JPH07502376A - 処理システム - Google Patents

処理システム

Info

Publication number
JPH07502376A
JPH07502376A JP5507566A JP50756693A JPH07502376A JP H07502376 A JPH07502376 A JP H07502376A JP 5507566 A JP5507566 A JP 5507566A JP 50756693 A JP50756693 A JP 50756693A JP H07502376 A JPH07502376 A JP H07502376A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
processing system
pressure
jacket
high pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5507566A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2879833B2 (ja
Inventor
ジェフェリーズ,アンドリュー アイザック
ロバート グリーン,ゴードン
Original Assignee
トリコン テクノロジーズ リミティド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by トリコン テクノロジーズ リミティド filed Critical トリコン テクノロジーズ リミティド
Publication of JPH07502376A publication Critical patent/JPH07502376A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2879833B2 publication Critical patent/JP2879833B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Press Drives And Press Lines (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 処理システム 〔技術分野〕 本発明は、ワークピースを処理するための処理システムに関するものである。特 に、排他的ではないが、半導体ウニ/1のワークピースを処理する処理システム に関するものである。
〔従来技術〕
半導体ウェハ及び他の同様のワークピースの処理においては、しばしば、ウェハ 上の下方の層の小さな穴(バイアホール)を埋める層を形成する必要がある。理 解されるべきは、これらの穴を埋めることは、高圧力及びことによると高い温度 にウェハをさらすことによって達成され、上方層を変形させて穴を埋めるように する。
〔本発明の要旨〕
我々の英国特許第9111440.5号において、我々は高圧力及び温度を使用 するこの方法によって穴を埋める方法を開示している。本発明は、特に英国特許 第9111440.5号で開示される穴を埋めるための構成で適用できるが他の 構成でも適用される。
従って、本発明は、半導体ウェハのようなワークピースが制御された状態で高圧 力にさらされるような設備を提供しようとする。
概して、本発明は、一対の外被部分が一緒に押しつけられることができ、その対 向する面は、2つの外被部分が一緒に押しつけられる時に、封入空間を形成する ような形状をしている。それから、この封入空間は処理されるべきワークピース を収容する。
従って、外被部分の少なくとも1つに、1つ以上のダクトを備えることが普通必 要であり、そのダクトは、内部空間の壁を形成する対応した外被部分の面に延び 、圧力ガスを内部空間に供給して、圧力を上昇させる。その内部空間の内部分は 高圧力にさらされるので、外被部分を一緒に保持する力がその圧力に十分に抵抗 するようにすることが必要となる。
好ましくは、内部空間が、2つの外被部分が、油圧、空気圧又は同様の手段によ って一緒に押しつけられ、2つの外被部分の境界で内部空間が形成されるように する。しかしながら、もっと多くの外被部分を使用するもっと複雑な構成もまた 可能である。
留意すべきは、キャスティングを高圧力にさらして処理するため及び粉末を凝w i(焼結)するために、高圧室を設けることが知られている。しかしながら、下 方層の穴を埋めるために層の変形を起こすために、半導体ウェハを高圧力にさら すことは(我々の英国特許式9111440.5号を除いて)前には提案されて いなかった。
ワークピースの加熱を生じさせるために、適切な加熱手段が封入空間内に、又は 隣接して設けられる。例えば、半導体ウェハを処理するならば、400°C以上 のオーダーの温度及び3000psi以上の圧力が適切であると分かっている。
本発明を利用した半導体ウェハの処理においては、アルミニウム及びその合金が 、恐らく1つ以上の層を形成する。この場合、このような1つの層、又は複数の 層は、普通スパッタリング又はエバポレーションによって形成される。それらの 層が空気に触れないようにしてあれば、その後で、穴を埋めるために高圧をかけ ることが最も有効である。層が空気に触れていると、層の表面を酸化し、穴が埋 められる前に穴にゆっくりと浸透する。従って、酸化は、高圧が供給される時、 材料が穴に変形するのを困難にする。これは酸化表面は延性か少ないからである 。
