JP5859586B2 - 基板処理システム、半導体装置の製造方法および記録媒体 - Google Patents
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Description
基板を収容する複数の処理室と、前記複数の処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、前記複数の処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、前記処理ガス供給系に設けられたバッファタンクと、前記複数の処理室のいずれかに反応ガスを供給する時間が、前記複数の処理室のいずれかに処理ガスを供給する時間と前記バッファタンクに処理ガスを供給する時間の合計時間になるように、前記複数の処理室のそれぞれに前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、を有する基板処理システムが提供される。
複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給する工程と、前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給する工程と、前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給させる手順と、前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給させる手順と、前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。
以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置について説明する。
空間と呼ぶ。
処理室201(上部容器202a)の内壁側面には、処理室201の雰囲気を排気する第1排気部としての排気口221が設けられている。排気口221には排気管222が接続されており、排気管222には、処理室201内を所定の圧力に制御するAPC(AutoPressureController)等の圧力調整器223、真空ポンプ224が順に直列に接続されている。主に、排気口221、排気管222、圧力調整器223により、第1の排気部(排気ライン)220が構成される。なお、真空ポンプ224を第1の排気部に含めるように構成しても良い。
処理室201の上部に設けられる後述のシャワーヘッド234の上面(天井壁)には、処理室201内に各種ガスを供給するためのガス導入口241が設けられている。ガス導入口241に接続されるガス供給系の構成については後述する。
ガス導入口241と処理室201との間には、ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド234が設けられている。ガス導入口241はシャワーヘッド234の蓋231に接続され、ガス導入口241から導入されるガスは蓋231に設けられた孔231aを介してシャワーヘッド234のバッファ空間232に供給される。
シャワーヘッド234の蓋231に接続されたガス導入孔241には、共通ガス供給管150(後述の150a,150b,150c,150d)が接続されている。共通ガス供給管150からは、後述の処理ガス、反応ガス、パージガスが供給される。
図1に示すように基板処理装置100は、基板処理装置100の各部の動作を制御するコントローラ260を有している。
次に、基板処理工程の例について、半導体デバイスの製造工程の一つである、処理ガスとしてTiCl4(塩化チタニウム)ガス及び反応ガスとしてのNH3(アンモニア)ガスを用いてチタニウム窒化(TiN)膜を形成する例で説明する。
成膜処理に際しては、先ず、ウエハ200を処理室201に搬入させる。具体的には、基板支持部210を昇降機構218によって、下降させ、リフトピン207が、貫通孔214から基板支持部210の上面側に突出させた状態にする。また、処理室201内を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ205を開放し、ゲートバルブ205からリフトピン207上にウエハ200を載置させる。ウエハ200をリフトピン207上に載置させた後、昇降218によって基板支持部210を所定の位置まで上昇させることによって、ウエハ200が、リフトピン207から基板支持部210へ載置されるようになる。
続いて、ウエハ200に所望の膜を成膜する工程を施す。成膜工程S104の詳細について、図4(a)を用いて説明する。
第1の処理ガス供給工程S202では、第1の処理ガス供給系から処理室201内に第1の処理ガス(原料ガス)としてのTiCl4ガスを供給する。また、排気系による処理室201内の排気を継続し処理室201内の圧力を所定の圧力(第1圧力)となるように制御する。具体的には、第1ガス供給管111(111a,111b,111c,111dのいずれか)に設けられた処理室側バルブ116(116a,116b,116c,116dのいずれか)を開き、第1ガス供給管111にTiCl4ガスを流す。TiCl4ガスは、ガス供給管112から流れ、マスフローコントローラ115(115a,115b,115c,115dのいずれか)により流量調整される。流量調整されたTiCl4ガスは、シャワーヘッドのガス供給孔234aから、減圧状態の処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給されることとなる(原料ガス(TiCl4)供給工程)TiCl4ガスは、所定の圧力(第1圧力:例えば100Pa以上20000Pa以下)で処理室201内に供給する。このようにして、ウエハ200にTiCl4を供給する。TiCl4が供給されることにより、ウエハ200上に、チタニウム含有層が形成される。チタニウム含有層とは、チタニウム(Ti)または、チタニウムと塩素(Cl)を含む層である。
