JPS6179769A - ウエハ温度制御装置 - Google Patents
ウエハ温度制御装置Info
- Publication number
- JPS6179769A JPS6179769A JP20316984A JP20316984A JPS6179769A JP S6179769 A JPS6179769 A JP S6179769A JP 20316984 A JP20316984 A JP 20316984A JP 20316984 A JP20316984 A JP 20316984A JP S6179769 A JPS6179769 A JP S6179769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cooling
- heating
- contact plate
- temp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜形成工程のうち、特にスパッタによる膜
形成工程におけるウエノ・の温度制御装置に関するもの
である。
形成工程におけるウエノ・の温度制御装置に関するもの
である。
近年、半導体ウェハ製造工程に於て、配線形成のための
薄膜形成方法のひとつとして確立されている技術にスパ
ッタがある。これは、ある化合物をプラズマ中のイオン
に衝突させ、これをはね飛ばし、その化合物を基板（ウ
ェハ）につけて膜を形成させるものである。このスパッ
タによる膜形成に於て、重要なウェイトのひとつとして
ウェハの温度がある。例えば、この膜形成の良否の基準
になる鏡面性（白濁）・ダレインサイズ比抵抗・硬度（
＆ンディング性）・ステップカパレッソ・エレクトロマ
イグレーション等ハスノぐツタスル材質によりそれぞれ
温度依存性を持っている。したがって、このスパッタ方
法に於ては、ウェハに対し加熱あるいは冷却等、その材
質、プロセスにより行なっている。
薄膜形成方法のひとつとして確立されている技術にスパ
ッタがある。これは、ある化合物をプラズマ中のイオン
に衝突させ、これをはね飛ばし、その化合物を基板（ウ
ェハ）につけて膜を形成させるものである。このスパッ
タによる膜形成に於て、重要なウェイトのひとつとして
ウェハの温度がある。例えば、この膜形成の良否の基準
になる鏡面性（白濁）・ダレインサイズ比抵抗・硬度（
＆ンディング性）・ステップカパレッソ・エレクトロマ
イグレーション等ハスノぐツタスル材質によりそれぞれ
温度依存性を持っている。したがって、このスパッタ方
法に於ては、ウェハに対し加熱あるいは冷却等、その材
質、プロセスにより行なっている。
従来このスパッタに於る真空処理室内のウェー・温度ノ
コントロールはヒータブロックやラングヒータ等による
加熱、又水冷ブロック等による冷却等があった。すなわ
ち、第２図（ａ）に示すような真空処理室内のウェハ１
を加熱する加熱ブロック２にヒータ３を組み込み、同じ
くブロック内に組み込まれた検出素子例えば熱電対４に
よりフィードバック制御する方法、あるいは第２図（ｂ
）に示すようにヒータ３のかわりに冷却ブロック２′内
に冷却水路３を設け、冷却媒体を通して冷却する方法、
更に第２図（ａｙ 、 （ｂ）のよう忙加熱プロ、り２
、冷却ブロック２′の前面凹陥部２ａにガス径路５を接
続し、例えばアルゴンがスをヒータ３或いは冷却水路３
′にて加熱あるいは冷却しウニ・・にぶつけ、これを加
熱又は冷却性なうようにしている。
コントロールはヒータブロックやラングヒータ等による
加熱、又水冷ブロック等による冷却等があった。すなわ
ち、第２図（ａ）に示すような真空処理室内のウェハ１
を加熱する加熱ブロック２にヒータ３を組み込み、同じ
くブロック内に組み込まれた検出素子例えば熱電対４に
よりフィードバック制御する方法、あるいは第２図（ｂ
）に示すようにヒータ３のかわりに冷却ブロック２′内
に冷却水路３を設け、冷却媒体を通して冷却する方法、
更に第２図（ａｙ 、 （ｂ）のよう忙加熱プロ、り２
、冷却ブロック２′の前面凹陥部２ａにガス径路５を接
続し、例えばアルゴンがスをヒータ３或いは冷却水路３
′にて加熱あるいは冷却しウニ・・にぶつけ、これを加
熱又は冷却性なうようにしている。
これらの方法によると、いくら熱電対によりフィードバ
ック制御を精度よく行なうようにしても、スバ、りに於
るプロセス自身で発生する熱によりウェハの実際の温度
はかなりのバラツキを生じてしまうこと、又アルゴン等
のガスを流すことにより、このガスがプロ、り２，２′
とウェハ１との隙間から洩れて真空処理室に流れ出てし
まい、このことがウェハを処理する真空処理室内の圧力
に影響を及ぼしてしまうこと等問題があシ、最適なウェ
ハの温度コントロールが難しかった。
ック制御を精度よく行なうようにしても、スバ、りに於
るプロセス自身で発生する熱によりウェハの実際の温度
はかなりのバラツキを生じてしまうこと、又アルゴン等
のガスを流すことにより、このガスがプロ、り２，２′
とウェハ１との隙間から洩れて真空処理室に流れ出てし