従って、ダクト(又は恐らく幾つかのダクト)が封入空間に対して延びるように 設けられ、そのダクトは、封入空間内の適切な低圧(以下では真空)を達成する ために、適切なガスの排出手段と接続される又は接続可能であるのが好ましい。
それに代わって、又は更に付加的に、封入空間に供給されたガスは、酸化の問題 が避けられるように、不活性ガスである。
穴を埋めるために変形する層の形成においては、層は普通、高圧にさらされる前 に、穴を全体的に覆わなければならない。これは、低圧又は好ましくは真空のガ スが(シールされた)穴内に捕らえられ、圧力が及んだ時、覆っている層の変形 が比較的容易になるからである。もう1つの理由は、真空が、大気圧におりるガ スより小さい対加圧抵抗を提供するので、真空か封入空間内に形成されることを 許容する構成が好ましいからである。
上記したように、外被部分を一緒に押しつけるための手段が、封入空間内に生じ た高圧に十分に対抗する力を及ぼすことが重要である。
安全性の理由で、弁の付いた出口が内部空間から設けられ、その弁は、封入空間 の圧力と、外被部分を一緒に保持するノJとの間の差によっC制御される。例え ば、少なくとも1つの外被部分が空気圧によって動かされるならば、空気圧にさ らされる室と封入空間との間の1つのワンウニイヌブリングリターン弁は、封入 空間内の圧力がそのワンウニイスブリー7グリターン弁のスプリングの力より大 きいところまでで、空気圧によって及ぼされた圧力を確実に越えないようにする 。
本発明は、本発明の方法と装置の特徴に関するものである。
本発明に従った装置の好ましい形態においては、ヨーク構造内に支持された2つ の外被部分が存在する。手段が、封入空間を真空にするために設けられる。
ワークピースが真空下で装置に移送される時、装置の2つの外被部分は、ワーク ピースの周りの圧力抑制容器を形成するように一緒に動かされる。この容器は、 略円筒形形状の室(封入空間)に薄い平坦なワークピースを含むような形状をし ており、そして、シリンダの高さはその直径よりかなり小さい。不活性ガス、典 型的にはアルゴンは、油圧ポンプによって高圧(典型的には200から2000 バールの範囲)で室へ送り込まれる。高圧ガスは室の外被部分を一緒に押しつけ るのに使用され、互いにシールされた状態にする。
室は1つ以上の加熱要素と温度測定手段を含み、ワークピースを取り囲むガスの 温度が制御される。
要求される正確な温度及び圧力は層材料しだいであり、材料を穴に押し込めるの に必要、且つ穴を完全に埋めるために材料にとって必要な時間を維持するレベル に制御される。
高圧で十分な時間がたった後、ガスは圧力室から解放され、大気圧に近い値に戻 る。それはそれから真空ポンプを使用して真空にされ、圧力室の2つの外被部分 は離され、ワークピースが取り出される。一方、室部分は大気圧で離され、ワー クピースが取り出される。ワークピースは、取り出し又は更なる処理の、ための 装置が取り付けられた処理装置によって移送される。他の層が置かれるべきとこ ろでは、真空移送が、層表面の汚染を避けるので好ましい。
装置は、発生した非常に高い初期圧力による力を含むことができなければならな い。本発明は好ましくは、薄い平坦なワークピースを処理するために設計され、 装置は好ましくは、初期圧力によって生した力の殆どがワークピースの平面に垂 直であるようになっている。
本発明の封入空間の容積は好ましくは、室を真空と高圧の間でサイクルするのに かかる時間が最少限になるように最小限にされる。
真空から高圧、そして真空に戻る典型的なサイクル時間の範囲は、数分から一分 より短い。
ワークピースが半導体ウェハであるところでは、ワークピースに在る粒子又は他 の汚染物が殆どないことが重要である。本発明の装置は、好ましくは、粒子を発 生(5うるウェハの近く又は上方に最小動作部分のある清潔な初期表面を有する ように設計されるべきである。装置を加圧するのに使用されるガスは濾過され、 できるだけ多くの粒子か取り除かれる。ガスは、ウェハの汚染を引き起こすこと なく又はウェハに付着した層と反応することのないような、高純度の不活性ガス であることか望ましい。
〔図面の簡単な説明〕
本発明の実施例は、添付の図面を参照して、例を用いて、詳細にg己述される。
図1は、本発明の第1実施例に従ったワークピースを処理する装置を示している 。
図2は図1の装置の詳細を示している。
図3は本発明の第2実施例に従ったワ・−クピースを処理する装置を示している 。
J実施例の説明〕 図1を参照してみると、略環状の真空室1は、真空で薄い平坦なワークピースを 通路2を通って移送するためのシステムを含み且つワークピースに層を付着する ための手段を含む装置(図示せず)に取り付けられている。真空ポンプシステム 3(略図的に示す)は真空室lに取り付けられている。その真空室lは、圧力容 器を形成する下方外被部分6及び下方外被部分7のそれぞれを取り囲み、且つF 方ベローズ4及び上方ベローズ5を介して下方外被部分6及び上方外被部分7の それぞれに連結される。
