TWI821366B - 固體源化學昇華器 - Google Patents

固體源化學昇華器 Download PDF

Info

Publication number
TWI821366B
TWI821366B TW108129093A TW108129093A TWI821366B TW I821366 B TWI821366 B TW I821366B TW 108129093 A TW108129093 A TW 108129093A TW 108129093 A TW108129093 A TW 108129093A TW I821366 B TWI821366 B TW I821366B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
housing
solid source
filter
source chemical
sublimator
Prior art date
Application number
TW108129093A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202020210A (zh
Inventor
艾立克 詹姆斯 雪洛
卡爾 路易斯 懷特
莫西斯 Ｅ 維埃茲
凱爾 樊都魯黎亞
第莫希 詹姆斯 沙利文
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｉｐ私人控股有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=69523793&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI821366(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｉｐ私人控股有限公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｉｐ私人控股有限公司
Publication of TW202020210A publication Critical patent/TW202020210A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI821366B publication Critical patent/TWI821366B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D7/00—Sublimation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Filtering Materials (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本文揭示與固體源化學昇華器容器相關的系統及方法及 對應的沉積模組。固體源化學昇華器可包括經組態以於其中收容固體化學反應物的外殼。可將一蓋設置於外殼的近端部分上。該蓋可包括流體入口及流體出口並於蓋的遠端部分內界定曲折流動路徑。該蓋可經調適以容許氣體於流動路徑內流動。固體源化學昇華器可包括設置於曲折流動路徑與外殼之遠端部分之間的過濾器。過濾器可具有經組態以限制固體化學反應物通過的孔隙度。

Description

固體源化學昇華器
本申請案大致是關於涉及半導體加工設備之系統及方法，及明確言之是關於用於化學蒸氣傳遞的蒸發系統。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2018年8月16日提出申請之美國臨時申請案第62/719,027號，標題「固體源昇華器(SOLID SOURCE SUBLIMATOR)」之優先權，該案以全文引用的方式併入本文。
典型的固體或液體源反應物傳遞系統包括固體或液體源容器及加熱構件。容器可包括待蒸發的化學反應物。載體氣體連帶地將反應物蒸氣掃過容器出口並最終至基板反應腔室。通常於容器入口之上游提供一個隔離閥，及於容器出口之下游提供另一隔離閥。
固體源化學昇華器之一些具體例可包括經組態以於其中收容固體化學反應物的外殼。外殼可包括近端部分及遠端部分， 且可具有沿外殼之長度延伸的外殼軸。可將蓋設置於外殼之近端部分上。蓋可包括流體入口及流體出口並於蓋的遠端部分內界定曲折流動路徑。蓋可經調適以容許氣體於流動路徑內流動。固體源化學昇華器可包括設置於曲折流動路徑與外殼之遠端部分之間的過濾器。過濾器可具有經組態以限制固體化學反應物通過的孔隙度。
於本說明書中描述之標的物之一或多個實施方案的細節陳述於附圖及以下說明中。其他特徵、態樣、及優點當可由說明書、圖式、及申請專利範圍明白。此發明內容及以下實施方式皆不意欲界定或限制本發明標的物之範疇。
100、300:固體源化學昇華器
104:昇華器軸
110、310:外殼
112:外殼脊部
114:內部
120:過濾器框架
124:框架支撐元件
130:過濾器
140、340:基底
150:流體路徑
150a:突出物
150b:凹部
154:再填充孔
158:承接部分
162、362:加熱桿
170:橫向凹部
182:過濾器框架寬度
200:過濾器嵌件
306:蓋
360:熱傳導管
364:傳導性突出物
370:凹部高度
372:凹部寬度
374:曲折路徑
380:諧振器
384:流體入口
388:流體出口
390、392、396:過濾器
398:入口閥
揭示內容之此等及其他態樣將可由熟悉技藝人士鑑於以下說明、隨附申請專利範圍、及由圖式而輕易明白，該等圖式意欲說明而非限制本發明，且其中：圖1顯示可於一些具體例中使用作為化學蒸發器的固體源化學昇華器。
圖2顯示一些具體例之另一實例固體源化學昇華器。
圖3A顯示一些具體例之實例外殼的頂視透視圖。
圖3B顯示外殼之內部的更近視圖，其顯示一些具體例的流體路徑及橫向凹部。
圖4顯示一些具體例之固體源化學昇華器的實例外部。
圖5顯示一些具體例之實例過濾器框架。
圖6顯示圖5之過濾器框架的底部透視圖。
圖7顯示具有昇華器軸之過濾器框架的側視圖。
圖8A顯示圖5-7中之過濾器框架的頂視圖。
圖8B顯示圖5-7中之過濾器框架的底視圖。
圖9顯示過濾器嵌件的頂視圖。
圖10顯示圖9之過濾器嵌件的橫截面側視圖。
圖11顯示圖9-10中顯示之過濾器嵌件的橫截面透視圖。
圖12顯示根據一些具體例包括外殼、蓋、導管、一或多個傳導性突出物、及基底之實例固體源化學昇華器的橫截面。
圖13A顯示根據一些具體例可包括於固體源化學昇華器中之實例蓋。
圖13B繪示根據一些具體例之實例固體源化學昇華器的橫截面細部圖。
圖14顯示實例固體源化學昇華器，其顯示複數個傳導性突出物。
圖15顯示根據一些具體例，導管、傳導性突出物、及基底可如何組裝。
圖16顯示根據一些具體例具有複數個諧振器之實例固體源化學昇華器的一態樣。
文中提供之若有之標題僅是為方便起見，而不一定影響所主張發明的範疇或含義。文中描述用來於高容量沉積模組中傳遞經蒸發或昇華之反應物的系統及相關方法。
以下詳細說明詳述用來輔助理解申請專利範圍的某些特定具體例。然而，可以如由申請專利範圍所定義及涵蓋之大量不同具體例及方法來實施本發明。
化學反應物或固體源傳遞系統可包括固體或液體源容器及加熱構件(例如，加熱器諸如輻射熱燈、電阻式加熱器、及其類似物)。容器包括固體(例如，呈粉末形式)或液體源前驅體。加熱器加熱容器以蒸發容器中之反應物。容器可具有用來使載體氣體(例如，N2)流動通過容器之入口及出口。載體氣體可為惰性的。一般而言，載體氣體使反應物蒸氣(例如，經昇華的化學反應物)隨同其掃過容器出口及最終至基板反應腔室。容器通常包括用來使容器之內容物與容器外部流體隔離的隔離閥。一個隔離閥可提供於容器入口之上游，及另一隔離閥可提供於容器出口之下游。一些具體例之源容器包括昇華器，基本上由其所組成，或由其所組成。因此，當於文中提及「源容器」時，亦明確地涵蓋昇華器(諸如「固體源化學昇華器」)。
化學氣相沉積(CVD)是在半導體工業中用來於諸如矽晶圓之基板上形成材料薄膜的已知製程。在CVD中，將不同反應物化學品之反應物蒸氣(包括「前驅體氣體」)傳遞至反應腔室中之一或多個基板。在許多情況中，反應腔室僅包括支撐於基板固持器 (諸如基座)上的單個基板，其中基板及基板固持器維持在期望的製程溫度下。在典型的CVD製程中，相互反應性的反應物蒸氣彼此反應而於基板上形成薄膜，其中生長速率是與溫度及反應物氣體的量相關。在一些變型中，用來驅動沉積反應物的能量是全部或部分地由電漿供應。
在一些應用中，反應物氣體是以氣態形式儲存於反應物源容器中。在該等應用中，反應物在大約1大氣壓及室溫之標準壓力及溫度下通常為氣態。該等氣體的實例包括氮氣、氧氣、氫氣、及氨。然而，在一些情況中，使用在標準壓力及溫度下為液體或固體之源化學品(「前驅體(precursors)」)的蒸氣(例如，氯化鉿、氧化鉿、二氧化鋯等)。對於一些固體物質(文中稱為「固體源前驅體」、「固體化學反應物」、或「固體反應物」)而言，在室溫下之蒸氣壓相當低，以致其通常經加熱及/或維持在極低壓下，來產生用於反應製程的足量反應物蒸氣。一旦經蒸發(例如，昇華)，氣相反應物應在整個加工系統維持在蒸發溫度或高於蒸發溫度，以避免在閥、過濾器、導管、及與氣相反應物傳遞至反應腔室相關之其他組件中的不期望凝結。來自該等天然固體或液體物質之氣相反應物有用於在各種其他工業中的化學反應。
原子層沉積(ALD)是另一種用來在基板上形成薄膜的已知製程。在許多應用中，ALD使用如前所述的固體及/或液體源化學品。ALD為其中膜經由在循環中執行之自飽和反應來積聚之類型之氣相沈積。膜之厚度是由所執行的循環數目來決定。在ALD 製程中，氣態反應物是交替地及/或重複地供應至基板或晶圓，以在晶圓上形成材料薄膜。一種反應物在自限性過程中吸附在晶圓上。不同、後續脈衝的反應物與所吸附之材料反應而形成期望材料的單個分子層。可通過在經吸附物種之間及與經適當選擇試劑之相互反應發生分解，諸如以配位體交換或吸除反應。在一些ALD反應中，每循環形成不超過一個分子單層。通過重複的生長循環產生較厚的膜，直至達到目標厚度為止。
在一些ALD反應中，具相互反應性的反應物在氣相中保持分開，且在基板暴露至不同反應物之間插入移除過程。舉例而言，在時間分割ALD製程中，反應物於脈衝中提供至固定基板，其通常藉由沖洗或抽氣期分隔開；在空間分割ALD製程中，基板移動通過具有不同反應物之區；及在一些製程中，可組合空間分割及時間分割ALD兩者之態樣。熟悉技藝人士當明瞭一些變型或混合製程容許一些量的類CVD反應，其是通過選擇在正常ALD參數窗外之沉積條件及/或通過容許於暴露至基板期間於相互反應性反應物之間之一些量的重疊。
反應物源容器通常具備自入口及出口延伸之氣體管線、位於管線上之隔離閥、及位於閥上之配件，該等配件是經組態以連接至其餘基板加工設備之氣體流動管線。通常希望提供若干個用來加熱介於反應物源容器與反應腔室之間之各種閥件及氣體流動管線，以防止反應物蒸氣凝結及沉積於該等組件上的額外加熱器。因此，介於源容器與反應腔室之間的氣體輸送組件有時稱作 「熱區」，其中之溫度保持高於反應物的蒸發/凝結/昇華溫度。
圖1顯示在一些具體例中可使用作為化學蒸發器的固體源化學昇華器100。昇華器可包含化學反應物，例如固體或液體源前驅體。「固體源前驅體」具有其於技藝中鑑於本揭示內容的慣用及一般含義。其是指在標準條件(即室溫及大氣壓)下為固體的源化學品。在一些具體例中，固體源化學昇華器100可包括基底140、過濾器框架120、過濾器130、及外殼110。固體源化學昇華器100可界定昇華器軸104。過濾器130可具有經組態以限制化學反應物通過(或轉移通過)過濾器的孔隙度。不應將圖1視為限制如文中所述，固體源化學昇華器100可包含之元件的數目。在一些具體例中，外殼110經調適以機械附接至基底140。此可使用一或多個附接裝置(例如，螺栓、螺釘等)來完成。在某些具體例中，外殼110及基底140是以氣密方式機械附接。在一些具體例中，固體源化學昇華器100包含過濾器框架120及過濾器130，但不包含基底140(例如，過濾器框架120可支撐過濾器130並於未由過濾器封閉之內部114的表面上提供容納)。在一些具體例中，基底140是整合於過濾器框架120中。在一些具體例中，基底140是可脫離地固定於過濾器框架120上。
在某些組態中，基底140經調適以收容固體源化學品。基底140可包含用來收容化學反應物之實質上平面的表面，但其他形狀及變型亦是可能的。如更詳細說明於文中，過濾器框架120可經組態以容許載體氣體通過。在一些具體例中，如所示，過濾 器框架120是鄰接於過濾器130設置。在某些組態中，鄰接包括實體接觸。固體源化學昇華器100可界定內部114，諸如介於過濾器130壁之內部之間及介於外殼110之頂板與基底140之底板之間的空間。在一些具體例中，內部115是經組態以容納諸如固體源化學品的化學反應物。固體源化學昇華器100或其部分，諸如過濾器框架120及過濾器130，可以各種方式形成。舉例來說，固體源化學昇華器100可包括兩個或更多個相互堆疊及/或附接的橫向區段。在另一組態中，過濾器130可配合於過濾器框架120內部(例如，扣接配合、滑動配合、摩擦配合等)。在一些具體例中，過濾器框架120可鄰接於過濾器130之外表面的至少一部分設置。
在一些具體例中，固體源化學昇華器100之總成的高度可在約25cm-120cm之範圍內。在一些具體例中，高度可在約50cm-100cm之範圍內，且在一些具體例中是約60cm(約24英吋)。在一些具體例中，固體源化學昇華器100之寬度(例如，直徑)可在約20cm-50cm之範圍內。在一些具體例中，固體源化學昇華器100之寬度可在約30cm-40cm之範圍內，且在某些具體例中是約38cm(約15英吋)。在一些具體例中，容器可具有在約1-4之範圍內之高度：直徑縱橫比。在一些具體例中，容器佔據大致圓柱體之形狀，但其他形狀亦是可能的。因此，在一些具體例中，外殼110包含圓柱形狀，基本上由其所組成，或由其所組成。在一些具體例中，文中所述之各種具體例中之固體源化學昇華器100(未填充)的質量可在約10kg-50kg之範圍內。在一些具體例 中，經填充之固體源化學昇華器100的質量可在約35kg-85kg之範圍內。較低質量之容器可容許較容易的運輸，但較高質量可有利於較高體積的反應物且需要較少再填充。
圖2顯示一些具體例的另一實例固體源化學昇華器100。如所示，固體源化學昇華器100可包括位於外殼110中之再填充孔154，化學反應物(例如，固體前驅體)可通過該再填充孔而放置於固體源化學昇華器100中。外殼110可包括個別的蓋及側壁(如所示)或由單一結構形成。蓋可包括圓柱形狀。在一些具體例中，外殼蓋及基底140是經流體密封，以致氣體除如文中所述者外，實質上無法進入及/或逸出容器。化學反應物可收容於固體源化學昇華器100之內部114。如圖示，在一些具體例中，固體源化學昇華器100可包括承接部分158，其可經組態以承接對應的加熱桿162。可包括其他加熱元件，諸如文中描述之彼等。加熱元件，包括加熱桿162，可經組態以容許內部114達到更詳細說明於文中的操作溫度。在一些具體例中，可包括一或多個控制器(未圖式)且其經組態以如文中更詳細描述地來執行ALD。在一些具體例中，一或多個控制器包括經程式化來執行ALD的處理器及記憶體。一或多個控制器可經組態來控制沉積模組中之任何加熱器、泵、用於壓力控制之泵的閥、用於基板處置的機械手臂控制、及/或用來控制蒸氣流動(包括至固體源化學昇華器100之載體流動及來自固體源化學昇華器100之蒸氣流動)的閥。
