JP7376278B2 - 固体原料昇華器 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、「ＳＯＬＩＤ ＳＯＵＲＣＥ ＳＵＢＬＩＭＡＴＯＲ（固体原料昇華器）」と題する２０１８年８月１６日に出願された米国仮出願第６２／７１９，０２７号に基づく優先権の利益を主張するもので、当該出願の全内容は引用することにより本明細書に組み込まれる。
典型的な固体または液体原料反応物質供給システムは、固体または液体原料容器および加熱手段を含む。容器は、気化される化学反応物質を含むことができる。キャリアガスは、容器の出口を通って、最終的に基材反応チャンバーへ反応物質の蒸気を一緒に押し流す。通常、一つの隔離弁が容器の入口の上流に設けられ、別の隔離弁が容器の出口の下流に設けられる。
本出願は、概ね、半導体処理装置を含むシステムおよび方法に関し、具体的には、化学蒸気供給用の蒸発システムに関する。
固体原料化学物質昇華器のいくつかの実施形態は、その中に固体化学反応物質を保持するように構成されるハウジングを備えることができる。ハウジングは、近位部および遠位部を備えることができ、ハウジングの長さに沿って延在するハウジング軸を有することができる。ハウジングの近位部上に蓋を配置してもよい。蓋は、流体入口および流体出口を備えることができ、蓋の遠位部内に蛇行流路を画定することができる。流路内にガスが流れるように蓋を構成することができる。固体原料化学物質昇華器は、蛇行流路とハウジングの遠位部との間に配置されるフィルターを備えることができる。フィルターは、固体化学反応物質の通過を制限するように構成される空隙を有することができる。
本明細書で説明される主題の一つまたは複数の実施形態の詳細は、添付の図面および以下の説明に記載されている。他の特徴、態様、および利点は、説明、図面、および特許請求の範囲から明らかになるであろう。この発明の概要も以下の詳細な説明も、本発明の主題の範囲を定義または制限することを意図していない。
本開示のこれらの態様および他の態様は、以下の説明、添付の特許請求の範囲を考慮すれば、および本発明を例示するものであり限定するものではない図面から、当業者には容易に明らかになるであろう。
図１は、いくつかの実施形態において化学物質気化器として使用できる固体原料化学物質昇華器である。 図２は、いくつかの実施形態の固体原料化学物質昇華器の別の例である。 図３Ａは、いくつかの実施形態の例示的なハウジングの上面斜視図である。図３Ｂは、ハウジングの内部の拡大図であり、いくつかの実施形態の流路および横断凹部を示している。 図４は、いくつかの実施形態の固体原料化学物質昇華器の外観の例である。 図５は、いくつかの実施形態の例示的なフィルターフレームである。 図６は、図５のフィルターフレームの底面斜視図である。 図７は、昇華器軸を有するフィルターフレームの側面図である。 図８Ａは、図５～７のフィルターフレームの上面図である。図８Ｂは、図５～７のフィルターフレームの底面図である。 図９は、フィルターインサートの上面図である。 図１０は、図９のフィルターインサートの垂直断面図である。 図１１は、図９～１０に示したフィルターインサートの断面斜視図である。 図１２は、いくつかの実施形態による、ハウジング、蓋、導管、一つまたは複数の伝導性突出部、および基部を備える例示的な固体原料化学物質昇華器の断面図である。 図１３Ａは、いくつかの実施形態による固体原料化学物質昇華器に備えることができる例示的な蓋である。図１３Ｂは、いくつかの実施形態による例示的な固体原料化学物質昇華器の断面詳細図である。 図１４は、複数の伝導性突出部を示す例示的な固体原料化学物質昇華器である。 図１５は、いくつかの実施形態による、導管、伝導性突出部、および基部がどのように組み立てられているかを示す。 図１６は、いくつかの実施形態による複数のレゾネーターを有する例示的な固体原料化学物質昇華器の一態様である。
本明細書で提供される見出しがある場合、便宜上のものであり、請求項に係わる発明の範囲または意味に必ずしも影響を与えない。本明細書では、高容量堆積モジュール内に気化または昇華した反応物質を供給するためのシステムおよび関連する方法について説明する。
以下の詳細な説明は、特許請求の範囲の理解を助けるために特定の実施形態を詳述している。しかし、特許請求の範囲によって定義され、適用を受けるように、多数の異なる実施形態および方法で本発明を実施することができる。
化学反応物質または固体原料供給システムは、固体または液体原料容器および加熱手段（例えば、ヒーター、例えば、放射加熱ランプ、抵抗ヒーター等）を備えることができる。容器は、（例えば、粉末形態の）固体または液体原料前駆体を含む。ヒーターは容器を加熱し、容器内の反応物質を蒸発させる。容器は、容器を通るキャリアガス（例えば、Ｎ２）の流れのための入口および出口を有することができる。キャリアガスは不活性であってもよい。一般的に、キャリアガスは容器の出口を通って、最終的に基材反応チャンバーへ反応物質の蒸気（例えば、昇華した化学反応物質）を一緒に押し流す。典型的に、容器は容器の内容物を容器の外部から流体的に隔離するための隔離弁を備える。一つの隔離弁を容器の入口の上流に設け、別の隔離弁を容器の出口の下流に設けることができる。いくつかの実施形態の原料容器は、昇華器を備える、それ自体から本質的になる、またはそれ自体からなる。つまり、本明細書で「原料容器」が言及される場合は常に、昇華器（例えば、「固体原料化学物質昇華器」）も明確に意図される。
化学気相堆積（ＣＶＤ）は、基材、例えばシリコンウェーハ上に材料の薄膜を形成するための半導体産業における既知のプロセスである。ＣＶＤでは、異なる反応物質の化学物質の（「前駆体ガス」を含む）反応物質の蒸気が反応チャンバー内の一つまたは複数の基材に供給される。多くの場合、反応チャンバーは、基材ホルダー（例えば、サセプター）上に支持される単一の基材のみを備え、基材および基材ホルダーは所望のプロセス温度に維持される。典型的なＣＶＤプロセスでは、相互反応性の反応物質の蒸気が互いに反応して基材上に薄膜を形成し、成長速度は温度と反応物質ガスの量に関係する。いくつかの変形例では、堆積反応物質を駆動するエネルギーは、全体または一部がプラズマによって供給される。
いくつかの用途では、反応物質ガスは反応物質原料容器に気体の形態で保存される。このような用途では、反応物質は多くの場合、約１気圧および室温の標準圧力および温度で気体である。このようなガスの例としては、窒素、酸素、水素、およびアンモニアが挙げられる。ただし、場合によっては、標準圧力および温度で液体または固体（例えば、塩化ハフニウム、酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム等）である原料化学物質（「前駆体」）の蒸気が使用される。（本明細書で「固体原料前駆体」、「固体化学反応物質」、または「固体反応物質」と呼ばれる）一部の固体物質の場合、室温での蒸気圧は非常に低いため、通常は非常に低い圧力で加熱および／または保持され反応プロセスに十分な量の反応物質の蒸気を生成する。気化（例えば昇華）した後、弁、フィルター、導管、および気相反応物質の反応チャンバーへの供給に関連するその他の構成要素において望ましくない凝縮を防ぐために、気相反応物質を処理システム全体にわたって気化温度以上に保持することが重要である。このような天然の固体または液体物質からの気相反応物質は、様々な他の産業における化学反応に有用である。
原子層堆積（ＡＬＤ）は、基材上に薄膜を形成する別の既知のプロセスである。多くの用途では、ＡＬＤは上記のように固体および／または液体原料化学物質を使用する。ＡＬＤは、サイクルで実行される自己飽和反応によって膜を堆積させる蒸着の一種である。膜の厚さは、実行されるサイクルの数によって決定される。ＡＬＤプロセスでは、ガス状反応物質が順番におよび／または繰り返して基材またはウェーハに供給され、ウェーハ上に材料の薄膜が形成する。一つの反応物質は、ウェーハ上で自己制御的プロセスにより吸着する。続いて異なるパルス状の反応物質が吸着された材料と反応して、所望の材料の単一分子層を形成する。分解は、吸着種間での、および配位子交換またはゲッタリング反応などで適切に選択された試薬との、相互反応によって発生する場合がある。一部のＡＬＤ反応では、サイクルごとに僅か１分子の単分子層が形成される。より厚い膜は、目標の厚さが達成されるまで繰り返し成長サイクルを経て生成される。
いくつかのＡＬＤ反応では、互いに反応性の反応物質は、異なる反応物質へ基材を暴露する間に除去プロセスを介在させることにより、気相で別々に保持される。例えば、時分割ＡＬＤプロセスでは、反応物質がパルスで固定基材に供給され、通常はパージまたは排気フェーズにより分離される。空間分割ＡＬＤプロセスでは、基材は異なる反応物質の区域を移動する。一部のプロセスでは、空間分割ＡＬＤと時分割ＡＬＤの両方の態様を組み合わせることができる。当業者は、いくつかの変形またはハイブリッドプロセスが、通常のＡＬＤパラメータウィンドウ外の堆積条件の選択すること、および／または基材への暴露中に互いに反応性の反応物質間である程度の重なり合いを可能にすること、のいずれかにより、程度のＣＶＤのような反応を可能にすることを理解するであろう。
反応物質原料容器には、通常、入口および出口から延在するガスライン、ライン上の隔離弁、およびバルブ上のフィッティングが付属し、フィッティングは残りの基材処理装置のガスフローラインに連結するように構成されている。多くの場合、反応物質原料容器と反応チャンバーとの間の様々なバルブおよびガスフローラインを加熱するためにいくつかの追加ヒーターを設けて、反応物質の蒸気がこのような構成要素上に凝縮して堆積するのを防ぐことが望ましい。したがって、原料容器と反応チャンバーとの間のガス輸送構成要素は、温度が反応物質の気化／凝縮／昇華温度より高く保持される「ホットゾーン」と呼ばれることもある。
図１は、いくつかの実施形態で化学物質気化器として使用できる固体原料化学物質昇華器１００を示す。昇華器は、化学反応物質、例えば固体または液体原料前駆体を含むことができる。「固体原料前駆体」は、本開示を考慮して、当技術分野における慣習的かつ通常の意味を有する。これは、標準的な条件（即ち、室温および大気圧）下で固体である原料化学物質を指す。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００は、基部１４０、フィルターフレーム１２０、フィルター１３０、およびハウジング１１０を備えることができる。固体原料化学物質昇華器１００は、昇華器軸１０４を画定することができる。フィルター１３０は、フィルターを通る化学反応物質の通過（または移動）を制限するように構成される空隙を有することができる。本明細書に記載のように、図１は、固体原料化学物質昇華器１００が含むことができる要素の数を制限するものとみなされるべきではない。いくつかの実施形態では、ハウジング１１０は、基部１４０に機械的に取り付けられるように構成される。これは、取付け手段（例えば、ボルト、ネジ等）のうちの一つまたは複数を使用して実行されることができる。特定の実施形態では、ハウジング１１０および基部１４０は、気密式で機械的に取り付けられる。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００は、フィルターフレーム１２０およびフィルター１３０を備えるが、基部１４０を備えない（例えば、フィルターフレーム１２０は、フィルター１３０を支持し、フィルターによって取り囲まれていない内部１１４の表面上に格納容器を設けることができる）。いくつかの実施形態では、基部１４０は、フィルターフレーム１２０に一体化されている。いくつかの実施形態では、基部１４０は、フィルターフレーム１２０上に着脱可能に固定されている。
特定の構成では、基部１４０は、固体原料化学物質を保持するように構成されている。基部１４０は、化学反応物質を保持するための実質的に平坦面を備えてもよいが、他の形状および変形が可能である。本明細書でより詳細に説明するように、フィルターフレーム１２０は、キャリアガスがそれを通って通過できるように構成されることができる。いくつかの実施形態では、示すように、フィルターフレーム１２０はフィルター１３０に隣接して配置される。特定の構成では、隣接は物理的に接触していることを含む。固体原料化学物質昇華器１００は、内部１１４、例えばフィルター１３０の壁の内側間の空間、およびハウジング１１０の天井と基部１４０の床との間の空間を画定することができる。いくつかの実施形態では、内部１１５は、化学反応物質、例えば固体原料化学物質を含むように構成される。固体原料化学物質昇華器１００またはその一部、例えばフィルターフレーム１２０およびフィルター１３０を、様々な方法で形成することができる。例えば、固体原料化学物質昇華器１００は、互いに積み重ねられおよび／または取り付けられた二つ以上の側部を備えることができる。別の構成では、フィルター１３０は、フィルターフレーム１２０の内側に収まることができる（例えば、スナップフィット、スライドフィット、フリクションフィット等）。いくつかの実施形態では、フィルターフレーム１２０は、フィルター１３０の外面の少なくとも一部に隣接して配置されることができる。
いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００のアセンブリの高さは、約２５ｃｍ～１２０ｃｍの範囲とすることができる。いくつかの実施形態では、高さは約５０ｃｍ～１００ｃｍの範囲とすることができ、いくつかの実施形態では約６０ｃｍ（約２４インチ）である。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００の幅（例えば、直径）は、約２０ｃｍ～５０ｃｍの範囲とすることができる。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００の幅は約３０ｃｍ～４０ｃｍの範囲とすることができ、特定の実施形態では約３８ｃｍ（約１５インチ）である。いくつかの実施形態では、容器１０４は、約１～４の範囲の高さ：直径のアスペクト比を有することができる。いくつかの実施形態では、容器は円柱に近い形状であるが、別の形状も可能である。つまり、いくつかの実施形態では、ハウジング１１０は、円筒形状を備える、それ自体から本質的になる、またはそれ自体からなる。いくつかの実施形態では、本明細書に記載の様々な実施形態における（未充填の）固体原料化学物質昇華器１００の質量は、約１０ｋｇ～５０ｋｇの範囲とすることができる。いくつかの実施形態では、充填された固体原料化学物質昇華器１００の質量は、約３５ｋｇ～８５ｋｇの範囲とすることができる。容器の質量が小さいほどより容易に輸送することができるが、質量が大きいほど反応物質の体積が増え、補充がより少なくて済む。
図２は、いくつかの実施形態の別の例示的な固体原料化学物質昇華器１００を示す。示すように、固体原料化学物質昇華器１００は、ハウジング１１０に補充開口部１５４を備えることができ、それを通して化学反応物質（例えば、固体前駆体）を固体原料化学物質昇華器１００の中に配置することができる。ハウジング１１０は、（示すような）別個の蓋および側壁を備える、または単一の構造体から形成されることができる。蓋は、円筒形状を備えてもよい。いくつかの実施形態では、ハウジングの蓋および基部１４０は、本明細書に記載の場合を除き、ガスが容器１０４に実質的に流入および／または流出できないように流体密封される。化学反応物質を固体原料化学物質昇華器１００の内部１１４に収容することができる。示すように、いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００は、対応する加熱ロッド１６２を受け入れるように構成されることができる受け部１５８を備えることができる。他の発熱体、例えば本明細書に記載されているものを備えることができる。加熱ロッド１６２を備える発熱体は、内部１１４が本明細書でより詳細に説明される作動温度に到達できるように構成されることができる。いくつかの実施形態では、本明細書でより詳細に説明するように、一つまたは複数のコントローラ（図示せず）を備え、ＡＬＤを実行するように構成されることができる。いくつかの実施形態では、一つまたは複数のコントローラはＡＬＤを実行するようにプログラムされたプロセッサおよびメモリーを備える。一つまたは複数のコントローラは、堆積モジュール内の全てのヒーター、ポンプ、圧力制御用のポンプへの弁、基材処理用のロボット制御装置、ならびに／または固体原料化学物質昇華器１００へのキャリア流およびそれ自体からの蒸気流を含む蒸気の流れを制御する弁を制御するように構成されることができる。