下方外被部分自体は、後でより詳細に記述されるように、2つの部分6a、6b に分割されている。
ベローズ4.5は、圧力容器の2つの外被部分6.7が真空室1に関して垂直に 動けるようにする。圧力容器の下方外被部分6は、接続チューブ8を介して空気 圧で作動するシリンダ9に取り付けられており、そのシリンダは、下方外被部分 6を下降させて、ワークピース(図2の参照番号10)を容器の下方外被部分6 に配置するために使用される。ワークピースは下方外被部分6に取り付けられた 支持部(図2の参照番号11)に配置される。
圧力容器の上方及び下方外被部分7.6は、それぞれ頂部及び底部において、上 方シリンダアクチュエータ12及び下方シリンダアクチュエータ13が適合する ような形状をしている。ワークピースが配置された後、圧油は、装置に取り付け られた油圧システムからパイプ14を通り下方シリンダアクチュエータ13へ供 給される。
その圧力は、上方及び下方外被部分7.6が一緒に押しつけられ、略円筒形の封 入空間16の周りの線15に沿ってシールが形成されるのに十分な圧力になって いる。留意すべきは、線15で適合する上方及び下方外被部分6.7の表面は適 合する1円錐台の形状をしている、つまり本実施例において、上方及び下方外被 部分か動く軸線に対して線15が傾いている。後で記述するように、線15は動 きの軸線に対して略垂直である。
それからガスか、更なる圧力源40(略図的に示されている)からパイプ17を 通って上方アクチュエータ12に、そして他のパイプ18を通って封入空間16 へ供給される。ガス圧は、下方アクチュエータ13へ供給する圧油パイプ14の 遮断弁28を作動する。
従ってこの下方アクチュエータ13は、圧油が殆ど圧縮されないので 所定位置 (、二固定されzo ■一方アクチュj゛−夕の水平頌域は、封入空間160水 平領1Jよりも広いので52つの外被部分の間の表面15におけるン・・ルを維 持する正味の閉鎖力が生じる。
上方アクチュエータ12はF万端部部材19T支持され、下方アンプ・ユエータ 13はF右端部部材20 ’t’支持される。この端部部材は、′3.−り21 にねじ込まわる。Tクチュエータ12及びj3の高圧4こよる力は殆どg!、a であり、端部部材19及び20を介してヨーク21で支持される。シス升ムが1 000バールまで加圧されると、ヨ・−りによ−て支持される力は、封入空間が 直径200mmのワークピースを十分に収容する大きさである時、おおよそ50 MNである。
安全バルブ22は、アクチュエータ13の圧油漏れが生じても表面15のシール が突然間いてしまわないように、封入空間16から上方への力がアクチュエータ 12の下方への力を越えないように適合される。
何故ならば、安全バルブ22のスプリング力は、封入空間16とアクチュエ・− タエ2との間の圧力差が、dlがアクチュエー・夕12の直径、d2が封入空間 16の直径、モしてPが封入空間J6の圧d、2 より小さい値に制■されるように選ばれるからである。
従って、仮にアクチュエータ13から圧油漏れか生じたとしても、外被部分6及 び7はアクチュエータ12のもっと大きい力で一緒に下降し、表面15における シールはIlt侍される。
ヒータ、上方熱ii対及び下方勢電対(略図的に参照番号41..42′?′− 示ず)が、圧ノJ容器1の上方及び下方外被部分7.6に適合され 封入7間1 (′iの加gガスの制御され1.:、加ωへを提供し、従っ−?−15封入ZZ 間1Gのガスの同流t−,4*ヱワーク[−−スの温度を副書する穴に押11. 込まυ7九睦月料のな(わにf分机自是頃支びJ(:力でワークピースが十分な 時間維持された(′4′!、、tす大空間16及びアクチュエータ12の圧力ガ スは、パ・tグ18及び17を通り解放される。封入(−間1Gは、バイブ2G を通り略鷹空にされる。このバ・イブは自動遮断弁(図示ぜ、(= )を経由し 、°ζ真空ポンプシス1ム3に連結され、圧力のある時にガスが逃げるのを防ぐ 。それから遮断弁28が開いてアクチュエータi3の油圧圧油が出で、そして空 気圧アクチュエータ9は、線15におけるシールを解放1.なから圧力容器の下 方外被部分6を下降するために使用される。
封入空間16は、真空室工に対して開かれ、更に1、真空ポンプシステム3によ って翼背にされる。真空室1の圧力は、真空圧力センサ27で監視される。真空 圧力が十分に低くなると、ワークピース10は、装置2から移送機構によって取 り出される。
封入空間16の周りの表面15におけるシー・ルは、図2を参照してここでより 詳細17記述する。図2から男かるように、下方外被部分6の2つの部分6a、 6bは、隣接面31.32が一緒に傾くような形状をしている。図2におけるこ の傾きは理解しやフくするために大げさに示さ41.2つの面31.,32が線 33において適合しごいる。封入空間16が高圧にさらされると、上方外被部分 6の部分6aは僅かに矢印34、の方に変形し、部分6bに関しては、面31が 線33の周りで枢動し5、従ってこの線33は視点と(、て働く。
従って、部分6aのに方部分は、面31が線33の周りで枢動するので、僅かに 外側下方に動く。