ウエハ200上にチタニウム含有層が形成された後、第1ガス供給管111の処理室側バルブ116を閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、排気管236の、バルブ237を開き、排気管236を介して、バッファ空間232内に存在するガスを排気ポンプ239から排気する。このとき、排気ポンプ239は事前に作動させておく。APCバルブ238により、排気管236とシャワーヘッド234内の圧力(排気コンダクタンス)を制御する。排気コンダクタンスは、バッファ空間232における第1の排気系からの排気コンダクタンスが、処理室201を介した排気ポンプ224のコンダクタンスよりも高くなるようにバルブ125aの開閉弁及び真空ポンプ239を制御する。このように調整することで、バッファ空間232の中央からシャワーヘッド排気口231bに向けたガス流れが形成される。このようにすることで、バッファ空間232の壁に付着したガスや、バッファ空間232内に浮遊したガスが処理室201に進入することなく第1の排気系から排気できるようになる。なお、処理室201から、バッファ空間232内へのガスの逆流を抑制するようにバッファ空間232内の圧力と処理室201の圧力(排気コンダクタンス)を調整しても良い。
所定の時間経過後、引き続き、第2の排気系の排気ポンプ224の動作を継続し、処理空間において、第2の排気系からの排気コンダクタンスが、シャワーヘッド230を介した第1の排気系からの排気コンダクタンスよりも高くなるようにAPCバルブ223の弁開度を調整する。このように調整することで、処理室201を経由した第2の排気系に向けたガス流れが形成され、処理室201内に残留するガスを排気することができる。また、ここで、処理室側バルブ136(136a,136b,136c,136d)を開き、MFC135(135a,135b,135c,135d)を調整し、不活性ガスを供給することによって、不活性ガスを確実に基板上に供給することが可能となり、基板上の残留ガスの除去効率が高くなる。
第1の処理室パージ工程の後、バルブ126aを開け、活性化部(励起部)としてのリモートプラズマユニット(RPU)124、ガス導入孔241、バッファ室232、複数の貫通孔234aを介して、処理室201内に第2の処理ガス(反応ガス)としての、活性化されたアンモニアガスを供給する。バッファ室232、貫通孔234aを介して処理室に供給するので、基板上に均一にガスを供給することができる。そのため、膜厚を均一にすることができる。
NH3ガスの供給を停止した後、バルブ237を開き、シャワーヘッド230内の雰囲気を排気する。具体的には、バッファ室232内の雰囲気を排気する。このとき、真空ポンプ239は事前に作動させておく。
所定の時間経過後、第2の排気系の排気ポンプ224を作動させつつ、処理空間において第2の排気系からの排気コンダクタンスが、シャワーヘッド230を介した第1の排気系からの排気コンダクタンスよりも高くなるようにAPC223,238の弁開度を調整する。このように調整することで、処理室201を経由した第2の排気系に向けたガス流れが形成され、ウエハ200上の残留ガスを除去することができる。また、バルブ136を開き、不活性ガスを供給することで、バッファ室232に供給された不活性ガスを確実にウエハ200上に供給することが可能となり、基板上の残留ガスの除去効率を向上させることができる。
第2の処理室パージ工程S212の終了後、コントローラ260は、上記のS202〜S212が所定回数実行されたか否かを判定する。即ち、ウエハ200上に所望の厚さの膜が形成されたか否かを判定する。
図7に示すように、処理ガス源113から各基板処理装置の間には、バッファタンク114、とマスフローコントローラ(MFC)115a,115b,115c,115dと、処理室側バルブ116(116a,116b,116c,116d)がそれぞれ設けられている。また、これらは、処理ガス共通管112や、処理ガス供給管111a,111b,111c,111dなどで接続されている。これら、バッファタンク114、処理ガス共通管112、MFC115a,115b,115c,115d、処理室側バルブ116(116a,116b,116c,116d)、処理ガス供給管111a,111b,111c,111dで第1ガス供給系が構成される。なお、処理ガス源113を第1ガス供給系に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられる基板処理装置の数に応じて、各構成を増減させて構成しても良い。
図7に示すように、反応ガス源123から各基板処理装置の間には、活性化部としてのリモートプラズマユニット(RPU)124、MFC125a,125b,125c,125d、処理室側バルブ126(126a,126b,126c,126d)が設けられている。これらの各構成は、反応ガス共通管122と反応ガス供給管121a,121b,121c,121dなどで接続されている。これら、RPU124、MFC125a,125b,125c,125d、処理室側バルブ126(126a,126b,126c,126d)、反応ガス共通管122、反応ガス供給管121a,121b,121c,121dなどで、第2ガス供給系が構成される。
なお、反応ガス供給源123を第2ガス供給系に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられる基板処理装置の数に応じて、各構成を増減させて構成しても良い。
図7に示すように、パージガス(不活性ガス)源133から各基板処理装置の間には、MFC135a,135b,135c,135d、処理室側バルブ136(136a,136b,136c,136d)などが設けられている。これらの各構成は、パージガス(不活性ガス)共通管132、パージガス(不活性ガス)供給管131a,131b,131c,131dなどで接続されている。これら、MFC135a,135b,135c,135d、処理室側バルブ136(136a,136b,136c,136d)、不活性ガス共通管132、不活性ガス供給管131a,131b,131c,131dなどで、第3ガス供給系が構成されている。なお、パージガス(不活性ガス)源133を第3ガス供給系(パージガス供給系)に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられる基板処理装置の数に応じて、各構成を増減させて構成しても良い。
