JPH0758048A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH0758048A JPH0758048A JP5225071A JP22507193A JPH0758048A JP H0758048 A JPH0758048 A JP H0758048A JP 5225071 A JP5225071 A JP 5225071A JP 22507193 A JP22507193 A JP 22507193A JP H0758048 A JPH0758048 A JP H0758048A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐食性を有する排ガスが内管と外管の分離し
た下端部間を通ってマニホールドに接触することにより
生じる腐食を防止することができ、マニホールドの耐久
性の向上が図れる熱処理装置を提供する。 【構成】 金属製のマニホールド２上に耐熱耐食性を有
する内管３と外管４とを同心状に設ける。前記内管３内
に収容された被処理体１３に加熱雰囲気下で下方から処
理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管３と外管４
との間を通して排気する。前記マニホールド２に接する
内管３の下端部と外管４の下端部との間に、シールガス
Ｓを噴出させるための所定の隙間３４を形成する。これ
により前記マニホールド２に接する内管３と外管４の下
端部間がシールされ、腐食性を有する排ガスによるマニ
ホールド２の腐食が防止される。
た下端部間を通ってマニホールドに接触することにより
生じる腐食を防止することができ、マニホールドの耐久
性の向上が図れる熱処理装置を提供する。 【構成】 金属製のマニホールド２上に耐熱耐食性を有
する内管３と外管４とを同心状に設ける。前記内管３内
に収容された被処理体１３に加熱雰囲気下で下方から処
理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管３と外管４
との間を通して排気する。前記マニホールド２に接する
内管３の下端部と外管４の下端部との間に、シールガス
Ｓを噴出させるための所定の隙間３４を形成する。これ
により前記マニホールド２に接する内管３と外管４の下
端部間がシールされ、腐食性を有する排ガスによるマニ
ホールド２の腐食が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウエハの製造においては、
ＣＶＤ、酸化、拡散、アニールなどの処理を行うため
に、各種の熱処理装置が使用されている。この種の熱処
理装置としては、金属製のマニホールド上に耐熱耐食性
を有する内管及び外管からなる縦形の反応管を設け、こ
の反応管内に収容された被処理体たるウエハに加熱雰囲
気下で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前
記内管と外管との間を降下させて排気するようにしたも
のがある。この熱処理装置においては、前記処理ガスの
流れによりウエハに面内均一な処理が可能であること、
及び前記マニホールドに反応管との間の気密を図る構造
を容易に適用可能であることから、特に減圧下の熱処理
（例えば減圧ＣＶＤ）に好適である。
ＣＶＤ、酸化、拡散、アニールなどの処理を行うため
に、各種の熱処理装置が使用されている。この種の熱処
理装置としては、金属製のマニホールド上に耐熱耐食性
を有する内管及び外管からなる縦形の反応管を設け、こ
の反応管内に収容された被処理体たるウエハに加熱雰囲
気下で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前
記内管と外管との間を降下させて排気するようにしたも
のがある。この熱処理装置においては、前記処理ガスの
流れによりウエハに面内均一な処理が可能であること、
及び前記マニホールドに反応管との間の気密を図る構造
を容易に適用可能であることから、特に減圧下の熱処理
（例えば減圧ＣＶＤ）に好適である。
【０００３】ところで、前記熱処理装置においては、処
理ガスとして例えば酸素（Ｏ2）と腐食性を有する塩化
水素（ＨＣｌ）を使用する熱処理の場合でも、乾燥状態
下の塩化水素自体は比較的不活性であること、及び処理
ガスを反応管内（具体的には内管内）の下方から上方へ
流すようになっていることから、内管内の下方の金属製
部材が腐食する問題はほとんどない。従って、その点で
は、特開平２−１３８７３０号公報に開示されているよ
うに反応管内に処理ガスを水平に流すようになっている
熱処理装置と異なり、内管内の下方の金属製部材に腐食
防止対策を施す必要性はそれ程ない。
理ガスとして例えば酸素（Ｏ2）と腐食性を有する塩化
水素（ＨＣｌ）を使用する熱処理の場合でも、乾燥状態
下の塩化水素自体は比較的不活性であること、及び処理
ガスを反応管内（具体的には内管内）の下方から上方へ
流すようになっていることから、内管内の下方の金属製
部材が腐食する問題はほとんどない。従って、その点で
は、特開平２−１３８７３０号公報に開示されているよ
うに反応管内に処理ガスを水平に流すようになっている
熱処理装置と異なり、内管内の下方の金属製部材に腐食
防止対策を施す必要性はそれ程ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記熱
処理装置においては、処理後の排ガスが例えば塩化水素
に湿気を含んで強い腐食性を有するようになる場合があ
り、この場合、腐食性を有する排ガス（腐食性生成物を
含む）が反応管の内管と外管との間を降下して排気され
る際に、反応管の内管と外管の下端部間を通ってマニホ