例示される固体原料化学物質昇華器１００および全ての取り付けられる堆積モジュールは、一つまたは複数の気相反応チャンバー内で使用される気相反応物質を供給するのに特に適している。気相反応物質を、化学堆積（ＣＶＤ）または原子層堆積（ＡＬＤ）に使用することができる。いくつかの実施形態では、コンピュータ可読媒体に格納される制御プロセッサおよびプログラミングが含まれ、本明細書で開示される実施形態がＡＬＤを実行するように構成される。特定の実施形態では、コンピュータ可読媒体に格納される制御プロセッサおよびプログラミングが含まれ、本明細書で開示される実施形態がＣＶＤを実行するように構成される。
キャリアガスの流入は、固体原料化学物質昇華器１００の一端、例えば例示された実施形態の底部近傍で生じることができる。固体原料化学物質昇華器１００内へのキャリアガスの流れは、フィルターフレーム１２０の（図示されない）一つまたは複数の入口に存在することができる。フィルターフレーム１２０は、キャリアガスの流れを誘導するためのチャネル（例えば、凹部、突出部）またはその一部を備えることができる。キャリアガスの流量は、（図示されていない）関連する一つまたは複数の入口バルブを開閉することによって制御されることができる。入口は、固体原料化学物質昇華器１００の底部もしくはその近傍、または固体原料化学物質昇華器１００の上部もしくはその近傍にあってもよい。出口は、固体原料化学物質昇華器１００の反対側に配置されてもよい。例えば、出口は、固体原料化学物質昇華器１００の上部に配置されてもよい。しかし、別の構成も可能である。例えば、出口は固体原料化学物質昇華器１００の底部もしくはその近傍に配置されてもよく、および／または出口は入口と同じ端部またはその近傍に配置されてもよい。入口および出口を、本明細書に記載の流路が入口と出口の間に配置されるように配置することができる。
フィルターフレーム１２０は、フィルターフレーム１２０内に機械加工された（例えば、圧延され、形成された）流路を備えることができる。流路１５０は、（図示のように）凹部または突出部を備えることができる。追加的または代替的に、ハウジング１１０は、（図示のように）ハウジング凹部またはハウジング隆起部１１２を備えることができる。このようなハウジング隆起部１１２により、ハウジング１１０とフィルターフレーム１２０との間でより良好に構造的に嵌合するが、ハウジング隆起部１１２は、追加的または代替的に、流路１５０に構造的境界をもたらすことができる。流路１５０は、（図示のように）流路１５０内におよび／またはハウジング１１０内に形成されてもよい。
例えば、流体（例えば、キャリアガス）は、固体原料化学物質昇華器１００の端部（例えば底部）に挿入され、フィルターフレーム１２０内の流路１５０を通過することができる。流路１５０は、フィルターフレーム１２０の外部に沿って延在してもよい。追加的または代替的に、フィルターフレーム１２０は、ハウジング１１０の内面に沿って配置されてもよい。いくつかの実施形態では、流路１５０は、フィルターフレーム１２０の周りを周方向に延在する。フィルターフレーム１２０は、図示のように、垂直に積み重ねられた一つまたは複数のリング経路を備えてもよい。このような実施形態では、（図２には示されていない）一つまたは複数の横断凹部または経路により、各リング経路間で流体の流れが可能になる。各リング経路は地表面および／または基部１４０に平行であるため、各リング経路のピッチはゼロであると言うことができる。したがって、例えば、流体の流れは、フィルターフレーム１２０の外部に沿って生じることができるが、流体は一般的に昇華器軸１０４の方向に上向きに流れることができる。したがって、流体の流れは、横断経路に到達する前に、フィルターフレーム１２０のほぼ周囲長（例えば、各レベルの経路（例えば、リング経路）で周囲長の約半分）になることができる。経路の層の数は、約１２～４５の範囲とすることができ、いくつかの実施形態では、数は約２３である。
いくつかの実施形態では、経路は、ゼロより大きい実質的に一定のピッチを有する連続経路を備える。したがって、このような実施形態では、流路１５０は、流れの方向に対して連続的に（例えば上向きに）傾斜する入口と出口との間の単一の経路を備えることができる。流れの方向に対する傾斜は上向きでも下向きでもよい。
より長い経路長により、昇華した固体原料化学物質のガス曝露の時間の長さを増加できることが理解されよう。流路１５０は、合わせて、約５００ｃｍ～２５００ｃｍの範囲の全長を有することができる。いくつかの実施形態では、全長は約７５０ｃｍ～１８００ｃｍの範囲であり、例示的実施形態では約１４００ｃｍ（３５５６インチ）である。
化学反応物質（例えば、昇華しない反応物質）の通過がフィルター１３０を通過するのを制限、減速、低減、抑制、または更に防止するために、内部１１４とフィルターフレーム１２０の間にフィルター１３０を備えることができる。このようにして、固体反応物質が（例えば、輸送中に）誤って流路１５０に入るのを防ぐことができる。フィルター１３０は、セラミック材料（例えば、セラミックフィルター媒体）もしくは金属メッシュ、またはこれらの組み合わせを備える、本質的にそれらからなる、もしくはそれらからなることができる。金属メッシュは、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム、または別の耐久性のある金属を含んでもよい。同様に、いくつかの実施形態では、（例えば、蓋を含む）ハウジング１１０および／または基部１４０のうちの一つまたは複数は、金属を含む、本質的にそれ自体からなる、またはそれ自体からなることができる。いくつかの実施形態では、ハウジング１１０、ハウジング蓋１１３、および／または基部１４０はそれぞれ一体構造の金属部品であることができる。フィルター１３０の空隙は、内部１１４から流路１５０への化学反応物質の通過を、キャリアガスによる流路内の化学反応物質の昇華速度よりも実質的に大きくない移動速度に制限するように構成されることができる。したがって、フィルター１３０は、昇華した前駆体でキャリアガスの飽和速度を改善することができる昇華した反応物質の流れを促進することができる。フィルター材料は、特定のサイズ、例えば約０．００３μｍよりも大きい粒子の通過を制限するように構成されることができる。材料は、ガスまたは液体フィルターに通常組み込まれる様々な異なる材料、例えばニッケル繊維媒体、ステンレス鋼、セラミック（例えばアルミナ）、石英、または列挙された材料の二つ以上、のいずれかを含むことができる。本明細書でより詳細に説明するように、固体原料化学物質昇華器１００は、キャリアガスと大量の固体反応物質との接触を可能にする細長い経路を備えることができる。いくつかの実施形態では、内部１１４から流路１５０への化学反応物質の移動速度は化学反応物質が流路１５０内のキャリアガスによって昇華される速度を実質的に超えないように、フィルター１３０の空隙は、内部１１４から流路１５０への化学反応物質の移動を制限する。内部１１４から流路１５０への化学反応物質の移動速度は、化学反応物質の量の時間に対する比（例えば、モル／秒、ｇ／分等）として表すことができること、および化学反応物質が流路内で昇華する速度はまた、化学反応物質の量の時間に対する比（例：モル／秒、ｇ／分等）として表すことができることが理解されよう。したがって、内部１１４から流路１５０への化学反応物質の移動速度と、流路１５０内の化学反応物質の昇華速度との比較は、効率的に比較することができるように（それらがまだ同じ単位でないなら）同じ単位に容易に変換できることが理解されるであろう、いくつかの実施形態では、内部１１４から流路１５０への化学反応物質の移動速度は、例えば、流路上の化学反応物質の昇華速度と実質的に同じである。この文脈における「実質的に」は、本開示を考慮して当業者によって理解されるように、通常の慣習的な意味を有する。例えば、（フィルターを通過する移動速度が昇華速度よりも十分に大きい場合に生じる場合がある）反応物質による流路１５０の詰まりを避けるために、そして反応物質を保持するように構成される流路の表面領域の大部分で連続的に昇華するように、あまり変わらない二つの速度に言及することができる。「実質的に」のより高い数値精度が望まれる場合、いくつかの実施形態では、移動速度は、例えば昇華速度の±３０％、±２５％、±２０％、±１５％、±１０％、または±５％以内とすることができる。
流路１５０を通過する流体（例えば、キャリアガスおよび／または反応物質ガス）は、別の流量制御装置（例えば、弁）および／または一つまたは複数の堆積チャンバーにつながることができる（図示しない）一つまたは複数の出口点または出口で固体原料化学物質昇華器１００から出ることができる。そして、固体原料化学物質昇華器１００からの流出物は、キャリアガスと、固体原料化学物質昇華器１００の内部から気化した反応物質ガスとを含む。いくつかの実施形態では、内部１１４は、化学反応物質で満たされた後、ヘッドスペースを含むように構成される。ヘッドスペースは、流路１５０、ならびに／または（図示されない）入口および出口と流体連通することができ、ヘッドスペース内の流体（例えば、キャリアガス）による化学反応物質の昇華のために構成されることができる。したがって、ヘッドスペースはフェールセーフを提供できるため、フィルター１３０が詰まった場合、あるいは化学反応物質を流路１５０に運ぶことができない場合、化学反応物が昇華し続けることができる。例えば、ヘッドスペースは、流路１５０と流体連通することができ、流体連通はフィルター１３０を横断しないため、フィルターが詰まった場合、あるいは化学反応物質を流路１５０に運ぶことができない場合でも、流路への化学反応物質の昇華が可能となる。
気化した前駆体のキャリアガスとして、非活性または不活性ガスを用いることが好ましい。不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等）は、（図示されていない）一つまたは複数の昇華器入口を通って固体原料化学物質昇華器１００に供給されてもよい。いくつかの実施形態では、様々なプロセスおよび本明細書に記載の様々なシステムに異なる不活性ガスを用いることができる。図示されていない別の弁および／または他の流体制御要素を備えることができることが理解されよう。例えば、入口弁に加えて、個別の出口弁も設けることができる。
図示されていない別の弁および／または他の流体要素を備えることができることが理解されよう。特定の構成では図示されていない別の弁および他の流体要素を備えることができる。システムの流体に関する別の情報は、２００７年１０月１０日に出願され、「ＰＲＥＣＵＲＳＯＲ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭ」と題する米国特許第８，１３７，４６２号に記載され、当該出願の全内容は、あらゆる目的のために引用することにより本明細書に組み込まれている。
本明細書に記載される方法のいくつかの実施形態は、基材表面に適用される前処理プロセスを含んでもよい。前処理は一つまたは複数のプロセスを含んでもよい。前処理において、（例えば、金属を含む）第一の反応物質を堆積させる基材表面は、一つまたは複数の前処理反応物質および／または特定の条件、例えば温度もしくは圧力に曝されてもよい。前処理は、基材表面の洗浄すること、不純物を除去すること、自然酸化物を除去すること、および／または後続の堆積反応または吸着を促進する望ましい表面終端をもたらすことを含む様々な理由で使用されてもよい。いくつかの実施形態では、前処理は、基材表面を一つまたは複数の前処理反応物質、例えば酸化原料および／または洗浄反応物質、例えばＨ２Ｏ、Ｏ３、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、ＨＦ、プラズマ生成物等に曝すことを含む。いくつかの実施形態では、前処理プロセスは、好適な化学物質を基材へ一回または複数回の曝露することを含み、曝露は約０．０５秒～約６００秒、好ましくは約０．１秒～約６０秒の範囲である。いくつかの実施形態では、前処理プロセス中の圧力は、約０．０１Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒ、好ましくは約０．１Ｔｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒに維持される。いくつかの実施形態では、複数の前処理反応物質が連続的にまたは同時に用いられる。いくつかの実施形態では、前処理は、一つまたは複数の前処理反応物質を複数回適用することを含むことができる。
前処理プロセスは、蒸気形態および／または液体形態の前処理反応物質を利用してもよい。前処理プロセスを、後続のＡＬＤプロセスと同じ温度および／または圧力で実行してもよい。しかし、異なる温度および／または圧力で実行することもできる。例えば、その場外の前処理が基材の水溶液への浸漬を伴う場合、前処理反応物質を不必要に蒸発させる可能性がある比較的低い圧力で実行される可能性があるＡＬＤプロセスよりも高い圧力で前処理を進めることが望ましい場合がある。
また、反応物質は、反応物質が堆積される膜中に元素を残す前駆体と呼ばれる場合がある。固定基材を用いるいくつかの実施形態（時分割ＡＬＤ）では、第一の反応物質は気相パルスの形態で反応チャンバー内に導かれ、基材の表面と接触する。第一の反応物質が吸着される前駆体である場合、自己制御的に前駆体の僅か約一層の単分子層が基材表面上に吸着されるように条件を選択することができる。第一の前駆体パルスは気体状態で供給される。第一の前駆体ガスは、その種がプロセス条件下で十分な蒸気圧を示し、その種を十分な濃度でワークピースに輸送して露出面を飽和させる場合、本明細書では「揮発性」とみなされる。
いくつかの実施形態では、第一の前駆体は、基材に約０．０１秒～約６０秒間、約０．０２秒～約３０秒間、約０．０２５秒～約２０秒間、約０．０５秒～約５．０秒間、約０．０５秒～約２．０秒間、または約０．１秒～約１．０秒間接触する。当業者が理解するように、表面を確実に飽和させるための曝露時間は、反応器の容積、基材のサイズ、キャリアガス中の前駆体濃度、およびプロセス条件に依存する。
ＡＬＤタイプのプロセスで使用される第一の前駆体は、標準条件（室温および大気圧）下で固体、液体、または気体の材料であってもよいが、ただし、第一の前駆体は、反応チャンバー内に導かれ、基材表面と接触する前に気相である。いくつかの実施形態では、第一の前駆体は金属を含むことができ、標準条件下で固体原料、例えば本明細書に記載の固体原料化学物質昇華器１００内で粉末の形態とすることができる。
過剰な第一の反応物質および反応副生成物がある場合には、例えば不活性ガス、例えば窒素またはアルゴンの供給により、基材表面から除去することができる。気相前駆体および／または気相副生成物は、例えば、真空ポンプでチャンバーを排気することにより、および／または反応器内のガスを不活性ガス、例えばアルゴンもしくは窒素で置き換えることにより、基材表面から除去される。典型的な除去時間は、約０．０５～２０秒、より好ましくは約１～１０秒、更により好ましくは約１～２秒である。しかし、非常に高いアスペクト比の構造または複雑な表面形態を有する他の構造上に層を堆積することが必要とされる場合など、必要に応じて他の除去時間を利用することができる。当業者は、特定の状況に基づいて好適な除去時間を容易に決定し得る。
いくつかの実施形態では、過剰な第一の反応物質および反応副生成物が存在する場合、それらを除去することは、第一の反応物質が基材と接触しなくなるように基材を移動させることを含むことができる。いくつかの実施形態では、チャンバーの様々な部分から反応物質を除去しなくてもよい。いくつかの実施形態では、基材を、第一の前駆体を含むチャンバーの一部から、第二の反応物質を含むかまたは反応物質を全く含まないチャンバーの別の部分に移動させる。いくつかの実施形態では、基材を第一の反応チャンバーから第二の異なる反応チャンバーに移動させる。このような実施形態では、基材を、例えば、不活性ガスの区域またはカーテンを通って移動させ、固定基材用のチャンバーのパージと同様に、除去を促進してもよい。
基材を第二の反応物質（例えば、前駆体）と接触させてもよい。いくつかの実施形態では、第二の反応物質は酸素（例えば、水蒸気、オゾン等）を含む。いくつかの実施形態では、第二の前駆体は、基材に約０．０１秒～約６０秒間、約０．０２秒～約３０秒間、約０．０２５秒～約２０秒間、約０．０５秒～約５．０秒間、約０．０５秒～約２．０秒間、または約０．１秒～約１．０秒間接触する。しかし、反応器の種類、基材の種類、およびその表面積に応じて、第二の前駆体の接触時間は１０秒よりも更に長くなる場合がある。いくつかの実施形態では、特に大容量のバッチ反応器では、接触時間は数分程度であってもよい。当業者は、特定の状況に基づいて最適な接触時間を容易に決定し得る。