次に、4つの基板処理装置での各ステップにおける処理工程について図8を用いて説明する。
基板処理装置101aで第1の処理ガス供給工程S202が実施される。
基板処理装置101aで第1のシャワーヘッドパージ工程S204と第1の処理室パージ工程S206が実施され、基板処理装置101bで第1の処理ガス供給工程S202が実施される。
基板処理装置101aで第2の処理ガス供給工程S208が実施され、基板処理装置101bで第1のシャワーヘッドパージ工程S204と第1の処理室パージ工程S206が実施され、基板処理装置101cで第1の処理ガス供給工程S202が実施される。
基板処理装置101aで第2のシャワーヘッドパージ工程S210と、第2の処理室パージ工程S212が実施され、基板処理装置101bで第2の処理ガス供給工程S208が実施され、基板処理装置101cで第1のシャワーヘッドパージ工程S204と第1の処理室パージ工程S206が実施され、基板処理装置101dで第1の処理ガス供給工程S202が実施される。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
上述の実施形態では、電極やバリア膜として使用される金属窒化膜(窒化チタニウム(TiN)膜)を塩化チタニウムとアンモニアを用いて、形成する例を示したが、これに限られるものでは無い。例えば、高誘電率(High−k)膜であっても良い。例えば、ジルコニウム酸化(ZrxOy)膜やハフニウム酸化(HfxOy)膜であっても良い。
第1ガス供給系は、処理室側から、処理室側バルブ116(116a,116b,116c,116d)、タンク側バルブ160、バッファタンク114、気化器117、液体流量制御部118が設けられている。液体流量制御部(LMFC)118に接続されている液体原料供給源119を第1ガス供給系に含めるように構成しても良いし、供給管集合部140(140a,140b,140c,140d)を含めるように構成しても良い。ここで、液体原料供給源119からは、液体原料としての、Hf[N(C2H5)CH3]4(テトラキスエチルメチルアミノハフニウム:以下TEMAHfとする)が供給され、LMFC118で液体の流量を所定の流量に調整した後、気化器117に供給される。気化器117では、液体のTEMAHfが気化され、処理ガスが生成される。処理ガスはバッファタンクを介して、各処理室に供給される。ここで、バッファタンクの容量は、上述の図9、図10で示した、ガス供給停止時t2の間に、バッファタンク114の圧力が、ガス供給時の圧力からの圧力上昇が50%以下となるような容量とすることが好ましい。この様にバッファタンクを構成することによって、圧力上昇を緩和し、ガスのミスト化(液化)を防ぎ、パーティクルの発生を抑制させることができる。また、この圧力変動の緩和によって、処理室201の圧力変動も緩和させることができる。例えば、従来であれば、所定時間内に多量の原料ガスを処理室201に供給(フラッシュフロー)することを目的として、タンクにガスを溜めて、バルブを解放させて供給することを行っていた。この従来方法では、処理室へのガス供給開始直後(供給開始時)の圧力と、供給開始中盤以降の圧力値に差が有り、実際に基板に供給されているガス量のコントロールが困難で有った。しかし、本形態の様に、処理室201内の圧力変動を緩和させることにより、圧力変動を抑制できるので、実際の処理時の圧力値や基板へのガス供給量のコントロール性を向上させることができる。また、基板へのガス供給量が明確化させることにより、基板に物理吸着した余分なガス量や、余分なガスをパージ(除去)するためのパージ時間の調整を容易化することができる。また、処理室201内の圧力を急激に上昇させないように構成することで、第1ガスと第2ガスのいずれか若しくは両方を、搬送空間203へ流入させることを抑制し、搬送空間203でのパーティクルの発生を抑制することができる。
第2ガス供給系は、処理室側から、処理室側バルブ126(126a,126b,126c,126d)、RPU124、マスフローコントローラ125が接続され、これらで構成される。第2ガス供給源123を第2ガス供給系に含めるように構成しても良い。第2ガス供給系からは、反応ガスとしての、活性化された酸素ガス(O2)が供給される。
第3ガス供給系は、処理室側から処理室側バルブ136(136a,136b,136c,136d)、マスフローコントローラ135が接続され、これらの構成で形成される。第3ガス供給源133を第3ガス供給系に含めるように構成しても良い。第3ガス供給系からは、第1実施形態と同様に、パージガス(不活性ガス)が供給可能に構成されている。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
一態様によれば、
基板を収容する複数の処理室と、
前記複数の処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、
前記複数の処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、
前記処理ガス供給系に設けられたバッファタンクと、
前記複数の処理室のいずれかに反応ガスを供給する時間が、前記複数の処理室のいずれかに処理ガスを供給する時間と前記バッファタンクに処理ガスを供給する時間の合計時間になるように、
前記複数の処理室のそれぞれに前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理システムが提供される。
付記1に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記制御部は、
前記処理ガスの供給停止後に前記バッファタンクに処理ガスを供給するように前記処理ガス供給系を制御する。
