JPS6418730U - - Google Patents

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JPS6418730U
JPS6418730U JP11307887U JP11307887U JPS6418730U JP S6418730 U JPS6418730 U JP S6418730U JP 11307887 U JP11307887 U JP 11307887U JP 11307887 U JP11307887 U JP 11307887U JP S6418730 U JPS6418730 U JP S6418730U
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JP
Japan
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cooling
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JP11307887U
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の概略構成図、第2図は本考案
の第1の実施例を示す詳細断面図、第3図は本考
案の第2の実施例を示す詳細図である。 1……真空槽、2……ターゲツト電極、3……
ターゲツト、4……基板ステージ(電極)、5…
…基板、6……シヤツター、7……主バルブ、8
……主ポンプ、9……バリアブルオリフイス、1
0……ヒーター、11……熱電対、12……冷却
配管、13……エア源、13a……エア用バルブ
、14……冷却水源、14a……冷却水用バルブ
、15……サーキユレータ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子製造ラインで半導体基板上に高真空
    中で薄膜を形成するスパツタ装置において、基板
    加熱ステージに、該ステージを急速冷却する冷却
    機構を装備したことを特徴とする半導体素子製造
    用のスパツタ装置。
JP11307887U 1987-07-23 1987-07-23 Pending JPS6418730U (ja)

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JP11307887U JPS6418730U (ja) 1987-07-23 1987-07-23

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JP11307887U JPS6418730U (ja) 1987-07-23 1987-07-23

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JPS6418730U true JPS6418730U (ja) 1989-01-30

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ID=31352599

Family Applications (1)

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JP11307887U Pending JPS6418730U (ja) 1987-07-23 1987-07-23

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JP (1) JPS6418730U (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59459B2 (ja) * 1975-04-30 1984-01-06 フジイ ノブチカ 磨り面を有する硝子板に透明の凸状模様を施す方法
JPS6179769A (ja) * 1984-09-28 1986-04-23 Nec Corp ウエハ温度制御装置
JPS61227169A (ja) * 1985-03-29 1986-10-09 Fujitsu Ltd スパツタリング装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59459B2 (ja) * 1975-04-30 1984-01-06 フジイ ノブチカ 磨り面を有する硝子板に透明の凸状模様を施す方法
JPS6179769A (ja) * 1984-09-28 1986-04-23 Nec Corp ウエハ温度制御装置
JPS61227169A (ja) * 1985-03-29 1986-10-09 Fujitsu Ltd スパツタリング装置

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