JPH0213483Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0213483Y2 JPH0213483Y2 JP3032285U JP3032285U JPH0213483Y2 JP H0213483 Y2 JPH0213483 Y2 JP H0213483Y2 JP 3032285 U JP3032285 U JP 3032285U JP 3032285 U JP3032285 U JP 3032285U JP H0213483 Y2 JPH0213483 Y2 JP H0213483Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- sputtering
- target
- gun
- beam source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 21
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims description 11
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、真空を利用した被膜形成技術の１つ
であるイオンビームスパツタリング装置のイオン
ビームスパツターガンに関するものである。
であるイオンビームスパツタリング装置のイオン
ビームスパツターガンに関するものである。
近年、真空を利用した種々の被膜形成技術が開
発されているが、それぞれ長所、短所を備えてお
り、目的にあつた最適な手法の選択が必要になつ
てきている。イオンビームスパツタリング法はそ
れらの中の１つであるが、グロー放電を利用した
スパツタリング法（マグネトロンスパツタもこれ
に含まれる）に比べ、スパツタイオンのエネルギ
ーが非常によくそろつていることから、膜成長に
非常に有利であることや、基板がプラズマにさら
されないために、プラズマに敏感なプラスチツク
や半導体基板に通ずるなどの利点がある。
発されているが、それぞれ長所、短所を備えてお
り、目的にあつた最適な手法の選択が必要になつ
てきている。イオンビームスパツタリング法はそ
れらの中の１つであるが、グロー放電を利用した
スパツタリング法（マグネトロンスパツタもこれ
に含まれる）に比べ、スパツタイオンのエネルギ
ーが非常によくそろつていることから、膜成長に
非常に有利であることや、基板がプラズマにさら
されないために、プラズマに敏感なプラスチツク
や半導体基板に通ずるなどの利点がある。
従来、かかるイオンビームスパツタリング装置
では、イオンビーム源とスパツター用ターゲツト
は、比較的距離をおいて設置されており、このイ
オンビームをターゲツトに照射し、所望の物質を
スパツタし、膜形成を行なつていた。
では、イオンビーム源とスパツター用ターゲツト
は、比較的距離をおいて設置されており、このイ
オンビームをターゲツトに照射し、所望の物質を
スパツタし、膜形成を行なつていた。
本考案は、かかるイオンビームスパツタリング
装置のイオンビームスパツターガンの改良に関す
るものであり、その要旨は、イオンビーム源とス
パツター用ターゲツトとを有するイオンビームス
パツターガンであつて、上記イオンビーム源と上
記スパツター用ターゲツトが対向するように互い
に相対的に移動可能に配されてユニツト化されて
いることを特徴とするイオンビームスパツターガ
ンに関するものである。
装置のイオンビームスパツターガンの改良に関す
るものであり、その要旨は、イオンビーム源とス
パツター用ターゲツトとを有するイオンビームス
パツターガンであつて、上記イオンビーム源と上
記スパツター用ターゲツトが対向するように互い
に相対的に移動可能に配されてユニツト化されて
いることを特徴とするイオンビームスパツターガ
ンに関するものである。
以下、本考案を図面に従つて説明する。
図において、１はイオンビーム源、２はスパツ
ター用ターゲツト、３はイオンビーム源用基体、
４はターゲツト用基体、５基台、６はヒンジ、７
はイオンビームスパツターガンを示す。本考案に
おいて、イオンビーム源用基体３とターゲツト用
基体４とはヒンジ６により蝶結され、イオンビー
ム源１とスパツター用ターゲツト２とはユニツト
化されている。このイオンビームスパツターガン
７は使用時、イオンビーム源基体３とターゲツト
基体４とを所定角度に開いて、イオンビームをタ
ーゲツトに照射し、ターゲツトの物質をスパツタ
ーさせる。第２図はこの状態を示した図面であ
り、Ａは放電状態、Ｂはスパツターゾーンを示
す。
ター用ターゲツト、３はイオンビーム源用基体、
４はターゲツト用基体、５基台、６はヒンジ、７
はイオンビームスパツターガンを示す。本考案に
おいて、イオンビーム源用基体３とターゲツト用
基体４とはヒンジ６により蝶結され、イオンビー
ム源１とスパツター用ターゲツト２とはユニツト
化されている。このイオンビームスパツターガン
７は使用時、イオンビーム源基体３とターゲツト
基体４とを所定角度に開いて、イオンビームをタ
ーゲツトに照射し、ターゲツトの物質をスパツタ
ーさせる。第２図はこの状態を示した図面であ
り、Ａは放電状態、Ｂはスパツターゾーンを示
す。
上記した例は、イオンビーム源１とスパツター
用ターゲツト２とをヒンジ６により蝶結されたも
のであるが、その他の回動式、スライド式などの
各種機構によりイオンビーム源１とスパツター用
ターゲツト２が移動し、イオンビーム源１とスパ
ツター用ターゲツト２が対向する様にユニツト化
したものであつてもよい。
用ターゲツト２とをヒンジ６により蝶結されたも
のであるが、その他の回動式、スライド式などの
各種機構によりイオンビーム源１とスパツター用
ターゲツト２が移動し、イオンビーム源１とスパ
ツター用ターゲツト２が対向する様にユニツト化
したものであつてもよい。
本考案は、上記した様にイオンビーム源１とス
パツター用ターゲツト２とをユニツト化すること
により、いわゆるイオンビームスパツターガンと
しての１つの蒸発ソースとしてもとらえることが
できる様になり、又取り扱いも容易となる。
パツター用ターゲツト２とをユニツト化すること
により、いわゆるイオンビームスパツターガンと
しての１つの蒸発ソースとしてもとらえることが
できる様になり、又取り扱いも容易となる。
第１図は本考案のイオンビームスパツターガン
の斜視図、第２図は本考案のイオンビームスパツ
ターガンの使用状態を示す説明図を示す。 １：イオンビーム源１、２：スパツター用ター
ゲツト。
の斜視図、第２図は本考案のイオンビームスパツ
ターガンの使用状態を示す説明図を示す。 １：イオンビーム源１、２：スパツター用ター
ゲツト。
Claims (1)
- イオンビーム源とスパツター用ターゲツトとを
有するイオンビームスパツターガンであつて、上
記イオンビーム源と上記スパツター用ターゲツト
が対向するように互いに相対的に移動可能に配さ
れてユニツト化されていることを特徴とするイオ
ンビームスパツターガン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032285U JPH0213483Y2 (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032285U JPH0213483Y2 (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147262U JPS61147262U (ja) | 1986-09-11 |
| JPH0213483Y2 true JPH0213483Y2 (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=30529916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3032285U Expired JPH0213483Y2 (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0213483Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP3032285U patent/JPH0213483Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61147262U (ja) | 1986-09-11 |
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