付記1に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記複数の処理室にパージガスを供給するパージガス供給系が設けられ、
前記制御部は、
前記バッファタンクに処理ガスを供給した後に、前記基板にパージガスを供給するように前記処理ガス供給系と前記パージガス供給系を制御する。
付記3に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記複数の処理室はそれぞれに、シャワーヘッドを有し、
前記制御部は、前記バッファタンクへの処理ガス供給中にシャワーヘッドのパージを行うように前記処理ガス供給系と前記パージガス供給系を制御する。
付記1に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記複数の処理室のそれぞれに、処理室の雰囲気を排気する第1の排気部が設けられ、
前記制御部は、前記各処理室に前記処理ガスの供給と前記反応ガスの供給の間に前記処理室内をパージさせるように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系と前記第1の排気部とを制御する。
付記1に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記複数の処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系が設けられ、
前記制御部は、前記各処理室に前記処理ガスの供給と前記反応ガスの供給の間に前記処理室内をパージさせるように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系と前記不活性ガス供給系を制御する。
付記1に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記複数の処理室に、前記処理ガスと前記反応ガスが供給され、第2の排気部を有するシャワーヘッドが設けられ、
前記制御部は、前記処理ガスの供給と前記反応ガスの供給の間に、前記シャワーヘッド内をパージさせるように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系と、前記第2の排気部を制御する。
付記7に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内のパージを前記シャワーヘッドのパージ工程の後に行うように前記第1の排気部と前記第2の排気部を制御する。
付記7に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内のパージを前記シャワーヘッドのパージ工程が終わる前に始めるように前記第1の排気部と前記第2の排気部を制御する。
付記7乃至付記9に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記制御部は、前記シャワーヘッド内をパージする際に、前記シャワーヘッド内の排気コンダクタンスを前記処理室内のコンダクタンスよりも大きくするように前記第1の排気部と前記第2の排気部を制御する。
付記7乃至付記10に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内をパージする際に、前記処理室内の排気コンダクタンスを前記シャワーヘッドの排気コンダクタンスよりも大きくするように前記第1の排気部と前記第2の排気部を制御する。
付記1に記載の基板処理システムであって、好ましくは、
前記反応ガス供給系には、前記反応ガスを励起する活性化部が設けられ、
前記制御部は、前記反応ガスが前記処理室のいずれかに供給されている間、前記活性化部をON状態に保つように前記反応ガス供給部と前記活性化部を制御する。
付記1に記載の基板処理システムであって、
前記複数の処理室に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部が設けられ、
前記制御部は、前記処理ガスの供給時と前記反応ガスの供給時のいずれか若しくは両方で前記不活性ガスを供給するように、前記処理ガス供給部と前記反応ガス供給部と前記不活性ガス供給部が制御される。
更に他の態様によれば、
複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給する工程と、
前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給する工程と、
前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記14に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記処理ガスの供給停止後に、前記バッファタンクに処理ガスを供給する。
付記14に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記バッファタンクに処理ガスを供給した後、前記基板にパージガスを供給する工程を有する。
付記16に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記複数の処理室のそれぞれにシャワーヘッドが設けられ、
前記バッファタンクへの処理ガス供給中にシャワーヘッドのパージを行う工程を有する。
更に他の態様によれば、
複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給する手順と、
前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給させる手順と、
前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給する手順と、
をコンピュータ実行させるプログラムが提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する複数の処理室と、