反応チャンバー内の第二の前駆体の濃度は、約０．０１体積％～約９９．０体積％であることができる。そして、第二の前駆体は、典型的な単一基材反応器について約１標準ｃｍ３／分～約４０００標準ｃｍ３／分の速度で反応チャンバーを通って流れることができる。当業者は、上記の範囲外の反応条件が特定のタイプの反応器に適している場合があることを理解するであろう。
過剰な第二の反応物質および表面反応のガス状副生成物がある場合には、それらを基材表面から除去することができる。いくつかの実施形態では、不活性ガスを用いて過剰の反応物質および反応副生成物を除去することが好ましい。接触および除去の工程は、所望の厚さの薄膜が基材上に形成されるまで必要に応じて繰り返されてもよく、各サイクルは純粋なＡＬＤプロセスで僅か１分子の単分子層を残す。しかし、当業者は、いくつかの実施形態において、理論上のＡＬＤ条件外の条件を修正することにより、単分子層を超える層を達成できることを理解するであろう。例えば、互いに反応性の反応物質間のある程度の重なり合いは、部分的またはハイブリッドＣＶＤタイプの反応をもたらす場合がある。場合によっては、他の手段（例えば、プラズマ生成物）によるエネルギーの注入により通常のＡＬＤウィンドウを超える温度を選択して、様々な前駆体のうちの少なくとも一つの少なくとも部分的な分解を実現することが望ましい場合があり、または第一の反応物質の複数の単分子層の凝縮を、それらの反応物質の通常のＡＬＤウィンドウ以下の温度を選択することで実現することができる。
上記のプロセスに対する様々な他の修正または追加が可能である。例えば、より複雑なサイクルは、別の前駆体または他の種類の反応物質（還元剤、酸化剤、ゲッタリング剤、プラズマまたは熱処理等）のフェーズを含む場合がある。所望の膜の組成を調整するために、選択された相対頻度で異なるサイクルを用いてもよい。例えば、酸窒化ケイ素は、窒化ケイ素の１サイクルごとに酸化ケイ素の５サイクル、または所望の窒素含有量に応じて、任意の他の望ましいサイクル比を含むことができ、層組成の傾斜が望まれる場合、比を堆積中に変えることができる。更に、プロセスは周期的であるため、プロセスを実質的に変更することなく、「第一の」反応物質を二番目に供給することができる。
いくつかの実施形態では、一つまたは複数の堆積チャンバーを制御する際に用いる電子機器および／またはコンピュータ要素は、システム内の他の場所にあってもよい。例えば、中央コントローラは、一つまたは複数のチャンバーを備える両方の装置を制御し、ならびに固体原料化学物質昇華器１００および全ての関連するヒーターに連結する弁を制御することができる。一つまたは複数の弁を用いて、マルチチャンバー堆積モジュール３００全体のガスの流れを制御することができる。
場合によっては、容器の移動中の妨害を最小限にするために、前駆体粉末を充填または再充填する場合、前駆体原料容器、例えば固体原料化学物質昇華器１００には、容器内の不活性ガス（例えば、ヘリウム）のヘッド圧力が供給される。操作前に、この過圧を排出することが望ましい場合がある。したがって、特定の実施形態では、別個の通気弁を使用して、動作前に固体原料化学物質昇華器１００の内部１１４内の圧力を解放することができる。
当業者によって理解されるように、固体原料化学物質昇華器１００が必要とするであろう体積または設置面積を低減することは有利であることができる。コンパクトな容器アセンブリは、このような設置面積を削減できる。特定の実施形態では、各固体原料化学物質昇華器１００は、約７５ｃｍ２～１５０ｃｍ２の（例えば、固体原料化学物質昇華器１００が配置される）面積を有することができる。
固体原料化学物質昇華器１００内に大きな質量および／または体積の固体原料化学物質を保持する能力は、再充填処理と再充填処理との間に必要な時間を長くすることができる。更に、これにより、同じ時間でより多くの質量の固体原料化学物質の昇華が可能になる。したがって、いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００は、気相堆積用の典型的な固体原料化学物質、特に無機固体原料金属、または半導体前駆体、例えばＨｆＣｌ４、ＺｒＣｌ４、ＡｌＣｌ３、またはＳｉＩ４を約７．５ｋｇ～２０ｋｇの範囲で保持するように構成されることができる。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００は、固体原料化学物質を約５ｋｇ～１２ｋｇの範囲で保持するように構成されることができる。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００は、典型的な固体原料化学物質を少なくとも１５ｋｇ保持するように構成されることができる。固体原料化学物質の高さは、固体原料化学物質昇華器１００の高さの約５０％～９０％とすることができる。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質の高さは、約６５％～８０％とすることができる。その充填高さより上のヘッドルームは、固体前駆体上の反応物質蒸気を容易に捕集し、キャリアガスの流れがこのような蒸気を捕捉することができるヘッドスペースとして保有されることができる。
昇華器が保持できる固体原料化学物質のより長い経路長および／またはより大きな質量は、同じ時間で堆積チャンバーへより多くの前駆体をもたらすことができる。場合によっては、より長い経路長および／または固体原料化学物質のより大きな質量により、同じ時間で実現できる飽和量を増やすことができる。いくつかの実施形態では、二つの連続する蒸気プロセス間の経過時間（例えば、パルス／パージの長さ）は、約１００ミリ秒～３秒間とすることができる。いくつかの実施形態では、経過時間は約３０ミリ秒～１．５秒間とすることができる。
容器のサイズを、固体原料化学物質の量に関連させることができる。例えば、容器で囲まれた体積（ｃｍ３）の容器が保持できる固体原料化学物質の質量（ｋｇ）に対する比は、約２０～４５の範囲とすることができる。特定の構成では、比率は約１～１０の範囲とすることができる。これらの範囲は、容器固有の制限、使用される材料、および空間の制限によってある程度決定されることができる。
流路１５０は、高さと幅（例えば、凹部の高さと幅）を有することができる。いくつかの実施形態では、高さは約２ｃｍ～１０ｃｍとすることができる。いくつかの実施形態では、高さは約１ｃｍ～６ｃｍとすることができる。いくつかの実施形態では、幅は約１ｃｍ～６ｃｍとすることができる。いくつかの実施形態では、幅は約０．２ｃｍ～４ｃｍとすることができる。いくつかの実施形態では、高さおよび幅は、高さ：幅のアスペクト比３～７に規定することができる。いくつかの実施形態では、高さおよび幅は、高さ：幅のアスペクト比４～５．５に規定することができる。
いくつかの実施形態では、堆積モジュールおよび／または固体原料化学物質昇華器１００は、一つまたは複数の発熱体を備えることができる。いくつかの実施形態では、発熱体のうちの一つまたは複数は、固体原料化学物質昇華器１００に垂直に隣接するかまたは垂直に近接して配置されることができる。いくつかの実施形態では、一つまたは複数の発熱体は、伝導により昇華器１００を加熱するように構成される。特定の実施形態では、基部１４０の下に配置されるヒータープレートを備えてもよい。特定の実施形態では、ハウジング１１０の上にヒーターを配置することができる。いくつかの実施形態では、一つまたは複数の弁は、伝導的におよび／または放射的に加熱されてもよい。いくつかの実施形態では、固体原料化学物質昇華器１００の（例えば、内部１１４の）壁および／または中心に一つまたは複数の高温供給トラフを備えて、より直接的に固体化学反応物質に熱を供給することができる。固体原料化学物質昇華器１００は、低圧、例えば０．１Ｔｏｒｒ～２０Ｔｏｒｒ、例えば約５Ｔｏｒｒに排気できるように気密であるように構成されるキャビネットに配置されてもよい。したがって、キャビネット内の大気への伝導損失または対流損失を最小限に抑える効率的な放射加熱を促進する。
固体原料化学物質昇華器１００は、作動温度で作動するように構成されることができる。例えば、作動温度は、本明細書に記載されるように、フィルター１３０を通る昇華した反応物質の所望の流量に基づいて決定されることができる。追加的または代替的に、作動温度は化学反応物質の所望の昇華速度に基づいて決定されてもよい。いくつかの実施形態では、作動温度は約２０℃～２５０℃の範囲である。もちろん、選択される作動温度は、気化される化学物質に依存する。例えば、作動温度は約１６０℃～２４０℃、特にＨｆＣｌ４では約１７０℃～１９０℃、約１７０℃～２５０℃、特にＺｒＣｌ４では１８０℃～２００℃、Ａｌ２Ｃｌ３では約９０℃～１１０℃、ＳｉＩ４では約９０℃～１２０℃であってもよい。当業者は、他の原料化学物質に対して他の温度を選択できることを容易に理解するであろう。
いくつかの実施形態では、（本明細書で開示される）固体原料アセンブリは、目標真空圧力で作動することができる。いくつかの実施形態では、目標真空圧は、約０．５Ｔｏｒｒ～２０Ｔｏｒｒの範囲、例えば５Ｔｏｒｒとすることができる。特定の実施形態では、固体原料アセンブリ内の真空圧は、一つまたは複数の圧力コントローラを用いて調整されることができる。
図３Ａ～３Ｂは、複数の流路１５０を備える例示的なハウジング１１０を示す。本明細書で説明されるように、流路１５０を、ハウジング１１０の内部に、フィルターフレーム１２０の外部に、またはその両方に少なくとも部分的に形成することができる。図３Ａは、例示的なハウジング１１０の上面斜視図を示す。図３Ｂは、ハウジング１１０の内部の拡大図を示し、流路１５０および横断凹部１７０を示す。横断凹部１７０は、追加的または代替的に、フィルターフレーム１２０に形成されてもよい。図４は、固体原料化学物質昇華器１００の外観の例である。
図５は、フィルターフレーム１２０の例を示す。いくつかの実施形態では、フィルターフレーム１２０は基部１４０備えることができる。いくつかの実施形態では、フィルターフレーム１２０は（図示されない）蓋を備える。フィルターフレーム１２０は、例えばフィルターフレーム１２０における一つまたは複数のフレーム支持要素１２４を備えることができる。フレーム支持要素１２４は、フィルターフレーム１２０の連続する突出部１５０ａの間に取り付けられることができる。フィルターフレーム１２０の対応する突起間に交互の凹部を形成することができる。このように、キャリアガスが通過できるように流路１５０を形成することができる。昇華軸１０４に平行に（例えば、垂直に）（例えば、連続する凹部１５０ｂ間で）ガスを流すことができるように、一つまたは複数の横断凹部１７０を（例えば、フィルターフレーム１２０に）形成することができる。他で説明したように、横断凹部１７０は、追加的または代替的に、ハウジング１１０に形成されてもよい。フィルターフレーム１２０の特定の側で、横断凹部１７０は、（例えば、一つおきに隣接する突出部を飛ばして）交互の突出部に形成されてもよい。交互の横断凹部１７０は、フィルターフレーム１２０（および／またはハウジング１１０）の反対側に形成されてもよい。このようにして、キャリアガスが垂直に移動するために、代わりに、ガスは、次の横断凹部１７０に達する前に、フィルターフレーム１２０の周りの少なくとも一部（例えば、１８０°）に水平に向けられることができる。このようにキャリアガスの流路の長さを増加させ、昇華した化学反応物質によるキャリアガスのより大きな飽和状態を可能にすることができる。図６は、図５のフィルターフレーム１２０の底面斜視図を示す。
図７は、昇華軸１０４を備えるフィルターフレーム１２０の側面図を示す。昇華器軸１０４は、フィルターフレーム１２０の入口と出口との間でキャリアガスの一般的な流れに平行に延在することができる。図８Ａおよび８Ｂは、図５～７のフィルターフレーム１２０の上面図および底面図を示す。
図９は、いくつかの実施形態のフィルターインサート２００の上面図を示す。フィルターインサート２００は、フィルターフレーム１２０およびフィルター１３０を備えることができる。いくつかの実施形態では、フィルターインサート２００は基部１４０備えることができる。いくつかの実施形態では、フィルターインサート２００は（図示されない）蓋を備えることができる。本明細書で説明するように、フィルターインサート２００は、対応するハウジング１１０内に適合するように構成（例えば、成形、サイズ設定）されることができる。フィルターインサート２００は、フィルターフレーム幅１８２または直径を有することができる。フィルターフレーム幅１８２は、約２０ｃｍから５０ｃｍの間であることができる。フィルターフレーム１２０は、最も厚い部分で約１～１０ｃｍの間の壁厚を有することができる。いくつかの実施形態では、フィルターフレーム１２０の壁厚は約２ｃｍ～４ｃｍである。フィルター１３０は、最も厚い部分で約１～１０ｃｍの間の壁厚を有することができる。いくつかの実施形態では、フィルター１３０の壁厚は約２ｃｍ～４ｃｍである。フィルターフレーム１２０の壁厚のフィルターフレーム１２０の壁厚に対するの比は、約０．３～２とすることができる。いくつかの実施形態では、比は約１である。いくつかの実施形態では、フィルターインサート２００は、ハウジング１１０に挿入され、そして化学反応物質で充填されるように構成されることができる。いくつかの実施形態では、フィルターインサート２００は、化学反応物質を収容し、そして（既に化学反応物質を収容しながら）ハウジング１１０内に挿入されるように構成されることができる。いくつかの実施形態では、フィルターインサート２００は、既に化学反応物質を収容しているハウジング１１０内に挿入されるように構成されることができる。
図１０は、図９のフィルターインサート２００の垂直断面図を示す。図１１は、図９～図１０に示されるフィルターインサート２００の斜視図を示す。
図１２は、ハウジング３１０、蓋３０６、伝熱導管３６０、一つまたは複数の伝導性突出部３６４、および基部３４０を備える例示的な固体原料化学物質昇華器３００の断面を示す。ハウジング３１０は、上に開示された昇華器軸１０４に類似し得る（符号のない）ハウジング軸を有することができる。ハウジング軸は、蓋３０６および／または基部３４０の平面に垂直であり、ハウジング３１０の長さに沿って延在してもよい。ハウジング３１０は、中に固体化学反応物質を保持するように構成される遠位部を有することができる。遠位部は、ハウジング軸に沿って基部３４０からハウジング３１０のある点まで延在し（および／またはそれによって囲まれる空間を備え）てもよい。
引き続き図１２を参照すると、蓋３０６は、ハウジング３１０の近位部に配置されることができる。例えば、蓋３０６は、ハウジング３１０と一体であってもよく、単にハウジング３１０上に置かれていてもよい。蓋３０６は、いくつかの設計において、ハウジング３１０に取り外し可能にまたは永久的に取り付けられてもよい。例えば、蓋は、摩擦（例えば、ねじ切り）、圧縮力（例えば、クランプ）、および／またはねじによって取り付けられてもよい。蓋３０６は、流体入口３８４および流体出口３８８を備えることができる。示されるように、蓋３０６は、蓋３０６の遠位部内に蛇行経路３７４を画定する。流路内にガスが流れるように蓋３０６を構成することができる。
示される固体原料化学物質昇華器３００は、蛇行経路３７４と基部３４０の遠位部との間に配置されるフィルター３９６を備える。いくつかの構成では、フィルター３９６は、流体出口３８８と基部３４０および／またはハウジング３１０の遠位部分との間に配置される。フィルター３９６は、固体化学反応物質の通過を制限するように構成される空隙を有することができる。例えば、フィルター３９６は、約０．０００１ミクロン～約８５ミクロンの空隙を有することができる。いくつかの設計では、空隙は約０．１ミクロン～約４０ミクロンであり、いくつかの設計では約２０ミクロンである。いくつかの構成では、フィルター３９６は、蛇行経路３７４の一部を覆うが、全てではない（蛇行経路を「覆う」または「被覆」提供するために、フィルターは必ずしも蛇行経路の上部に配置される必要がない、および例えば、蛇行経路３７４の下にあることにより、蛇行経路３７４の一部または全部を覆うことができることに留意されたい）。いくつかの構成では、フィルター３９６は蛇行経路３７４の大部分を覆う。いくつかの構成では、フィルター３９６は蛇行経路３７４を覆う。いくつかの構成では、フィルター３９６は蛇行経路３７４の遠位表面に接触する。