まい、このことがウェハを処理する真空処理室内の圧力
に影響を及ぼしてしまうこと等問題があシ、最適なウェ
ハの温度コントロールが難しかった。
本発明の目的は従来の方法に於る欠点を除去し最適なウ
ェハ温度制御装置を提供するものである。
ェハ温度制御装置を提供するものである。
本発明は真空処理室内の薄膜形成用ウエノ・の温度をコ
ントロールするウェハ温度制御装置において、ブロック
体の前面凹陥部をウエノ１接触板にて気密に封止し、該
凹陥部に冷却機構の給排口を接続し、さらに前記ウエノ
１接触板の裏面に接近させて加熱機構を設置したことを
特徴とするウエノ・温度制御装置である。
ントロールするウェハ温度制御装置において、ブロック
体の前面凹陥部をウエノ１接触板にて気密に封止し、該
凹陥部に冷却機構の給排口を接続し、さらに前記ウエノ
１接触板の裏面に接近させて加熱機構を設置したことを
特徴とするウエノ・温度制御装置である。
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、ブロック体６の前面凹陥部６ａヲウエ
ノ・接触板７にて気密に封止し、該凹陥部６ａに連なる
給排用がス径路５ａ 、 ５ｂをブロック本体６に設け
、各給排用ガス径路５ａ 、 ５ｂ を介して冷却機構
８の給排口８ａ 、 ８ｂを凹陥部６ａに接続する。前
記接触板７は例えば銅箔に金メッキ等を施したもので、
ウエノ・１との熱伝導及び接触抵抗が改善されている。
ノ・接触板７にて気密に封止し、該凹陥部６ａに連なる
給排用がス径路５ａ 、 ５ｂをブロック本体６に設け
、各給排用ガス径路５ａ 、 ５ｂ を介して冷却機構
８の給排口８ａ 、 ８ｂを凹陥部６ａに接続する。前
記接触板７は例えば銅箔に金メッキ等を施したもので、
ウエノ・１との熱伝導及び接触抵抗が改善されている。
さらに、前記ウェハ接触板７の裏面に接近させて加熱機
構としての加熱ヒータ３，３・・・をがス径路５ａの周
りに配設する。また、ウェハ接触板７に熱電対４を取付
け、該熱電対４を加熱・冷却コントローラ９に接続し、
該コントローラ９の出力にて加熱ヒータ３，３・・・及
び冷却機構８を温度調節する。
構としての加熱ヒータ３，３・・・をがス径路５ａの周
りに配設する。また、ウェハ接触板７に熱電対４を取付
け、該熱電対４を加熱・冷却コントローラ９に接続し、
該コントローラ９の出力にて加熱ヒータ３，３・・・及
び冷却機構８を温度調節する。
実施例において、真空処理室内のウェハの温度制御は、
ウェハ１が何らかのハンドリング手段により図示位置に
搬送される前に、一定のアイドリングパワーがブロック
体６の加熱ヒータ３に与えられており、ウェハ１が搬送
され接触板７にソフトコンタクトする様緩衝機構を備え
た接触機構（図示せず）等により接触状態になると、設
定温度になる様加熱されていく。更にスパッタ等プロセ
スが開始されると、プロセス自身で発生する熱により、
熱電対によるフィードバックコントロールを行なってい
るにもかかわらず、温度が設定点より上になる傾向を生
じるが、本発明による制御方法はこの時プロセス自身で
発生する余分な熱を除去すべく、冷却出力が動作を始め
る。即ち、加熱・冷却コントローラ９の冷却出力により
、例えばゼルテ、クスチー−プの原理を利用した低温空
気発生器等による低温気体全欧き付ける冷却機構が作動
し、効率よく低温気体がブロック体６のガス径路５ａｅ
通って凹陥部６ａに入り、ウニ・・との接触板７に吹き
て余分な熱を吸収し、ガス径路５ｂを通して真空処理室
外に回収される。したがって、冷却機構８にて余分な熱
が吸収され、各プロセスにあった温度コントロールが行
なわれる。
ウェハ１が何らかのハンドリング手段により図示位置に
搬送される前に、一定のアイドリングパワーがブロック
体６の加熱ヒータ３に与えられており、ウェハ１が搬送
され接触板７にソフトコンタクトする様緩衝機構を備え
た接触機構（図示せず）等により接触状態になると、設
定温度になる様加熱されていく。更にスパッタ等プロセ
スが開始されると、プロセス自身で発生する熱により、
熱電対によるフィードバックコントロールを行なってい
るにもかかわらず、温度が設定点より上になる傾向を生
じるが、本発明による制御方法はこの時プロセス自身で
発生する余分な熱を除去すべく、冷却出力が動作を始め
る。即ち、加熱・冷却コントローラ９の冷却出力により
、例えばゼルテ、クスチー−プの原理を利用した低温空
気発生器等による低温気体全欧き付ける冷却機構が作動
し、効率よく低温気体がブロック体６のガス径路５ａｅ
通って凹陥部６ａに入り、ウニ・・との接触板７に吹き
て余分な熱を吸収し、ガス径路５ｂを通して真空処理室
外に回収される。したがって、冷却機構８にて余分な熱
が吸収され、各プロセスにあった温度コントロールが行
なわれる。
以上本発明によれば、薄膜形成装置に於る真空処理室内
のウェハの温度を加熱・冷却の両機能によって制御する
ようにしたため、薄膜形成に於る各プロセス自身で発生
する熱によるウニ・・温度のバラツキを押えることがで