ールドに接触し、マニホールドが腐食する問題があっ
た。
処理装置においては、処理後の排ガスが例えば塩化水素
に湿気を含んで強い腐食性を有するようになる場合があ
り、この場合、腐食性を有する排ガス（腐食性生成物を
含む）が反応管の内管と外管との間を降下して排気され
る際に、反応管の内管と外管の下端部間を通ってマニホ
ールドに接触し、マニホールドが腐食する問題があっ
た。
【０００５】なお、この腐食の問題を解決する手段とし
ては、前記反応管を内管と外管の下端部間がつながった
一体構造にすることが考えられるが、この場合、反応管
の製造、洗浄及び取扱いが困難になる問題があるため採
用し難い。
ては、前記反応管を内管と外管の下端部間がつながった
一体構造にすることが考えられるが、この場合、反応管
の製造、洗浄及び取扱いが困難になる問題があるため採
用し難い。
【０００６】そこで、本発明の目的は、腐食性を有する
排ガスが内管と外管の分離した下端部間を通ってマニホ
ールドに接触することにより生じる腐食を防止すること
ができ、マニホールドの耐久性の向上が図れる熱処理装
置を提供することにある。
排ガスが内管と外管の分離した下端部間を通ってマニホ
ールドに接触することにより生じる腐食を防止すること
ができ、マニホールドの耐久性の向上が図れる熱処理装
置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、金属製のマニホールド上に耐熱
耐食性を有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管
内に収容された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理
ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間
を通して排気するようにした熱処理装置において、前記
マニホールドに接する内管の下端部と外管の下端部との
間に、シールガスを噴出させるための所定の隙間を形成
したことを特徴とする。
に、請求項１の発明は、金属製のマニホールド上に耐熱
耐食性を有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管
内に収容された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理
ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間
を通して排気するようにした熱処理装置において、前記
マニホールドに接する内管の下端部と外管の下端部との
間に、シールガスを噴出させるための所定の隙間を形成
したことを特徴とする。
【０００８】また、請求項２の発明は、前記請求項１の
発明において、前記マニホールドが、偏平なリング状に
形成され、かつ前記外管の下側部には処理後のガスを排
気するための排気管部が形成されていることを特徴とす
る。
発明において、前記マニホールドが、偏平なリング状に
形成され、かつ前記外管の下側部には処理後のガスを排
気するための排気管部が形成されていることを特徴とす
る。
【０００９】更に、請求項３の発明は、金属製のマニホ
ールド上に耐熱耐食性を有する内管と外管とを同心状に
設け、前記内管内に収容された被処理体に加熱雰囲気下
で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内
管と外管との間を通して排気するようにした熱処理装置
において、前記マニホールドに接する内管の下端部と外
管の下端部との間に、これらの間をシールするためのシ
ール部材を介設したことを特徴とする。
ールド上に耐熱耐食性を有する内管と外管とを同心状に
設け、前記内管内に収容された被処理体に加熱雰囲気下
で下方から処理ガスを供給し、処理後の排ガスを前記内
管と外管との間を通して排気するようにした熱処理装置
において、前記マニホールドに接する内管の下端部と外
管の下端部との間に、これらの間をシールするためのシ
ール部材を介設したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１の発明によれば、マニホールドに接す
る内管と外管の分離した下端部間が、シールガスにより
シールされるため、腐食性を有する排ガスの接触によっ
て生じるマニホールドの腐食を防止することが可能であ
り、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
る内管と外管の分離した下端部間が、シールガスにより
シールされるため、腐食性を有する排ガスの接触によっ
て生じるマニホールドの腐食を防止することが可能であ
り、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
【００１１】請求項２の発明によれば、マニホールドに
は排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを偏平
に形成することができるため、マニホールドの構造の簡
素化及び小形化が図れる。
は排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを偏平
に形成することができるため、マニホールドの構造の簡
素化及び小形化が図れる。
【００１２】請求項３の発明によれば、マニホールドに
接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部材に
よりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接触に
よって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及び低