フィルター３９６は、蓋３０６の流体入口３８４と流体連通する入口を備えることができる。フィルターの入口は、固体化学反応物質がそこを通過してハウジングに入るように構成されることができる。フィルター入口は、例えばフィルター３９６および／または蓋３０６を取り外すことなく充填を可能にすることにより、固体原料化学物質昇華器３００を固体原料反応物質で容易に充填することができる。
フィルター３９６は、セラミックまたは金属（例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等）のうちの少なくとも一つを含むことができる。フィルター３９６は、厚さの直径に対するアスペクト比が約２５～１０００であるディスクを形成することができる。フィルター３９６は、約２０ｃｍ～５０ｃｍの直径を有することができる。流体入口３８４および／または流体出口３８８の一方または両方は、蛇行経路３７４と流体連通していてもよい。
いくつかの構成では、蓋３０６の遠位の対向部は、フィルター３９６の隣接面に接触する。追加的または代替的に、ハウジング３１０の近位部は、フィルター３９６の遠位表面に接触してもよい。
蛇行経路３７４は、蓋３０６に一つまたは複数の逆平行セグメントおよび／または経路を備えることができる。逆平行セグメントおよび／または経路は、共通の平面に配置されてもよい。蛇行経路３７４は、蓋３０６にフライス加工するか、蓋３０６の一部ではない別個の材料片によって画定されることができる。いくつかの設計では、蛇行経路３７４は、蛇行経路３７４の複数の流路のうちの少なくとも二つの連続する流体経路を連結する横断経路を備える。横断経路は、二つの連続する流路のうちの少なくとも一つに実質的に直交する方向に向けられることができる。
いくつかの実施形態では、ハウジングの近位部は蛇行経路３７４と流体連通するヘッドスペースを備えることができ、キャリアガスはヘッドスペースおよび蛇行経路３７４の化学反応物質によって飽和されることができる。ヘッドスペースは、フィルターまたは蛇行経路が詰まっている間、流路と流体連通したままである場合がある。流体入口３８４および／または流体出口３８８の一方または両方は、流体がそこを流れることができるように構成される対応するバルブを備えることができる（例えば、図１３Ｂを参照）。加えて、または代替として、流体入口３８４および／または流体出口３８８の一方または両方は対応するフィルター３９０、３９２を備えることができ、それを通る微粒子の流れを制限するように構成される。蓋３０６の面は、蛇行経路３７４を備えることができ、面は円形とすることができる。ハウジング３１０は円筒形であってもよく、および／またはフィルターは円形であってもよい。本明細書で使用する場合、「円筒形」、「円形」、および形状の他の説明は、真のユークリッド形状とのわずかな違いを包含することができ、したがって「略円形」および「略円筒形」も含むことができる。
伝熱導管３６０は、伝導性であることができ、熱源と伝導性熱的に連通して配置されることができる。熱源は、一つまたは複数の発熱体、例えば加熱ロッド３６２を備えることができる。加熱ロッド３６２は、おおよそハウジング軸に沿って配置されることができる。例えば、加熱ロッド３６２は、図１２に示すように、伝熱導管３６０内に配置されてもよい。したがって、ハウジング３１０の一部を、加熱ロッド３６２と任意の固体原料反応物質との間に配置したままであり、固体原料反応物質が加熱ロッドに接触しない。これにより、固体原料反応物質との接触および／または加熱ロッド上への固体原料反応物質の堆積によって加熱ロッドが損傷を受けるのを防ぐことができる。別の構成も可能である。例えば、加熱プレートは、基部３４０の遠位に配置されてもよい。加熱プレートは、基部３４０と（例えば、伝導性熱的に連通して）隣接して、または基部３４０の近傍に配置されてもよい。いくつかの構成では、一つまたは複数の発熱体を、ハウジング３１０に隣接して、および／または側壁近傍に配置することができる。
図１３Ａは、固体原料化学物質昇華器３００に備えることができる例示的な蓋３０６を示す。蛇行経路３７４は、そこを通るガスの流れを可能にするように構成されることができる。いくつかの構成では、蛇行経路３７４をフライス加工および／または機械加工して蓋３０６にすることができ、または蓋３０６を蛇行経路３７４を有するように成形することができる。いくつかの実施形態では、蛇行経路３７４は、固体（例えば、鋳造）金属ブロックからフライス加工されることができる。
図１３Ｂに示すように、いくつかの実施形態では、蛇行経路３７４は、流体入口３８４および／または流体出口３８８と流体連通することができる。蛇行経路３７４は、（図示されない）入口弁３９８および／または出口弁と流体連通することができる。いくつかの実施形態では、流体入口３８４は、蛇行経路３７４によって流体出口３８８に流体連通される。
より長い経路長により、固体原料化学物質のガス曝露の表面積を増加させることができることが理解されよう。蓋３０６の蛇行経路３７４は、約２０００ｍｍ～８０００ｍｍの範囲の長さを有することができる。いくつかの実施形態では、蛇行経路３７４は、約３０００ｍｍ～５０００ｍｍの範囲の長さを有することができる。当業者によって理解されるように、固体原料化学物質昇華器３００が占めるであろう体積または設置面積を低減することは有利であることができる。コンパクトな昇華器は、このような設置面積を低減または最小化できる。特定の実施形態では、蓋３０６は、約２５ｍｍ～５０ｍｍの高さを有することができる。特定の構成では、蓋３０６は、約１５ｍｍ～３０ｍｍの高さを有することができる。特定の構成では、蓋３０６は、約４０ｍｍ～８０ｍｍの高さを有することができる。
固体原料化学物質昇華器３００内のおよび／またはそれによって処理される固体原料化学物質のより大きな質量および／または体積は、昇華した反応物質のより大きくスループットをもたらすことができる。更に、これにより、同じ時間でより多くの質量の固体原料化学物質の昇華が可能になる。いくつかの実施形態では、蛇行経路３７４は、約７５０ｇ～２０００ｇの範囲の昇華された固体原料化学物質を含有するように構成されることができる。化学反応物質は、無機固体原料金属、または半導体前駆体、例えばＨｆＣｌ４、ＺｒＣｌ４、ＡｌＣｌ３、またはＳｉＩ４を含むことができる。蓋３０６が処理を助けることができるより長い経路長および／または固体原料化学物質のより大きな質量は、同じ時間で（図示されない）堆積チャンバーへより多くの前駆体をもたらすことができる。場合によっては、より長い経路長および／または固体原料化学物質のより大きな質量により、同じ時間で実現できる昇華される前駆体の濃度を増加させることができる。いくつかの実施形態では、蛇行経路は、昇華の温度および圧力で昇華される前駆体の飽和を実現するのに有効な長さを有する。いくつかの実施形態では、二つの連続する蒸気プロセス間の経過時間（例えば、パルス／パージの長さ）は、約１００ミリ秒～３秒間とすることができる。いくつかの実施形態では、経過時間は、約３０ミリ秒～１．５秒間とすることができる。いくつかの実施形態では、蛇行経路３７４の体積または容量（ｍｍ３）の、蓋３０６の全経路長（ｍｍ）に対する比は、約４００～１２００の範囲であることができる。これらの範囲は、容器固有の制限、使用される材料、および空間の制限によってある程度決定されることができる。
図１３Ｂは、例示的な固体原料化学物質昇華器３００の断面詳細図を例示する。特定の構成では、蓋３０６の蛇行経路３７４は、凹部の高さ３７０および凹部の幅３７２を有することができる。いくつかの実施形態では、凹部の高さ３７０は約１０ｍｍ～５０ｍｍとすることができる。いくつかの実施形態では、凹部の高さ３７０は約２０ｍｍ～４０ｍｍとすることができる。いくつかの実施形態では、凹部の幅３７２は約３．０ｍｍ～２０ｍｍとすることができる。いくつかの実施形態では、凹部の幅３７２は約５ｍｍ～８ｍｍとすることができる。いくつかの実施形態では、凹部の高さ３７０および凹部の幅３７２は、高さ：幅のアスペクト比を３～７に規定することができる。いくつかの実施形態では、凹部の高さ３７０および凹部幅３７２は、高さ：幅のアスペクト比を４．０～５．５に規定することができる。
図１４は、複数の熱伝導性突出部３６４を示す例示的な固体原料化学物質昇華器３００を示す。固体原料化学物質昇華器３００は、ハウジング軸に沿って配置される熱伝導性伝熱導管３６０を備えることができる。複数の熱伝導性突出部３６４は、示すように伝導性伝熱導管３６０の周りに放射状に配置されることができる。別の構成も可能である。伝導性突出部３６４は、概ね平坦であることができ、表面積（ｍｍ２）の体積（ｍｍ３）に対する高い（例えば、１０より大きい、２０より大きい、２５より大きい）比を有することができる。ハウジング３１０の遠位部は、固体化学反応物質を保持し、伝導性伝熱導管３６０がその間に配置されるように構成されてもよい。上記のように、伝導性伝熱導管３６０は、熱源と伝導性熱的に連通して配置されることができる。固体原料化学物質昇華器３００は、少なくとも三つ、五つ、六つ、七つ、八つ、九つ、またはそれより多い伝導性突出部３６４を備えることができる。伝導性突出部３６４は、ハウジングの遠位部（例えば、側壁、基部３４０）から延在してもよい。伝導性突出部３６４は、ハウジング軸から放射状に間隔を空けて配置されることができる。追加的または代替的に、伝導性突出部３６４は、ハウジングの遠位部から軸方向に延在することができる。軸方向に延在する伝導性突出部３６４の数は、三つ、四つ、五つ、六つ、七つ、八つ、九つ、またはそれより多くてもよく、各々は、互いに放射状に間隔を空けて配置されることができる。例えば、八つの伝導性突出部３６４がある場合、八つの伝導性突出部は、任意の二つの隣接する伝導性突出部の間に約４５度の角度で配置されることができる。例えば、六つの伝導性突出部３６４がある場合、六つの伝導性突出部は、任意の二つの隣接する伝導性突出部の間に約６０度の角度で配置されることができる。
伝導性突出部３６４は、固体原料化学反応物質への分散されたおよび／または制御された熱流を支援することができる。この制御された熱流により、反応物質全体に流れる未詳の温度の流れを抑制または防止することができる。熱モデリングにより、（図１５に示すような）放射状に分布した八つの伝導性突出部３６４を備える構成により、固体原料化学反応物質において効率的かつ均一な熱流を実現できるため、ハウジング３１０内の固体原料化学反応物質全体で効率的な昇華が得られることが示される。いくつかの構成では、伝導性突出部３６４はアクティブなヒーターではないが、基部３４０の下にあるアクティブな発熱体（例えば、加熱ロッド３６２、および／またはベースプレートヒーター）からの熱の伝導体として機能する。
伝導性突出部３６４は、ハウジング３１０および／または基部３４０の遠位部と熱的に連通していてもよい。ハウジングは、発熱体（例えば、加熱ロッド３６２）がその中に挿入されるように構成される受け部を備えることができる。受け部は、ほぼ長手方向であってもよく、ハウジング３１０の軸方向長さの大部分が軸方向に延在するように構成されてもよい。受け部は、挿入時に発熱体がハウジングの外部にあるように配置されてもよい（したがって、挿入時に発熱体が固体原料化学物質に接触しない）。
固体原料化学物質昇華器は、様々な寸法を有することができる。例えば、いくつかの構成では、軸方向の長さの直径に対するアスペクト比が約２０～０．５である。別の構成も可能である。
図１５は、一構成に従って、伝熱導管３６０、伝導性突出部３６４、および基部３４０が組み立てられる方法を示す。示すように、八つの伝導性突出部３６４を備え、各伝導性突出部３６４は、伝熱導管３６０と熱的に連通し、それぞれはそこから放射状に延びる。更に、示すように、伝導性突出部３６４のそれぞれは、基部３４０と熱的に連通していてもよい。
図１６は、一つまたは複数のレゾネーター３８０を備える例示的な固体原料化学物質昇華器３００の態様を示す。レゾネーター３８０は、反応物質をキャリアガスと有利に混合することができ、したがって、レゾネーター３８０がない原料容器よりも高い濃度の昇華された前駆体を実現することができる。追加的または代替的に、レゾネーター３８０は固体原料反応物質の固化を抑制または防止するのに役立つことができる。いくつかの構成では、固化の抑制または防止は、固体原料反応物質を混合または撹拌することにより実現される。例えば、いくつかの構成は、流れるキャリアガスと、ハウジング３１０内の固体反応物質の気化から形成される反応物蒸気との混合を促進する構造的形体（例えば、レゾネーター３８０）をハウジング３１０内に備える。レゾネーター３８０は、例えば基部３４０から延在する垂直（例えば、軸方向）延長部であってもよい。（図示されない）特定の構成では、レゾネーター３８０は、特にハウジング３１０の高さの下側約１／３で、ハウジング３１０の側壁から水平に延在する延長部であることができる。レゾネーター３８０は、ハウジング３１０の遠位部に配置されてもよい。レゾネーター３８０のうちの一つまたは複数は、ハウジング軸の周りに放射状に配置される延長部を備えることができる。レゾネーター３８０は、例えば振動および／または回転により、ハウジング内の固体化学反応物質を撹拌するように構成されることができる。
別の実施形態
説明のために、いくつかの非限定的な構成例を以下に示す。
第１のオプションでは、固体原料化学物質昇華器は、内部空間および内部空間に面する内面を有するハウジングと、第一の端部および第二の端部を有するフィルターであって、フィルターは固体化学反応物質の通過を制限するように構成される空隙を有し、フィルターはフィルターと内面との間の空間でフィルターを囲む流路を画定するように成形され配置される、フィルターと、フィルターとハウジングの内面との間に画定される一つまたは複数の流路であって、一つまたは複数の流路はフィルターの第一の端部から第二の端部への流体の流れを可能にするように構成される一つまたは複数の流路と、を備える。
第２のオプションでは、フィルターを支持するように構成されるフィルターフレームを更に備えるオプション１の固体原料化学物質昇華器。
第３のオプションでは、上に化学反応物質を受け入れるように構成される基部を更に備え、フィルターフレームは基部上に固定され、フィルターフレームはハウジング内に配置されるように構成される、オプション２の固体原料化学物質昇華器。
第４のオプションでは、フィルターの空隙は、内部から流路への固体化学反応物質の通過をキャリアガスによる流路内の化学反応物質の昇華速度よりも実質的に速くない移動速度に制限するように構成される、オプション１～３のいずれかの固体原料化学物質昇華器。
第５のオプションでは、ハウジング内にフィルターフレームを更に備え、フィルターフレームはフィルターの位置を制限する、オプション１～４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。の固体原料化学物質昇華器。
第６のオプションでは、流路が、フィルターの外面、ハウジングの内面、またはその両方の周りに周方向に配置される、オプション１～５のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第７のオプションでは、流路はハウジングの内面内に配置される凹部によって少なくとも部分的に形成される、オプション１～６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第８のオプションでは、流路は、フィルター内に配置される凹部によって少なくとも部分的に形成される、オプション１～７のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第９のオプションでは、流路はハウジングの周囲を複数回横断する曲がりくねった経路を備える、オプション１～８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０のオプションでは、流路はハウジングの内面の周りにらせん経路を備える、オプション１～９のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１のオプションでは、流路は複数の流路を備え、横断経路は複数の流路のうちの少なくとも二つの連続する流路と連結する、オプション１～１０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２のオプションでは、横断経路は、二つの連続する流路のうちの少なくとも一つに実質的に直交する方向に向けられる、オプション１１に記載の固体原料化学物質昇華器。
第１３のオプションでは、フィルターの空隙は、第一の温度で反応物質がそれを通過するのを防ぎ、第二の温度で反応物質がそれを通過することを可能にするように構成される、オプション１～１２のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１４のオプションでは、第二の温度は第一の温度よりも高い、オプション１３に記載の固体原料化学物質昇華器。