き、各プロセスにあった温度コントロールを適確に行な
うことができる。
のウェハの温度を加熱・冷却の両機能によって制御する
ようにしたため、薄膜形成に於る各プロセス自身で発生
する熱によるウニ・・温度のバラツキを押えることがで
き、各プロセスにあった温度コントロールを適確に行な
うことができる。
又本発明によれば、ガスが真空処理室内に洩れ出すのを
防止するようにしたため、薄膜形成に於る真空処理室内
の真空度に影響を与えず、しいては良質の膜形成を形成
することができる。更に本発明は１つのボッジョンで加
熱にも冷却にも使える為、ス・ぐツタする材質及びその
ｆロセスに於ても効果を示すものである。
防止するようにしたため、薄膜形成に於る真空処理室内
の真空度に影響を与えず、しいては良質の膜形成を形成
することができる。更に本発明は１つのボッジョンで加
熱にも冷却にも使える為、ス・ぐツタする材質及びその
ｆロセスに於ても効果を示すものである。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
、 （ｂ）は従来のウェハ温度コントロール方法を示
す断面図である。 １・・・ウェハ、３・・・加熱ヒータ（加熱機構）、４
・・・熱電対、５ａ＋５ｂ・・・ガス径路、６・・・ブ
ロック体、７・・・ウェハ接触板、８・・・冷却機構、
９・・・加熱・冷却コントローラ、 第１図
、 （ｂ）は従来のウェハ温度コントロール方法を示
す断面図である。 １・・・ウェハ、３・・・加熱ヒータ（加熱機構）、４
・・・熱電対、５ａ＋５ｂ・・・ガス径路、６・・・ブ
ロック体、７・・・ウェハ接触板、８・・・冷却機構、
９・・・加熱・冷却コントローラ、 第１図
Claims (1)
- （１）真空処理室内の薄膜形成用ウェハの温度をコント
ロールするウェハ温度制御装置において、ブロック体の
前面凹陥部をウェハ接触板にて気密に封止し、該凹陥部
に冷却機構の給排口を接続し、さらに前記ウェハ接触板
の裏面に接近させて加熱機構を設置したことを特徴とす
るウェハ温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20316984A JPS6179769A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | ウエハ温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20316984A JPS6179769A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | ウエハ温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179769A true JPS6179769A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16469591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20316984A Pending JPS6179769A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | ウエハ温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179769A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114964A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS63137932U (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-12 | ||
| JPS63226936A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ載置台 |
| JPS6418730U (ja) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | ||
| JPH0294251U (ja) * | 1989-01-05 | 1990-07-26 | ||
| EP0406669A2 (en) * | 1989-06-26 | 1991-01-09 | Hitachi, Ltd. | Thin film making method on semiconductor substrate and temperature controlling systems therefor |