コストで防止することが可能である。
接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部材に
よりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接触に
よって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及び低
コストで防止することが可能である。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１４】図１は本発明に係る熱処理装置の一実施例
を示す断面図であり、本実施例の熱処理装置１は例えば
ステンレススチール製の偏平なリング状のマニホールド
２を図示しないベースプレート部に水平に備えている。
このマニホールド２の上面部には耐熱耐食性を有する例
えば石英製の内管３と外管４とが同心状に設けられ、こ
れら内管３と外管４とにより二重管構造の縦形の反応管
５が構成されている。この反応管５の内管３は、処理空
間６を形成するもので、前記マニホールド２の開口部２
ａの内径とほぼ等しい内径に形成されている。
を示す断面図であり、本実施例の熱処理装置１は例えば
ステンレススチール製の偏平なリング状のマニホールド
２を図示しないベースプレート部に水平に備えている。
このマニホールド２の上面部には耐熱耐食性を有する例
えば石英製の内管３と外管４とが同心状に設けられ、こ
れら内管３と外管４とにより二重管構造の縦形の反応管
５が構成されている。この反応管５の内管３は、処理空
間６を形成するもので、前記マニホールド２の開口部２
ａの内径とほぼ等しい内径に形成されている。
【００１５】前記反応管５の外管４は、内管３との間に
排気通路としての環状の排気通路７を形成する内径に形
成され、この外管４の周囲には抵抗発熱線８を巻回した
加熱部９が設けられている。この加熱部９は、抵抗発熱
線８として例えば二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ2）を
用いることにより反応管５内を１００℃／分位で昇温可
能に構成されると共に、図示しない強制空冷手段により
５０℃／分位で降温可能に構成されている。
排気通路としての環状の排気通路７を形成する内径に形
成され、この外管４の周囲には抵抗発熱線８を巻回した
加熱部９が設けられている。この加熱部９は、抵抗発熱
線８として例えば二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ2）を
用いることにより反応管５内を１００℃／分位で昇温可
能に構成されると共に、図示しない強制空冷手段により
５０℃／分位で降温可能に構成されている。
【００１６】前記マニホールド２の下面部には、昇降機
構１０の昇降アーム１１に設けられたステンレススチー
ル製の蓋体１２が開閉可能に設けられ、この蓋体１２上
には被処理体である半導体ウエハ１３を所定間隔で多段
に保持するウエハボート１４が保温筒１５を介して載置
されている。前記蓋体１２には、保温筒１５を回転駆動
する回転機構１６が設けられ、図２に示すように蓋体１
２の上面周縁部にはマニホールド２の下面部との間をシ
ールするための耐熱耐食性を有する例えばフッ素ゴム製
のＯリング１７ａ，１７ｂが蟻溝１８を介して同心状に
二重に装着されている。
構１０の昇降アーム１１に設けられたステンレススチー
ル製の蓋体１２が開閉可能に設けられ、この蓋体１２上
には被処理体である半導体ウエハ１３を所定間隔で多段
に保持するウエハボート１４が保温筒１５を介して載置
されている。前記蓋体１２には、保温筒１５を回転駆動
する回転機構１６が設けられ、図２に示すように蓋体１
２の上面周縁部にはマニホールド２の下面部との間をシ
ールするための耐熱耐食性を有する例えばフッ素ゴム製
のＯリング１７ａ，１７ｂが蟻溝１８を介して同心状に
二重に装着されている。
【００１７】前記マニホールド２には、径方向に貫通す
る処理ガス供給通路１９が周方向に複数設けられ、これ
ら処理ガス供給通路１９の先端部にはマニホールド２の
開口部２ａ周縁部から立上がり反応管５の内管３下方か
ら上方へ向けて処理ガスを噴射供給するノズル２０が接
続され、処理ガス供給通路１９の基端部には図示しない
処理ガス供給源が接続されている。反応管５の外管４の
下側部には、外管４の天井に至った処理後の排ガスを内
管３と外管４の排気通路７を降下させて排気するための
排気管部２１が設けられ、この排気管部２１には減圧処
理排気系２２と常圧処理排気系２３が接続されている。
この減圧処理排気系２２にはバルブ２４、真空ポンプ２
５、除害装置２６等が順に設けられ、常圧処理排気系２
３にはバルブ２７、排ガス中の腐食性成分（例えばＨＣ
ｌ）の処理装置２８等が順に設けられている。
る処理ガス供給通路１９が周方向に複数設けられ、これ
ら処理ガス供給通路１９の先端部にはマニホールド２の
開口部２ａ周縁部から立上がり反応管５の内管３下方か
ら上方へ向けて処理ガスを噴射供給するノズル２０が接
続され、処理ガス供給通路１９の基端部には図示しない
処理ガス供給源が接続されている。反応管５の外管４の
下側部には、外管４の天井に至った処理後の排ガスを内
管３と外管４の排気通路７を降下させて排気するための
排気管部２１が設けられ、この排気管部２１には減圧処
理排気系２２と常圧処理排気系２３が接続されている。
この減圧処理排気系２２にはバルブ２４、真空ポンプ２
５、除害装置２６等が順に設けられ、常圧処理排気系２
３にはバルブ２７、排ガス中の腐食性成分（例えばＨＣ
ｌ）の処理装置２８等が順に設けられている。
【００１８】一方、前記反応管５の内管３の下端部と外