この変形は、部分6aの上方面のリップ35を矢印36の方向−1外側に動かし 、従って、ノー・ル面15において上方外被部分7にしっかりと押しつける。従 って、シールの強さは、封入空間16の上昇した圧力に比例して高くなる。正確 な変形を起こすために、部分6aは部分6b及び外被部分7の両方まりも薄なっ ているので、圧力fでより変形する。
従って、装置のこの構造は封入空間16の良好なシールを確実なものとする。
図3は、本発明の第2実施例を示している。この実施例と図1及び図2の実施例 との違いは、ヨークの構造に関してのみであり、この装置の他の部分は、第1実 施例のものと実質的に同一である。一致する部分は同一の参照番号で示され、バ イブのような幾つかの構造的特徴は、説明を理解しやすいように省略されている 。
図3の実施例においては、ヨーク40は、装置の残りの部分を囲むリングの形状 をしており、従って側部部材及び端部部材に分離(7ていない。このタイプのヨ ークは、作成が容易であり、第1実施例のヨークより軽いか、アクセス及びメン テナンスのためには、装置の残りの部分からヨーク40を横へ摺動させなければ ならないという不利なりを有する。更に、装置全体の大きさは大きい。
」ニ記の実施例に対する多くの変更例が本発明の範囲内で可能である。例えば、 上方及び下方外被部分が、円錐台によって形成された傾いた面よりむしろ、移動 方向に対して垂直な面で適合するようなものか可能である。このような垂直面は 、円錐台を使用するのと同様な良好なノールは提供しないか、このようなシール でも多くの目的にとって十分であり、円錐台を避けることによって、不整列及び 高さの不整合をより許容し、従って、実用的な利点を提供する。
前述したように、油圧圧油は、例えば、油圧圧力システムから下方アクチュエー タ13に供給される。本発明の発展において、更にガス圧を上昇して望まれる高 圧を達成するためには例えば別の面積のピストンのある更なる油圧システムを使 用する必要が普通ある(ブれどら、その油圧圧力ノスy−ムは、内部空間16i こ供給されるべきガスの初期圧縮を提供するために使用される。
更に、ガスを員失を最小源にするために、真空システム3によっでバイブ26を 通って内部空間から抜かれたガスは、更なる圧力源にリサイクルされる。
図1において、上方及び下方端部部材19.20はヨーク21にねし込まれるこ とか注目される。一方で、突起のある適合部材が使用される。
C′−+J I40 補正書の翻訳文提出書 (特許法第1134条の8) 平成6年4月22日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.複数の外被部分(6.7)と、 該外被部分(6.7)を押圧して当接させるための第1手段(12.13)と、 該外被部分(6.7)は該外被部分(6.7)が前記第1手段(12.13)に よって押圧して当接される時にワークピースのための封入空間(16)を形成す るような形状をしており前記ワークピースを高圧力にさらすことによって前記ワ ークピースを処理するために前記内部空間(16)に加圧ガスを供給する第2手 段(18.40)とを有するワークピース用処理システム。 2.複数の前記外被部分(6.7)によって部分的に形成された圧力容器(4. 5.6.7)と、該圧力容器(6.7)の排気を行う手段(3)とを有する請求 項1に記載の処理システム。 3.前記内部空間(16)を加熱する手段(41.42)を有し、それによって 前記ワークピースを加熱する請求項1に記載の処理システム。 4.共通の軸線に沿って反対方向に動くことができる2つの外被部分(6.7) を有する請求項1に記載の処理システム。 5.前記外被部分の各々が前記軸腺に対して傾いたシール面を有し、該シール面 は前記外被部分(6.7)が押圧して当接する時にシール状態で抑圧して当接す る請求項4に記載の処理システム。 6.前記外被部分の1つが、変形して、それによって前記取付け面をシール状態 で押圧して当接させるような形状(31.32.33)になっている請求項5に 記載の処理システム。 7.前記内部空間の高圧力を制御するために、前記内部空間から、弁を付けられ た出口(22)を有する請求項1に記載の処理システム。 8.第1外被部分に前記ワークピースを取付け、前記第1外被部分及び第2外被 部分を押圧して当接させ、該外被部分(6.7)は該外被部分(6.7)が押圧 して当接される時に前記ワークピースのための封入空間(16)を形成するよう な形状をしており、 前記ワークピースを高圧力にさらすことによって前記ワークピースを処理するた めに加圧ガスを前記内部空間(16)に供給するワークピース処理方法。
JP5507566A 1991-10-25 1992-10-22 処理システム Expired - Lifetime JP2879833B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9122676.1 1991-10-25
GB919122676A GB9122676D0 (en) 1991-10-25 1991-10-25 Processing system
PCT/GB1992/001940 WO1993008591A1 (en) 1991-10-25 1992-10-22 Processing system

