JPH11152567A - 高圧アニール装置 - Google Patents
高圧アニール装置Info
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- JPH11152567A JPH11152567A JP31710697A JP31710697A JPH11152567A JP H11152567 A JPH11152567 A JP H11152567A JP 31710697 A JP31710697 A JP 31710697A JP 31710697 A JP31710697 A JP 31710697A JP H11152567 A JPH11152567 A JP H11152567A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クリーンルームへの汚染を防止するととも
に、圧力装置を小型化し、コストの低減を図る。 【解決手段】 ガラス基板等に成膜したシリコン膜を加
熱して特性を改善するための高圧アニール装置１であっ
て、ステンレス製の上部圧力容器２ａと下部圧力容器２
ｂとから成る外部圧力容器２と、石英製の上部内部容器
３ａと下部内部容器３ｂとから成る内部容器３と、外部
圧力容器２と内部容器３との間に設けた加熱装置４とを
有し、上部圧力容器２ａと下部圧力容器２ｂの接続は、
該容器２ａ，２ｂの接続部に設けたフランジ２ｅ，２ｆ
同志を挟持するように外嵌した接続装置５により行い、
上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂの接続は、該容器
３ａ，３ｂの接続部に設けたフランジ３ｃ，３ｄ同志
を、下部内部容器３ｂの下部に設けた膨張室６を加圧す
ることにより下部内部容器３ｂを押し上げ当接して行う
ようにした。
に、圧力装置を小型化し、コストの低減を図る。 【解決手段】 ガラス基板等に成膜したシリコン膜を加
熱して特性を改善するための高圧アニール装置１であっ
て、ステンレス製の上部圧力容器２ａと下部圧力容器２
ｂとから成る外部圧力容器２と、石英製の上部内部容器
３ａと下部内部容器３ｂとから成る内部容器３と、外部
圧力容器２と内部容器３との間に設けた加熱装置４とを
有し、上部圧力容器２ａと下部圧力容器２ｂの接続は、
該容器２ａ，２ｂの接続部に設けたフランジ２ｅ，２ｆ
同志を挟持するように外嵌した接続装置５により行い、
上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂの接続は、該容器
３ａ，３ｂの接続部に設けたフランジ３ｃ，３ｄ同志
を、下部内部容器３ｂの下部に設けた膨張室６を加圧す
ることにより下部内部容器３ｂを押し上げ当接して行う
ようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板等に成
膜したシリコン膜を加熱して特性を改善するための高圧
アニール装置に関するものである。
膜したシリコン膜を加熱して特性を改善するための高圧
アニール装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は米国特許第５１６７７１６号に記
載の半導体薄膜の製造方法および装置に関するものであ
る。図において、１１２および１１３は二重壁で構成さ
れた圧力容器である。９５は石英容器であり、１１５は
石英容器９５の底部材である。４５は石英容器９５内に
設けられた基板を載せるタワーである。石英容器９５と
底部材１１５とは、石英容器９５と底部材１１５のフラ
ンジを重ね合わせるようにして接続している。フランジ
の重ね合わせは底部材１１５のフランジの下部に閉止材
５６を介して設けたアクチュエータ７７により行うよう
になっている。１１８，１２０はシール材であり、１２
４，１２５はヒータである。１２７，１２８は冷却プレ
ートである。
載の半導体薄膜の製造方法および装置に関するものであ
る。図において、１１２および１１３は二重壁で構成さ
れた圧力容器である。９５は石英容器であり、１１５は
石英容器９５の底部材である。４５は石英容器９５内に
設けられた基板を載せるタワーである。石英容器９５と
底部材１１５とは、石英容器９５と底部材１１５のフラ
ンジを重ね合わせるようにして接続している。フランジ
の重ね合わせは底部材１１５のフランジの下部に閉止材
５６を介して設けたアクチュエータ７７により行うよう
になっている。１１８，１２０はシール材であり、１２
４，１２５はヒータである。１２７，１２８は冷却プレ
ートである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した米国特許第５
