を有する。これら外被部分を当接させる。これ
ら外被部分は該外被部分が当接せしめられたときに前記
ワークピース用の包囲された容器を画成するような形状
をしている。さらに前記圧力容器に大気圧より高い加圧
ガスを供給し、これにより前記ワークピースを大気圧以
上の高い圧力に晒すことにより前記ワークピースを処理
する。前記ワークピース用の開口が形成されている。前
記圧力容器が各外被部分に対して可撓性壁を有し、各可
撓性壁は前記外被部分それぞれから前記開口まで延び、
前記開口と前記容器を画成する外被部分との間に包囲さ
れた通路を画成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はワークピースを処理
するための処理システムに関する。特に排他的ではない
が半導体ウェハのワークピースを処理する処理システム
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ及び他の同様のワークピー
スの処理では、多くはウェハ上の下方の層の小さな穴
（バイアホール）を埋める層を形成する必要がある。こ
れら穴を埋めることは高圧力及びことによると高い温度
にウェハをさらすことによって達成され、上方層を変形
させて穴を埋めるようにする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するた
めの手段】我々の英国特許第９１１１４４０．５号にお
いて、我々は高圧高温を使用する方法により穴を埋める
方法を開示している。本発明は特に英国特許第９１１１
４４０．５号で開示される穴を埋めるための構成で適用
できるが他の構成でも適用される。
【０００４】従って本発明は半導体ウェハのようなワー
クピースが制御された状態で高圧力にさらされるような
設備を提供する。概して本発明は一対の外被部分が一緒
に押しつけられることができ、その対向する面は２つの
外被部分が一緒に押しつけられる時に封入空間を形成す
る形状をしている。それからこの封入空間は処理すべき
ワークピースを収容する。
【０００５】従って、外被部分の少なくとも１つに１つ
以上のダクトを備えることが普通必要であり、そのダク
トは内部空間の壁を形成する対応した外被部分の面に延
び、圧力ガスを内部空間に供給して、圧力を上昇させ
る。その内部空間の内部分は高圧力にさらされるので、
外被部分を一緒に保持する力がその圧力に十分に抵抗で
きることが必要となる。
【０００６】好ましくは２つの外被部分の境界で内部空
間が形成されるように２つの外被部分が油圧、空気圧又
は同様の手段によって一緒に押しつけられる。しかしな
がら、もっと多くの外被部分を使用するもっと複雑な構
成もまた可能である。キャスティングを高圧力にさらし
て処理するため及び粉末を凝縮（焼結）するために、高
圧室を設けることが知られている。しかしながら下方層
の穴を埋めるために層の変形を起こすために半導体ウェ
ハを高圧力にさらすことは（我々の英国特許第９１１１
４４０．５号を除いて）前には提案されていなかった。
【０００７】ワークピースを加熱するために適切な加熱
手段が封入空間内に又は隣接して設けられる。例えば半
導体ウェハを処理するならば４００℃以上のオーダーの
温度で３０００psi 以上の圧力が適切であると分かって
いる。本発明を利用した半導体ウェハの処理ではアルミ
ニウム及びその合金が恐らく１つ以上の層を形成する。
この場合、このような１つの層、又は複数の層は普通ス
パッタリング又はエバポレーションにより形成される。
それらの層が空気に触れないようにしてあれば、その後
で穴を埋めるために高圧をかけることが最も有効であ
る。層が空気に触れていると層の表面が酸化し、穴が埋
まる前に穴にゆっくりと浸透する。従って酸化は高圧が
供給される時、材料が穴内へと変形するのを困難にす
る。これは酸化表面は延性が少ないからである。
【０００８】従ってダクト（又は恐らく幾つかのダク
ト）が封入空間に対して延びるように設けられ、そのダ
クトは封入空間内の適切な低圧（以下では真空）を達成
するために適切なガスの排出手段と接続される又は接続
可能であるのが好ましい。それに代わって又は更に付加
的に封入空間に供給されたガスは酸化の問題が避けられ
るように不活性ガスである。
【０００９】穴を埋めるために変形する層の形成では層
は普通、高圧にさらされる前に穴を全体的に覆わなけれ
ばならない。これは低圧又は好ましくは真空のガスが
（シールされた）穴内に捕らえられ、圧力が及んだ時、
覆っている層の変形が比較的容易になるからである。も
う１つの理由は真空が大気圧におけるガスより小さい対
加圧抵抗を提供するので真空が封入空間内に形成される
ことを許容する構成が好ましいからである。
【００１０】上記したように外被部分を一緒に押しつけ
るための手段が封入空間内に生じた高圧に十分に対抗す
る力を及ぼすことが重要である。安全性の理由で弁の付
いた出口が内部空間から設けられ、その弁は封入空間の
圧力と外被部分を一緒に保持する力との間の差により制
御される。例えば少なくとも１つの外被部分が空気圧に
よって動かされるならば、空気圧にさらされる室と封入
空間との間の１つのバネリターン式一方弁は、封入空間
内の圧力がそのバネリターン式一方弁の付勢力より大き