所繪示的固體源化學昇華器100及任何隨附的沉積模組 尤其適用於遞送待使用於一或多個氣相反應腔室中的氣相反應物。氣相反應物可用於化學沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)。在一些具體例中，包括控制處理器及儲存於電腦可讀媒體上的程式，使得文中揭示之具體例是經組態以執行ALD。在某些具體例中，包括控制處理器及儲存於電腦可讀媒體上的程式，使得文中揭示之具體例是經組態以執行CVD。
載體氣體的入口流動可發生在固體源化學昇華器100的一端，諸如接近所繪示具體例之底部。載體氣體之流入至固體源化學昇華器100中可在過濾器框架120中的一或多個入口(未圖示)處進行。過濾器框架120可包括用來引導載體氣體流動通過的通道(例如，凹部、突出物)或其部分。載體氣體之流動速率可經由開啟及/或關閉相關聯的一或多個入口閥(未圖示)來控制。入口可位在固體源化學昇華器100的底部或接近底部處或位在固體源化學昇華器100的頂部或接近頂部處。出口可設置於固體源化學昇華器100的相對側上。舉例來說，出口可設置於固體源化學昇華器100的頂部。然而，其他組態亦是可能的。舉例來說，出口可設置於固體源化學昇華器100之底部或接近底部處及/或出口可設置於與入口的相同端或接近相同端處。入口及出口可經設置使得如文中所述之流動路徑是設置於入口與出口之間。
過濾器框架120可包括於過濾器框架120中經機器加工(例如，經銑削、成形)的流體路徑。流體路徑150可包括凹部(如圖示)或突出物。另外或替代地，外殼110可包括外殼凹部或外殼 脊部112(如圖示)。該等外殼脊部112可於外殼110與過濾器框架120之間提供較佳的結構配合，但外殼脊部112可另外或替代地提供流體路徑150之結構邊界。流體路徑150可形成於流體路徑150(如圖示)及/或外殼110中。
流體(諸如載體氣體)可插入至固體源化學昇華器100之端部(例如，底部)中，並例如，通過位於過濾器框架120內的流體路徑150。流體路徑150可沿過濾器框架120之外部行進。另外或替代地，過濾器框架120可沿外殼110的內表面設置。在一些具體例中，流體路徑150環繞過濾器框架120之周圍行進。過濾器框架120可如圖示包含一或多個垂直堆疊的環形通路。在該等具體例中，一或多個橫向凹部或路徑(未示於圖2)可容許於各環形通路之間的流體流動。由於各通路是與地平面及/或基底140平行，因此可將各環形通路的間距稱為0。因此，流體流動可例如沿過濾器框架120的外部發生，但流體可大致在昇華器軸104的方向中向上流動。因此，在到達橫向路徑之前，流體流動可環繞過濾器框架120的周邊(例如，環繞通路(例如，環形通路)之各層級處之半個周邊。通路的層數可在介於約12及45之間的範圍內，及在一些具體例中，層數是約23。
在一些具體例中，路徑包含具有大於0之實質上恆定間距的連續路徑。因此，在該等具體例中，流體路徑150可包括介於入口與出口之間，相對於流動方向連續傾斜(例如，向上)的單一路徑。相對於流動方向的傾斜可以是向上或向下。
當明瞭較長的路徑長度可增加氣體暴露至經昇華固體源化學品的時間長度。流體路徑150總共可具有在約500cm-2500cm之範圍內的總長度。在一些具體例中，總長度是在約750cm-1800cm之範圍內，及在繪示具體例中是約1400cm(3556英吋)。
在內部114與過濾器框架120之間可包括過濾器130，以限制、減緩、降低、抑制、或甚至阻止化學反應物(例如，未昇華之反應物)通過過濾器130。以此方式，可防止固體反應物意外地進入流體路徑150中(例如，於運送期間)。過濾器130可包含陶瓷材料(例如，陶瓷過濾器介質)或金屬網、或此等之組合，基本上由其所組成，或由其所組成。金屬網可包括，例如，不鏽鋼、鋁、或另一耐用金屬。類似地，在一些具體例中，外殼110(例如，包括蓋)及/或基底140中之一或多者可包含金屬，基本上由其所組成，或由其所組成。在一些具體例中，外殼110、外殼蓋113、及/或基底140可各自為單片金屬部件。過濾器130之孔隙度可經組態以將化學反應物自內部114通過至流體路徑150之傳送速率限制至實質上不大於化學反應物於流體路徑中經載體氣體昇華之速率。因此，過濾器130可促進經昇華反應物之流動，其容許載體氣體藉由經昇華前驅體之經改良的飽和速率。過濾器材料可經組態以限制大於特定尺寸(例如約0.003μm)之顆粒通過。材料可包含通常經納入氣體或液體過濾器中之各種不同材料中之任一者，諸如鎳纖維介質、不鏽鋼、陶瓷(例如，氧化鋁)、石英、或兩種或更多種所列舉材料。如更詳細說明於文中，固體源化學昇華器100 可包括細長路徑，以實現載體氣體與大量固體反應物的接觸。在一些具體例中，過濾器130之孔隙度限制化學反應物自內部114至流體路徑150之移動，使得化學反應物自內部114至流體路徑150之傳送速率實質上不大於化學反應物經流體路徑150中之載體氣體昇華的速率。當明瞭化學反應物自內部114至流體路徑150之傳送速率可表示為化學反應物之量對時間的比(例如，mol/秒、g/分鐘等)，且化學反應物於流體路徑中昇華之速率亦可表示為化學反應物之量對時間的比(例如，mol/秒、g/分鐘等)。因此，當明瞭化學反應物自內部114至流體路徑150之傳送速率與化學反應物於流體路徑150中昇華之速率的比較可輕易地轉變為相同單位(如其並非已為相同單位)，以致可進行有效的比較。在一些具體例中，例如，化學反應物自內部114至流體路徑150之傳送速率與化學反應物於流體路徑上之昇華速率實質上相同。「實質上」在本文中具有其如熟悉技藝人士鑑於本揭示內容所當明瞭的一般及慣用含義。其可以是指兩速率沒有明顯差異，例如，以避免流體路徑150被反應物阻塞(此在通過過濾器之傳送速率實質上大於昇華速率的情況下可能會發生)，且使得昇華可在經組態來收容反應物之流動路徑的大部分表面積上連續地發生。如需要「實質上」的更精確數值，在一些具體例中，傳送速率可以是在昇華速率的±30%內，例如，在昇華速率的±25%、±20%、±15%、±10%、或±5%內。
通過流體路徑150之流體(諸如載體氣體及/或反應物氣 體)可於一或多個離開點或出口(未圖示)離開固體源化學昇華器100，該等離開點或出口可通向其他流動控制裝置(例如，閥)及/或一或多個沉積腔室。來自固體源化學昇華器100之流出物則包括載體氣體及自固體源化學昇華器100之內部蒸發的反應物氣體。在一些具體例中，內部114是經組態以於其經化學反應物填充之後包含頂部空間。頂部空間可與流體路徑150、及/或入口及出口(未圖示)流體相通，且可經組態來藉由頂部空間中之流體(例如，載體氣體)昇華化學反應物。因此，頂部空間可提供故障安全，以致即使過濾器130經阻塞，或者無法將化學反應物輸送至流體路徑150時，化學反應物仍可繼續昇華。舉例來說，頂部空間可與流體路徑150流體相通，其中流體相通不會穿越過濾器130，因此即使在過濾器經阻塞或者無法將化學反應物輸送至流動路徑150的情況下仍可容許化學反應物輸送至流動路徑。
較佳使用不活性或惰性氣體作為用於經蒸發前驅體的載體氣體。惰性氣體(例如，氮氣、氬氣、氦氣等)可經由一或多個昇華器入口(未圖示)饋送至固體源化學昇華器100中。在一些具體例中，可將不同的惰性氣體用於各種製程及文中所述之各種系統中。當明瞭可包括未圖示的其他閥及/或其他流體控制元件。舉例來說，除了入口閥外，亦可提供個別的出口閥。
當明瞭可包括未圖示的其他閥及/或其他流體元件。在某些組態中可包括未圖示的其他閥及其他流體元件。關於系統之流體學的其他資訊可見於2007年10月10日提出申請之美國專利第 8,137,462號，標題「前驅體傳遞系統(PRECURSOR DELIVERY SYSTEM)」中，該案以全文引用的方式併入本文供所有用途用。
文中描述之方法的一些具體例可包括對基板表面施行的前處理製程。前處理可包括一或多個製程。在前處理中，可使欲於其上沉積第一反應物(例如，包括金屬)的基板表面暴露至一或多種前處理反應物及/或特定條件，諸如溫度或壓力。可針對任何數目的理由來使用前處理，包括清潔基板表面、移除雜質、移除天然氧化物、及/或提供期望的表面終端以利於後續的沉積反應或吸附。在一些具體例中，前處理包括使基板表面暴露至一或多種前處理反應物，諸如氧化源及/或清潔反應物，諸如H2O、O3、HCl、HBr、Cl2、HF、電漿產物等。在一些具體例中，前處理製程包括使基板暴露至一或多種適當化學品，暴露是在約0.05s至約600s，較佳約0.1s至約60s之範圍內。在一些具體例中，前處理製程期間之壓力是維持在約0.01托(Torr)及約100托之間、較佳約0.1托至約10托。在一些具體例中，依序或同時使用多種前處理反應物。在一些具體例中，前處理可涉及多次施用一或多種前處理反應物。
前處理製程可利用呈蒸氣形式及/或呈液體形式的前處理反應物。前處理製程可在與後續ALD製程相同的溫度及/或壓力下進行；然而，其亦可於不同溫度及/或壓力下進行。舉例來說，在異地前處理涉及將基板浸泡於水溶液中的情況，可能希望使前處理在較ALD製程高的壓力下進行，ALD製程可在會使前處理反應 物不期望地蒸發之相當低的壓力下進行。
反應物亦可稱為前驅體，其中反應物將元素留在經沉積的膜中。在利用固定基板的一些具體例中(時間分割ALD)，第一反應物是以氣相脈衝形式傳送至反應腔室中並與基板表面接觸。在第一反應物是待吸附之前驅體的情況中，可選擇條件，使得不超過約一個單層的前驅體以自限方式吸附於基板表面上。第一前驅體脈衝是以氣態形式供應。針對本說明之目的，若物種在製程條件下呈現足夠的蒸氣壓來將該等物種以足以使暴露表面飽和之濃度輸送至工件，則將第一前驅體氣體視為「揮發性」。
在一些具體例中，第一前驅體與基板接觸達約0.01秒至約60秒，約0.02秒至約30秒，約0.025秒至約20秒，約0.05秒至約5.0秒，約0.05秒至約2.0秒或約0.1秒至約1.0秒。如熟悉技藝人士所當明瞭，確保表面飽和的暴露時間將視反應器體積、基板尺寸、載體氣體中之前驅體濃度、及製程條件而定。
於ALD類型製程中所使用之第一前驅體在標準條件(室溫及大氣壓力)下可為固體、液體或氣態材料，限制條件是第一前驅體在其傳送至反應腔室內並與基板表面接觸之前是呈氣相。在一些具體例中，第一前驅體可包括金屬且在標準條件下可為固體源材料，諸如在文中所述之固體源化學昇華器100中是呈粉末形式。
可將若有之過剩第一反應物及反應副產物自基板表面移除，例如經由供應諸如氮氣或氬氣之惰性氣體。將氣相前驅體及/ 或氣相副產物自基板表面移除，例如藉由利用真空泵抽空腔室及/或藉由用諸如氬氣或氮氣之惰性氣體置換反應器內部之氣體。典型的移除時間是約0.05至20秒，更佳介於約1及10秒之間，及又更佳介於約1及2秒之間。然而，若需要，可利用其他移除時間，諸如當需要在極高縱橫比結構或其他具有複雜表面形態之結構上方沉積層時。適宜的移除時間可由熟悉技藝人士基於特定情勢輕易地決定。
在一些具體例中，移除若有之過剩第一反應物及反應副產物可包括移動基板，使得第一反應物不再與基板接觸。在一些具體例中，可不自腔室的各個部分移除反應物。在一些具體例中，將基板自腔室之容納第一前驅體之部分移動至腔室之容納第二反應物或完全不容納反應物之另一部分。在一些具體例中，將基板自第一反應腔室移動至第二、不同反應腔室。在該等具體例中，可將基板(例如)移動通過惰性氣體之區或簾幕以助於移除，類似於針對固定基板沖洗腔室。
可使基板與第二反應物(例如，前驅體)接觸。在一些具體例中，第二反應物包含氧(例如，水蒸氣、臭氧等)。在一些具體例中，第二前驅體接觸基板達約0.01秒至約60秒，約0.02秒至約30秒，約0.025秒至約20秒，約0.05秒至約5.0秒，約0.05秒至約2.0秒或約0.1秒至約1.0秒。然而，取決於反應器類型、基板類型及其表面積，第二前驅體接觸時間可甚至高於10秒。在一些具體例中，特定而言具高容量之批式反應器，接觸時間可在若 干分鐘左右。最佳接觸時間可由熟悉技藝人士基於特定情勢輕易地決定。
反應腔室中第二前驅體之濃度可自約0.01體積%至約99.0體積%。且就典型單一基板反應器而言，第二前驅體可以介於約1標準cm3/min與約4000標準cm3/min之間之速率流過反應腔室。熟悉技藝人士當明瞭在以上範圍外之反應條件可適用於特定類型之反應器。
可將若有的過剩的第二反應物及表面反應之氣態副產物自基板表面移除。在一些具體例中，較佳藉助惰性氣體來移除過剩反應物及反應副產物。可視情況重複接觸及移除步驟直至已將期望厚度之薄膜形成於基板上為止，其中於純粹ALD製程中各循環留下不多於一分子單層。然而，熟悉技藝人士當明瞭在一些具體例中，可經由將條件修改成在理論ALD條件之外來獲致多於一單層。舉例而言，可容許相互反應性反應物間之一些量的重疊來導致部分或混成CVD類型反應。在一些情況中，可能希望通過選擇高於標準ALD窗口之溫度，經由通過其他手段注射能量(例如，電漿產物)來達成各種前驅體中至少一者的至少部分分解，或經由針對該等反應物選擇低於標準ALD窗口之溫度來達成第一反應物之多個單層的凝結。
對以上描述製程的各種其他修改或添加是可能的。舉例來說，更複雜的循環可包括用於額外前驅體或其他類型反應物(例如，還原劑、氧化劑、吸除劑、電漿或熱處理等)的期。可以選定 的相對頻率使用不同循環以調整期望膜的組成。舉例來說，氧氮化矽可針對每1個氮化矽循環包括5個氧化矽循環，或任何其他期望的循環比，端視期望的氮含量而定，且若於層組成中期望分級，則可於沉積期間改變該等比。另外，由於製程是循環性，因此「第一」反應物可第二次供應，而不實質地改變製程。
在一些具體例中，用於控制一或多個沉積腔室之電子元件及/或電腦元件可存於系統中之他處。舉例來說，中央控制器可同時控制一或多個腔室本身之設備以及控制連接至固體源化學昇華器100及任何相關加熱器之閥。可使用一或多個閥來控制氣體遍及多腔室沉積模組之流動。
在一些情況中，當前驅體源容器諸如固體源化學昇華器100經填充或再充填前驅體粉末時，向其供應容器中之惰性氣體(例如，氦氣)的頭壓力(head pressure)，以使移動容器時的擾動最小化。在操作前，可能希望排空此過量壓力。因此，在某些具體例中，可使用個別的排氣閥來於操作前減輕固體源化學昇華器100之內部114內的壓力。
如熟悉技藝人士所當明瞭，可有利地減小固體源化學昇華器100所將需要的體積或覆蓋區。精簡的容器總成可減小此一覆蓋區。在某些具體例中，各固體源化學昇華器100可具有介於約75cm2與150cm2之間的面積(例如，其上放置固體源化學昇華器100)。