前記複数の処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、
前記複数の処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、
前記処理ガス供給部に設けられたバッファタンクと、
前記複数の処理室の内、一方の処理室に前記反応ガスを供給する時間と、前記複数の処理室の内の他方の処理室に前記処理ガスを供給する時間と前記バッファタンクに処理ガスを供給する時間の合計時間になるように、
前記複数の処理室のそれぞれに前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理システムが提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する複数の処理室と、
前記複数の処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、
前記複数の処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、
前記複数の処理室に接続された共通の処理ガス供給管に設けられたバッファタンクと、
前記複数の処理室の内、一方の処理室に前記反応ガスを供給する時間が、前記複数の処理室の内の他方の処理室に前記処理ガスを供給する第1の所定時間と当該処理室への当該処理ガスの供給を止め、前記バッファタンクに処理ガスを供給する第2の所定時間の合計時間となるように、
前記複数の処理室のそれぞれに前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理システムが提供される。
更に他の態様によれば、
複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給する工程と、
前記各処理室に接続された共通処理ガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給する工程と、
前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
更に他の態様によれば、
複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給する手順と、
前記各処理室に接続された共通処理ガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給させる手順と、
前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
更に他の態様によれば、
複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給する手順と、
前記各処理室に接続された共通処理ガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給させる手順と、
前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、
前記処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、
前記処理室に接続された共通の処理ガス供給管に設けられたバッファタンクと、
前記処理室に前記反応ガスを供給する時間が、前記処理室に前記処理ガスを供給する第1の所定時間と、当該処理ガスの供給を止めて前記バッファタンクに前記処理ガスを供給する第2の所定時間の合計時間となるように、供給タイミングを調整して、前記処理室に前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する半導体装置の製造装置が提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する2つ以上の処理室と、
前記2つ以上処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、
前記2つ以上処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、
前記2つ以上処理室に接続された共通の処理ガス供給管に設けられたバッファタンクと、
前記2つ以上処理室の内、一方の処理室に前記反応ガスを供給する時間が、前記2つ以上処理室の内の他方の処理室に前記処理ガスを供給する第1の所定時間と当該処理室への当該処理ガスの供給を止め、前記バッファタンクに処理ガスを供給する第2の所定時間の合計時間として、
前記2つ以上処理室のそれぞれに前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように
前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理システムが提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する第1の処理室と、第2の処理室と、
前記第1の処理室と第2の処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、
前記第1の処理室と第2の処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、
前記第1の処理室と第2の処理室に接続された共通の処理ガス供給管に設けられたバッファタンクと、
前記第2の処理室に前記反応ガスを供給する時間が、前記第1の処理室に処理ガスを供給する第1の所定時間と当該処理室への当該処理ガスの供給を止め、前記バッファタンクに前記処理ガスを供給する第2の所定時間の合計時間として、
前記第1の処理室と第2の処理室のそれぞれに前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理システムが提供される。
124 リモートプラズマユニット(活性化部)
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理容器