いところまでで空気圧により及ぼされた圧力を確実に越
えないようにする。
【００１１】本発明は本発明の方法と装置の特徴に関す
る。本発明に従った装置の好ましい形態ではヨーク構造
内に支持された２つの外被部分が存在する。封入空間を
真空にするための手段が設けられる。ワークピースが真
空下で装置に移送される時、装置の２つの外被部分はワ
ークピースの周りの圧力抑制容器を形成するように一緒
に動かされる。この容器は略円筒形形状の室（封入空
間）に薄い平坦なワークピースを収容する形状をしてお
り、そしてシリンダの高さはその直径よりかなり小さ
い。不活性ガス、典型的にはアルゴンは、油圧ポンプに
より高圧（典型的には２００から２０００バールの範
囲）で室へ送り込まれる。高圧ガスは室の外被部分を一
緒に押しつけるのに使用され、互いにシールされた状態
にする。室は１つ以上の加熱要素と温度測定手段を有
し、ワークピースを取り囲むガスの温度が制御される。
【００１２】要求される正確な温度及び圧力は層材料し
だいであり、材料を穴に押し込め且つ穴を完全に埋める
ために材料に必要な時間を維持するレベルに制御され
る。高圧で十分な時間がたった後、ガスは圧力室から解
放され、大気圧に近い値に戻る。それはそれから真空ポ
ンプを使用して真空にされ、圧力室の２つの外被部分は
離され、ワークピースが取り出される。一方、室部分は
大気圧で離され、ワークピースが取り出される。ワーク
ピースは、取り出し又は更なる処理のための装置が取り
付けられた処理装置によって移送される。他の層が置か
れるべきところでは真空移送が層表面の汚染を避けるの
で好ましい。
【００１３】装置は発生した非常に高い初期圧力による
力を含むことができなければならない。本発明は好まし
くは薄い平坦なワークピースを処理するために設計さ
れ、装置は好ましくは初期圧力により生じた力の殆どが
ワークピースの平面に垂直であるようになっている。本
発明の封入空間の容積は好ましくは室を真空と高圧との
間を周期的に移行するのにかかる時間が最小限になるよ
うに最小限にされる。真空から高圧、そして真空に戻る
典型的なサイクル時間の範囲は数分から一分より短い。
【００１４】ワークピースが半導体ウェハである場合、
ワークピースに粒子又は他の汚染物が殆どないことが重
要である。本発明の装置は好ましくは粒子を発生しうる
ウェハの近く又は上方に最小動作部分のある清潔な初期
表面を有するように設計されるべきである。装置を加圧
するのに使用されるガスは濾過され、できるだけ多くの
粒子が取り除かれる。ガスはウェハの汚染を引き起こす
ことなく又はウェハに付着した層と反応することのない
ような高純度の不活性ガスであることが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】添付の図面を参照し、例を用いて
本発明の実施例を詳細に説明する。図１を参照すると、
略環状の真空室１は真空下で薄い平坦なワークピースを
通路２を介して移送するためのシステムを有し且つワー
クピースに層を付着するための手段を有する装置（図示
せず）に取り付けられる。真空室１には真空ポンプシス
テム３（略図的に示す）が取り付けられる。真空室１は
圧力容器を形成する下方外被部分６及び上方外被部分７
のそれぞれを取り囲み、且つ下方ベローズ４及び上方ベ
ローズ５を介して下方外被部分６及び上方外被部分７の
それぞれに連結される。
【００１６】下方外被部分自体は後に詳述するように２
つの部分６ａ，６ｂに分割されている。ベローズ４，５
は圧力容器の２つの外被部分６，７が真空室１に関して
垂直に動けるようにする。圧力容器の下方外被部分６は
接続チューブ８を介して空気圧で作動するシリンダ９に
取り付けられており、そのシリンダは下方外被部分６を
下降させてワークピース（図２の参照番号１０）を容器
の下方外被部分６に配置するために使用される。ワーク
ピースは下方外被部分６に取り付けられた支持部（図２
の参照番号１１）に配置される。
【００１７】圧力容器の上方及び下方外被部分７，６は
それぞれ頂部及び底部において上方シリンダアクチュエ
ータ１２及び下方シリンダアクチュエータ１３が適合す
るような形状をしている。ワークピースが配置された
後、圧油は装置に取り付けられた油圧システムからパイ
プ１４を通り下方シリンダアクチュエータ１３へ供給さ
れる。その圧力は上方及び下方外被部分７，６が一緒に
押しつけられ、略円筒形の封入空間１６の周りの線１５
に沿ってシールが形成されるのに十分な圧力になってい
る。線１５で適合する上方及び下方外被部分６，７の表
面は適合する円錐台の形状をしている、つまり本実施例
では上方及び下方外被部分が動く軸線に対して線１５が
傾いている。後述するように線１５は動きの軸線に対し
て略垂直である。
【００１８】それからガスが更なる圧力源４０（略図的
に示されている）からパイプ１７を通って上方アクチュ
エータ１２に、そして他のパイプ１８を通って封入空間
１６に供給される。ガス圧は下方アクチュエータ１３へ
供給する圧油パイプ１４の遮断弁２８を作動する。従っ
てこの下方アクチュエータ１３は圧油が殆ど圧縮されな
いので、所定位置に固定される。上方アクチュエータの