管４の下端部とは分離され、内管３の下端部と外管４の
下端部とには前記マニホールド２の上面部に載置される
外向きのフランジ３ａ，４ａがそれぞれ形成されてい
る。図２ないし図３に示すようにマニホールド２の上面
部には、この上面部に直接載置される内管３のフランジ
３ａの外周を囲む位置決め突起部２９が形成され、この
位置決め突起部２９の外側には外管４のフランジ４ａと
の間をシールするための例えばフッ素ゴム製のＯリング
３０ａ，３０ｂが蟻溝３１を介して同心状に二重に装着
されている。
管４の下端部とは分離され、内管３の下端部と外管４の
下端部とには前記マニホールド２の上面部に載置される
外向きのフランジ３ａ，４ａがそれぞれ形成されてい
る。図２ないし図３に示すようにマニホールド２の上面
部には、この上面部に直接載置される内管３のフランジ
３ａの外周を囲む位置決め突起部２９が形成され、この
位置決め突起部２９の外側には外管４のフランジ４ａと
の間をシールするための例えばフッ素ゴム製のＯリング
３０ａ，３０ｂが蟻溝３１を介して同心状に二重に装着
されている。
【００１９】また、マニホールド２の上面部における前
記Ｏリング３０ａ，３０ｂの外側には、外管４のフラン
ジ４ａの外周を囲んでその水平移動を規制すると共に据
付高さ位置を規定する例えばテフロン製の断面Ｌ字状の
位置決めリング３２が取付けられ、更にこの位置決めリ
ング３２の外側には外管４のフランジ４ａを固定するた
めの押え部材３３がボルト締めにより取付けられてい
る。
記Ｏリング３０ａ，３０ｂの外側には、外管４のフラン
ジ４ａの外周を囲んでその水平移動を規制すると共に据
付高さ位置を規定する例えばテフロン製の断面Ｌ字状の
位置決めリング３２が取付けられ、更にこの位置決めリ
ング３２の外側には外管４のフランジ４ａを固定するた
めの押え部材３３がボルト締めにより取付けられてい
る。
【００２０】特に、前記内管３のフランジ３ａの先端部
は、外管４のフランジの基部と若干ラップしており、内
管３のフランジ３ａの先端部上面と、これと対向する外
管４のフランジ４ａの基部下面との間にはシールガスＳ
を噴出させるための所定の隙間３４が設けられている。
シールガスＳとしては、例えば窒素（Ｎ2）ガス、アル
ゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の不活性ガ
スが好ましく、中でも窒素（Ｎ2）ガスが好適である。
また、シールガスＳは、前記隙間３４から２リットル／
分位で噴出させることが好ましく、前記隙間３４の幅と
しては、例えば５ｍｍ位が好ましい。前記内管３のフラ
ンジ３ａ上には、前記隙間３４から噴出されるシールガ
スＳを上方へ向けるための突部３５が環状に形成され、
この突部３５の内側には凹部３６が環状に形成されてい
る。
は、外管４のフランジの基部と若干ラップしており、内
管３のフランジ３ａの先端部上面と、これと対向する外
管４のフランジ４ａの基部下面との間にはシールガスＳ
を噴出させるための所定の隙間３４が設けられている。
シールガスＳとしては、例えば窒素（Ｎ2）ガス、アル
ゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の不活性ガ
スが好ましく、中でも窒素（Ｎ2）ガスが好適である。
また、シールガスＳは、前記隙間３４から２リットル／
分位で噴出させることが好ましく、前記隙間３４の幅と
しては、例えば５ｍｍ位が好ましい。前記内管３のフラ
ンジ３ａ上には、前記隙間３４から噴出されるシールガ
スＳを上方へ向けるための突部３５が環状に形成され、
この突部３５の内側には凹部３６が環状に形成されてい
る。
【００２１】前記マニホールド２には、その上端面の二
重のＯリング間１７ａ，１７ｂ及び蓋体１２の二重のＯ
リング３０ａ，３０ｂ間を減圧して高シール性を得るた
めの減圧通路３７ａ，３７ｂが形成されると共に、前記
隙間３４にシールガスＳを供給するためのシールガス供
給通路３８が形成されている。前記減圧通路３７ａ，３
７ｂには真空ポンプ等の図示しない減圧源が接続され、
前記シールガス供給通路３８には図示しないシールガス
供給源が接続されている。なお、マニホールド２には、
Ｏリング１７ａ，１７ｂ，３０ａ，３０ｂ等を冷却する
ための冷却水通路３９が設けられている。
重のＯリング間１７ａ，１７ｂ及び蓋体１２の二重のＯ
リング３０ａ，３０ｂ間を減圧して高シール性を得るた
めの減圧通路３７ａ，３７ｂが形成されると共に、前記
隙間３４にシールガスＳを供給するためのシールガス供
給通路３８が形成されている。前記減圧通路３７ａ，３
７ｂには真空ポンプ等の図示しない減圧源が接続され、
前記シールガス供給通路３８には図示しないシールガス
供給源が接続されている。なお、マニホールド２には、
Ｏリング１７ａ，１７ｂ，３０ａ，３０ｂ等を冷却する
ための冷却水通路３９が設けられている。
【００２２】次に前記実施例の作用を延べる。例えば処
理ガスとして酸素（Ｏ2）と塩化水素（ＨＣｌ）を用い
た常圧下でのドライ酸化処理を行う場合には、先ず、予
め加熱部９により所定温度（８５０℃）に加熱された反
応管５内に、ウエハ１３を多段に保持したウエハボート
１４を昇降機構１０によってローデンイングし、マニホ
ールド２の開口部２ａを蓋体１２で閉じる。なお、常圧
処理の場合は、蓋体１２上及びマニホールド２上のＯリ
ング１７ａと１７ｂ，３０ａと３０ｂ間の減圧を行う必
要はない。
理ガスとして酸素（Ｏ2）と塩化水素（ＨＣｌ）を用い
た常圧下でのドライ酸化処理を行う場合には、先ず、予
め加熱部９により所定温度（８５０℃）に加熱された反
応管５内に、ウエハ１３を多段に保持したウエハボート
１４を昇降機構１０によってローデンイングし、マニホ