| EP0467390A1 (en) | 1990-07-20 | 1992-01-22 | Tokyo Electron Limited | Support table for plate-like body and processing apparatus using the table |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20316984A patent/JPS6179769A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114964A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS63137932U (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-12 | ||
| JPS63226936A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ載置台 |
| JPS6418730U (ja) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | ||
| JPH0294251U (ja) * | 1989-01-05 | 1990-07-26 | ||
| EP0406669A2 (en) * | 1989-06-26 | 1991-01-09 | Hitachi, Ltd. | Thin film making method on semiconductor substrate and temperature controlling systems therefor |
| EP0467390A1 (en) | 1990-07-20 | 1992-01-22 | Tokyo Electron Limited | Support table for plate-like body and processing apparatus using the table |
| US5221403A (en) * | 1990-07-20 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Limited | Support table for plate-like body and processing apparatus using the table |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5113929A (en) | Temperature control system for semiconductor wafer or substrate | |
| US6676804B1 (en) | Method and apparatus for plasma processing | |
| JP4256031B2 (ja) | 処理装置およびその温度制御方法 | |
| KR890002995A (ko) | 고온가열 스퍼터링 방법 | |
| GB2323152A (en) | Temperature controlled chuck for vacuum processing | |
| JP2001044176A5 (ja) | ||
| JPS6179769A (ja) | ウエハ温度制御装置 | |
| KR970065767A (ko) | 퇴적 막 형성 장치 및 방법 | |
| JPS6261334B2 (ja) | ||
| JPH042409B2 (ja) | ||
| US6666949B1 (en) | Uniform temperature workpiece holder | |
| WO2004027838A3 (en) | Fast gas exchange for thermal conductivity modulation | |
| KR20110056839A (ko) | 열 반사 패드가 구비된 로드록 챔버 | |
| WO2004073054A1 (ja) | 真空処理装置の冷却装置 | |
| JP3680343B2 (ja) | 化学的機械研磨装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH05217930A (ja) | ウエハ加熱装置 | |
| JPH0453926B2 (ja) | ||
| JPH04228569A (ja) | 基板温度コントロール機構 | |
| JPH0327522A (ja) | 半導体基板への薄膜加工方法及びその装置並びに薄膜加工装置 | |
| JPS57160124A (en) | Manufacture of thin film material | |
| CN211689206U (zh) | 一种高节能纳米真空镀膜仪 | |
| JPS60102742A (ja) | 処理装置 | |
| JPS63141317A (ja) | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 | |
| JP2003221669A (ja) | 基板温度制御装置 | |
| JPH0471216A (ja) | レジスト処理装置 |