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10277495A Division JPH11246970A (ja) 1991-10-25 1998-09-30 ワークピース用処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07502376A true JPH07502376A (ja) 1995-03-09
JP2879833B2 JP2879833B2 (ja) 1999-04-05

Family

ID=10703527

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5507566A Expired - Lifetime JP2879833B2 (ja) 1991-10-25 1992-10-22 処理システム
JP10277495A Pending JPH11246970A (ja) 1991-10-25 1998-09-30 ワークピース用処理システム

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10277495A Pending JPH11246970A (ja) 1991-10-25 1998-09-30 ワークピース用処理システム

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5518771A (ja)
EP (2) EP0609327B1 (ja)
JP (2) JP2879833B2 (ja)
KR (2) KR100209182B1 (ja)
AT (1) ATE176835T1 (ja)
DE (1) DE69228441T2 (ja)
GB (1) GB9122676D0 (ja)
WO (1) WO1993008591A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6895032B2 (en) 2002-08-02 2005-05-17 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) High-pressure processing apparatus

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9324002D0 (en) * 1993-11-22 1994-01-12 Electrotech Ltd Processing system
KR960026249A (ko) * 1994-12-12 1996-07-22 윌리엄 이. 힐러 고압, 저온 반도체 갭 충진 프로세스
US5857368A (en) * 1995-10-06 1999-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion
JP3955340B2 (ja) * 1996-04-26 2007-08-08 株式会社神戸製鋼所 高温高圧ガス処理装置
GB2333136B (en) * 1996-08-01 2001-01-17 Trikon Equip Ltd A high pressure seal
GB9616214D0 (en) * 1996-08-01 1996-09-11 Electrotech Ltd A high pressure seal
JP4246804B2 (ja) * 1997-03-26 2009-04-02 株式会社神戸製鋼所 加熱・加圧処理装置
US6140235A (en) * 1997-12-05 2000-10-31 Applied Materials, Inc. High pressure copper fill at low temperature
TW489827U (en) 1998-04-09 2002-06-01 Kobe Steel Ltd Apparatus for high-temperature and high-pressure treatment of semiconductor substrates
US6642140B1 (en) * 1998-09-03 2003-11-04 Micron Technology, Inc. System for filling openings in semiconductor products
CN1440564A (zh) * 2000-07-07 2003-09-03 应用材料有限公司 锁料室
US20040096300A1 (en) * 2001-06-30 2004-05-20 Ilya Perlov Loadlock chamber
US20030026677A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-06 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd) High-pressure process apparatus
US20080264443A1 (en) * 2002-02-05 2008-10-30 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for increasing the rate of solute concentration evolution in a supercritical process chamber
US6848458B1 (en) 2002-02-05 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for processing semiconductor substrates using supercritical fluids
US7153388B2 (en) * 2003-03-31 2006-12-26 Lam Research Corporation Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same
DE102004020915B4 (de) * 2004-04-28 2008-12-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Druckmessvorrichtung für Vakuumanlagen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3599601A (en) * 1968-05-28 1971-08-17 Nippon Carbon Co Ltd Internally heated autoclave for metal impregnation