ールド２の開口部２ａを蓋体１２で閉じる。なお、常圧
処理の場合は、蓋体１２上及びマニホールド２上のＯリ
ング１７ａと１７ｂ，３０ａと３０ｂ間の減圧を行う必
要はない。
【００２３】次いで、常圧処理排気系２３を作動させる
と共に反応管５の内管３と外管４の下端部間の隙間３４
からシールガスＳを噴射させ、この状態で処理ガスをノ
ズル２０から反応管５内に供給して熱処理を開始する。
処理ガスが反応管５の内管４内を上昇する際にウエハ１
３に対する面内均一の熱処理が施され、処理後の排ガス
は内管３と外管４の間の排気通路７を降下して外管４の
下側部の排気管部２１から常圧処理排気系２３に排気さ
れる。
と共に反応管５の内管３と外管４の下端部間の隙間３４
からシールガスＳを噴射させ、この状態で処理ガスをノ
ズル２０から反応管５内に供給して熱処理を開始する。
処理ガスが反応管５の内管４内を上昇する際にウエハ１
３に対する面内均一の熱処理が施され、処理後の排ガス
は内管３と外管４の間の排気通路７を降下して外管４の
下側部の排気管部２１から常圧処理排気系２３に排気さ
れる。
【００２４】ところで、排ガスは塩化水素（ＨＣｌ）に
湿気を含むことにより強い腐食性を有しているが、マニ
ホールド２に接する反応管５の内管３と外管４の下端部
間の隙間３４からシールガスＳが噴出されていることに
より、隙間３４がシールされているので、腐食性を有す
る排ガスがマニホールド２に接触することがない。この
ため、腐食性を有する排ガスによるマニホールド２の腐
食を防止することができ、マニホールド２の耐久性の向
上が図れる。なお、排気管部２１より排気されなかった
一部の腐食性生成物は、内管３のフランジ３ａ上の突部
３５より内側の凹部３６に溜まるが、内管３のフランジ
３ａは耐食性を有する例えば石英製であるので、腐食す
ることはない。
湿気を含むことにより強い腐食性を有しているが、マニ
ホールド２に接する反応管５の内管３と外管４の下端部
間の隙間３４からシールガスＳが噴出されていることに
より、隙間３４がシールされているので、腐食性を有す
る排ガスがマニホールド２に接触することがない。この
ため、腐食性を有する排ガスによるマニホールド２の腐
食を防止することができ、マニホールド２の耐久性の向
上が図れる。なお、排気管部２１より排気されなかった
一部の腐食性生成物は、内管３のフランジ３ａ上の突部
３５より内側の凹部３６に溜まるが、内管３のフランジ
３ａは耐食性を有する例えば石英製であるので、腐食す
ることはない。
【００２５】前記熱処理装置においては、研磨加工が機
械的に精度よくでき、かつ熱変形が生じにくい部分であ
る内管３のフランジ３ａの先端部上面と、これと対向す
る外管４のフランジ４ａの基部下面との間に、シールガ
スＳを噴出させるための隙間３４を形成したので、隙間
３４の幅が熱変形等で変動しにくく、隙間３４の管理が
容易である。また、前記反応管５においては、内管３と
外管４の下端部間が分離されているので、製造、洗浄及
び取扱いが容易である。更に、前記マニホールド２にお
いては、排気管部２１が設けられておらず、偏平なリン
グ状に形成されているため、構造の簡素化及び小形化が
図れる。
械的に精度よくでき、かつ熱変形が生じにくい部分であ
る内管３のフランジ３ａの先端部上面と、これと対向す
る外管４のフランジ４ａの基部下面との間に、シールガ
スＳを噴出させるための隙間３４を形成したので、隙間
３４の幅が熱変形等で変動しにくく、隙間３４の管理が
容易である。また、前記反応管５においては、内管３と
外管４の下端部間が分離されているので、製造、洗浄及
び取扱いが容易である。更に、前記マニホールド２にお
いては、排気管部２１が設けられておらず、偏平なリン
グ状に形成されているため、構造の簡素化及び小形化が
図れる。
【００２６】また、前記熱処理装置においては、マニホ
ールド２と蓋体１２との間及びマニホールド２と反応管
５の外管４との間に二重のＯリング１７ａと１７ｂ，３
０ａと３０ｂを採用し、かつＯリング１７ａと１７ｂ，
３０ａと３０ｂ間を減圧するようにしたので、高シール
性が得られ、例えば１×１０-6Ｔｏｒｒ位の高減圧下ま
で排気した後、所定の圧力例えば１ＴｏｒｒでのＣＤＶ
処理が可能となる。このＣＤＶ処理を行う場合には、減
圧処理排気系２２を作動させればよく、常圧下での酸
化、拡散等を行う場合には、前述のように常圧処理排気
系２３を作動させればよい。
ールド２と蓋体１２との間及びマニホールド２と反応管
５の外管４との間に二重のＯリング１７ａと１７ｂ，３
０ａと３０ｂを採用し、かつＯリング１７ａと１７ｂ，
３０ａと３０ｂ間を減圧するようにしたので、高シール
性が得られ、例えば１×１０-6Ｔｏｒｒ位の高減圧下ま
で排気した後、所定の圧力例えば１ＴｏｒｒでのＣＤＶ
処理が可能となる。このＣＤＶ処理を行う場合には、減
圧処理排気系２２を作動させればよく、常圧下での酸
化、拡散等を行う場合には、前述のように常圧処理排気
系２３を作動させればよい。
【００２７】このように各種の熱処理を一台の熱処理装
置１で行うことができるので、設備コストの低減が図れ
る。また、前記各種の熱処理をウエハ１３の移し変えを
行うことなく同じ反応管５内で連続的に行うことができ
るので、スループットの向上が図れる。この場合、昇温
及び降温速度の速い加熱部９を用いることにより更にス
ループットが向上する。
置１で行うことができるので、設備コストの低減が図れ
る。また、前記各種の熱処理をウエハ１３の移し変えを
行うことなく同じ反応管５内で連続的に行うことができ
るので、スループットの向上が図れる。この場合、昇温
及び降温速度の速い加熱部９を用いることにより更にス
ループットが向上する。
【００２８】図４は本発明に係る熱処理装置の他の実施