於固體源化學昇華器100中收容大質量及/或體積之固體 源化學品的能力可增加於再充填處理之間所需的時間。此外，此可於相同時間量中容許較大質量的經昇華固體源化學品。因此，在一些具體例中，固體源化學昇華器100可經調適以收容在約7.5kg-20kg範圍內之用於氣相沉積之典型固體源化學品，特定而言無機固體源金屬或半導體前驅體，諸如HfCl4、ZrCl4、AlCl3、或SiI4。在一些具體例中，固體源化學昇華器100可經調適以收容在約5kg-12kg範圍內之固體源化學品。在一些具體例中，固體源化學昇華器100可經調適以收容至少15kg之典型固體源化學品。固體源化學品之高度可介於固體源化學昇華器100之高度的約50%至90%之間。在一些具體例中，固體源化學品之高度可介於約65%與80%之間。在該填充高度上方的頭頂空間可保留作為頂部空間，以利於收集在固體前驅體上方之反應物蒸氣，及容許載體氣體流動以攜帶該蒸氣。
較長的路徑長度及/或昇華器可收容之較大質量之固體源化學品可導致在相同時間量中有較大量的前驅體到達沉積腔室。在一些情況中，較長的路徑長度及/或較大質量之固體源化學品可增加可於相同時間量中達成的飽和量。在一些具體例中，兩個連續氣相製程之間的經過時間(例如，脈衝/沖洗長度)可介於約100ms-3s之間。在一些具體例中，經過時間可介於約30ms-1.5s之間。
容器尺寸可與固體源化學品之量相關。舉例來說，由容器所封圍之容積(以cm3計)對其可收容之固體源化學品之質量(以 kg計)的比可在約20-45之範圍內。在某些組態中，該比可在約1-10之範圍內。此等範圍可部分地由加諸於容器之自然限制、所使用之材料、及空間限制來決定。
流體路徑150可具有一高度及一寬度(例如，凹部高度及寬度)。在一些具體例中，高度可介於約2cm-10cm之間。在一些具體例中，高度可介於約1cm-6cm之間。在一些具體例中，寬度可介於約1cm-6cm之間。在一些具體例中，寬度可介於約0.2cm-4cm之間。在一些具體例中，高度及寬度可界定3-7之高度：寬度縱橫比。在一些具體例中，高度及寬度可界定介於約4-5.5間之高度：寬度縱橫比。
在一些具體例中，沉積模組及/或固體源化學昇華器100可包括一或多個加熱元件。在一些具體例中，一或多個加熱元件可垂直地鄰接或垂直地鄰近於固體源化學昇華器100設置。在一些具體例中，一或多個加熱元件是經組態以藉由傳導加熱昇華器100。在某些具體例中，可包括設置於基底140下方的加熱器板。在某些具體例中，可將加熱器設置於外殼110上方。在一些具體例中，一或多個閥可經傳導性及/或輻射性加熱。在一些具體例中，可於固體源化學昇華器100之壁及/或中心中(例如，於內部114中)包括一或多個熱進料槽，以向固體化學反應物提供更多直接熱。可將固體源化學昇華器100置於經組態成氣密性的櫃中，以容許抽吸至低壓，諸如介於約0.1托(Torr)及20托之間，例如，約5托，及因此利於有效率的輻射加熱，從而有最小的傳導性或對流 性損耗至櫃內之氛圍。
固體源化學昇華器100可經組態成在操作溫度下操作。舉例而言，操作溫度可基於經昇華反應物通過如文中所述之過濾器130之期望流動速率來決定。另外或替代地，操作溫度可基於化學反應物之期望昇華速率來決定。在一些具體例中，操作溫度是在約20℃-250℃之範圍內。所選的操作溫度當然可視欲蒸發的化學品而定。舉例而言，對於HfCl4，操作溫度可為約160℃-240℃，特定而言約170℃-190℃；對於ZrCl4，約170℃-250℃，特定而言約180℃-200℃；對於Al2Cl3，約90℃-110℃；對於SiI4，約90℃-120℃。熟悉技藝人士當可輕易明瞭可針對其他源化學品選擇其他溫度。
在一些具體例中，固體源總成(如文中所揭示)可在目標真空壓力下操作。在一些具體例中，目標真空壓力可在約0.5托-20托之範圍內，諸如5托。在某些具體例中，固體源總成中之真空壓力可使用一或多個壓力控制器來調節。
圖3A-3B顯示具有複數個流體路徑150的實例外殼110。如文中所述，流體路徑150可至少部分地形成於外殼110之內部中、過濾器框架120之外部內、或兩者。圖3A顯示實例外殼110的頂部透視圖。圖3B顯示外殼110之內部的更近視圖，其顯示流體路徑150及橫向凹部170。橫向凹部170可另外或替代地形成於過濾器框架120中。圖4顯示固體源化學昇華器100之一實例外部。
圖5顯示一實例過濾器框架120。在一些具體例中，過濾器框架120可包括基底140。在一些具體例中，過濾器框架120包括蓋(未圖示)。過濾器框架120可包括一或多個框架支撐元件124，諸如位於過濾器框架120中。框架支撐元件124可附接於過濾器框架120的連續突出物150a之間。可於過濾器框架120的對應突出物之間形成交替凹部。以此方式，可形成容許載體氣體通過的流體路徑150。為容許氣體平行於昇華器軸104流動(例如，垂直地)(例如，於連續凹部150b之間)，可形成一或多個橫向凹部170(例如，於過濾器框架120中)。如他處所說明，橫向凹部170可另外或替代地形成於外殼110中。橫向凹部170可於過濾器框架120之一特定側上以交替的突出物形成(例如，跳過每隔一個相鄰的突出物)。可於過濾器框架120(及/或外殼110)之相對側上形成交替的橫向凹部170。以此方式，為使載體氣體垂直地行進，氣體可替代地在遇到下一橫向凹部170之前環繞過濾器框架120之至少一部分(例如，180o)水平地引導。以此方式，可增加載體氣體的流動路徑長度以容許載體氣體經經昇華化學反應物的較大飽和。圖6顯示圖5之過濾器框架120的底部透視圖。
圖7顯示具有昇華器軸104之過濾器框架120的側視圖。昇華器軸104可平行於載體氣體在過濾器框架120之入口與出口間的一般流動延伸。圖8A及8B顯示圖5-7中之過濾器框架120的頂視圖及底視圖。
圖9顯示一些具體例之過濾器嵌件200的頂視圖。過濾 器嵌件200可包括過濾器框架120及過濾器130。在一些具體例中，過濾器嵌件200可包括基底140。在一些具體例中，過濾器嵌件200可包括蓋(未圖示)。過濾器嵌件200可經組態(例如，經成形、經定尺寸)以配合於對應外殼110內，如文中所說明。過濾器嵌件200可具有過濾器框架寬度182或直徑。過濾器框架寬度182可介於約20cm與50cm之間。過濾器框架120可於最厚部分處具有介於約1與10cm之間的壁厚度。在一些具體例中，過濾器框架120之壁厚度是介於約2cm與4cm之間。過濾器130可於最厚部分處具有介於約1與10cm之間的壁厚度。在一些具體例中，過濾器130之壁厚度是介於約2cm與4cm之間。過濾器框架120之壁厚度對過濾器框架120之壁厚度的比可介於約0.3與2之間。在一些具體例中，該比是約1。在一些具體例中，過濾器嵌件200可經組態以插入至外殼110中，然後再填充化學反應物。在一些具體例中，過濾器嵌件200可經組態以容納化學反應物，然後再插入至外殼110中(在已容納化學反應物時)。在一些具體例中，過濾器嵌件200可經組態以插入至已容納化學反應物的外殼110中。
圖10顯示圖9之過濾器嵌件200之橫截面側視圖。圖11顯示圖9-10中顯示之過濾器嵌件200之透視圖。
圖12顯示一實例固體源化學昇華器300之橫截面，其包括外殼310、蓋306、熱傳導管360、一或多個傳導性突出物364、及基底340。外殼310可具有外殼軸(未標示)，其可類似於以上揭 示的昇華器軸104。外殼軸可垂直於蓋306及/或基底340之平面且沿外殼310之長度延伸。外殼310可具有經組態以於其中收容固體化學反應物的遠端部分。遠端部分可沿外殼軸自基底340延伸至外殼310中之某一點(及/或包括藉此涵蓋的空間)。
繼續參照圖12，蓋306可設置於外殼310之近端部分上。舉例來說，蓋306可與外殼310成為一體或可簡單地安置於外殼310上。在一些設計中，蓋306可為可移除地或永久地附接至外殼310。舉例來說，蓋可藉由摩擦(例如，螺紋)、壓縮力(例如，鉗夾)、及/或螺釘來附接。蓋306可包括流體入口384及流體出口388。如圖示，蓋306於蓋306的遠端部分內界定曲折路徑374。蓋306經調適以容許氣體於流動路徑內流動。
所示之固體源化學昇華器300包括設置於曲折路徑374與基底340之遠端部分之間的過濾器396。在一些組態中，過濾器396是設置於流體出口388與基底340及/或外殼310之遠端部分之間。過濾器396可具有經調適以限制固體化學反應物通過的孔隙度。舉例來說，過濾器396可具有介於約0.0001微米與約85微米之間的孔隙度。在一些設計中，孔隙度是介於約0.1微米與約40微米之間，及在一些設計中是約20微米。在一些組態中，過濾器396覆蓋曲折路徑374的部分，但非全部(應注意為針對曲折路徑「覆蓋」或提供「覆蓋」，過濾器不一定需位於曲折路徑的頂部，而是可(例如)經由位於曲折路徑374之底部來覆蓋一些或全部的曲折路徑374)。在一些組態中，過濾器396覆蓋大部分的曲折路 徑374。在一些組態中，過濾器396覆蓋曲折路徑374。在一些組態中，過濾器396接觸曲折路徑374的遠端表面。
過濾器396可包括與蓋306之流體入口384流體連通的入口。過濾器之入口可經組態以容許固體化學反應物通過而進入外殼中。過濾器入口可有利於將固體源化學昇華器300填充固體源反應物，例如經由容許不移除過濾器396及/或蓋306來進行填充。
過濾器396可包括陶瓷或金屬(例如，不鏽鋼、鋁等)中之至少一者。過濾器396可形成具有介於約25與1000之間之厚度對直徑之縱橫比的盤。過濾器396可具有介於約20cm與50cm之間的直徑。流體入口384及/或流體出口388中之一者或兩者可與曲折路徑374流體連通。
在一些組態中，蓋306之面對遠端的部分接觸過濾器396之近端表面。另外或替代地，外殼310之近端部分可接觸過濾器396的遠端表面。
曲折路徑374可包含位於蓋306中的一或多個反向平行區段及/或路徑。反向平行區段及/或路徑可設置於共同平面中。曲折路徑374可於蓋306中銑削，或可由不為蓋306之部分的個別材料塊界定。在一些設計中，曲折路徑374包括連接曲折路徑374之複數個流體路徑中之至少兩個連續流體路徑的橫向路徑。橫向路徑可實質上正交於兩個連續流體路徑中之至少一者定向。
在一些具體例中，外殼之近端部分可包括與曲折路徑374 流體連通之頂部空間，以致載體氣體能夠於頂部空間中及於曲折路徑374中經化學反應物飽和。在過濾器或曲折路徑阻塞期間，頂部空間可保持與流動路徑流體連通。流體入口384及/或流體出口388之一者或兩者可包括經組態以容許流體流動通過的對應閥(參見，例如，圖13B)。另外或替代地，流體入口384及/或流體出口388之一者或兩者可包括經組態以限制顆粒流動通過的對應過濾器390、392。蓋306的一面可包括曲折路徑374且該面可為圓形的。外殼310可為圓柱形及/或過濾器可為圓形。如文中所使用，「圓柱形」、「圓形」、及其他形狀的描述可涵蓋與真實歐幾里德(Euclidian)形狀的些微差異，且因此亦可包括「大致圓形」及「大致圓柱形」。
熱傳導管360可為傳導性的且經設置成與熱源傳導熱連通。熱源可包括一或多個加熱元件，諸如加熱桿362。加熱桿362可大致沿外殼之軸設置。舉例來說，加熱桿362可設置於熱傳導管360內，如圖12所示。因此，外殼310的一部分保持設置於加熱桿362與任何固體源反應物之間，以致固體源反應物不接觸加熱桿。此可防止加熱桿因與固體源反應物接觸及/或固體源反應物沉積於加熱桿上而損壞。其他組態是可能的。舉例來說，可將加熱板設置於基底340之遠端。加熱板可鄰接(例如，形成傳導性熱連通)或接近於基底340設置。在一些組態中，可鄰接及/或接近外殼310之側壁設置一或多個加熱元件。
圖13A顯示可包括於固體源化學昇華器300中之一實例 蓋306。曲折路徑374可經調適以容許氣體流動通過。在一些組態中，曲折路徑374可經銑削及/或機器加工於蓋306中或蓋306可經成型成具有曲折路徑374。在一些具體例中，曲折路徑374可由固體(例如，鑄造)金屬塊銑削得。
如圖13B所示，在一些具體例中，曲折路徑374可與流體入口384及/或流體出口388流體連通。曲折路徑374可與入口閥398及/或出口閥(未圖示)流體連通。在一些具體例中，流體入口384是經由曲折路徑374流體連接至流體出口388。
當明瞭較長的路徑長度可增加固體源化學品的氣體暴露表面積。蓋306之曲折路徑374可具有在約2000mm-8000mm範圍內之長度。在一些具體例中，曲折路徑374可具有在約3000mm-5000mm範圍內之長度。如熟悉技藝人士所當明瞭，可有利地減小固體源化學昇華器300所將佔據的體積或覆蓋區。精簡的昇華器可減小或最小化此一覆蓋區。在某些具體例中，蓋306可具有介於約25mm-50mm之間之高度。在某些組態中，蓋306可具有介於約15mm-30mm之間之高度。在某些組態中，蓋306可具有介於約40mm-80mm之間之高度。
於固體源化學昇華器300中及/或由固體源化學昇華器300處置之較大質量及/或體積之固體源化學品可得到較大通過量的經昇華反應物。此外，此可於相同時間量中容許較大質量的經昇華固體源化學品。在一些具體例中，曲折路徑374可經調適以容納在約750g-2000g範圍內之經昇華固體源化學品。化學反 應物可包括無機固體源金屬或半導體前驅體，諸如HfCl4、ZrCl4、AlCl3、或SiI4。較長的路徑長度及/或蓋306可幫助處理之較大質量之固體源化學品可於相同時間量中導致較大量的前驅體到達沉積腔室(未圖示)。在一些情況中，較長的路徑長度及/或較大質量的固體源化學品可提高可於相同時間量內達到之經昇華前驅體之濃度。在一些具體例中，曲折路徑具有可在昇華溫度及壓力下有效達成經昇華前驅體之飽和的長度。在一些具體例中，兩連續氣相製程之間的經過時間(例如，脈衝/沖洗長度)可介於約100ms-3s之間。在一些具體例中，經過時間可介於約30ms-1.5s之間。在一些具體例中，曲折路徑374之體積或容量(以mm3計)對蓋306之總路徑長度(以mm計)之比可在約400-1200之範圍內。此等範圍可部分地由加諸於容器之自然限制、所使用之材料、及空間限制來決定。
圖13B繪示一實例固體源化學昇華器300之橫截面細部圖。在某些組態中，蓋306之曲折路徑374可具有凹部高度370及凹部寬度372。在一些具體例中，凹部高度370可介於約10mm-50mm之間。在一些具體例中，凹部高度370可介於約20mm-40mm之間。在一些具體例中，凹部寬度372可介於約3.0mm-20mm之間。在一些具體例中，凹部寬度372可介於約5mm-8mm之間。在一些具體例中，凹部高度370及凹部寬度372可界定3-7之高度：寬度縱橫比。在一些具體例中，凹部高度370及凹部寬度372可界定介於約4.0-5.5之間的高度：寬度縱橫比。
