JP4062925B2

JP4062925B2 - 基板温度制御装置

Info

Publication number: JP4062925B2
Application number: JP2002021211A
Authority: JP
Inventors: 恭市山本; 励白井
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2002-01-30
Filing date: 2002-01-30
Publication date: 2008-03-19
Anticipated expiration: 2022-01-30
Also published as: JP2003221669A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空成膜装置の基板温度制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
産業上、真空成膜技術は様々なところで使われており、現在の半導体産業をはじめとするハイテクノロジー関連、アルミニウム蒸着など古くから行われている包装関連、また今後期待されるバイオ関連などでなくてはならないものとなっている。
【０００３】
代表的な真空成膜方法には、蒸着法、スパッタリング法、化学蒸着法（ＣＶＤ：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などがあるが、いずれの場合も成膜結果は、成膜圧力や導入ガス流量、印加電力、基板温度などによって大きく異なることが知られている。この中でも基板温度は膜特性に与える影響が最も顕著に現れるものの一つとして重要なパラメータとなっている。
【０００４】
従来、基板温度の制御は加熱源となるヒータの温度をモニタリングし、その表面もしくは内部の温度を一定に保つよう制御していた。これは、基板温度はヒータ温度で決定されるとの考えからである。また、均一に加熱させやすくするために、多くの場合熱容量の大きい加熱源を使用しており、内部に埋め込まれたヒータの熱分布の緩和を計っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、成膜過程の基板は加熱源となるヒータのみならず、電力を印加している電極やプラズマなどからも熱の影響を受けており常に変化している。現状の方法では、基板の温度が上昇した場合、ただちに加熱源への通電を停止しても、その過熱源の熱容量の影響により急激には降温しない。その結果、基板の温度変化はほとんどなく制御不可能となる。さらに、その間も加熱源以外からの熱の影響を受け続けているために降温せず、逆に基板温度が上昇する現象も現れる。これは、基板を非接触で加熱冷却制御を行う場合、より顕著な現象として現れる。
【０００６】
また、真空中の場合は大気中の場合に比べ熱を伝えるガス分子が少ない為一層制御困難となる。
【０００７】
本発明の課題は、希薄なガス雰囲気中であっても熱応答性が良い基板温度制御装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る発明は、真空成膜装置の真空チャンバー内に付設する基板温度制御装置において、上面に基板を加熱する為の熱放射板がその一方の面が前記真空チャンバー内に配置された基板に対峙するように配置してあり、側面には冷却用の冷却媒体導入路が、内側には外気と通ずる中空部が配置してあり、前記熱放射板の他方の面は該中空部により大気中に曝されており、冷却媒体が前記冷却媒体導入路から導入されて前記中空部に到達して前記熱放射板の他方の面を冷却できるようになっていると共に、さらにこの中空部を通って外部に排出可能になっている二重構造体を備え、さらに前記二重構造体の中空部には熱放射板を加熱するための熱源が配置されていることを特徴とする基板温度制御装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の基板温度制御装置を、実施の形態に沿って以下に詳細に説明する。
【００１１】
図１は本発明の基板温度制御装置（１）を真空成膜装置の真空チャンバー（１０）内に付設し、加熱対象物である基板（６）を真空チャンバー（１０）内に挿入した状態を示す図である。
【００１２】
本発明の基板温度制御装置（１）は、加熱源（４）で応答性の良い熱放射板（２）を加熱し、加熱された熱放射板（２）から放出される輻射熱で基板（６）を加熱するようになっている。前記熱放射板（２）は一方の面が真空中に面しているので、加熱された場合に効率良く熱が輻射され、基板（６）を加熱することができる。さらに、他方の面は大気中に曝されているので、降温させる時に冷却しやすくなっている。前記熱放射板（２）に密着している二重構造体（３）は、上端の熱放射板（２）及び中空部（３ｂ）の大気中に設けた加熱源（４）を効率的に冷却できるような構造、例えば大気が流れやすいような構造になっている。さらに、側面には冷却媒体導入路（３ａ）を有し、熱放射板（２）及び加熱源（４）を降温させる際に空冷若しくは水冷可能なように二重構造になっている。降温させる時は冷却媒体導入路（３ａ）を経由して外部から冷却媒体（５）を導入して熱放熱板（２）及び加熱源（４）を冷却した後に中空部（３ｂ）を通って冷却媒体（５）を外部へ排出するようになっている。
【００１３】
前記熱放射板（２）は、効率的に加熱されるように放射率０．６以上のものが好ましい。さらに、真空中での放出ガスが少なく、波長感度特性は加熱される基板（６）の吸収波長に近いものが良い。
【００１４】
前記加熱源（４）は、例えば赤外線ランプに代表されるような応答性に優れたものを使用する。
【００１５】
本発明の基板温度制御装置（１）を用いて、真空成膜装置の真空チャンバー（１０）内に挿入した基板（６）を加熱し、基板温度を制御する方法の一例を以下に説明すると、図１に示す如く、真空チャンバー（１０）内に厚さ１００μｍのプラスチックフィルムからなる基板（６）を挿入し、基板（６）の下方の３０ｍｍ離れた場所に設置した赤外線ランプからなる加熱源（４）で熱放射板（２）を加熱し、冷却媒体導入部（３ａ）から冷却媒体（５）として冷却用圧縮空気を導入しながら適正な温度に保持した熱放射板（２）から放射される放射熱で上の基板（６）を加熱し、基板温度を適正に制御することにより、良好な基板温度を得ることが出来るようになる。その結果、基板（６）上に目的とする状態の薄膜が効率良く成膜できる。
【００１６】
【発明の効果】
本発明の基板温度制御装置を用いることにより、真空成膜装置の真空チャンバ内に挿入した基板を加熱する場合、希薄なガス雰囲気中であっても応答性が良い基板温度制御が可能となり、結果的に、基板上に目的とする良好な成膜ができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板温度制御装置を真空成膜装置の真空チャンバー内に付設し、さらに、加熱対象物の基板を挿入した状態を示す概要図である。
【符号の説明】
１…基板温度制御装置
２…熱放射板
３…二重構造体
３ａ…冷却媒体導入路
３ｂ…中空部
４…加熱源
５…冷却媒体
６…基板
１０…真空チャンバー

Claims

真空成膜装置の真空チャンバー内に付設する基板温度制御装置において、上面に基板を加熱する為の熱放射板がその一方の面が前記真空チャンバー内に配置された基板に対峙するように配置してあり、側面には冷却用の冷却媒体導入路が、内側には外気と通ずる中空部が配置してあり、前記熱放射板の他方の面は該中空部により大気中に曝されており、冷却媒体が前記冷却媒体導入路から導入されて前記中空部に到達して前記熱放射板の他方の面を冷却できるようになっていると共に、さらにこの中空部を通って外部に排出可能になっている二重構造体を備え、さらに前記二重構造体の中空部には熱放射板を加熱するための熱源が配置されていることを特徴とする基板温度制御装置。