例を示す要部拡大断面図であり、前記実施例と同一部分
には同一符号が付されている。本実施例の熱処理装置１
においては、反応管５の内管３と外管４の下端部間にシ
ールガスＳを噴出させるようになっておらず、その代り
に内管３と外管４の下端部間にはＯリング４０が介設さ
れている。
例を示す要部拡大断面図であり、前記実施例と同一部分
には同一符号が付されている。本実施例の熱処理装置１
においては、反応管５の内管３と外管４の下端部間にシ
ールガスＳを噴出させるようになっておらず、その代り
に内管３と外管４の下端部間にはＯリング４０が介設さ
れている。
【００２９】この場合、前記実施例の熱処理装置１とは
異なり、マニホールド２上には内管３用の位置決め突起
部２９及び二重のＯリング３０ａ，３０ｂのうちの内側
のＯリング３０ｂが設けられておらず、その代わりに位
置決め突起部２９のあった位置には例えばフッ素ゴム製
のＯリング４０が配置されている。すなわち、このＯリ
ング４０は、マニホールド２上における内管３のフラン
ジ３ａ先端部と、この先端部と対向するように外管４の
フランジ４ａ基部下面に傾斜して設けられた切欠部４１
との間に介設されている。
異なり、マニホールド２上には内管３用の位置決め突起
部２９及び二重のＯリング３０ａ，３０ｂのうちの内側
のＯリング３０ｂが設けられておらず、その代わりに位
置決め突起部２９のあった位置には例えばフッ素ゴム製
のＯリング４０が配置されている。すなわち、このＯリ
ング４０は、マニホールド２上における内管３のフラン
ジ３ａ先端部と、この先端部と対向するように外管４の
フランジ４ａ基部下面に傾斜して設けられた切欠部４１
との間に介設されている。
【００３０】このように構成された本実施例の熱処理装
置によれば、前記実施例の熱処理装置とほぼ同様の作用
効果が得られるが、特にマニホールド２に接する反応管
５の内管３と外管４の分離した下端部間を、Ｏリング４
０によってシールするようにしたので、シールガスＳを
用いる前記実施例の熱処理装置よりも簡単な構造及び低
コストでマニホールド２の腐食を防止することができ
る。
置によれば、前記実施例の熱処理装置とほぼ同様の作用
効果が得られるが、特にマニホールド２に接する反応管
５の内管３と外管４の分離した下端部間を、Ｏリング４
０によってシールするようにしたので、シールガスＳを
用いる前記実施例の熱処理装置よりも簡単な構造及び低
コストでマニホールド２の腐食を防止することができ
る。
【００３１】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、前記実施例の熱処理装置におい
ては、処理ガスを下方から上方へ向って供給するように
しているため、反応管５内に露出しているマニホールド
２及び蓋体１２の露出面には腐食性を有する処理ガスに
よる腐食が生じにくいが、念のために前記露出面に耐熱
耐食性を有する例えば石英製の保護層を設けるようにし
てもよい。また、反応管５の材質としては、石英以外
に、例えばサファイア、アルミナ等が適用できる。更
に、被処理体としては、半導体ウエハ以外にも、ＬＣＤ
等であってもよい。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、前記実施例の熱処理装置におい
ては、処理ガスを下方から上方へ向って供給するように
しているため、反応管５内に露出しているマニホールド
２及び蓋体１２の露出面には腐食性を有する処理ガスに
よる腐食が生じにくいが、念のために前記露出面に耐熱
耐食性を有する例えば石英製の保護層を設けるようにし
てもよい。また、反応管５の材質としては、石英以外
に、例えばサファイア、アルミナ等が適用できる。更
に、被処理体としては、半導体ウエハ以外にも、ＬＣＤ
等であってもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【００３３】１）請求項１の発明によれば、マニホール
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シールガ
スによりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を防止することが
でき、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シールガ
スによりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を防止することが
でき、マニホールドの耐久性の向上が図れる。
【００３４】２）請求項２の発明によれば、マニホール
ドには排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを
偏平に形成することができるため、マニホールドの構造
の簡素化及び小形化が図れる。
ドには排気管部を形成する必要がなく、マニホールドを
偏平に形成することができるため、マニホールドの構造
の簡素化及び小形化が図れる。
【００３５】３）請求項３の発明によれば、マニホール
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部
材によりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及
び低コストで防止することができる。
ドに接する内管と外管の分離した下端部間が、シール部
材によりシールされるため、腐食性を有する排ガスの接
触によって生じるマニホールドの腐食を、簡単な構造及
び低コストで防止することができる。
【図１】本発明に係る熱処理装置の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１の熱処理装置の要部拡大断面図である。