圖14顯示一實例固體源化學昇華器300，其顯示複數個熱傳導性突出物364。固體源化學昇華器300可包括沿外殼軸設置的熱傳導性熱傳導管360。複數個熱傳導性突出物364可如圖示環繞傳導性熱傳導管360徑向設置。其他組態是可能的。傳導性突出物364可為大致扁平的且可具有高的(例如，大於10、大於20、大於25)表面積(以mm2計)對體積(以mm3計)比。外殼310之遠端部分可經組態以收容固體化學反應物，其中傳導性熱傳導管360設置於其間。如前所指，傳導性熱傳導管360可經設置成與熱源傳導性熱連通。固體源化學昇華器300可包括至少三個、五個、六個、七個、八個、九個、或更多個傳導性突出物364。傳導性突出物364可自外殼之遠端部分(例如，側壁、基底340)延伸。傳導性突出物364可自外殼軸徑向間隔開。另外或替代地，傳導性突出物364可自外殼之遠端部分軸向延伸。軸向延伸之傳導性突出物364的數目可為三個、四個、五個、六個、七個、八個、九個、或更多個，且各自可彼此徑向間隔開。舉例來說，如存在八個傳導性突出物364，則八個傳導性突出物可以於任兩相鄰傳導性突出物之間約45度的角度設置。舉例來說，如存在六個傳導性突出物364，則六個傳導性突出物可以於任兩相鄰傳導性突出物之間約60度的角度設置。
傳導性突出物364可幫助分佈及/或控制至固體源化學反應物之熱流。此受控熱流可抑制或阻止流動遍及反應物的未知溫度流。熱模擬顯示包含八個徑向分佈傳導性突出物364之組態(例 如，如圖15中所繪示)可於固體源化學反應物中達成有效率且均勻的熱流，因此於外殼310中之整個固體源化學反應物中產生有效率的昇華。在一些組態中，傳導性突出物364並非主動加熱器，而是用作來自可位於基底340下方之主動加熱元件(例如，加熱桿362、及/或底板加熱器)之熱的傳導器。
傳導性突出物364可與外殼310之遠端部分及/或基底340熱連通。外殼可包括經組態以容許加熱元件(例如，加熱桿362)插入其中的承接部分。承接部分可為大致縱向且可經組態以軸向延伸於外殼310之大部分的軸向長度。承接部分可經設置使得加熱元件當經插入時位於外殼外部(及因此，加熱元件當經插入時不會接觸固體源化學品)。
固體源化學昇華器可具有各種尺寸。舉例來說，在一些組態中，其具有介於約20與0.5之間的軸長度對直徑之縱橫比。其他組態是可能的。
圖15顯示根據一組態，熱傳導管360、傳導性突出物364、及基底340可如何組裝。如圖示，包括八個傳導性突出物364，且各傳導性突出物364是與熱傳導管360熱連通且各自其徑向延伸。另外，如圖示，各傳導性突出物364可與基底340熱連通。
圖16顯示包含一或多個諧振器380之一實例固體源化學昇華器300的一態樣。諧振器380可有利地使反應物與載體氣體混合，及因此可相較於在不存在諧振器380時之源容器達成較高 濃度的經昇華前驅體。另外或替代地，諧振器380可有助於抑制或防止物體源反應物結塊。在一些組態中，抑制或防止結塊是經由擾動或攪動固體源反應物來達成。舉例來說，一些組態包括於外殼310內促進流動載體氣體與由在外殼310中蒸發固體反應物所形成之反應物蒸氣混合的結構特徵(例如，諧振器380)。諧振器380可為自，例如，基底340延伸的垂直(例如，軸向)延伸物。在某些組態中(未圖示)，諧振器380可為自外殼310之側壁，特定言之在外殼310之高度的下方大約1/3處水平延伸的延伸物。諧振器380可設置於外殼310的遠端部分。一或多個諧振器380可包括環繞外殼軸徑向設置的延伸物。諧振器380可經組態以攪動在外殼中之固體化學反應物，例如通過振動及/或旋轉。
其他實施例
以下提供一些非限制性實例組態供說明目的用。
在第1選項中，一種固體源化學昇華器，其包括：外殼，其具有內部空間及面向內部空間之內表面；過濾器，其具有第一端及第二端，該過濾器具有經組態以限制固體化學反應物通過的孔隙度，該過濾器經成形及設置以界定在過濾器與內表面間之空間中環繞過濾器的流動路徑；及界定於過濾器與外殼之內表面間之一或多個流體路徑，該一或多個流體路徑經組態以容許流體自過濾器之第一端流動至第二端。
在第2選項中，如選項1之固體源化學昇華器，其進一步包括經組態以支撐過濾器的過濾器框架。
在第3選項中，如選項2之固體源化學昇華器，其進一步包括經組態以於其上承接化學反應物的基底，該過濾器框架固定於該基底上，該過濾器框架經組態以設置於外殼內。
在第4選項中，如選項1-3中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器之孔隙度是經組態以將固體化學反應物自內部通過至流動路徑之傳送速率限制至實質上不大於化學反應物於流動路徑中經載體氣體昇華之速率。
在第5選項中，如選項1-4中任一項之固體源化學昇華器，其進一步包括位於外殼內之過濾器框架，該過濾器框架限定該過濾器之位置。
在第6選項中，如選項1-5中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑是環繞過濾器之外表面、外殼之內表面、或兩者設置於周圍。
在第7選項中，如選項1-6中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑是至少部分地由設置於外殼之內表面內的凹部形成。
在第8選項中，如選項1-7中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑是至少部分地由設置於過濾器內的凹部形成。
在第9選項中，如選項1-8中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑包含橫越外殼之周圍多次的迂迴路徑。
在第10選項中，如選項1-9中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑包含環繞外殼之內表面的螺旋路徑。
在第11選項中，如選項1-10中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑包含複數個流體路徑，且其中一橫向路徑連接該複數個流體路徑之至少兩個連續流體路徑。
在第12選項中，如選項11之固體源化學昇華器，其中該橫向路徑是實質上正交於兩個連續流體路徑中之至少一者定向。
在第13選項中，如選項1-12中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器之孔隙度是經組態以防止反應物於第一溫度下通過且容許反應物於第二溫度下通過。
在第14選項中，如選項13之固體源化學昇華器，其中該第二溫度是高於該第一溫度。
在第15選項中，如選項11-14中任一項之固體源化學昇華器，其中該第二溫度是介於約35℃與200℃之間。
在第16選項中，如選項1-15中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器包含陶瓷或金屬中之至少一者。
在第17選項中，如選項1-16中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器界定介於約1及4之間之高度對直徑的縱橫比。
在第18選項中，如選項1-17中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器具有介於約25cm及120cm之間的高度。
在第19選項中，如選項1-18中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器具有介於約20cm及50cm之間的直徑。
在第20選項中，如選項1-19中任一項之固體源化學昇華 器，其中該流動路徑包含一環。
在第21選項中，如選項1-20中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑是經組態成與該基底流體相通。
在第22選項中，如選項2-21中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器框架包含框架壁及形成於其上之複數個脊，該等脊界定流動路徑的至少一部分。
在第23選項中，如選項1-21中任一項之固體源化學昇華器，其中複數個脊是形成於過濾器之外表面上，該等脊界定流動路徑的至少一部分。
在第24選項中，如選項1-23中任一項之固體源化學昇華器，其中該外殼包含流體入口及流體出口，該流體入口及該流體出口各自與該流動路徑流體相通。
在第25選項中，如選項1-24中任一項之固體源化學昇華器，其進一步包含一或多個與內部熱連通的加熱元件。
在第26選項中，如選項25之固體源化學昇華器，其中該一或多個加熱元件包括經設置成與基底熱接觸的加熱板。
在第27選項中，如選項23-26中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個加熱元件是選自由加熱桿及加熱板、或其組合所組成之群。
在第28選項中，如選項27之固體源化學昇華器，其中該基底包含經組態以容許加熱桿插入其中之承接部分。
在第29選項中，如選項1-28中任一項之固體源化學昇華 器，其中該內部包含進一步與流動路徑流體相通之頂部空間，藉此載體氣體能夠於頂部空間中及於流動路徑中經化學反應物飽和。
在第30選項中，如選項29之固體源化學昇華器，其中該頂部空間於過濾器阻塞期間保持與流動路徑流體相通。
在第31選項中，如選項1-30中任一項之固體源化學昇華器，其中該外殼包含圓柱形狀。
在第32選項中，一種固體源化學昇華器，其包括：外殼，其具有內部空間及面向內部空間之內表面，該內部空間經組態以於其中承接化學反應物；過濾器框架，其具有第一端及第二端，該過濾器框架經組態以支撐用來限制固體化學反應物之過濾器，該過濾器框架及該過濾器經組態成設置於內部空間中；及一或多個流體路徑，其至少在過濾器框架設置於外殼內部期間，界定於界定在過濾器框架與外殼之內表面間之環帶中。
在第33選項中，如選項32之固體源化學昇華器，其進一步包含該過濾器，該過濾器經組態以限制化學反應物通過。
在第34選項中，如選項32-33中任一項之固體源化學昇華器，其進一步包括經組態以於其上承接化學反應物的基底，該過濾器框架固定於該基底上。
在第35選項中，如選項33-34中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器之孔隙度是經組態以將化學反應物自內部通過至流體路徑之傳送速率限制至實質上不大於化學反應物於流體 路徑中經載體氣體昇華之速率。
在第36選項中，如選項32-35中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑是環繞過濾器框架之外部設置。
在第37選項中，如選項32-36中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑是環繞過濾器框架、外殼之內表面、或兩者設置於周圍。
在第38選項中，如選項32-37中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑是至少部分地由設置於外殼內之凹部形成。
在第39選項中，如選項32-38中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑是至少部分地由設置於過濾器框架內之凹部形成。
在第40選項中，如選項32-39中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑中之至少一者的間距是約0。
在第41選項中，如選項32-40中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑中之至少一者的間距是大於0。
在第42選項中，如選項32-41中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑中之至少一者包含螺旋形。
在第43選項中，如選項32-42中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑包含複數個流體路徑，且其中一橫向路徑連接該複數個流體路徑之至少兩個連續流體路徑。
在第44選項中，如選項43之固體源化學昇華器，其中 該橫向路徑是實質上正交於兩個連續流體路徑中之至少一者定向。
在第45選項中，如選項32-44中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器之孔隙度是經組態以防止反應物於第一溫度下通過且容許反應物於第二溫度下通過。
在第46選項中，如選項45之固體源化學昇華器，其中該第二溫度是高於該第一溫度。
在第47選項中，如選項32-46中任一項之固體源化學昇華器，其中該第二溫度是介於約35℃與200℃之間。
在第48選項中，如選項32-47中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器包含陶瓷或金屬中之至少一者。
在第49選項中，如選項32-48中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器框架界定介於約1及4之間之高度對直徑的縱橫比。
在第50選項中，如選項32-49中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器框架具有介於約25cm及120cm之間的高度。
在第51選項中，如選項32-50中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器框架具有介於約20cm及50cm之間的直徑。
在第52選項中，如選項32-51中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑包含一環。
在第53選項中，如選項32-52中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個流體路徑是經組態成與該基底流體相通。
在第54選項中，如選項32-53中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器框架包含框架壁及形成於其上之複數個脊，該等脊界定流體路徑的至少一部分。
在第55選項中，如選項32-54中任一項之固體源化學昇華器，其中複數個脊是形成於過濾器框架之外表面上，該等脊界定流體路徑的至少一部分。
在第56選項中，如選項32-55中任一項之固體源化學昇華器，其中該外殼包含流體入口及流體出口，該流體入口及該流體出口各自與該一或多個流動路徑流體相通。
在第57選項中，如選項32-56中任一項之固體源化學昇華器，其進一步包含一或多個至少部分設置於內部中的加熱元件。
在第58選項中，如選項57之固體源化學昇華器，其中該一或多個加熱元件包括經設置成與基底熱接觸的加熱板。
在第59選項中，如選項23-58中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個加熱元件包括加熱桿。
在第60選項中，如選項59之固體源化學昇華器，其中該基底包含經組態以容許加熱桿插入其中之承接部分。
在第61選項中，如選項32-60中任一項之固體源化學昇華器，其中該內部包含進一步與流動路徑流體相通之頂部空間，藉此載體氣體能夠於頂部空間中及於流體路徑中經化學反應物飽和。
在第62選項中，如選項61之固體源化學昇華器，其中 該頂部空間於過濾器阻塞期間保持與流動路徑流體相通。
在第63選項中，如選項32-62中任一項之固體源化學昇華器，其中該外殼包含圓柱形狀。