第１５のオプションでは、第二の温度は３５℃～２００℃である、オプション１１～１４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１６のオプションでは、フィルターはセラミックまたは金属のうちの少なくとも一つを含む、オプション１～１５のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１７のオプションでは、フィルターは高さの直径に対するアスペクト比が約１～４で規定される、オプション１～１６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１８のオプションでは、フィルターは約２５ｃｍ～１２０ｃｍの高さを有する、オプション１～１７のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１９のオプションでは、フィルターは約２０ｃｍ～５０ｃｍの直径を有する、オプション１～１８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２０のオプションでは、流路はリングである、オプション１～１９のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２１のオプションでは、流路は、基部と流体連通するように構成される、オプション１～２０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２２のオプションでは、フィルターフレームは、フレーム壁と、その上に形成される複数の隆起部とを備え、隆起部は流路の少なくとも一部を画定する、オプション２～２１のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２３のオプションでは、複数の隆起部がフィルターの外面に形成され、隆起部は流路の少なくとも一部を画定する、オプション１～２１のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２４のオプションでは、ハウジングは、流体入口と流体出口とを備え、流体入口および流体出口はそれぞれ流路と流体連通する、オプション１～２３のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２５のオプションでは、内部と熱的に連通する一つまたは複数の発熱体を更に備える、オプション１～２４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２６のオプションでは、一つまたは複数の発熱体は、基部と熱接触して配置される加熱プレートを備える、オプション２５に記載の固体原料化学物質昇華器。
第２７のオプションでは、一つまたは複数の発熱体は、加熱ロッドおよび加熱プレート、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される、オプション２３～２６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第２８のオプションでは、基部は、加熱ロッドが中に挿入されるように構成される受け部を備える、オプション２７に記載の固体原料化学物質昇華器。
第２９のオプションでは、内部は、流路と更に流体連通するヘッドスペースを備え、それにより、キャリアガスは、ヘッドスペースおよび流路内の化学反応物質によって飽和されることができる、オプション１～２８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第３０のオプションでは、フィルターの目詰まりの間、ヘッドスペースは流路と流体連通したままである、オプション２９に記載の固体原料化学物質昇華器。
第３１のオプションでは、ハウジングは円筒形状である、オプション１～３０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第３２のオプションでは、固体原料化学物質昇華器は、内部空間と、内部空間に面する内面とを有するハウジングであって、内部空間は、その中に化学反応物質を受け入れるように構成される、ハウジングと、第一および第二の端部を有するフィルターフレームであって、フィルターフレームは固体化学反応物質を抑制するためのフィルターを支持するように構成され、フィルターフレームおよびフィルターは内部空間内に配置されるように構成される、フィルターフレームと、少なくともハウジング内のフィルターフレームの配置中に、フィルターフレームとハウジングの内面との間に画定される環内に画定される一つまたは複数の流路と、を備える。
第３３のオプションでは、フィルターを更に備え、フィルターは、それを通る化学反応物質の通過を制限するように構成される、オプション３２に記載の固体原料化学物質昇華器。
第３４のオプションでは、上に化学反応物質を受け入れるように構成される基部を更に備え、フィルターフレームは基部上に固定される、オプション３２～３３のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第３５のオプションでは、フィルターの空隙は、内部から流路への化学反応物質の通過を、キャリアガスによる流路内の化学反応物質の昇華速度よりも実質的に大きくない移動速度に制限するように構成される、オプション３３～３４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第３６のオプションでは、一つまたは複数の流路は、フィルターフレームの外側の周りに配置される、オプション３２～３５のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第３７のオプションでは、一つまたは複数の流路は、フィルターフレーム、ハウジングの内面、またはその両方の周りに周方向に配置される、オプション３２～３６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第３８のオプションでは、一つまたは複数の流路は、ハウジング内に配置される凹部によって少なくとも部分的に形成される、オプション３２～３７のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第３９のオプションでは、一つまたは複数の流路は、フィルターフレーム内に配置される凹部によって少なくとも部分的に形成される、オプション３２～３８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４０のオプションでは、一つまたは複数の流路のうちの少なくとも一つのピッチは約ゼロである、オプション３２～３９のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４１のオプションでは、一つまたは複数の流路のうちの少なくとも一つのピッチはゼロより大きい、オプション３２～４０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４２のオプションでは、一つまたは複数の流路のうちの少なくとも一つはらせんである、オプション３２～４１のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４３のオプションでは、一つまたは複数の流路は複数の流路を備え(ｔｈｅ ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ ｆｌｕｉｄ ｐａｔｈｓ ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ ａ ｐｌｕｒａｌｉｔｙ ｏｆ ｆｌｕｉｄ ｐａｔｈｓ)、横断経路は複数の流路のうちの少なくとも二つの連続する流路と連結する、オプション３２～４２のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４４のオプションでは、横断経路は、二つの連続する流路のうちの少なくとも一つに実質的に直交する方向に向けられる、オプション４３に記載の固体原料化学物質昇華器。
第４５のオプションでは、フィルターの空隙は、第一の温度で反応物質がそれを通過するのを防ぎ、第二の温度で反応物質がそれを通過することを可能にするように構成される、オプション３２～４４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４６のオプションでは、第二の温度は第一の温度よりも高い、オプション４５に記載の固体原料化学物質昇華器。
第４７のオプションでは、第二の温度は３５℃～２００℃である、オプション３２～４６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４８のオプションでは、フィルターはセラミックまたは金属のうちの少なくとも一つを含む、オプション３２～４７のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第４９のオプションでは、フィルターフレームは高さの直径に対するアスペクト比が約１～４で規定される、オプション３２～４８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５０のオプションでは、フィルターフレームは約２５ｃｍ～１２０ｃｍの高さを有する、オプション３２～４９のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５１のオプションでは、フィルターフレームは約２０ｃｍ～５０ｃｍの直径を有する、オプション３２～５０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５２のオプションでは、一つまたは複数の流路はリングである、オプション３２～５１のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５３のオプションでは、一つまたは複数の流路は、基部と流体連通するように構成される、オプション３２～５２のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５４のオプションでは、フィルターフレームは、フレーム壁と、その上に形成される複数の隆起部とを備え、隆起部は流路の少なくとも一部を画定する、オプション３２～５３のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５５のオプションでは、複数の隆起部がフィルターフレームの外面に形成され、隆起部は流路の少なくとも一部を画定する、オプション３２～５４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５６のオプションでは、ハウジングは、流体入口と流体出口とを備え、流体入口および流体出口はそれぞれ一つまたは複数の流路と流体連通する、オプション３２～５５のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５７のオプションでは、内部に少なくとも部分的に配置される一つまたは複数の発熱体を更に備える、オプション３２～５６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第５８のオプションでは、一つまたは複数の発熱体は、基部と熱接触して配置される加熱プレートを備える、オプション５７に記載の固体原料化学物質昇華器。
第５９のオプションでは、一つまたは複数の発熱体は加熱ロッドを備える、オプション２３～５８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第６０のオプションでは、基部は、加熱ロッドが中に挿入されるように構成される受け部を備える、オプション５９に記載の固体原料化学物質昇華器。
第６１のオプションでは、内部は、流路と更に流体連通するヘッドスペースを備え、それにより、キャリアガスは、ヘッドスペースおよび流路内の化学反応物質によって飽和されることができる、オプション３２～６０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第６２のオプションでは、フィルターの目詰まりの間、ヘッドスペースは流路と流体連通したままである、オプション６１に記載の固体原料化学物質昇華器。
第６３のオプションでは、ハウジングは円筒形状である、オプション３２～６２のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第６４のオプションでは、フィルターインサートは、第一の端部と第二の端部とを有するフィルターフレームであって、フィルターフレームは少なくとも部分的に内部を画定する、フィルターフレームと、固体化学反応物質の通過を制限するように構成される空隙を有するフィルターであって、フィルターフレームおよびフィルターはハウジング内に収容されるように構成され、フィルターは、内部と、フィルターフレームとハウジングの内部表面との間に流路を画定する一つまたは複数のチャネルとの間に配置される、フィルターと、を備える。
第６５のオプションでは、フィルターフレームは、円筒形状である、オプション６４に記載のフィルターインサート。
第６６のオプションでは、一つまたは複数のチャネルは、フィルターフレームの外側の周りに配置される、オプション６４～６５のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第６７のオプションでは、一つまたは複数のチャネルは、フィルターフレームの周りに周方向に配置される、オプション６４～６６のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第６８のオプションでは、一つまたは複数のチャネルのうちの少なくとも一つのピッチは約ゼロである、オプション６４～６７のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第６９のオプションでは、一つまたは複数のチャネルのうちの少なくとも一つのピッチはゼロより大きい、オプション６４～６８のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７０のオプションでは、一つまたは複数のチャネルは複数のチャネルを備え、横断チャネルは複数のチャネルのうちの少なくとも二つの連続する凹部と連結する、オプション６４～６９のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７１のオプションでは、横断凹部は、二つの連続するチャネルのうちの少なくとも一つに実質的に直交する方向に向けられる、オプション７０に記載のフィルターインサート。
第７２のオプションでは、フィルターの空隙は、第一の温度で反応物質がそれを通過するのを防ぎ、第二の温度で反応物質がそれを通過することを可能にするように構成される、オプション６４～７１のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７３のオプションでは、第二の温度は第一の温度よりも高い、オプション７２に記載のフィルターインサート。