１６７７１６号に記載の半導体薄膜の製造方法および装
置に示された石英容器９５のフランジと底部材１１５の
フランジの接続は、底部材１１５の下部に設けたアクチ
ュエータにより行われるので、底部材１１５の下部に複
数本の大きなアクチュエータを設けなければならず、装
置全体が大がかりになり、装置重量も大きくなる。ま
た、半導体薄膜の製造装置は、クリーンな環境に設置さ
れるので、アクチュエータに油圧を用いると、油圧によ
るクリーンルームへの汚染があり、アクチュエータに空
気圧を用いると、必要とする力が大きいため、アクチュ
エータの大型化が避けられない。圧力容器内に接続装置
を設けると圧力容器が大型化し、コストアップになるな
どの問題がある。
１６７７１６号に記載の半導体薄膜の製造方法および装
置に示された石英容器９５のフランジと底部材１１５の
フランジの接続は、底部材１１５の下部に設けたアクチ
ュエータにより行われるので、底部材１１５の下部に複
数本の大きなアクチュエータを設けなければならず、装
置全体が大がかりになり、装置重量も大きくなる。ま
た、半導体薄膜の製造装置は、クリーンな環境に設置さ
れるので、アクチュエータに油圧を用いると、油圧によ
るクリーンルームへの汚染があり、アクチュエータに空
気圧を用いると、必要とする力が大きいため、アクチュ
エータの大型化が避けられない。圧力容器内に接続装置
を設けると圧力容器が大型化し、コストアップになるな
どの問題がある。
【０００４】本発明は、上記のような問題点を解決する
ために創案されたもので、上部内部容器と下部内部容器
の接続をコンパクトな接続装置で行うようにしてクリー
ンルームへの汚染を防止するとともに、圧力容器を小型
化し、コストの低減を図ることができる高圧アニール装
置を提供することを目的とする。
ために創案されたもので、上部内部容器と下部内部容器
の接続をコンパクトな接続装置で行うようにしてクリー
ンルームへの汚染を防止するとともに、圧力容器を小型
化し、コストの低減を図ることができる高圧アニール装
置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ガラス
基板等に成膜したシリコン膜を加熱して特性を改善する
ための高圧アニール装置であって、ステンレス製の上部
圧力容器と下部圧力容器とから成る外部圧力容器と、石
英製の上部内部容器と下部内部容器とから成る内部容器
と、外部圧力容器と内部容器との間に設けた加熱装置と
を有し、上部圧力容器と下部圧力容器の接続は、該容器
の接続部に設けたフランジ同志を挟持するように外嵌し
た接続装置により行い、上部内部容器と下部内部容器の
接続は、該容器の接続部に設けたフランジ同志を、下部
内部容器の下部に設けた膨張室を加圧することにより下
部内部容器を押し上げ当接して行うようにした高圧アニ
ール装置が提供される。
基板等に成膜したシリコン膜を加熱して特性を改善する
ための高圧アニール装置であって、ステンレス製の上部
圧力容器と下部圧力容器とから成る外部圧力容器と、石
英製の上部内部容器と下部内部容器とから成る内部容器
と、外部圧力容器と内部容器との間に設けた加熱装置と
を有し、上部圧力容器と下部圧力容器の接続は、該容器
の接続部に設けたフランジ同志を挟持するように外嵌し
た接続装置により行い、上部内部容器と下部内部容器の
接続は、該容器の接続部に設けたフランジ同志を、下部
内部容器の下部に設けた膨張室を加圧することにより下
部内部容器を押し上げ当接して行うようにした高圧アニ
ール装置が提供される。
【０００６】本発明の好ましい実施形態によれば、前記
接続装置は、上部圧力容器と下部圧力容器の接続部に設
けた外周部に多数の凹凸の歯形部を形成したフランジ
と、該フランジを上下に挟持するように外嵌する断面コ
字状のクランプリングとから成り、該クランプリング内
側の上下の突起部には、フランジの歯形部と同形の多数
の凹凸の歯形部を形成しており、上部圧力容器と下部圧
力容器を接続するときは、クランプリングの凹部にフラ
ンジの凸部を合わせて嵌入した後、クランプリングを回
動して嵌入したフランジの凸部とクランプリングの凹部
の位置をずらすことによって行うようにした。
接続装置は、上部圧力容器と下部圧力容器の接続部に設
けた外周部に多数の凹凸の歯形部を形成したフランジ
と、該フランジを上下に挟持するように外嵌する断面コ
字状のクランプリングとから成り、該クランプリング内
側の上下の突起部には、フランジの歯形部と同形の多数
の凹凸の歯形部を形成しており、上部圧力容器と下部圧
力容器を接続するときは、クランプリングの凹部にフラ
ンジの凸部を合わせて嵌入した後、クランプリングを回