在第64選項中，一種過濾器嵌件，其包括：過濾器框架，其具有第一端及第二端，該過濾器框架至少部分地界定一內部；及過濾器，其具有經組態以限制固體化學反應物通過之孔隙度，該過濾器框架及該過濾器經組態成承接於外殼內，使得該過濾器是設置於該內部與一或多個通道之間，該一或多個通道界定在該過濾器框架與該外殼之內表面之間的流體路徑。
在第65選項中，如選項64之過濾器嵌件，其中該過濾器框架包含圓柱形狀。
在第66選項中，如選項64-65中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道是環繞過濾器框架之外部設置。
在第67選項中，如選項64-66中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道是環繞過濾器框架設置於周圍。
在第68選項中，如選項64-67中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道中之至少一者的間距是約0。
在第69選項中，如選項64-68中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道中之至少一者的間距是大於0。
在第70選項中，如選項64-69中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道包含複數個通道，且其中一橫向通道連接該複數個通道之至少兩個連續凹部。
在第71選項中，如選項70之過濾器嵌件，其中該橫向凹部是實質上正交於兩個連續通道中之至少一者定向。
在第72選項中，如選項64-71中任一項之過濾器嵌件，其中該過濾器之孔隙度是經組態以限制反應物於第一溫度下通過且容許反應物於第二溫度下通過。
在第73選項中，如選項72之過濾器嵌件，其中該第二溫度是高於該第一溫度。
在第74選項中，如選項38-73中任一項之過濾器嵌件，其中該第二溫度是介於約35℃與200℃之間。
在第75選項中，如選項64-74中任一項之過濾器嵌件，其中該過濾器包含陶瓷或金屬中之至少一者。
在第76選項中，如選項64-75中任一項之過濾器嵌件，其中該過濾器框架界定介於約1及4之間之高度對直徑的縱橫比。
在第77選項中，如選項64-76中任一項之過濾器嵌件，其中該過濾器框架具有介於約25cm及120cm之間的高度。
在第78選項中，如選項64-77中任一項之過濾器嵌件，其中該過濾器框架具有介於約20cm及50cm之間的直徑。
在第79選項中，如選項64-78中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道包含一環。
在第80選項中，如選項64-79中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個流體通路是經組態成與基底流體相通。
在第81選項中，如選項64-80中任一項之過濾器嵌件， 其中該過濾器框架包含框架壁及形成於其上之複數個脊。
在第82選項中，如選項64-81中任一項之過濾器嵌件，其中該過濾器框架包含與一或多個凹部流體相通之流體入口及流體出口中之至少一者。
在第83選項中，如選項64-82中任一項之過濾器嵌件，其中該等通道包含凹部及/或脊。
在第84選項中，如選項64-83中任一項之過濾器嵌件，其中該過濾器之孔隙度是經組態以將化學反應物自內部通過至流體路徑之傳送速率限制至實質上不大於化學反應物經載體氣體昇華之速率。
在第85選項中，如選項64-84中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道是形成於外殼之內表面中。
在第86選項中，如選項64-85中任一項之過濾器嵌件，其中該一或多個通道是形成於過濾器框架中。
在第87選項中，一種沉積模組，其包括：如選項1-63中任一項之固體源化學昇華器；及用於在基板上沉積材料之氣相反應腔室，其中該固體源化學昇華器是經組態以供應該氣相反應腔室。
在第88選項中，如選項87之沉積模組，其進一步包括經組態以操作氣相反應腔室來進行原子層沉積(ALD)的控制處理器及軟體。
在第89選項中，如選項87之沉積模組，其進一步包括 經組態以操作氣相反應腔室來進行化學氣相沉積(CVD)的控制處理器及軟體。
在第90選項中，一種於沉積模組中遞送經昇華前驅體之方法，其包括：連接固體源化學昇華器以供應氣相反應腔室，該固體源化學昇華器包括外殼、過濾器、及設置於該外殼與該過濾器之間的流動路徑，該流動路徑與該固體源化學昇華器之化學反應物流體相通，該連接將該流動路徑設置成與該氣相反應腔室流體相通；加熱該固體源化學昇華器至操作溫度，其中該化學反應物經加熱且通過該過濾器至該流動路徑；及使載體氣體沿該流動路徑流動，其中經昇華的化學反應物與載體氣體在該流動路徑中混合。
在第91選項中，如選項90之方法，其中該固體源化學昇華器包括如選項1-63中任一項之固體源化學昇華器。
在第92選項中，如選項90-91中任一項之方法，其進一步包括將一定量之化學反應物提供至該固體源化學昇華器中。
在第93選項中，如選項90-92中任一項之方法，其中該操作溫度是在介於約50℃與250℃之間之範圍內。
在第94選項中，如選項90-93中任一項之方法，其進一步包括於氣相反應腔室中於基板上沉積材料。
在第95選項中，如選項94之方法，其中沉積該材料包括原子層沉積(ALD)。
在第96選項中，如選項90-95中任一項之方法，其進一 步包括設定載體氣體之流動速率，以致化學反應物於流體路徑中經載體氣體昇華之速率實質上不低於化學反應物自內部傳送至流體路徑之速率。
在第97選項中，如選項96之方法，其中沉積該材料包括化學氣相沉積(CVD)。
在第98選項中，如以上選項中任一項之固體源化學昇華器、過濾器嵌件、沉積模組、或方法，其中該化學反應物是選自由氯化鉿、氧化鉿、及二氧化鋯組成之群。
在第99選項中，一種固體源化學昇華器，其包括：外殼，其包括近端部分及遠端部分，該外殼具有沿該外殼之長度延伸的外殼軸，該遠端部分經組態以於其中收容固體化學反應物；蓋，其設置於該外殼之該近端部分上，該蓋包含流體入口及流體出口，該蓋於該蓋的遠端部分中界定曲折流動路徑，其中該蓋經調適以容許氣體於該流動路徑內流動，該外殼軸是垂直於該蓋之平面；及過濾器，其設置於該曲折流動路徑與該外殼之該遠端部分之間，該過濾器具有經組態以限制固體化學反應物通過的孔隙度。
在第100選項中，如選項99之固體源化學昇華器，其中該遠端部分包括：沿該外殼軸設置之熱傳導性導管；及兩個或更多個熱傳導性突出物，其中該等傳導性突出物是與該傳導性導管熱連通且環繞該傳導性導管徑向設置，藉此該外殼之該遠端部分是經組態以收容固體化學反應物且傳導性突出物設置於其間，其中該傳導性導管是經組態以與熱源設置成傳導性熱連通。
在第101選項中，如選項100之固體源化學昇華器，該兩個或更多個傳導性突出物包括至少六個傳導性突出物。
在第102選項中，如選項99-101中任一項之固體源化學昇華器，其中該外殼是圓柱形且該過濾器是圓形。
在第103選項中，如選項99-102中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器包括與該蓋之流體入口流體連通的入口，該過濾器之入口經組態以容許固體化學反應物通過進入至外殼中。
在第104選項中，如選項99-103中任一項之固體源化學昇華器，其中該蓋之面對遠端之部分接觸該過濾器之近端表面，且其中該外殼之近端部分接觸該過濾器之遠端表面。
在第105選項中，如選項99-104中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑包含複數個流體路徑，且其中一橫向路徑連接該複數個流體路徑之至少兩個連續流體路徑。
在第106選項中，如選項105之固體源化學昇華器，其中該橫向路徑是實質上正交於兩個連續流體路徑中之至少一者定向。
在第107選項中，如選項99-106中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器包含陶瓷或金屬中之至少一者。
在第108選項中，如選項99-107中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器包含具有介於約25與1000之間之厚度對直徑之縱橫比的盤。
在第109選項中，如選項99-108中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器具有介於約20cm與50cm之間的直徑。
在第110選項中，如選項99-109中任一項之固體源化學昇華器，其中該流體入口及該流體出口各自與該流動路徑流體相通。
在第111選項中，如選項100-110中任一項之固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個傳導性突出物是與該外殼之該遠端部分熱連通。
在第112選項中，如選項111之固體源化學昇華器，其中該一或多個加熱元件包括經設置成與外殼熱接觸的加熱板。
在第113選項中，如選項111-112中任一項之固體源化學昇華器，其中該一或多個加熱元件是選自由加熱桿及加熱板、或其組合所組成之群。
在第114選項中，如選項113之固體源化學昇華器，其中該外殼包含經組態以容許加熱桿插入其中之承接部分。
在第115選項中，如選項114之固體源化學昇華器，其中該承接部分是大致縱向的且經組態以軸向延伸於該外殼之大部分的軸向長度。
在第116選項中，如選項99-115中任一項之固體源化學昇華器，其中該外殼之近端部分包含進一步與流動路徑流體相通之頂部空間，藉此載體氣體能夠於頂部空間中及於流動路徑中經化學反應物飽和。
在第117選項中，如選項116之固體源化學昇華器，其中該頂部空間保持與流動路徑流體相通而不穿越過濾器，藉此該頂部空間於過濾器阻塞期間保持與流動路徑流體相通。
在第118選項中，如選項99-117中任一項之固體源化學昇華器，其中該入口、該出口、或兩者包括經組態以容許流體流動通過的對應閥。
在第119選項中，如選項99-118中任一項之固體源化學昇華器，其中該入口、該出口、或兩者包括經組態以限制顆粒流動通過的對應過濾器。
在第120選項中，如選項99-119中任一項之固體源化學昇華器，其中該蓋的一面包括流動路徑，且其中該面是圓形的。
在第121選項中，如選項99-120中任一項之固體源化學昇華器，其中該昇華器具有介於約20與0.5之間之軸長度對直徑之縱橫比。
在第122選項中，如選項100-121中任一項之固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個傳導性突出物自外殼之遠端部分延伸。
在第123選項中，如選項122之固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個傳導性突出物是自外殼軸徑向間隔開。
在第124選項中，如選項122-123中任一項之固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個傳導性突出物自外殼之遠端部分軸向延伸。
在第125選項中，如選項122-124中任一項之固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個傳導性突出物包含至少三個彼此徑向間隔開之突出物。
在第126選項中，如選項99-125中任一項之固體源化學昇華器，其進一步包含設置於外殼之遠端部分中之諧振器，該諧振器包含環繞外殼軸徑向設置之延伸物，該諧振器經組態以攪動外殼中之固體化學反應物。
在第127選項中，如選項99-126中任一項之固體源化學昇華器，其中該流動路徑包含位於一平面內之複數個反向平行區段。
在第128選項中，如選項1-127中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器是設置於流體出口與外殼之遠端部分之間。
在第129選項中，如選項1-128中任一項之固體源化學昇華器，其中該過濾器覆蓋大部分的流動路徑。
在第130選項中，一種使用如選項99-129中任一項之固體源化學昇華器使固體前驅體昇華之方法。
其他考量
在先前說明書中，已參照其特定具體例描述本發明。然而，當明白可對其進行各種修改及變化而不脫離本發明之較寬廣精神及範疇。因此，應將說明書及圖式視為說明性而非具限制意味。
實際上，當明瞭揭示內容之系統及方法各具有若干創新 態樣，其沒有單一者單獨地促成文中揭示之期望特質或為文中揭示之期望特質所需要。以上描述之各種特徵及製程可彼此獨立地使用，或可以各種方式組合。所有可能的組合及子組合意欲歸屬於本揭示內容之範疇內。
於本說明書中在個別具體例之背景中所描述的某些特徵亦可於單一具體例中組合地實施。反之，於單一具體例之背景中描述之各種特徵亦可分開地於多個具體例中實施或以任何適當的子組合實施。此外，儘管以上可將特徵描述為以特定組合作用及甚至最初如原樣所主張，但在一些情況中可自組合中去除來自所主張之組合中的一或多個特徵，且可將所主張之組合引導至一子組合或一子組合的變型。沒有單一特徵或特徵群組是各個及每一具體例所必須或不可或缺。
當明瞭本文中使用的條件性語言，尤其諸如「可」、「可以」、「或許可」、「可能」、「例如」等，除非另有具體說明，或在所使用的上下文中另有理解，否則通常意在傳達某些具體例包括，而其他具體例不包括某些特徵、元素及/或步驟。因此，這種條件性語言一般無意暗示一或多個具體例以任何方式需要特徵、元素及/或步驟，或者一或多個具體例必然包括在有或沒有作者輸入或提示之情況下用來決定是否包括此等特徵、元素及/或步驟或此等特徵、元素及/或步驟是否欲於任何特定具體例中執行的邏輯。術語「包含」、「包括」、「具有」等是同義詞，且是以開放式方式涵蓋性地使用，並且不排除其他元素、特徵、行為、操作、 及諸如此類。此外，術語「或」是以其包括性含意(而非以其排他性含意)使用，以便當(例如)用於連接元素清單時，術語「或」表示清單中的一個、部分或所有元素。此外，除非另有明確說明，否則於本申請案及隨附申請專利範圍中所使用之冠詞「一」、「一個」、及「該」應解釋為意指「一或多個」或「至少一個」。類似地，雖然操作在圖式中可以特定順序描繪，但應知曉該等操作無需以所顯示之特定順序或以連續順序執行，或執行所有繪示的操作，以達成期望的結果。此外，圖式可以流程圖之形式示意性地描繪一或多個實例製程。然而，可將未描繪的其他操作併入示意性地繪示的實例方法及製程中。舉例來說，可於任何繪示的操作之前、之後、同時、或之間執行一或多個額外操作。另外，該等操作可於其他具體例中重新排列或重新定序。在某些情況中，多工作業及平行加工可為有利的。此外，不應將於上述具體例中之各種系統組件的分離理解為在所有具體例中皆需要該分離，且應理解所述組件及系統一般可一起整合於單一產品中或包裝成多個產品(例如，過濾器嵌件及包含外殼及基底之源容器)。另外，其他具體例是在以下申請專利範圍之範疇內。在一些情況中，於申請專利範圍中所引述之動作可以不同順序執行且仍達成期望的結果。