212 基板載置台
213 ヒータ
221 排気口(第1排気部)
234 シャワーヘッド
231b シャワーヘッド排気口(第2排気部)
Claims (16)
- 基板を収容する複数の処理室と、
前記複数の処理室に処理ガスを順に供給する処理ガス供給系と、
前記複数の処理室に活性化された反応ガスを順に供給する反応ガス供給系と、
前記処理ガス供給系に設けられたバッファタンクと、
前記複数の処理室のいずれかに反応ガスを供給する時間が、前記複数の処理室のいずれかに処理ガスを供給する時間と前記処理ガスの供給停止後に前記バッファタンクに処理ガスを供給する時間の合計時間になるように、
前記複数の処理室のそれぞれに前記処理ガスと前記反応ガスを交互に供給するように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系を制御する制御部と、を有する基板処理システム。
- 前記複数の処理室にパージガスを供給するパージガス供給系が設けられ、
前記制御部は、
前記バッファタンクに処理ガスを供給した後に、前記基板にパージガスを供給するように前記処理ガス供給系と前記パージガス供給系を制御する請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記複数の処理室はそれぞれに、シャワーヘッドを有し、
前記制御部は、前記バッファタンクへの処理ガス供給中にシャワーヘッドのパージを行うように前記処理ガス供給系と前記パージガス供給系を制御する請求項2に記載の基板処理システム。
- 前記複数の処理室のそれぞれに、処理室の雰囲気を排気する第1の排気部が設けられ、
前記制御部は、前記各処理室に前記処理ガスの供給と前記反応ガスの供給の間に前記処理室内をパージさせるように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系と前記第1の排気部とを制御する請求項3に記載の基板処理システム。
- 前記シャワーヘッドに、前記シャワーヘッド内の雰囲気を排気する第2の排気部を有し、
前記制御部は、前記処理ガスの供給と前記反応ガスの供給との間で、前記シャワーヘッド内をパージさせるように前記処理ガス供給系と前記反応ガス供給系と前記第2の排気部を制御する請求項4に記載の基板処理システム。
- 前記制御部は、前記処理室内のパージを前記シャワーヘッドのパージの後に行うように前記第1の排気部と前記第2の排気部を制御する請求項5に記載の基板処理システム。
- 複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給する工程と、
前記処理ガスの供給停止後に、前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給する工程と、
前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
- 前記バッファタンクに処理ガスを供給した後、前記基板にパージガスを供給する工程を有する請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記各処理室のそれぞれにシャワーヘッドが設けられ、
前記バッファタンクへの処理ガス供給中又は供給後、前記シャワーヘッド内のパージをする工程を開始する請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記各処理室のそれぞれにシャワーヘッドが設けられ、
前記バッファタンクへの処理ガス供給中又は供給後から、前記基板にパージガスを供給する前に、前記シャワーヘッド内のパージをする工程を開始する請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の処理室の各処理室に順に処理ガスを第1の所定時間供給させる手順と、
前記処理ガスの供給停止後に、前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを第2の所定時間供給させる手順と、
前記複数の処理室の各処理室に順に活性化された反応ガスを、前記第1の所定時間と前記第2の所定時間の合計時間供給させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体。
- 前記バッファタンクに処理ガスを供給した後、前記基板にパージガスを供給させる手順が記録された請求項11に記載の記録媒体。
- 前記各処理室のそれぞれにシャワーヘッドが設けられ、
前記バッファタンクへの処理ガス供給中又は供給後、前記シャワーヘッド内のパージをする手順を開始する請求項11に記載の記録媒体。
- 前記各処理室のそれぞれにシャワーヘッドが設けられ、
前記バッファタンクへの処理ガス供給中又は供給後から、前記基板にパージガスを供給する前に、前記シャワーヘッド内のパージさせる手順を開始する請求項12に記載の記録媒体。
- 複数の処理室のいずれかに処理ガスを供給する工程と、
前記処理ガスの供給停止後に、前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを供給する工程と、
前記処理室への処理ガスの供給時間と、前記バッファタンクへの処理ガスの供給時間の合計時間、活性化された反応ガスを前記複数の処理室のいずれかに供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
- 複数の処理室のいずれかに処理ガスを供給させる手順と、
前記処理ガスの供給停止後に、前記各処理室に接続されたガス供給管に設けられたバッファタンクに処理ガスを供給させる手順と、
前記処理室への処理ガスの供給時間と、前記バッファタンクへの処理ガスの供給時間の合計時間、活性化された反応ガスを前記複数の処理室のいずれかに供給させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体。
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