JPH0214359U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0214359U JPH0214359U JP9086588U JP9086588U JPH0214359U JP H0214359 U JPH0214359 U JP H0214359U JP 9086588 U JP9086588 U JP 9086588U JP 9086588 U JP9086588 U JP 9086588U JP H0214359 U JPH0214359 U JP H0214359U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering apparatus
- sputtering
- substrate
- gas introduction
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案のスパツタ装置の一実施例を示
す構成図、第２図は従来のスパツタ装置の一例を
示す構成図である。 １……真空容器、２……基板ホルダー、３……
基板、４……ターゲツトホルダー、５……ターゲ
ツト、６……シールド板、１５……ガス導入管。
す構成図、第２図は従来のスパツタ装置の一例を
示す構成図である。 １……真空容器、２……基板ホルダー、３……
基板、４……ターゲツトホルダー、５……ターゲ
ツト、６……シールド板、１５……ガス導入管。
Claims (1)
- 真空室内に配置されたターゲツトと前記ターゲ
ツトを囲んで配置されたシールド板を有し、放電
により前記ターゲツトを基板にスパツタさせる様
にしたスパツタ装置において、前記シールド板内
に不活性ガスを導くためのガス導入管を具備した
ことを特徴とするスパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086588U JPH0214359U (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086588U JPH0214359U (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214359U true JPH0214359U (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=31315374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9086588U Pending JPH0214359U (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214359U (ja) |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP9086588U patent/JPH0214359U/ja active Pending