動して嵌入したフランジの凸部とクランプリングの凹部
の位置をずらすことによって行うようにした。
【０００７】次に本発明の作用について説明する。ガラ
ス基板等に成膜したシリコン膜の特性を改善するのに、
シリコン膜を加熱すると同時に、高圧で熱処理される。
シリコン膜は金属などによる汚染を防止するため、石英
製の内部容器内で熱処理される。石英製の内部容器は、
石英製の内部容器だけでは高圧に耐えられないので、圧
力容器内に設けられる。石英製の内部容器内は汚染防止
のため、圧力容器内雰囲気よりわずかに高圧に保持され
ており、そのため上下の内部容器を気密に接続する接続
装置が必要である。上部圧力容器と下部圧力容器の接続
は、この圧力容器の接続部に設けたフランジ同志を挟持
するように外嵌した接続装置により行い、上部内部容器
と下部内部容器の接続は、該容器の接続部に設けたフラ
ンジ同志を、下部内部容器の下部に設けた膨張室を高圧
ガスで加圧することにより下部内部容器を押し上げ当接
して行うので、クリーンルームへの汚染を防止すること
ができ、また、圧力容器を小型化し、コストの低減を図
ることができる。なお、圧力容器のフランジ間にはゴム
製のガスケットが挟持されており、内部容器のフランジ
間には耐熱製のＯリングが挟持されていて気密保持を行
う。
ス基板等に成膜したシリコン膜の特性を改善するのに、
シリコン膜を加熱すると同時に、高圧で熱処理される。
シリコン膜は金属などによる汚染を防止するため、石英
製の内部容器内で熱処理される。石英製の内部容器は、
石英製の内部容器だけでは高圧に耐えられないので、圧
力容器内に設けられる。石英製の内部容器内は汚染防止
のため、圧力容器内雰囲気よりわずかに高圧に保持され
ており、そのため上下の内部容器を気密に接続する接続
装置が必要である。上部圧力容器と下部圧力容器の接続
は、この圧力容器の接続部に設けたフランジ同志を挟持
するように外嵌した接続装置により行い、上部内部容器
と下部内部容器の接続は、該容器の接続部に設けたフラ
ンジ同志を、下部内部容器の下部に設けた膨張室を高圧
ガスで加圧することにより下部内部容器を押し上げ当接
して行うので、クリーンルームへの汚染を防止すること
ができ、また、圧力容器を小型化し、コストの低減を図
ることができる。なお、圧力容器のフランジ間にはゴム
製のガスケットが挟持されており、内部容器のフランジ
間には耐熱製のＯリングが挟持されていて気密保持を行
う。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について、図面に基づいて説明する。図１は本発明の高
圧アニール装置の側断面図である。図２ないし図４は図
１の一部拡大図で、図２は大気圧時の各容器の接続状況
を示す図、図３は圧力容器加圧時の各容器の接続状況を
示す図、図４は膨張室加圧時の各容器の接続状況を示す
図である。図５は圧力容器の接続装置の一部拡大図であ
る。
について、図面に基づいて説明する。図１は本発明の高
圧アニール装置の側断面図である。図２ないし図４は図
１の一部拡大図で、図２は大気圧時の各容器の接続状況
を示す図、図３は圧力容器加圧時の各容器の接続状況を
示す図、図４は膨張室加圧時の各容器の接続状況を示す
図である。図５は圧力容器の接続装置の一部拡大図であ
る。
【０００９】図１において、１は高圧アニール装置であ
る。高圧アニール装置１は、ステンレス製の上部圧力容
器２ａと下部圧力容器２ｂとから成る外部圧力容器２
と、石英製の上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂとか
ら成る内部容器３と、外部圧力容器２と内部容器３との
間に設けた加熱装置４とを有し、上部圧力容器２ａと下
部圧力容器２ｂの接続は、該容器２ａ，２ｂの接続部に
設けたフランジ２ｅ，２ｆ同志を挟持するように外嵌し
た接続装置５により行い、上部内部容器３ａと下部内部
容器３ｂの接続は、該容器３ａ，３ｂの接続部に設けた
フランジ３ｃ，３ｄ同志を、下部内部容器３ｂの下部に
設けた膨張室６を加圧することにより下部内部容器３ｂ
を押し上げ当接して行うようになっている。
る。高圧アニール装置１は、ステンレス製の上部圧力容
器２ａと下部圧力容器２ｂとから成る外部圧力容器２
と、石英製の上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂとか
ら成る内部容器３と、外部圧力容器２と内部容器３との
間に設けた加熱装置４とを有し、上部圧力容器２ａと下
部圧力容器２ｂの接続は、該容器２ａ，２ｂの接続部に
設けたフランジ２ｅ，２ｆ同志を挟持するように外嵌し