第７４のオプションでは、第二の温度は３５℃～２００℃である、オプション３８～７３のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７５のオプションでは、フィルターはセラミックまたは金属のうちの少なくとも一つを含む、オプション６４～７４のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７６のオプションでは、フィルターフレームは高さの直径に対するアスペクト比が約１～４で規定される、オプション６４～７５のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７７のオプションでは、フィルターフレームは約２５ｃｍ～１２０ｃｍの高さを有する、オプション６４～７６のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７８のオプションでは、フィルターフレームは約２０ｃｍ～５０ｃｍの直径を有する、オプション６４～７７のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第７９のオプションでは、一つまたは複数のチャネルはリングである、オプション６４～７８のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８０のオプションでは、一つまたは複数の流路は、基部と流体連通するように構成される、オプション６４～７９のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８１のオプションでは、フィルターフレームは、フレーム壁とその上に形成される複数の隆起部とを備える、オプション６４～８０のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８２のオプションでは、フィルターフレームは、一つまたは複数の凹部と流体連通する流体入口および流体出口のうちの少なくとも一つを備える、オプション６４～８１のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８３のオプションでは、チャネルは凹部および／または隆起部を備える、オプション６４～８２のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８４のオプションでは、フィルターの空隙は、内部から流路への化学反応物質の通過を、キャリアガスによる流路内の化学反応物質の昇華速度よりも実質的に大きくない移動速度に制限するように構成される、オプション６４～８３のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８５のオプションでは、一つまたは複数のチャネルは、ハウジングの内表面に形成される、オプション６４～８４のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８６のオプションでは、一つまたは複数のチャネルは、フィルターフレームに形成される、オプション６４～８５のいずれか一つに記載のフィルターインサート。
第８７のオプションでは、堆積モジュールは、オプション１～６３のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器と、基材上に材料を堆積させるための気相反応チャンバーと、を備え、固体原料化学物質昇華器は気相反応チャンバーに供給するように構成される。
第８８のオプションでは、気相反応チャンバーを作動させて原子層堆積（ＡＬＤ）を実行するように構成される制御プロセッサおよびソフトウェアを更に備える、オプション８７に記載の堆積モジュール。
第８９のオプションでは、気相反応チャンバーを作動させて化学気相堆積（ＣＶＤ）を実行するように構成される制御プロセッサおよびソフトウェアを更に備える、オプション８７に記載の堆積モジュール。
第９０のオプションでは、堆積モジュール内に昇華された前駆体を供給する方法は：気相反応チャンバーに供給するために固体原料化学物質昇華器を連結することであって、固体原料化学物質昇華器はハウジングと、フィルターと、ハウジングとフィルターとの間に配置される流路であって、流路は固体原料化学物質昇華器の化学反応物質と流体連通する流路と、を備え、前記連結することは、気相反応チャンバーと流体連通する流路を配置する、連結することと、固体原料化学物質昇華器を作動温度に加熱することであって、化学反応物質は加熱され、フィルターを通過して流路に到達する、加熱することと、キャリアガスを流路に沿って流すことであって、昇華された化学反応物質が流路内でキャリアガスと混合する、キャリアガスを流すことと、を含む。
第９１のオプションでは、固体原料化学物質昇華器は、オプション１～６３のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器を備える、オプション９０に記載の方法。
第９２のオプションでは、化学反応物質の量を固体原料化学物質昇華器内に供給することを更に含む、オプション９０～９１のいずれか一つに記載の方法。
第９３のオプションでは、運転温度は５０℃～２５０℃の範囲である、オプション９０～９２のいずれか一つに記載の方法。
第９４のオプションでは、気相反応チャンバー内の基材上に材料を堆積させることを更に含む、オプション９０～９３のいずれか一つに記載の方法。
第９５のオプションでは、材料を堆積させることは原子層堆積（ＡＬＤ）を含む、オプション９４に記載の方法。
第９６のオプションでは、流路内でのキャリアガスによる化学反応物質の昇華の速度は、内部から流路への化学反応物質の移動速度より実質的に小さくないように、キャリアガスの流量を設定することを更に含む、オプション９０～９５のいずれか一つに記載の方法。
第９７のオプションでは、材料を堆積させることは化学気相堆積（ＣＶＤ）を含む、オプション９６に記載の方法。
第９８のオプションでは、化学反応物質は、塩化ハフニウム、酸化ハフニウム、および二酸化ジルコニウムからなる群から選択される、固体原料化学物質昇華器、フィルターインサート、堆積モジュール、または上記オプションのいずれか一つに記載の方法。
第９９のオプションでは、固体原料化学物質昇華器は、近位部と遠位部とを備えるハウジングであって、ハウジングはハウジングの長さに沿って延在するハウジング軸を有し、遠位部はその中に固体化学反応物質を保持するように構成される、ハウジングと、ハウジングの近位部に配置される蓋であって、蓋は流体入口と流体出口とを備え、蓋は蓋の遠位部内に蛇行流路を画定し、蓋は、流路内にガスが流れるように構成され、ハウジング軸は蓋の平面に垂直である、蓋と、蛇行流路とハウジングの遠位部との間に配置されるフィルターであって、フィルターは、固体化学反応物質の通過を制限するように構成される空隙を有する、フィルターと、を備える。
第１００のオプションでは、遠位部は、ハウジング軸に沿って配置される熱伝導性導管と、二つ以上の熱伝導性突出部と、を備え、伝導性突出部は、伝導性導管と熱的に連通し、伝導性導管の周りに放射状に配置され、これにより、ハウジングの遠位部は、固体化学反応物質を保持し、伝導性突出部がその間に配置されるように構成され、伝導性導管は、熱源と伝導性熱的に連通して配置されるように構成される、オプション９９の固体原料化学物質昇華器。
第１０１のオプションでは、二つ以上の伝導性突出部は、少なくとも六つの伝導性突出部を備える、オプション１００の固体原料化学物質昇華器。
第１０２のオプションでは、ハウジングは円筒形状であり、フィルターは円形である、オプション９９～１０１のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０３のオプションでは、フィルターは、蓋の流体入口と流体連通する入口を備え、フィルターの入口は、固体化学反応物質がそこを通ってハウジング内に入ることができるように構成される、オプション９９～１０２のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０４のオプションでは、蓋の遠位の対向部はフィルターの近位面に接触し、ハウジングの近位部はフィルターの遠位表面に接触する、オプション９９～１０３のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０５のオプションでは、流路は複数の流路を備え、横断経路は複数の流路のうちの少なくとも二つの連続する流路と連結する、オプション９９～１０４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０６のオプションでは、横断経路は、二つの連続する流路のうちの少なくとも一つに実質的に直交する方向に向けられる、オプション１０５に記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０７のオプションでは、フィルターはセラミックまたは金属のうちの少なくとも一つを含む、オプション９９～１０６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０８のオプションでは、フィルターは厚さの直径に対するアスペクト比が約２５～１０００であるディスクを備える、オプション９９～１０７のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１０９のオプションでは、フィルターは約２０ｃｍ～５０ｃｍの直径を有する、オプション９９～１０８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１０のオプションでは、流体入口および流体出口はそれぞれ流路と流体連通している、オプション９９～１０９のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１１のオプションでは、二つ以上の伝導性突出部は、ハウジングの遠位部と熱的に連通している、オプション１００～１１０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１２のオプションでは、一つまたは複数の発熱体は、ハウジングと熱接触して配置される加熱プレートを備える、オプション１１１に記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１３のオプションでは、一つまたは複数の発熱体は、加熱ロッドおよび加熱プレート、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される、オプション１１１～１１２のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１４のオプションでは、ハウジングは、加熱ロッドが中に挿入されるように構成される受け部を備える、オプション１１３に記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１５のオプションでは、受け部は概ね長手方向であり、ハウジング軸方向長さの大部分が軸方向に延在するように構成される、オプション１１４に記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１６のオプションでは、ハウジングの近位部は、流路と更に流体連通するヘッドスペースを備え、これによりキャリアガスは、ヘッドスペースおよび流路内の化学反応物質によって飽和されることができる、オプション９９～１１５のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１７のオプションでは、ヘッドスペースは、フィルターを通過することなく流路と流体連通したままであり、これによりフィルターの目詰まりの間、ヘッドスペースは流路と流体連通したままである、オプション１１６に記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１８のオプションでは、入口、出口、またはその両方は、流体が通過できるように構成される対応する弁を備える、オプション９９～１１７のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１１９のオプションでは、入口、出口、またはその両方は、微粒子が通る流れを制限するように構成される対応するフィルターを備える、オプション９９～１１８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２０のオプションでは、蓋の面は流路を備え、面は円形である、オプション９９～１１９のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２１のオプションでは、昇華器は軸方向の長さの直径に対するアスペクト比が約２０～０．５である、オプション９９～１２０のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２２のオプションでは、二つ以上の伝導性突出部は、ハウジングの遠位部から延在する、オプション１００～１２１のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２３のオプションでは、二つ以上の伝導性突出部は、ハウジング軸から放射状に間隔を空けている、オプション１２２の固体原料化学物質昇華器。
第１２４のオプションでは、二つ以上の伝導性突出部は、ハウジングの遠位部から放射状に延在する、オプション１２２～１２３のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２５のオプションでは、二つ以上の伝導性突出部は、半径方向に互いに間隔を空けた少なくとも三つの突出部を備える、オプション１２２～１２４のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２６のオプションでは、ハウジングの遠位部に配置されるレゾネーターを更に備え、レゾネーターはハウジング軸の周りに放射状に配置される延長部を備え、レゾネーターはハウジング内の固体化学反応物質を撹拌するように構成される、オプション９９～１２５のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２７のオプションでは、流路は、平面内に複数の逆平行セグメントを備える、オプション９９～１２６のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２８のオプションでは、フィルターは、流体出口とハウジングの遠位部との間に配置される、オプション１～１２７のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１２９のオプションでは、フィルターは流路の大部分を覆う、オプション１～１２８のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器。
第１３０のオプションでは、オプション９９～１２９のいずれか一つに記載の固体原料化学物質昇華器を用いて固体前駆体を昇華させる方法。
他の考察
前述の明細書では、その特定の実施形態を参照して本発明を説明した。しかし、本発明の広い趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更がそれになされることができることは明らかであろう。したがって、明細書と図面は、制限的な意味ではなく、例示的な意味にみなされるべきである。
実際、本開示のシステムおよび方法はそれぞれいくつかの革新的な態様を有し、そのうちの単一の態様が本明細書に開示された望ましい属性に対して単独で責任を負うまたは必要とされるものではないことが理解されよう。上記の様々な特徴およびプロセスは、互いに独立して使用されることができ、または様々な方法で組み合わされることができる。全ての可能な組み合わせおよび部分的組み合わせは、本開示の範囲内に含まれることが意図される。
別々の実施形態に関連して本明細書に記載されている特定の特徴はまた、単一の実施形態に組み合わせて実施されてもよい。逆に、単一の実施形態に関連して説明される様々な特徴も、別々に、または任意の好適な部分的組合せで複数の実施形態で実施されてもよい。更に、特徴は特定の組み合わせで機能するものとして上記で説明され、最初はそのように特許請求される場合があるが、特許請求される組み合わせからの一つまたは複数の特徴は、場合により組み合わせから削除されることができ、特許請求される組み合わせは、部分的組合せまたは部分的組み合わせの変形を対象としてもよい。単一の特徴も特徴の群も、あらゆる実施形態に必要でも不可欠でもない。
本明細書で使用される条件付き言語、例えば特に「できる（ｃａｎ）」、「できるであろう（ｃｏｕｌｄ）」、「かもしれない（ｍｉｇｈｔ）」、「してもよい（ｍａｙ）」、「例えば」等は、特に記載のない限り、または使用中の文脈内で理解されている場合を除き、特定の実施形態は特定の特徴、要素および／または工程を含むが、他の実施形態は含まないことを伝えることを一般的に意図していることが理解されよう。したがって、このような条件付き言語は、特徴、要素、および／もしくは工程が一つもしくは複数の実施形態になんらかの形で必要とされること、または