SE399527B (sv) * 1974-05-06 1978-02-20 Arvidsson K E Metod att temporert eller permanent fylla halrum i ett material, vars skrymdensitet er legre en dess materialdensitet, med ett lettflyktigt kolvete samt ett mindre lettflyktigt kolvete, sasom fotogen eller tjera
US4534816A (en) * 1984-06-22 1985-08-13 International Business Machines Corporation Single wafer plasma etch reactor
JPH04503734A (ja) * 1988-12-01 1992-07-02 ボック、エドワード 脈動、浮遊状態で搬送、処理する改良された装置
US5194406A (en) * 1988-12-01 1993-03-16 Edward Bok Installation for transport and processing under a pulsating double-floating condition
NL8900003A (nl) * 1989-01-02 1990-08-01 Imec Inter Uni Micro Electr Inrichting en werkwijze voor het behandelen van een of meer plakken materiaal.
US5182424A (en) * 1989-10-31 1993-01-26 Vlastimil Frank Module encapsulation by induction heating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6895032B2 (en) 2002-08-02 2005-05-17 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) High-pressure processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0764973A2 (en) 1997-03-26
EP0609327A1 (en) 1994-08-10
US5575850A (en) 1996-11-19
KR940703075A (ko) 1994-09-17
EP0764973A3 (en) 1998-05-20
US5518771A (en) 1996-05-21
DE69228441D1 (de) 1999-03-25
JPH11246970A (ja) 1999-09-14
WO1993008591A1 (en) 1993-04-29
ATE176835T1 (de) 1999-03-15
KR100248460B1 (en) 2000-03-15
DE69228441T2 (de) 2000-08-03
JP2879833B2 (ja) 1999-04-05
KR100209182B1 (ko) 1999-07-15
GB9122676D0 (en) 1991-12-11
EP0609327B1 (en) 1999-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07502376A (ja) 処理システム
US5857368A (en) Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion
WO2003107396B1 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS
JP2002536597A (ja) 可膨張性スリットバルブ及び可膨張性ゲートバルブ
JP2006074033A (ja) ミニエンバイロメントポッドと装置との間の真空インタフェース
KR20140060514A (ko) 금속 충전 장치
KR100295706B1 (ko) 가열가압처리장치
JPH09296267A (ja) 高圧押出しによる、半導体基板における金属パスの製造装置および方法
JPH09303557A (ja) 高圧容器の密封装置
JP2774683B2 (ja) 高圧処理装置
US6895032B2 (en) High-pressure processing apparatus
US5383514A (en) Vacuum casting apparatus
JP2893588B2 (ja) 真空炉の蓋の固定方法
KR100263459B1 (ko) 복합재제조를위한가공장치
KR20070032968A (ko) 진공처리 장치
JP7046342B1 (ja) 乾式処理で均等加圧できる静水圧加圧装置
JP2732938B2 (ja) 高圧容器
JP3258515B2 (ja) 自緊シール式高圧容器
JPH10220417A (ja) 流体シリンダ
JPH02294407A (ja) 熱間静水圧加圧方法
TW202330132A (zh) 多功能燒結或擴散焊接設備和沖壓工具
JPS62182587A (ja) 超高圧型静水圧加圧装置
JPS61284505A (ja) 熱間静水圧プレス時のカプセルの健全性の確認方法並びに装置
JPH08229911A (ja) プレス装置
JP2010179324A (ja) ホットプレス

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100129

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110129

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120129

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130129

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130129

Year of fee payment: 14