た接続装置５により行い、上部内部容器３ａと下部内部
容器３ｂの接続は、該容器３ａ，３ｂの接続部に設けた
フランジ３ｃ，３ｄ同志を、下部内部容器３ｂの下部に
設けた膨張室６を加圧することにより下部内部容器３ｂ
を押し上げ当接して行うようになっている。
【００１０】圧力容器２の上部圧力容器２ａは筒状をし
ており、上部圧力容器２ａの頂部および下部圧力容器２
ｂの底部は、半楕円形体鏡板になっている。ガラス基板
等に成膜したシリコン膜の加熱の際、圧力容器２内の圧
力を昇圧する。圧力容器２は、上部圧力容器２ａのフラ
ンジ２ｅの下面と下部圧力容器２ｂのフランジ２ｆとの
間に１〜２ｍｍの隙間が発生する。
ており、上部圧力容器２ａの頂部および下部圧力容器２
ｂの底部は、半楕円形体鏡板になっている。ガラス基板
等に成膜したシリコン膜の加熱の際、圧力容器２内の圧
力を昇圧する。圧力容器２は、上部圧力容器２ａのフラ
ンジ２ｅの下面と下部圧力容器２ｂのフランジ２ｆとの
間に１〜２ｍｍの隙間が発生する。
【００１１】上部内部容器３ａは、上部圧力容器２ａ内
に設けられた上部内部容器支持材１６と、上部内部容器
固定リング１７により固定されている。下部内部容器３
ｂは、下部圧力容器２ｂ内に設けられた下部内部容器支
持材１８と、下部内部容器固定リング１９により固定さ
れている。また、下部内部容器３ｂは、上方に突出する
ように形成されており、上部内部容器３ａと下部内部容
器３ｂを接続するときは、その突出部は、上部内部容器
３ａ内に挿入されるようになっている。内部容器３は、
圧力容器２の接続と同時に接続するが、内部容器３の上
部内部容器３ａのフランジ３ｃの下面と下部内部容器３
ｂフランジ３ｄの上面との間に、図３に示すように、１
〜２ｍｍの隙間Ｇが発生する。２１は耐熱製のＯリング
で、上部内部容器３ａのフランジ３ｃの下面と下部内部
容器３ｂのフランジ３ｄの上面との間をシールする。
に設けられた上部内部容器支持材１６と、上部内部容器
固定リング１７により固定されている。下部内部容器３
ｂは、下部圧力容器２ｂ内に設けられた下部内部容器支
持材１８と、下部内部容器固定リング１９により固定さ
れている。また、下部内部容器３ｂは、上方に突出する
ように形成されており、上部内部容器３ａと下部内部容
器３ｂを接続するときは、その突出部は、上部内部容器
３ａ内に挿入されるようになっている。内部容器３は、
圧力容器２の接続と同時に接続するが、内部容器３の上
部内部容器３ａのフランジ３ｃの下面と下部内部容器３
ｂフランジ３ｄの上面との間に、図３に示すように、１
〜２ｍｍの隙間Ｇが発生する。２１は耐熱製のＯリング
で、上部内部容器３ａのフランジ３ｃの下面と下部内部
容器３ｂのフランジ３ｄの上面との間をシールする。
【００１２】加熱装置４は、内部容器３の外周を囲むよ
うに設けられている。４ａは加熱装置４の頂部に設けら
れた開口である。１５はこの開口４ａを開閉する蓋で、
蓋開閉装置１５ａによりロッド１５ｂを介して開閉する
ようになっている。この蓋１５は加熱時は閉じており、
放冷するときには対流を活発にするため開放する。
うに設けられている。４ａは加熱装置４の頂部に設けら
れた開口である。１５はこの開口４ａを開閉する蓋で、
蓋開閉装置１５ａによりロッド１５ｂを介して開閉する
ようになっている。この蓋１５は加熱時は閉じており、
放冷するときには対流を活発にするため開放する。
【００１３】接続装置５は、上部圧力容器２ａと下部圧
力容器２ｂの接続部に設けた外周部に多数の凹凸の歯形
部を形成したフランジ２ｅ，２ｆと、このフランジ２
ｅ，２ｆを上下に挟持するように外嵌する断面コ字状の
クランプリング５ａとから成り、このクランプリング５
ａ内側の上下の突起部５ｂには、フランジ２ｅ，２ｆの
歯形部２ｃ，２ｄと同形の多数の凹凸の歯形部５ｃを形
成しており、上部圧力容器２ａと下部圧力容器２ｂを接
続するときは、クランプリング５ａの凹部にフランジの
凸部を合わせて嵌入した後、クランプリング５ａを、図
５に示す矢印方向に回動して嵌入したフランジ２ｅ，２
ｆの凸部とクランプリング５ａの凹部の位置をずらすこ
とによって行うようになっている。
力容器２ｂの接続部に設けた外周部に多数の凹凸の歯形
部を形成したフランジ２ｅ，２ｆと、このフランジ２
ｅ，２ｆを上下に挟持するように外嵌する断面コ字状の
クランプリング５ａとから成り、このクランプリング５
ａ内側の上下の突起部５ｂには、フランジ２ｅ，２ｆの
歯形部２ｃ，２ｄと同形の多数の凹凸の歯形部５ｃを形
成しており、上部圧力容器２ａと下部圧力容器２ｂを接
続するときは、クランプリング５ａの凹部にフランジの
凸部を合わせて嵌入した後、クランプリング５ａを、図