因此，申請專利範圍不欲受限於文中顯示的具體例，而是應符合與本揭示內容一致的最寬廣範疇、文中揭示的原理及特徵。舉例來說，儘管本揭示內容中的許多實例是針對自固體源供 應蒸氣來饋送用於半導體製造的沉積腔室提供，但文中描述的某些具體例可針對相當多樣的其他應用及/或於許多其他背景中實施。
100:固體源化學昇華器
104:昇華器軸
110:外殼
114:內部
120:過濾器框架
130:過濾器

Claims (20)

  1. 一種固體源化學昇華器，包括：外殼，其包括近端部分及遠端部分，該外殼具有沿該外殼之長度延伸的外殼軸，該遠端部分經組態以於其中收容固體化學反應物；蓋，其設置於該外殼之該近端部分上，該蓋包含流體入口及流體出口，該蓋於該蓋的遠端面中界定曲折的流動路徑，其中該蓋經調適以容許氣體於該流動路徑內流動，該外殼軸是垂直於該蓋之平面；及過濾器，其設置於曲折的該流動路徑之下與該外殼之該遠端部分之上，該過濾器具有經組態以限制該固體化學反應物通過的孔隙度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該遠端部分包括：沿該外殼軸設置之熱傳導性導管；及兩個或更多個熱傳導性突出物，其中該等熱傳導性突出物是與該熱傳導性導管熱連通且環繞該熱傳導性導管徑向設置，藉此該外殼之該遠端部分是經組態以收容該固體化學反應物且該等熱傳導性突出物設置於其間，其中該熱傳導性導管是經組態以與熱源設置成傳導性熱連通。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個熱傳導性突出物包括至少六個熱傳導性突出物。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個熱傳導性突出物是與該外殼之該遠端部分熱連 通。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的固體源化學昇華器，進一步包含一或多個加熱元件，其中該一或多個加熱元件包括經設置成與該外殼熱接觸的一加熱板。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個熱傳導性突出物自該外殼之該遠端部分延伸。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個熱傳導性突出物是自該外殼軸徑向間隔開。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的固體源化學昇華器，其中該兩個或更多個熱傳導性突出物自該外殼之該遠端部分軸向延伸。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該外殼是圓柱形且該過濾器是圓形。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該過濾器包括與該蓋之該流體入口連通的入口，該過濾器之該入口經組態以容許該固體化學反應物通過而進入至該外殼中。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該蓋之遠端面接觸該過濾器之近端表面，且其中該外殼之該近端部分接觸該過濾器之遠端表面。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該過濾器包含陶瓷或金屬中之至少一者。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該過濾器包含具有介於約25與1000之間之厚度對直徑之縱橫比的盤。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該流體入口及該流體出口各自與該流動路徑流體相通。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該流體入口、該流體出口、或兩者包括經組態以容許流體流動通過的對應閥。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該流體入口、該流體出口、或兩者包括經組態以限制顆粒流動通過的對應過濾器。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該遠端面是圓形的，且鄰近該過濾器之一近端表面。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該流動路徑包含位於一平面內之複數個反向平行區段。
  19. 如申請專利範圍第1項所述的固體源化學昇華器，其中該過濾器是設置於該流體出口與該外殼之該遠端部分之間。
  20. 一種固體源化學昇華器，包括：外殼，其包括近端部分及遠端部分，該外殼具有沿該外殼之長度延伸的外殼軸，該遠端部分經組態以於其中收容固體化學反應物；蓋，其設置於該外殼之該近端部分上，該蓋包含流體入口及流體出口，該蓋於該蓋的遠端部分面中界定曲折的流動路徑，其中該蓋經調適以容許氣體於該流動路徑內流動，該外殼軸是垂直於該蓋之平面，其中該流體入口、該流體出口、或兩者包括經組態以限制顆粒流動通過的對應過濾器；過濾器，其設置於曲折的該流動路徑之下與該外殼之該遠端部分之間之上，該過濾器具有經組態以限制該固體化學反應物通過的孔 隙度；及諧振器，其設置於該外殼之遠該端部分中，該諧振器包含環繞該外殼軸徑向設置之延伸物，該諧振器經組態以攪動該外殼中之該固體化學反應物。
TW108129093A 2018-08-16 2019-08-15 固體源化學昇華器 TWI821366B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862719027P 2018-08-16 2018-08-16
US62/719,027 2018-08-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202020210A TW202020210A (zh) 2020-06-01
TWI821366B true TWI821366B (zh) 2023-11-11

Family

ID=69523793

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112148398A TW202418447A (zh) 2018-08-16 2019-08-15 固體源化學昇華器
TW108129093A TWI821366B (zh) 2018-08-16 2019-08-15 固體源化學昇華器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112148398A TW202418447A (zh) 2018-08-16 2019-08-15 固體源化學昇華器

Country Status (5)

Country Link
US (4) US11634812B2 (zh)
JP (2) JP7376278B2 (zh)
KR (1) KR20200020608A (zh)
CN (2) CN117926219A (zh)
TW (2) TW202418447A (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
KR20200020608A (ko) * 2018-08-16 2020-02-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 승화기
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
TWI845579B (zh) 2018-12-21 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836073B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
TWI845677B (zh) 2019-05-22 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11578406B2 (en) 2020-12-08 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI812035B (zh) * 2021-02-26 2023-08-11 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 固體蒸發器
US11584990B2 (en) 2021-07-02 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Bottom fed sublimation bed for high saturation efficiency in semiconductor applications
US20240011160A1 (en) * 2022-07-11 2024-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin film deposition with improved control of precursor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1108146A (zh) * 1993-11-30 1995-09-13 康姆普莱默私人公司 从气流中除去元素硫的方法
TW200821406A (en) * 2006-08-31 2008-05-16 Advanced Tech Materials Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology
TW200831698A (en) * 2006-10-10 2008-08-01 Asm Inc Precursor delivery system

Family Cites Families (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1544174A1 (de) 1966-12-17 1970-07-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
US4393013A (en) 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US4436674A (en) 1981-07-30 1984-03-13 J.C. Schumacher Co. Vapor mass flow control system
DE3339625A1 (de) 1983-11-02 1985-05-09 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Vorrichtung zum anreichern eines traegergases mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes
US4560462A (en) 1984-06-22 1985-12-24 Westinghouse Electric Corp. Apparatus for coating nuclear fuel pellets with a burnable absorber
US4722298A (en) 1986-05-19 1988-02-02 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
DE3632027C1 (de) 1986-09-20 1988-02-18 Rudnay Andre Dr De Verfahren und Vakuumbedampfungsanlage zum Metallisieren von Folienoberflaechen
DE3702923A1 (de) 1987-01-31 1988-08-11 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum anreichern eines traegergases mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes
US5071553A (en) 1987-06-10 1991-12-10 Newlin Robert E Self retaining fluid filter
JPS6464314A (en) 1987-09-04 1989-03-10 Mitsubishi Electric Corp Sublimator
DE3801147A1 (de) 1988-01-16 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms
JP2651530B2 (ja) 1988-04-15 1997-09-10 住友化学工業株式会社 気相成長用有機金属化合物供給装置
US5080870A (en) 1988-09-08 1992-01-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Sublimating and cracking apparatus
GB2234988B (en) 1989-08-16 1993-12-08 Qpl Limited Improvements in vacuum deposition machines
US5711816A (en) 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US5199603A (en) 1991-11-26 1993-04-06 Prescott Norman F Delivery system for organometallic compounds
IT1257434B (it) 1992-12-04 1996-01-17 Cselt Centro Studi Lab Telecom Generatore di vapori per impianti di deposizione chimica da fase vapore
US5377429A (en) 1993-04-19 1995-01-03 Micron Semiconductor, Inc. Method and appartus for subliming precursors
US5607002A (en) 1993-04-28 1997-03-04 Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. Chemical refill system for high purity chemicals
