JPH01158640U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01158640U JPH01158640U JP5403988U JP5403988U JPH01158640U JP H01158640 U JPH01158640 U JP H01158640U JP 5403988 U JP5403988 U JP 5403988U JP 5403988 U JP5403988 U JP 5403988U JP H01158640 U JPH01158640 U JP H01158640U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ionized
- shielding member
- filament
- chamber
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
第１図は本考案のイオン発生源の一実施例を示
す要部断面構成図、第２図は従来のイオンエツチ
ング装置を示す断面構成図である。 １……イオン発生源、２……フイラメント、３
……アノード、４……コイル、５……引出し電極
、１１……イオン生成室、２０……遮蔽部材、２
１……不活性ガス導入口。
す要部断面構成図、第２図は従来のイオンエツチ
ング装置を示す断面構成図である。 １……イオン発生源、２……フイラメント、３
……アノード、４……コイル、５……引出し電極
、１１……イオン生成室、２０……遮蔽部材、２
１……不活性ガス導入口。
Claims (1)
- 真空室内にイオン化すべきガスが導入され、前
記室内に配置されたフイラメントからの熱電子と
衝突させて前記ガスをイオン化させるカウフマン
型のイオン発生源において、前記フイラメントを
囲つて遮蔽部材を設けるとともにこの遮蔽部材内
に不活性ガスを導入するための導入口を設けたこ
とを特徴とするイオン発生源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5403988U JPH01158640U (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5403988U JPH01158640U (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158640U true JPH01158640U (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=31279988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5403988U Pending JPH01158640U (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158640U (ja) |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP5403988U patent/JPH01158640U/ja active Pending