５に示す矢印方向に回動して嵌入したフランジ２ｅ，２
ｆの凸部とクランプリング５ａの凹部の位置をずらすこ
とによって行うようになっている。
【００１４】膨張室６は、下部圧力容器２ｂ内の下部内
部容器３ｂの下部に設けられている。膨張室６は上方を
開放した円筒状の側壁６ａを有しており、膨張室６内に
は上面にプッシャー７ａを有する昇降部材７を嵌入して
いる。昇降部材７は下部内部容器３ｂを支持しており、
膨張室６の底部に設けられた圧力導入部６ｂから高圧ガ
スを導入して膨張室６を加圧し、下部内部容器３ｂを押
し上げ、密着して隙間Ｇをなくすようになっている。７
ｂは膨張室６の外面に二重に設けられたＯリングで、膨
張室側壁６ａとの間をシールする。
部容器３ｂの下部に設けられている。膨張室６は上方を
開放した円筒状の側壁６ａを有しており、膨張室６内に
は上面にプッシャー７ａを有する昇降部材７を嵌入して
いる。昇降部材７は下部内部容器３ｂを支持しており、
膨張室６の底部に設けられた圧力導入部６ｂから高圧ガ
スを導入して膨張室６を加圧し、下部内部容器３ｂを押
し上げ、密着して隙間Ｇをなくすようになっている。７
ｂは膨張室６の外面に二重に設けられたＯリングで、膨
張室側壁６ａとの間をシールする。
【００１５】８は下部圧力容器２ｂ内に設けた下部内部
容器３ｂを支持するステージである。９は熱処理室であ
り、１０はこの熱処理室９内の、下部内部容器３ｂの上
面に設けた基板ステージである。基板ステージ１０には
複数の基板１１が載置されて熱処理される。
容器３ｂを支持するステージである。９は熱処理室であ
り、１０はこの熱処理室９内の、下部内部容器３ｂの上
面に設けた基板ステージである。基板ステージ１０には
複数の基板１１が載置されて熱処理される。
【００１６】１２は圧力容器２の外面に所要の間隔を持
って設けられた水冷ジャケットで、圧力容器２との間に
冷却水流路１２ａを形成している。１３は冷却水配管で
あり、１４は排気管である（図１）。２０はゴム製のガ
スケットで、上部圧力容器２ａのフランジ２ｅの下面と
下部圧力容器２ｂのフランジ２ｆの上面との間をシール
する。
って設けられた水冷ジャケットで、圧力容器２との間に
冷却水流路１２ａを形成している。１３は冷却水配管で
あり、１４は排気管である（図１）。２０はゴム製のガ
スケットで、上部圧力容器２ａのフランジ２ｅの下面と
下部圧力容器２ｂのフランジ２ｆの上面との間をシール
する。
【００１７】次に実施形態に基づく作用について説明す
る。ガラス基板等に成膜したシリコン膜の特性を改善す
るのに、シリコン膜を酸化性ガス，還元性ガスまたは不
活性なガスの雰囲気中で加熱すると同時に、高圧で熱処
理される。大気圧中で、圧力容器２の上部圧力容器２ａ
と下部圧力容器２ｂを接続すると同時に、内部容器３の
上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂも接続する。圧力
容器２内を加圧すると、接続装置（クランプリング）５
には作動用のがたがあるため、上部圧力容器２ａのフラ
ンジ２ｅの下面と下部圧力容器２ｂのフランジ２ｆの上
面との間に、１〜２ｍｍのがた分の隙間が発生する。こ
の隙間は縮み代の大きいゴム製のガスケット２０の弾性
によりシールされる。一方、この隙間の発生に伴い上部
内部容器３ａのフランジ３ｃの下面と下部内部容器３ｂ
のフランジ３ｄの上面との間にも１〜２ｍｍの隙間が発
生するが、上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂの接続
部は内部容器３が高温となるため、縮み代の大きいゴム
製のガスケットは使用できず、縮み代の小さい耐熱性の
Ｏリング２１しか使用できないのでシールが不能にな
る。内部容器３内はシールがゆるんで内部容器３内に外
部からの不純物が侵入しないように、圧力容器内雰囲気
より１％ｆ／ｃｍ2程度の高圧に保持している。そこ
で、上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂの接続は、こ
の容器３ａ，３ｂの接続部に設けたフランジ３ｃ，３ｄ
同志を、下部内部容器３ｂの下部に設けた膨張室６を内
部容器３内の圧力により押し下げ力に対抗できる高圧ガ
スで加圧することにより下部内部容器３ｂを押し上げ当
接して行うようにした。これにより圧力容器２を小型化
し、コストの低減を図ることができる。なお、圧力容器
２内は、図示しない、高圧ガス供給装置からレギュレー
タを介して加圧されるが、この高圧ガス供給装置から別
のレギュレータを介して膨張室６内に導入すれば、高圧
ガス供給装置を別に設ける必要はない。
る。ガラス基板等に成膜したシリコン膜の特性を改善す