US5465766A (en) 1993-04-28 1995-11-14 Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. Chemical refill system for high purity chemicals
US5964254A (en) 1997-07-11 1999-10-12 Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. Delivery system and manifold
US5560779A (en) 1993-07-12 1996-10-01 Olin Corporation Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma
US5897850A (en) * 1993-11-30 1999-04-27 Comprimo B.V. Process for removing elemental sulfur from a gas stream
US5567127A (en) 1994-11-09 1996-10-22 Wentz; Kennith W. Low noise air blower
FR2727322B1 (fr) * 1994-11-30 1996-12-27 Kodak Pathe Procede pour la sublimation d'un materiau solide et dispositif pour la mise en oeuvre du procede
JPH0940489A (ja) 1995-03-30 1997-02-10 Pioneer Electron Corp Ｍｏｃｖｄの固体原料供給方法及び供給装置
TW327205B (en) 1995-06-19 1998-02-21 Hitachi Ltd Heat exchanger
US5667682A (en) 1995-10-25 1997-09-16 Water Renewal Systems L.P. Self-cleaning filtration apparatus
US5709753A (en) 1995-10-27 1998-01-20 Specialty Coating Sysetms, Inc. Parylene deposition apparatus including a heated and cooled dimer crucible
EP0794266B1 (de) 1996-03-06 2000-12-06 Alusuisse Technology & Management AG Vorrichtung zum Beschichten einer Substratfläche
US5732744A (en) 1996-03-08 1998-03-31 Control Systems, Inc. Method and apparatus for aligning and supporting semiconductor process gas delivery and regulation components
JPH1025576A (ja) 1996-04-05 1998-01-27 Dowa Mining Co Ltd Ｃｖｄ成膜法における原料化合物の昇華方法
US5876503A (en) 1996-11-27 1999-03-02 Advanced Technology Materials, Inc. Multiple vaporizer reagent supply system for chemical vapor deposition utilizing dissimilar precursor compositions
US5836483A (en) 1997-02-05 1998-11-17 Aerotech Dental Systems, Inc. Self-regulating fluid dispensing cap with safety pressure relief valve for dental/medical unit fluid bottles
US6116257A (en) 1997-03-28 2000-09-12 New Technology Management Co., Ltd. Micromotors, linear motors, micropumps, methods of using the same, microactuators, methods of controlling flow properties of fluids, and apparatuses for controlling flow properties of fluids
US5882416A (en) 1997-06-19 1999-03-16 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system, heater apparatus for liquid delivery system, and vaporizer
US6312525B1 (en) 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
US6083321A (en) 1997-07-11 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Fluid delivery system and method
JP3684797B2 (ja) 1997-12-04 2005-08-17 株式会社デンソー 気相成長方法および気相成長装置
WO1999047334A1 (en) 1998-03-20 1999-09-23 Nitrojection Corporation Pin-in-sleeve device for in-article gas assisted injection molding
US6216708B1 (en) 1998-07-23 2001-04-17 Micron Technology, Inc. On-line cleaning method for CVD vaporizers
US20010003603A1 (en) 1998-07-28 2001-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Cvd film formation method and apparatus using molded solid body and the molded solid body
US6085548A (en) 1998-08-24 2000-07-11 Air Products And Chemicals, Inc. Control vent system for ultra-high purity delivery system for liquefied compressed gases
US6365229B1 (en) 1998-09-30 2002-04-02 Texas Instruments Incorporated Surface treatment material deposition and recapture
JP2000265960A (ja) 1999-03-15 2000-09-26 Toyota Autom Loom Works Ltd 流体機械
DE59914510D1 (de) 1999-03-29 2007-11-08 Antec Solar Energy Ag Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens
US6946034B1 (en) 1999-08-04 2005-09-20 General Electric Company Electron beam physical vapor deposition apparatus
JP3909792B2 (ja) 1999-08-20 2007-04-25 パイオニア株式会社 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
DE10005820C1 (de) 2000-02-10 2001-08-02 Schott Glas Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks
TW576873B (en) 2000-04-14 2004-02-21 Asm Int Method of growing a thin film onto a substrate
US6770145B2 (en) 2000-12-11 2004-08-03 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film
US20020108670A1 (en) 2001-02-12 2002-08-15 Baker John Eric High purity chemical container with external level sensor and removable dip tube
US6525288B2 (en) 2001-03-20 2003-02-25 Richard B. Rehrig Gas lens assembly for a gas shielded arc welding torch
EP1399689A1 (en) 2001-03-27 2004-03-24 WEH GmbH Rapid connection coupling
TW539822B (en) 2001-07-03 2003-07-01 Asm Inc Source chemical container assembly
US6562405B2 (en) 2001-09-14 2003-05-13 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US20050211172A1 (en) 2002-03-08 2005-09-29 Freeman Dennis R Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures
TWI273642B (en) 2002-04-19 2007-02-11 Ulvac Inc Film-forming apparatus and film-forming method
US7118783B2 (en) 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US7730747B2 (en) 2002-06-28 2010-06-08 Prysmian Cavi E Sistemi Energia S.R.L. Method for vaporizing a liquid reactant in manufacturing a glass preform
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
WO2004106584A1 (en) 2003-05-27 2004-12-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system
EP1382713B1 (en) 2002-07-19 2006-05-17 Lg Electronics Inc. Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US7300038B2 (en) 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US7122085B2 (en) 2002-07-30 2006-10-17 Asm America, Inc. Sublimation bed employing carrier gas guidance structures
US6868869B2 (en) 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
JP2004353083A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP4185015B2 (ja) 2003-05-12 2008-11-19 東京エレクトロン株式会社 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置
US20050000428A1 (en) 2003-05-16 2005-01-06 Shero Eric J. Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
US6909839B2 (en) 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US20050019028A1 (en) 2003-07-25 2005-01-27 Karl-Heinz Kuebler Fluid heater with integral heater elements
US7261118B2 (en) 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US7156380B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
PL1747302T3 (pl) 2004-05-20 2013-05-31 Akzo Nobel Chemicals Int Bv Bełkotka do jednostajnego dostarczania stałego materiału chemicznego
JP4879509B2 (ja) 2004-05-21 2012-02-22 株式会社アルバック 真空成膜装置
US7926440B1 (en) 2004-11-27 2011-04-19 Etamota Corporation Nanostructure synthesis apparatus and method
US7708835B2 (en) 2004-11-29 2010-05-04 Tokyo Electron Limited Film precursor tray for use in a film precursor evaporation system and method of using