【図３】図１の熱処理装置に使用されているマニホール
ドの平面図である。
ドの平面図である。
【図４】本発明に係る熱処理装置の他の実施例を示す要
部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
１ 熱処理装置 ２ マニホールド ３ 内管 ４ 外管 ５ 反応管 ６ 処理空間 ７ 排気通路 ９ 加熱部 １２ 蓋体 １３ 被処理体（半導体ウエハ） Ｓ シールガス ２１ 排気管部 ３４ 隙間 ４０ Ｏリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｄ 8617−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 金属製のマニホールド上に耐熱耐食性を
有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管内に収容
された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理ガスを供
給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間を通して
排気するようにした熱処理装置において、前記マニホー
ルドに接する内管の下端部と外管の下端部との間に、シ
ールガスを噴出させるための所定の隙間を設けたことを
特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記マニホールドが、偏平なリング状に
形成され、かつ前記外管の下側部には排ガスを排気する
ための排気管部が形成されていることを特徴とする請求
項１記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 金属製のマニホールド上に耐熱耐食性を
有する内管と外管とを同心状に設け、前記内管内に収容
された被処理体に加熱雰囲気下で下方から処理ガスを供
給し、処理後の排ガスを前記内管と外管との間を通して
排気するようにした熱処理装置において、前記マニホー
ルドに接する内管の下端部と外管の下端部との間に、こ
れらの間をシールするためのシール部材を介設したこと
を特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22507193A JP3278011B2 (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 熱処理装置 |
| US08/269,608 US5578132A (en) | 1993-07-07 | 1994-07-05 | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| KR1019940016333A KR100210623B1 (ko) | 1993-07-07 | 1994-07-07 | 열처리 장치 및 그 운전 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22507193A JP3278011B2 (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758048A true JPH0758048A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3278011B2 JP3278011B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16823575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22507193A Expired - Lifetime JP3278011B2 (ja) | 1993-07-07 | 1993-08-19 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278011B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030065853A (ko) * | 2002-02-01 | 2003-08-09 | 유니셈 주식회사 | 폐가스 처리 장치 |
| KR100513781B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2005-12-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 종형처리장치 |
| WO2006132274A1 (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Tokyo Electron Limited | 真空装置のシール構造 |
| JP2007299795A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉用マニホールド及び縦型炉 |
| JP2008038248A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-02-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2008177524A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2009200329A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | 半導体製造装置 |