水平領域は、封入空間１６の水平領域よりも広いので、
２つの外被部分の間の表面１５におけるシールを維持す
る正味の閉鎖力が生じる。
【００１９】上方アクチュエータ１２は上端部材１９で
支持され、下方アクチュエータ１３は下端部材２０で支
持される。これら端部材はヨーク２１にねじ込まれる。
アクチュエータ１２及び１３の高圧による力は殆ど垂直
であり、端部材１９及び２０を介してヨーク２１で支持
される。システムが１０００バールまで加圧されるとヨ
ークにより支持される力は封入空間が直径２００mmのワ
ークピースを十分に収容する大きさである時、おおよそ
５０MNである。
【００２０】安全バルブ２２はアクチュエータ１３から
流体が漏れても表面１５のシールが突然開いてしまわな
いように封入空間１６から上方への力がアクチュエータ
１２の下方への力を越えないように適合される。何故な
らばｄ1 がアクチュエータ１２の直径、ｄ2 が封入空間
１６の直径、そしてＰが封入空間１６の圧力としたとき
に封入空間１６とアクチュエータ１２との間の圧力差が （ｄ1 2−ｄ2 2）×Ｐ／ｄ1 2 より小さい値に制限されるように安全バルブ２２のスプ
リング力が選ばれるからである。
【００２１】従って仮にアクチュエータ１３から流体が
漏れても外被部分６及び７はアクチュエータ１２のもっ
と大きい力で一緒に下降し、表面１５におけるシールは
維持される。ヒータ、上方熱電対及び下方熱電対（略図
的に参照番号４１，４２で示す）が、圧力容器１の上方
及び下方外被部分７，６に取り付けられ、封入空間１６
の加圧ガスを制御しつつ加熱し、従って封入空間１６の
ガスの対流によりワークピースの温度を制御する。
【００２２】穴に押し込まれた層材料のために十分な温
度及び圧力でワークピースが十分な時間維持された後、
封入空間１６及びアクチュエータ１２の圧力ガスはパイ
プ１８及び１７を通り解放される。封入空間１６はパイ
プ２６を介して略真空にされる。このパイプは自動遮断
弁（図示せず）を経由して真空ポンプシステム３に連結
され、圧力のある時にガスが逃げるのを防ぐ。それから
遮断弁２８が開いてアクチュエータ１３の油圧油が出
て、そして線１５におけるシールを解放しながら圧力容
器の下方外被部分６を下降するために空気圧アクチュエ
ータ９を使用する。
【００２３】封入空間１６は真空室１に対して開かれ、
更に真空ポンプシステム３により真空にされる。真空室
１の圧力は真空圧力センサ２７で監視される。真空圧力
が十分に低くなるとワークピース１０は装置２から移送
機構によって取り出される。以下、図２を参照して封入
空間１６の周りの表面１５におけるシールを詳細に説明
する。図２から分かるように下方外被部分６の２つの部
分６ａ，６ｂは隣接面３１，３２が一緒に傾くような形
状をしている。図２に示した傾きは理解しやすくするた
めに大げさに示されており、２つの面３１，３２が線３
３において適合している。封入空間１６が高圧にさらさ
れると下方外被部分６の部分６ａは僅かに矢印３４の方
に変形し、部分６ｂに関して面３１が線３３の周りで枢
動し、従ってこの線３３は支点として働く。面３１が線
３３の周りで枢動するので部分６ａの上方部分は僅かに
外側下方に動く。
【００２４】この変形は部分６ａの上方面のリップ３５
を矢印３６の方向へ外側に動かし、従ってシール面１５
において上方外被部分７にしっかりと押しつける。従っ
てシールの強さは封入空間１６の上昇した圧力に比例し
て高くなる。正確な変形を起こすために部分６ａは部分
６ｂ及び外被部分７の両方よりも薄くなっているので圧
力下でより変形する。
【００２５】従って装置のこの構造は封入空間１６の良
好なシールを確実なものとする。図３は本発明の第２実
施例を示している。この実施例と図１及び図２の実施例
との違いはヨークの構造に関してのみであり、この装置
の他の部分は第１実施例のものと実質的に同一である。
一致する部分を同一の参照番号で示し、説明を理解しや
すいようにパイプのような幾つかの構造的特徴を省略し
た。
【００２６】図３の実施例ではヨーク４０は装置の残り
の部分を囲むリングの形状をしており、従って側部材や
端部材に分かれていない。このタイプのヨークは作成が
容易であり、第１実施例のヨークより軽いが、アクセス
及びメンテナンスのためには装置の残りの部分からヨー
ク４０を横へ摺動させなければならないという不利な点
を有する。更に装置全体の大きさは大きい。
【００２７】上記実施例に対する多くの変更例が本発明
の範囲内で可能である。例えば上方及び下方外被部分が
円錐台により形成された傾いた面よりむしろ移動方向に
対して垂直な面で適合するようなものが可能である。こ
のような垂直面は円錐台を使用するのと同様な良好なシ
ールは提供しないが、このようなシールでも多くの目的
にとって十分であり、円錐台を避けることにより不整列
及び高さの不整合をより許容し、従って実用的な利点を
提供する。
【００２８】前述したように、油圧圧油は例えは油圧圧
力システムから下方アクチュエータ１３に供給される。
本発明の発展において更にガス圧を上昇して望まれる高
圧を達成するためには例えば別の面積のピストンのある
更なる油圧システムを使用する必要が普通あるけれど
も、その油圧圧力システムは内部空間１６に供給される