US20060185597A1 (en) 2004-11-29 2006-08-24 Kenji Suzuki Film precursor evaporation system and method of using
US7488512B2 (en) 2004-11-29 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Method for preparing solid precursor tray for use in solid precursor evaporation system
US7638002B2 (en) 2004-11-29 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Multi-tray film precursor evaporation system and thin film deposition system incorporating same
US7484315B2 (en) 2004-11-29 2009-02-03 Tokyo Electron Limited Replaceable precursor tray for use in a multi-tray solid precursor delivery system
US20060133955A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Peters David W Apparatus and method for delivering vapor phase reagent to a deposition chamber
DE102004062552A1 (de) 2004-12-24 2006-07-06 Aixtron Ag Vorrichtung zum Verdampfen von kondensierten Stoffen
US7341886B2 (en) 2005-03-03 2008-03-11 Eastman Kodak Company Apparatus and method for forming vias
SG160401A1 (en) * 2005-03-16 2010-04-29 Advanced Tech Materials System for delivery of reagents from solid sources thereof
US20060213437A1 (en) 2005-03-28 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system
US7531090B1 (en) 2005-04-25 2009-05-12 Wix Filtration Corp Llc Fluid filter element
JP4402016B2 (ja) 2005-06-20 2010-01-20 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP4001296B2 (ja) 2005-08-25 2007-10-31 トッキ株式会社 有機材料の真空蒸着方法およびその装置
WO2007034790A1 (ja) 2005-09-20 2007-03-29 Tohoku University 成膜装置、蒸発治具、及び、測定方法
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US8951478B2 (en) 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
US7562672B2 (en) 2006-03-30 2009-07-21 Applied Materials, Inc. Chemical delivery apparatus for CVD or ALD
US7278887B1 (en) 2006-05-30 2007-10-09 John Mezzalingua Associates, Inc. Integrated filter connector
EP2038456B1 (en) 2006-06-09 2014-03-05 Soitec System and process for high volume deposition of gallium nitride
DE102006039826B4 (de) 2006-08-25 2010-05-12 Hydac Filtertechnik Gmbh Filtervorrichtung, Filterelement sowie Verfahren zum Betrieb der Filtervorrichtung
EP2656893B1 (en) * 2006-09-06 2017-11-22 Donaldson Company, Inc. Filter cartridge and liquid filter assembly
US8986456B2 (en) * 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US7833353B2 (en) 2007-01-24 2010-11-16 Asm Japan K.K. Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus
DE102007020852A1 (de) 2007-05-02 2008-11-06 Stein, Ralf Gasversorgungssystem und Verfahren zur Bereitstellung eines gasförmigen Abscheidungsmediums
US9034105B2 (en) * 2008-01-10 2015-05-19 American Air Liquide, Inc. Solid precursor sublimator
KR101250984B1 (ko) * 2008-07-11 2013-04-03 삼성전자주식회사 구동 트랜지스터들을 포함하는 반도체 소자
EP2168644B1 (en) 2008-09-29 2014-11-05 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials and method for evaporating organic materials
AU2010302373A1 (en) 2009-09-29 2012-05-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. System and method for liquefying a fluid and storing the liquefied fluid
KR101094299B1 (ko) 2009-12-17 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 선형 증발원 및 이를 포함하는 증착 장치
DE102010003001B4 (de) 2010-03-18 2024-02-08 Robert Bosch Gmbh Mikrofluidisches Dielektrophorese-System
TWI557261B (zh) 2010-04-19 2016-11-11 Ａｓｍ美國公司 先質輸送系統
US8758515B2 (en) * 2010-08-09 2014-06-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device and method of use thereof
JP2012199292A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US9598766B2 (en) * 2012-05-27 2017-03-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vessel with filter
US20140026977A1 (en) 2012-07-25 2014-01-30 William Kimmerle Chemical precursor bubbler assembly
US20140174955A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High flow xef2 canister
KR102024830B1 (ko) 2013-05-09 2019-09-25 (주)지오엘리먼트 기화기
US9334566B2 (en) 2013-11-25 2016-05-10 Lam Research Corporation Multi-tray ballast vapor draw systems
JP5859586B2 (ja) 2013-12-27 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理システム、半導体装置の製造方法および記録媒体
US10944339B2 (en) 2014-09-09 2021-03-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Electrode design and low-cost fabrication method for assembling and actuation of miniature motors with ultrahigh and uniform speed
US10443128B2 (en) 2015-04-18 2019-10-15 Versum Materials Us, Llc Vessel and method for delivery of precursor materials
US10440979B2 (en) 2015-11-11 2019-10-15 Home Tech Innovation, Inc. Apparatus and methods for at least semi-autonomous meal storage and cooking via fluid immersion
US10483498B2 (en) * 2016-04-22 2019-11-19 Universal Display Corporation High efficiency vapor transport sublimation source using baffles coated with source material
US11926894B2 (en) * 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10876205B2 (en) * 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
KR20200020608A (ko) * 2018-08-16 2020-02-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 승화기
KR20210018761A (ko) * 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1108146A (zh) * 1993-11-30 1995-09-13 康姆普莱默私人公司 从气流中除去元素硫的方法
TW200821406A (en) * 2006-08-31 2008-05-16 Advanced Tech Materials Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology
TW200831698A (en) * 2006-10-10 2008-08-01 Asm Inc Precursor delivery system

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024016088A (ja) 2024-02-06
CN110835749B (zh) 2024-01-12
US11773486B2 (en) 2023-10-03
JP7376278B2 (ja) 2023-11-08
KR20200020608A (ko) 2020-02-26
TW202418447A (zh) 2024-05-01
CN110835749A (zh) 2020-02-25
US20230383402A1 (en) 2023-11-30
US11634812B2 (en) 2023-04-25
US20230183861A1 (en) 2023-06-15
US20200056283A1 (en) 2020-02-20
CN117926219A (zh) 2024-04-26
TW202020210A (zh) 2020-06-01
JP2020025959A (ja) 2020-02-20
US20230313370A1 (en) 2023-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI821366B (zh) 固體源化學昇華器
US11377732B2 (en) Reactant vaporizer and related systems and methods
US20240209501A1 (en) Reactant vaporizer and related systems and methods
CN112342526A (zh) 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
JP2023055706A (ja) バッチ蒸着のための高材料流束によるソース試薬に基づく流体の送出
US11624113B2 (en) Heating zone separation for reactant evaporation system
US20210071301A1 (en) Fill vessels and connectors for chemical sublimators
JP7570853B2 (ja) 反応物質気化システムのための加熱ゾーン分離
TWI850455B (zh) 溫度區控制系統以及控制反應物源機殼內的熱傳遞之方法
TW202338142A (zh) 用於氣相沉積反應器之遠端固體源反應物遞送系統及方法
TW202326023A (zh) 前驅物容器