一つもしくは複数の実施形態は、著者の入力もしくは指示の有無にかかわらず、これらの特徴、要素および／もしくは工程が任意の特定の実施形態に含まれるか実行されるかを決定するためのロジックを必ず含むことを示唆することを一般的に意図していない。用語「備える」、「含む」、「有する」等は同義語であり、包括的に、オープンエンド様式で使用され、追加の要素、特徴、工程、操作等を除外しない。また、用語「または」は包括的な意味で使用され（および排他的な意味で使用されない）ため、例えば要素のリストを連結するために使用される場合、用語「または」はリスト内の要素の一つ、いくつか、または全てを意味する。更に、本出願および添付の特許請求の範囲で使用される冠詞「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、特に明記しない限り、「一つまたは複数」または「少なくとも一つ」を意味すると解釈されるべきである。同様に、操作は特定の順序で図面に描かれてもよいが、このような操作は、示されている特定の順序または連続した順序で実行される必要がない、または望ましい結果を達成するために例示される全ての操作が実行されることを認識されるべきである。更に、図面は、フローチャートの形式でもう一つの例示的なプロセスを概略的に示すことができる。しかし、図示されていない他の操作は、概略的に例示されている例示的な方法およびプロセスに組み込まれてもよい。例えば、一つまたは複数の追加の操作が、例示される操作のいずれかの前、後、同時、または間に実行されてもよい。更に、別の実施形態では、操作を再編成または並べ替えることができる。特定の状況では、マルチタスクと並列処理が有利な場合がある。更に、上記の実施形態における様々なシステムの構成要素の分離は、全ての実施形態においてこのような分離を必要とするものとして理解されるべきではなく、記載された構成要素およびシステムは、一般的に、単一の製品に一緒に統合されるか、または複数の製品にパッケージ化されてもよい（例えば、ハウジングおよび基部を備えるフィルターインサートならびに原料容器）ことは言うまでもない。更に、他の実施形態は、以下の特許請求の範囲内にある。場合によっては、特許請求の範囲に記載されている工程を異なる順序で実行してもよく、更に望ましい結果を得ることができる。
したがって、特許請求の範囲は、本明細書に示される実施形態に限定されることを意図されるものではなく、本開示、本明細書に開示される原理および特徴と一致する最も広い範囲に一致する。例えば、本開示内の多くの例は、半導体製造のための堆積チャンバーに供給するための固体原料から蒸気を供給することに関して提供されているが、本明細書で説明される特定の実施形態は、多種多様な他の用途および／または多数の他の状況で実施されることができる。

Claims (20)

  1. 固体原料化学物質昇華器であって、
    近位部と遠位部とを備えるハウジングであって、前記ハウジングは、前記ハウジングの長さに沿って延在するハウジング軸を有し、前記遠位部は、その中に固体化学反応物質を保持するように構成される、ハウジングと、
    前記ハウジングの前記近位部に配置される蓋であって、前記蓋は流体入口と流体出口とを備え、前記蓋は前記蓋の前記ハウジング側の部分内に蛇行流路を画定し、前記蓋は前記流路内にガスが流れるように構成され、前記ハウジング軸は前記蓋の平面に垂直である、蓋と、
    前記蛇行流路と前記ハウジングの前記遠位部との間に配置されるフィルターであって、前記フィルターは、固体化学反応物質の通過を制限するように構成される空隙を有する、フィルターと、を備える、固体原料化学物質昇華器。
  2. 前記遠位部は、
    前記ハウジング軸に沿う熱伝導性導管と、
    二つ以上の熱伝導性突出部と、を備え、前記伝導性突出部は、前記伝導性導管と熱的に連通し、前記伝導性導管の周りに放射状に配置され、これにより、前記ハウジングの前記遠位部は、固体化学反応物質を保持し、前記伝導性突出部がその間に配置されるように構成され、
    前記伝導性導管は、熱源と伝導性熱的に連通して配置されるように構成される、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  3. 前記二つ以上の伝導性突出部は、少なくとも六つの伝導性突出部を備える、請求項２に記載の固体原料化学物質昇華器。
  4. 前記ハウジングは円筒形状であり、前記フィルターは円形である、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  5. 前記フィルターは、前記蓋の流体入口と流体連通する入口を備え、前記フィルターの前記入口は、固体化学反応物質がそこを通って前記ハウジング内に入ることができるように構成される、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  6. 前記蓋の前記ハウジング側の部分は、前記フィルターの前記蓋に対向する面に接触し、前記ハウジングの前記近位部は、前記フィルターの前記ハウジングに対向する面に接触する、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  7. 前記フィルターはセラミックまたは金属のうちの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  8. 前記フィルターは厚さの直径に対するアスペクト比が２５～１０００であるディスクを備える、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  9. 前記流体入口および流体出口はそれぞれ前記流路と流体連通している、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  10. 前記二つ以上の伝導性突出部は、前記ハウジングの前記遠位部と熱的に連通している、請求項２に記載の固体原料化学物質昇華器。
  11. 固体原料化学物質昇華器は、ハウジング軸に沿って配置される一つまたは複数の発熱体を備え、
    一つまたは複数の前記発熱体は、前記ハウジングと熱接触して配置される加熱プレートを備える、請求項１０に記載の固体原料化学物質昇華器。
  12. 前記入口、前記出口、またはその両方は、流体が通過できるように構成される対応する弁を備える、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  13. 前記入口、前記出口、またはその両方は、微粒子が通る流れを制限するように構成される対応するフィルターを備える、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  14. 前記蓋の面は前記流路を備え、前記面は円形である、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  15. 前記二つ以上の伝導性突出部は、前記ハウジングの前記遠位部から延在する、請求項２に記載の固体原料化学物質昇華器。
  16. 前記二つ以上の伝導性突出部は、前記ハウジング軸から放射状に間隔を空けている、請求項１５に記載の固体原料化学物質昇華器。
  17. 前記二つ以上の伝導性突出部は、前記ハウジングの前記遠位部から軸方向に延在する、請求項１５に記載の固体原料化学物質昇華器。
  18. 前記ハウジングの前記遠位部に配置されるレゾネーターを更に備え、前記レゾネーターは前記ハウジング軸の周りに放射状に配置される延長部を備え、前記レゾネーターは前記ハウジング内の固体化学反応物質を撹拌するように構成される、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  19. 前記流路は、平面内に蛇行形状を備える、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
  20. 前記フィルターは、前記流体出口と前記ハウジングの前記遠位部との間に配置される、請求項１に記載の固体原料化学物質昇華器。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
US11634812B2 (en) * 2018-08-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Solid source sublimator
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
TW202028495A (zh) 2018-12-21 2020-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202111420A (zh) 2019-05-22 2021-03-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
US11366379B2 (en) 2019-05-22 2022-06-21 Applied Materials Inc. Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer
US11275303B2 (en) 2019-05-22 2022-03-15 Applied Materials Inc. Extreme ultraviolet mask absorber matertals
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
US11644741B2 (en) 2020-04-17 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11578406B2 (en) 2020-12-08 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
CN218596506U (zh) * 2021-02-26 2023-03-10 恩特格里斯公司 用于可汽化固体源材料的汽化器容器
US11584990B2 (en) 2021-07-02 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Bottom fed sublimation bed for high saturation efficiency in semiconductor applications

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010506429A (ja) 2006-10-10 2010-02-25 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 前駆体送出システム
JP2012052226A (ja) 2010-08-09 2012-03-15 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 送達装置およびその使用方法
JP2015038252A (ja) 2012-05-27 2015-02-26 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ フィルタを有する容器

Family Cites Families (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1544174A1 (de) 1966-12-17 1970-07-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
US4393013A (en) 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US4436674A (en) 1981-07-30 1984-03-13 J.C. Schumacher Co. Vapor mass flow control system
DE3339625A1 (de) 1983-11-02 1985-05-09 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Vorrichtung zum anreichern eines traegergases mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes
US4560462A (en) 1984-06-22 1985-12-24 Westinghouse Electric Corp. Apparatus for coating nuclear fuel pellets with a burnable absorber
US4722298A (en) 1986-05-19 1988-02-02 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
DE3632027C1 (de) 1986-09-20 1988-02-18 Rudnay Andre Dr De Verfahren und Vakuumbedampfungsanlage zum Metallisieren von Folienoberflaechen
DE3702923A1 (de) 1987-01-31 1988-08-11 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum anreichern eines traegergases mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes
US5071553A (en) 1987-06-10 1991-12-10 Newlin Robert E Self retaining fluid filter
JPS6464314A (en) 1987-09-04 1989-03-10 Mitsubishi Electric Corp Sublimator
DE3801147A1 (de) 1988-01-16 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms
JP2651530B2 (ja) 1988-04-15 1997-09-10 住友化学工業株式会社 気相成長用有機金属化合物供給装置
US5080870A (en) 1988-09-08 1992-01-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Sublimating and cracking apparatus
GB2234988B (en) 1989-08-16 1993-12-08 Qpl Limited Improvements in vacuum deposition machines
US5711816A (en) 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US5199603A (en) 1991-11-26 1993-04-06 Prescott Norman F Delivery system for organometallic compounds
IT1257434B (it) 1992-12-04 1996-01-17 Cselt Centro Studi Lab Telecom Generatore di vapori per impianti di deposizione chimica da fase vapore
US5377429A (en) 1993-04-19 1995-01-03 Micron Semiconductor, Inc. Method and appartus for subliming precursors
US5607002A (en) 1993-04-28 1997-03-04 Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. Chemical refill system for high purity chemicals
US5465766A (en) 1993-04-28 1995-11-14 Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. Chemical refill system for high purity chemicals
US5964254A (en) 1997-07-11 1999-10-12 Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. Delivery system and manifold
US5560779A (en) 1993-07-12 1996-10-01 Olin Corporation Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma
NL9302081A (nl) * 1993-11-30 1995-06-16 Gastec Nv Werkwijze voor het verwijderen van elementaire zwavel uit een gasstroom.