| JP2010056300A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR101333363B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2013-11-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
| KR20140035270A (ko) * | 2012-09-13 | 2014-03-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
| KR20200094893A (ko) * | 2019-01-30 | 2020-08-10 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 매니폴드 및 이를 포함하는 기판 처리 설비 |
| JP2021181854A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 中外炉工業株式会社 | 熱処理炉 |
| CN115149030A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-10-04 | 广东佛燃科技有限公司 | 一种用于固体氧化物电堆测试的气体电加热装置 |
-
1993
- 1993-08-19 JP JP22507193A patent/JP3278011B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100513781B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2005-12-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 종형처리장치 |
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| KR100966389B1 (ko) * | 2005-06-08 | 2010-06-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 장치의 밀봉 구조 |
| WO2006132274A1 (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Tokyo Electron Limited | 真空装置のシール構造 |
| JP2006342386A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置のシール構造 |
| US8021488B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-09-20 | Tokyo Electron Limited | Sealing structure of vacuum device |
| JP2007299795A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Koyo Thermo System Kk | 縦型炉用マニホールド及び縦型炉 |
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| KR101333363B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2013-11-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
| JP2008177524A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2009200329A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | 半導体製造装置 |
| JP2010056300A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US8529701B2 (en) | 2008-08-28 | 2013-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| KR20140035270A (ko) * | 2012-09-13 | 2014-03-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
| KR20200094893A (ko) * | 2019-01-30 | 2020-08-10 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 매니폴드 및 이를 포함하는 기판 처리 설비 |
| JP2021181854A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 中外炉工業株式会社 | 熱処理炉 |
| CN115149030A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-10-04 | 广东佛燃科技有限公司 | 一种用于固体氧化物电堆测试的气体电加热装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3278011B2 (ja) | 2002-04-30 |
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