JPH0385465U - - Google Patents
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- JPH0385465U JPH0385465U JP14532589U JP14532589U JPH0385465U JP H0385465 U JPH0385465 U JP H0385465U JP 14532589 U JP14532589 U JP 14532589U JP 14532589 U JP14532589 U JP 14532589U JP H0385465 U JPH0385465 U JP H0385465U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- chamber
- sputtering device
- ion
- wafer
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- Pending
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の構成図、第２図は
従来のイオンビームスパツタ装置の構成図である
。 １……アルミライナ、２……イオンガン、３…
…アルミターゲツト、４……ウエハー、５……基
板ホルダー、６……チヤンバー、７……イオンビ
ーム出射路。
従来のイオンビームスパツタ装置の構成図である
。 １……アルミライナ、２……イオンガン、３…
…アルミターゲツト、４……ウエハー、５……基
板ホルダー、６……チヤンバー、７……イオンビ
ーム出射路。
Claims (1)
- チヤンバー内に収納され、イオンガンから出射
されるイオンビームによりウエハーのスパツタリ
ング面に合金膜を付着させるイオンビームスパツ
タ装置において、前記チヤンバーの内側壁全面が
アルミライナで覆われていることを特徴とするイ
オンビームスパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14532589U JPH0385465U (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14532589U JPH0385465U (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385465U true JPH0385465U (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=31691967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14532589U Pending JPH0385465U (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0385465U (ja) |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP14532589U patent/JPH0385465U/ja active Pending
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