るのに、シリコン膜を酸化性ガス，還元性ガスまたは不
活性なガスの雰囲気中で加熱すると同時に、高圧で熱処
理される。大気圧中で、圧力容器２の上部圧力容器２ａ
と下部圧力容器２ｂを接続すると同時に、内部容器３の
上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂも接続する。圧力
容器２内を加圧すると、接続装置（クランプリング）５
には作動用のがたがあるため、上部圧力容器２ａのフラ
ンジ２ｅの下面と下部圧力容器２ｂのフランジ２ｆの上
面との間に、１〜２ｍｍのがた分の隙間が発生する。こ
の隙間は縮み代の大きいゴム製のガスケット２０の弾性
によりシールされる。一方、この隙間の発生に伴い上部
内部容器３ａのフランジ３ｃの下面と下部内部容器３ｂ
のフランジ３ｄの上面との間にも１〜２ｍｍの隙間が発
生するが、上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂの接続
部は内部容器３が高温となるため、縮み代の大きいゴム
製のガスケットは使用できず、縮み代の小さい耐熱性の
Ｏリング２１しか使用できないのでシールが不能にな
る。内部容器３内はシールがゆるんで内部容器３内に外
部からの不純物が侵入しないように、圧力容器内雰囲気
より１％ｆ／ｃｍ2程度の高圧に保持している。そこ
で、上部内部容器３ａと下部内部容器３ｂの接続は、こ
の容器３ａ，３ｂの接続部に設けたフランジ３ｃ，３ｄ
同志を、下部内部容器３ｂの下部に設けた膨張室６を内
部容器３内の圧力により押し下げ力に対抗できる高圧ガ
スで加圧することにより下部内部容器３ｂを押し上げ当
接して行うようにした。これにより圧力容器２を小型化
し、コストの低減を図ることができる。なお、圧力容器
２内は、図示しない、高圧ガス供給装置からレギュレー
タを介して加圧されるが、この高圧ガス供給装置から別
のレギュレータを介して膨張室６内に導入すれば、高圧
ガス供給装置を別に設ける必要はない。
【００１８】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】上述した本発明の高圧アニール装置によ
れば、下部内部容器の下部に設けた膨張室を高圧ガスで
加圧して下部内部容器を押し上げ、上部内部容器に当接
して接続するので、クリーンルームへの汚染を防止する
ことができ、また、圧力容器を小型化し、コストの低減
を図ることができるなどの優れた効果を奏する。
れば、下部内部容器の下部に設けた膨張室を高圧ガスで
加圧して下部内部容器を押し上げ、上部内部容器に当接
して接続するので、クリーンルームへの汚染を防止する
ことができ、また、圧力容器を小型化し、コストの低減
を図ることができるなどの優れた効果を奏する。
【図１】本発明の高圧アニール装置の側断面図である。
【図２】図１の一部拡大図で、大気圧時の各容器の接続
状況を示す図である。
状況を示す図である。
【図３】図１の一部拡大図で、圧力容器加圧時の各容器
の接続状況を示す図である。
の接続状況を示す図である。
【図４】図１の一部拡大図で、膨張室加圧時の各容器の
接続状況を示す図である。
接続状況を示す図である。
【図５】接続装置の一部拡大図である。
【図６】従来の米国特許第５１６７７１６号に記載の半
導体薄膜の製造方法および装置の図である。
導体薄膜の製造方法および装置の図である。
１ 高圧アニール装置 ２ 外部圧力容器 ２ａ 上部圧力容器 ２ｂ 下部圧力容器 ３ 内部容器 ３ａ 上部内部容器 ３ｂ 下部内部容器 ４ 加熱装置 ５ 接続装置 ５ａ クランプリング ６ 膨張室 ７ 昇降部材 ８ 内部容器ステージ ９ 処理室 １０ 基板ステージ １１ 基板 １６ 上部内部容器支持材 １７ 上部内部容器固定リング １８ 下部内部容器支持材 １９ 下部内部容器固定リング ２０ ガスケット ２１ Ｏリング Ｇ 隙間
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板等に成膜したシリコン膜を加
熱して特性を改善するための高圧アニール装置であっ
て、ステンレス製の上部圧力容器と下部圧力容器とから
成る外部圧力容器と、石英製の上部内部容器と下部内部
容器とから成る内部容器と、外部圧力容器と内部容器と
の間に設けた加熱装置とを有し、上部圧力容器と下部圧
力容器の接続は、該容器の接続部に設けたフランジ同志
を挟持するように外嵌した接続装置により行い、上部内
部容器と下部内部容器の接続は、該容器の接続部に設け
たフランジ同志を、下部内部容器の下部に設けた膨張室
を加圧することにより下部内部容器を押し上げ当接して
