JPS6311560U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6311560U JPS6311560U JP10642586U JP10642586U JPS6311560U JP S6311560 U JPS6311560 U JP S6311560U JP 10642586 U JP10642586 U JP 10642586U JP 10642586 U JP10642586 U JP 10642586U JP S6311560 U JPS6311560 U JP S6311560U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- film forming
- ion beam
- plasma
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第1図はこの考案の一実施例を示す概略構成図
、第2図は従来例を示す概略図である。 1:イオン源、2:アークチヤンバ、3:アノ
ード、4:フイラメント、6:引き出し電極系、
7:膜形成室、8:ターゲツト、9:基板、10
:反応性ガス導入管、20:覆い。
、第2図は従来例を示す概略図である。 1:イオン源、2:アークチヤンバ、3:アノ
ード、4:フイラメント、6:引き出し電極系、
7:膜形成室、8:ターゲツト、9:基板、10
:反応性ガス導入管、20:覆い。
Claims (1)
- アークチヤンバ内にフイラメントとアノードを
設置し、中性ガスを電離してプラズマを発生させ
、このプラズマより引き出し電極系によりイオン
ビームを引き出すイオン源と、前記イオンビーム
の照射により基板に向けてスパツタ粒子がスパツ
タされるターゲツトおよび前記基板を包囲し、そ
の内部に反応性ガスが導入されるよう形成した覆
いとを有する膜形成室からなる薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10642586U JPS6311560U (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10642586U JPS6311560U (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6311560U true JPS6311560U (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=30981771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10642586U Pending JPS6311560U (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6311560U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100295617B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2001-10-26 | 홍상복 | 고진공마그네트론스퍼터링방법 |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP10642586U patent/JPS6311560U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100295617B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2001-10-26 | 홍상복 | 고진공마그네트론스퍼터링방법 |
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