べきガスの初期圧縮を提供するために使用される。
【００２９】更にガス損失を最小限にするために真空シ
ステム３によりパイプ２６を通って内部空間から抜かれ
たガスは更なる圧力源にリサイクルされる。図１におい
て上方及び下方端部部材１９，２０はヨーク２１にねじ
込まれることが注目される。一方で突起のある適合部材
が使用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例のワークピースを処理する
装置を示す図である。
【図２】図１の装置の詳細を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例のワークピースを処理する
装置を示す図である。
【符号の説明】
１…真空室 ４…下方ベローズ ５…上方ベローズ ６…下方外被部分 ７…上方外被部分

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧力容器を具備し、該圧力容器が複数の
    外被部分を有し、これら外被部分を当接させるための第
    一の手段を具備し、これら外被部分は該外被部分が前記
    第一の手段により当接せしめられたときに前記ワークピ
    ース用の包囲された容器を画成するような形状をしてお
    り、前記圧力容器に大気圧より高い加圧ガスを供給する
    ための第二の手段を具備し、これにより前記ワークピー
    スを大気圧以上の高い圧力に晒すことにより前記ワーク
    ピースを処理し、前記ワークピース用の開口を形成する
    ための手段を具備し、前記圧力容器が各外被部分に対し
    て可撓性壁を有し、各可撓性壁は前記外被部分それぞれ
    から前記開口まで延び、前記開口と前記容器を画成する
    外被部分との間に包囲された通路を画成するワークピー
    ス用処理システム。
  2. 【請求項２】 前記可撓性壁がベローズの形態である請
    求項１に記載のワークピース用処理システム。
  3. 【請求項３】 圧力容器を具備し、該圧力容器が複数の
    外被部分を有し、これら外被部分を当接して固定するた
    めの固定手段を具備し、これら外被部分は該外被部分が
    前記固定手段により当接せしめられたときに前記ワーク
    ピース用の封入空間を画成するような形状であり、ワー
    クピースを通すための開口を画成する真空室を具備し、
    前記圧力容器が各外被部分に対する可撓性壁を有し、各
    可撓性壁は前記外被部分それぞれから前記開口まで延
    び、前記外被部分がこれらの開放位置にあるときに前記
    外被部分間の空間が前記真空室と連続するように前記開
    口と前記外被部分との間に包囲された通路を画成する処
    理システム。
  4. 【請求項４】 前記可撓性壁がベローズの形態をしてい
    る請求項３に記載の処理システム。
JP10277495A 1991-10-25 1998-09-30 ワークピース用処理システム Pending JPH11246970A (ja)

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KR (2) KR100209182B1 (ja)
AT (1) ATE176835T1 (ja)
DE (1) DE69228441T2 (ja)
GB (1) GB9122676D0 (ja)
WO (1) WO1993008591A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9324002D0 (en) * 1993-11-22 1994-01-12 Electrotech Ltd Processing system
KR960026249A (ko) * 1994-12-12 1996-07-22 윌리엄 이. 힐러 고압, 저온 반도체 갭 충진 프로세스
US5857368A (en) * 1995-10-06 1999-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion
JP3955340B2 (ja) * 1996-04-26 2007-08-08 株式会社神戸製鋼所 高温高圧ガス処理装置
GB9616214D0 (en) * 1996-08-01 1996-09-11 Electrotech Ltd A high pressure seal
GB2333136B (en) * 1996-08-01 2001-01-17 Trikon Equip Ltd A high pressure seal
JP4246804B2 (ja) * 1997-03-26 2009-04-02 株式会社神戸製鋼所 加熱・加圧処理装置
US6140235A (en) * 1997-12-05 2000-10-31 Applied Materials, Inc. High pressure copper fill at low temperature
TW489827U (en) 1998-04-09 2002-06-01 Kobe Steel Ltd Apparatus for high-temperature and high-pressure treatment of semiconductor substrates
