JPS6280329U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6280329U JPS6280329U JP17212385U JP17212385U JPS6280329U JP S6280329 U JPS6280329 U JP S6280329U JP 17212385 U JP17212385 U JP 17212385U JP 17212385 U JP17212385 U JP 17212385U JP S6280329 U JPS6280329 U JP S6280329U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- sputtering apparatus
- thin film
- semiconductor substrate
- utility
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案の概略構成図である。
１……真空槽、２……ターゲツト電極、３……
ターゲツト、４……基板ステージ（基板電極）、
５……基板、６……シヤツター、７……主バルブ
、８……主ポンプ、９……バリアブルオリフイス
。
ターゲツト、４……基板ステージ（基板電極）、
５……基板、６……シヤツター、７……主バルブ
、８……主ポンプ、９……バリアブルオリフイス
。
Claims (1)
- 半導体基板上に高真空中で薄膜を形成するスパ
ツタ装置において、バリアブルオリフイスを多段
にし、スパツタ室のスパツタ圧力の制御範囲を大
幅に向上したことを特徴とするパツシベーシヨン
スパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17212385U JPS6280329U (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17212385U JPS6280329U (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280329U true JPS6280329U (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=31108382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17212385U Pending JPS6280329U (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280329U (ja) |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP17212385U patent/JPS6280329U/ja active Pending