US5897850A (en) * 1993-11-30 1999-04-27 Comprimo B.V. Process for removing elemental sulfur from a gas stream
US5567127A (en) 1994-11-09 1996-10-22 Wentz; Kennith W. Low noise air blower
JPH0940489A (ja) 1995-03-30 1997-02-10 Pioneer Electron Corp Ｍｏｃｖｄの固体原料供給方法及び供給装置
TW327205B (en) 1995-06-19 1998-02-21 Hitachi Ltd Heat exchanger
US5667682A (en) 1995-10-25 1997-09-16 Water Renewal Systems L.P. Self-cleaning filtration apparatus
US5709753A (en) 1995-10-27 1998-01-20 Specialty Coating Sysetms, Inc. Parylene deposition apparatus including a heated and cooled dimer crucible
EP0794266B1 (de) 1996-03-06 2000-12-06 Alusuisse Technology & Management AG Vorrichtung zum Beschichten einer Substratfläche
US5732744A (en) 1996-03-08 1998-03-31 Control Systems, Inc. Method and apparatus for aligning and supporting semiconductor process gas delivery and regulation components
JPH1025576A (ja) 1996-04-05 1998-01-27 Dowa Mining Co Ltd Ｃｖｄ成膜法における原料化合物の昇華方法
US5876503A (en) 1996-11-27 1999-03-02 Advanced Technology Materials, Inc. Multiple vaporizer reagent supply system for chemical vapor deposition utilizing dissimilar precursor compositions
US5836483A (en) 1997-02-05 1998-11-17 Aerotech Dental Systems, Inc. Self-regulating fluid dispensing cap with safety pressure relief valve for dental/medical unit fluid bottles
EP0867622B1 (en) 1997-03-28 2004-08-04 New Technology Management Co., Ltd. Micromotors, linear motors, micropumps, methods of using the same, microactuators, methods of controlling flow properties of fluids, and apparatuses for controlling flow properties of fluids
US5882416A (en) 1997-06-19 1999-03-16 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system, heater apparatus for liquid delivery system, and vaporizer
US6083321A (en) 1997-07-11 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Fluid delivery system and method
US6312525B1 (en) 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
JP3684797B2 (ja) 1997-12-04 2005-08-17 株式会社デンソー 気相成長方法および気相成長装置
US6221306B1 (en) 1998-03-20 2001-04-24 Nitrojection Corporation Pin-in-sleeve device for in-article gas assisted injection molding
US6216708B1 (en) 1998-07-23 2001-04-17 Micron Technology, Inc. On-line cleaning method for CVD vaporizers
US20010003603A1 (en) 1998-07-28 2001-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Cvd film formation method and apparatus using molded solid body and the molded solid body
US6085548A (en) 1998-08-24 2000-07-11 Air Products And Chemicals, Inc. Control vent system for ultra-high purity delivery system for liquefied compressed gases
US6365229B1 (en) 1998-09-30 2002-04-02 Texas Instruments Incorporated Surface treatment material deposition and recapture
JP2000265960A (ja) 1999-03-15 2000-09-26 Toyota Autom Loom Works Ltd 流体機械
EP1041169B1 (de) 1999-03-29 2007-09-26 ANTEC Solar Energy AG Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens
US6946034B1 (en) 1999-08-04 2005-09-20 General Electric Company Electron beam physical vapor deposition apparatus
JP3909792B2 (ja) 1999-08-20 2007-04-25 パイオニア株式会社 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
DE10005820C1 (de) 2000-02-10 2001-08-02 Schott Glas Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks
TW576873B (en) 2000-04-14 2004-02-21 Asm Int Method of growing a thin film onto a substrate
US6770145B2 (en) 2000-12-11 2004-08-03 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film
US20020108670A1 (en) 2001-02-12 2002-08-15 Baker John Eric High purity chemical container with external level sensor and removable dip tube
US6525288B2 (en) 2001-03-20 2003-02-25 Richard B. Rehrig Gas lens assembly for a gas shielded arc welding torch
US7073773B2 (en) 2001-03-27 2006-07-11 Invacare Corporation Rapid connection coupling
TW539822B (en) 2001-07-03 2003-07-01 Asm Inc Source chemical container assembly
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
WO2003025245A1 (en) 2001-09-14 2003-03-27 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US20050211172A1 (en) 2002-03-08 2005-09-29 Freeman Dennis R Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures
TWI273642B (en) 2002-04-19 2007-02-11 Ulvac Inc Film-forming apparatus and film-forming method
US7118783B2 (en) 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
ES2292788T3 (es) 2002-06-28 2008-03-16 Prysmian Cavi E Sistemi Energia S.R.L. Procedimiento y dispositivo para vaporizar un reactivo liquido en la fabricacion de una preforma de vidrio.
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
CN1226448C (zh) 2002-07-19 2005-11-09 Lg电子株式会社 有机场致发光膜蒸镀用蒸镀源
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US7300038B2 (en) 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
AU2003254266A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-16 Asm America, Inc. Sublimation system employing carrier gas
US6868869B2 (en) 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
JP2004353083A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP4185015B2 (ja) 2003-05-12 2008-11-19 東京エレクトロン株式会社 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置
US20050000428A1 (en) 2003-05-16 2005-01-06 Shero Eric J. Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
KR101104058B1 (ko) 2003-05-27 2012-01-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 처리 장치를 위한 프리커서를 생성하는 방법 및장치
US6909839B2 (en) 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US20050019028A1 (en) 2003-07-25 2005-01-27 Karl-Heinz Kuebler Fluid heater with integral heater elements
US7261118B2 (en) 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US7156380B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
CA2566944C (en) 2004-05-20 2016-10-11 Nam Hung Tran Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical
JP4879509B2 (ja) 2004-05-21 2012-02-22 株式会社アルバック 真空成膜装置
US7926440B1 (en) 2004-11-27 2011-04-19 Etamota Corporation Nanostructure synthesis apparatus and method
US7488512B2 (en) 2004-11-29 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Method for preparing solid precursor tray for use in solid precursor evaporation system
US20060185597A1 (en) 2004-11-29 2006-08-24 Kenji Suzuki Film precursor evaporation system and method of using
US7708835B2 (en) 2004-11-29 2010-05-04 Tokyo Electron Limited Film precursor tray for use in a film precursor evaporation system and method of using
US7484315B2 (en) 2004-11-29 2009-02-03 Tokyo Electron Limited Replaceable precursor tray for use in a multi-tray solid precursor delivery system
US7638002B2 (en) 2004-11-29 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Multi-tray film precursor evaporation system and thin film deposition system incorporating same
US20060133955A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Peters David W Apparatus and method for delivering vapor phase reagent to a deposition chamber
DE102004062552A1 (de) 2004-12-24 2006-07-06 Aixtron Ag Vorrichtung zum Verdampfen von kondensierten Stoffen
US7341886B2 (en) 2005-03-03 2008-03-11 Eastman Kodak Company Apparatus and method for forming vias
KR101299791B1 (ko) * 2005-03-16 2013-08-23 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 시약의 고체 소스로부터 시약을 운반하기 위한 시스템
US20060213437A1 (en) 2005-03-28 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system
US7531090B1 (en) 2005-04-25 2009-05-12 Wix Filtration Corp Llc Fluid filter element
JP4402016B2 (ja) 2005-06-20 2010-01-20 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP4001296B2 (ja) 2005-08-25 2007-10-31 トッキ株式会社 有機材料の真空蒸着方法およびその装置
JP5358778B2 (ja) 2005-09-20 2013-12-04 国立大学法人東北大学 成膜装置、蒸発治具、及び、測定方法
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US8951478B2 (en) 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
US7562672B2 (en) 2006-03-30 2009-07-21 Applied Materials, Inc. Chemical delivery apparatus for CVD or ALD
US7278887B1 (en) 2006-05-30 2007-10-09 John Mezzalingua Associates, Inc. Integrated filter connector
EP2038456B1 (en) 2006-06-09 2014-03-05 Soitec System and process for high volume deposition of gallium nitride
DE102006039826B4 (de) 2006-08-25 2010-05-12 Hydac Filtertechnik Gmbh Filtervorrichtung, Filterelement sowie Verfahren zum Betrieb der Filtervorrichtung
US20080241805A1 (en) * 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
WO2008030323A1 (en) * 2006-09-06 2008-03-13 Donaldson Company, Inc. Liquid filter assembly, components; and, methods
US8986456B2 (en) * 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US7833353B2 (en) 2007-01-24 2010-11-16 Asm Japan K.K. Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus
DE102007020852A1 (de) 2007-05-02 2008-11-06 Stein, Ralf Gasversorgungssystem und Verfahren zur Bereitstellung eines gasförmigen Abscheidungsmediums
US9034105B2 (en) * 2008-01-10 2015-05-19 American Air Liquide, Inc. Solid precursor sublimator
KR101250984B1 (ko) * 2008-07-11 2013-04-03 삼성전자주식회사 구동 트랜지스터들을 포함하는 반도체 소자
EP2168644B1 (en) 2008-09-29 2014-11-05 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials and method for evaporating organic materials
EP2807437A2 (en) 2009-09-29 2014-12-03 Koninklijke Philips N.V. System and method for liquefying a fluid and storing the liquefied fluid
KR101094299B1 (ko) 2009-12-17 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 선형 증발원 및 이를 포함하는 증착 장치
DE102010003001B4 (de) 2010-03-18 2024-02-08 Robert Bosch Gmbh Mikrofluidisches Dielektrophorese-System
TWI557261B (zh) 2010-04-19 2016-11-11 Ａｓｍ美國公司 先質輸送系統
JP2012199292A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Toshiba Corp 半導体記憶装置
WO2014018740A1 (en) 2012-07-25 2014-01-30 William Kimmerle Chemical precursor bubbler assembly
US20140174955A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High flow xef2 canister
KR102024830B1 (ko) 2013-05-09 2019-09-25 (주)지오엘리먼트 기화기
US9334566B2 (en) 2013-11-25 2016-05-10 Lam Research Corporation Multi-tray ballast vapor draw systems
JP5859586B2 (ja) 2013-12-27 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理システム、半導体装置の製造方法および記録媒体
US10944339B2 (en) 2014-09-09 2021-03-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Electrode design and low-cost fabrication method for assembling and actuation of miniature motors with ultrahigh and uniform speed
US10443128B2 (en) 2015-04-18 2019-10-15 Versum Materials Us, Llc Vessel and method for delivery of precursor materials
US10440979B2 (en) 2015-11-11 2019-10-15 Home Tech Innovation, Inc. Apparatus and methods for at least semi-autonomous meal storage and cooking via fluid immersion
US10483498B2 (en) * 2016-04-22 2019-11-19 Universal Display Corporation High efficiency vapor transport sublimation source using baffles coated with source material
US11926894B2 (en) * 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10876205B2 (en) * 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US11634812B2 (en) * 2018-08-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Solid source sublimator
CN112342526A (zh) * 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010506429A (ja) 2006-10-10 2010-02-25 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 前駆体送出システム
JP2012052226A (ja) 2010-08-09 2012-03-15 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 送達装置およびその使用方法
JP2015038252A (ja) 2012-05-27 2015-02-26 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ フィルタを有する容器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024016088A (ja) 2024-02-06
US20230313370A1 (en) 2023-10-05
CN110835749A (zh) 2020-02-25
US20230183861A1 (en) 2023-06-15
US11773486B2 (en) 2023-10-03
JP2020025959A (ja) 2020-02-20
CN110835749B (zh) 2024-01-12
KR20200020608A (ko) 2020-02-26
US20230383402A1 (en) 2023-11-30
TWI821366B (zh) 2023-11-11
US20200056283A1 (en) 2020-02-20
TW202020210A (zh) 2020-06-01
US11634812B2 (en) 2023-04-25

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