US6642140B1 (en) * 1998-09-03 2003-11-04 Micron Technology, Inc. System for filling openings in semiconductor products
AU2001273667A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-21 Applied Materials, Inc. Loadlock chamber
US20040096300A1 (en) * 2001-06-30 2004-05-20 Ilya Perlov Loadlock chamber
US20030026677A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-06 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd) High-pressure process apparatus
US20080264443A1 (en) * 2002-02-05 2008-10-30 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for increasing the rate of solute concentration evolution in a supercritical process chamber
US6848458B1 (en) 2002-02-05 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for processing semiconductor substrates using supercritical fluids
JP3836765B2 (ja) 2002-08-02 2006-10-25 株式会社神戸製鋼所 高圧処理装置
US7153388B2 (en) * 2003-03-31 2006-12-26 Lam Research Corporation Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same
DE102004020915B4 (de) * 2004-04-28 2008-12-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Druckmessvorrichtung für Vakuumanlagen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3599601A (en) * 1968-05-28 1971-08-17 Nippon Carbon Co Ltd Internally heated autoclave for metal impregnation
SE399527B (sv) * 1974-05-06 1978-02-20 Arvidsson K E Metod att temporert eller permanent fylla halrum i ett material, vars skrymdensitet er legre en dess materialdensitet, med ett lettflyktigt kolvete samt ett mindre lettflyktigt kolvete, sasom fotogen eller tjera
US4534816A (en) * 1984-06-22 1985-08-13 International Business Machines Corporation Single wafer plasma etch reactor
US5194406A (en) * 1988-12-01 1993-03-16 Edward Bok Installation for transport and processing under a pulsating double-floating condition
WO1990006590A1 (en) * 1988-12-01 1990-06-14 Edward Bok Improved installation for transport and processing under a pulsating double-floating condition
NL8900003A (nl) * 1989-01-02 1990-08-01 Imec Inter Uni Micro Electr Inrichting en werkwijze voor het behandelen van een of meer plakken materiaal.
US5182424A (en) * 1989-10-31 1993-01-26 Vlastimil Frank Module encapsulation by induction heating

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