行うようにしたことを特徴とする高圧アニール装置。 - 【請求項２】 前記接続装置は、上部圧力容器と下部圧
力容器の接続部に設けた外周部に多数の凹凸の歯形部を
形成したフランジと、該フランジを上下に挟持するよう
に外嵌する断面コ字状のクランプリングとから成り、該
クランプリング内側の上下の突起部には、フランジの歯
形部と同形の多数の凹凸の歯形部を形成しており、上部
圧力容器と下部圧力容器を接続するときは、クランプリ
ングの凹部にフランジの凸部を合わせて嵌入した後、ク
ランプリングを回動して嵌入したフランジの凸部とクラ
ンプリングの凹部の位置をずらすことによって行うよう
にした請求項１記載の高圧アニール装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP31710697A JP3791647B2 (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | 高圧アニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31710697A JP3791647B2 (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | 高圧アニール装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11152567A true JPH11152567A (ja) | 1999-06-08 |
| JP3791647B2 JP3791647B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=18084516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31710697A Expired - Fee Related JP3791647B2 (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | 高圧アニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3791647B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165304A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 水蒸気アニール装置とこの装置における水蒸気導入方法 |
| JP2007019227A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 水蒸気アニール用治具 |
| KR100766303B1 (ko) | 2006-05-30 | 2007-10-11 | 주식회사 풍산마이크로텍 | 고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치 |
| US8481123B2 (en) | 2006-02-10 | 2013-07-09 | Poongsan Microtec Corporation | Method for high pressure gas annealing |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP31710697A patent/JP3791647B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2006165304A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 水蒸気アニール装置とこの装置における水蒸気導入方法 |
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| US8936834B2 (en) | 2006-02-10 | 2015-01-20 | Poongsan Microtec Corporation | Computer readable medium for high pressure gas annealing |
| KR100766303B1 (ko) | 2006-05-30 | 2007-10-11 | 주식회사 풍산마이크로텍 | 고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3791647B2 (ja) | 2006-06-28 |
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