JPH02102461U - - Google Patents

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JPH02102461U
JPH02102461U JP1108889U JP1108889U JPH02102461U JP H02102461 U JPH02102461 U JP H02102461U JP 1108889 U JP1108889 U JP 1108889U JP 1108889 U JP1108889 U JP 1108889U JP H02102461 U JPH02102461 U JP H02102461U
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JP
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utility
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shutter
thin film
forming apparatus
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JP1108889U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の1実施例のシヤツターを含む
真空薄膜形成装置の1例の略示縦断側面図、第2
図は変形実施例のシヤツターの略示断面図、第3
図は他の変形実施例のシヤツターの略示断面図、
第4図は従来技術のシヤツターを含む真空薄膜形
成装置の1例の略示縦断側面図である。 1,1A,1B,l……シヤツター、2……冷
媒、3……ベローズ、4……永久磁石、a……真
空室、b……真空ポンプ、c……ガス源、d……
絶縁物、e……ヒータ、f……基板保持具、g…
…基板、h……ターゲツト保持具、i……ターゲ
ツト、j……高電圧源、k……シールド板、m…
…モータ、n……直流電源。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空薄膜形成装置において、真空室内にあ
    つて基板の前処理時に基板とターゲツトとの間に
    介入するようせられ、真空室外からの冷媒の内部
    通流により冷却して低表面温度に維持するようせ
    られていることを特徴とする真空薄膜形成装置の
    シヤツター。 (2) 板の平面積に較べ実質表面積を拡大した実
    用新案登録請求の範囲第1項記載のシヤツター。 (3) 永久磁石を内蔵状態に併有する実用新案登
    録請求の範囲第1項記載のシヤツター。
JP1108889U 1989-01-31 1989-01-31 Pending JPH02102461U (ja)

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JPH02102461U true JPH02102461U (ja) 1990-08-15

Family

ID=31219331

Family Applications (1)

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JP1108889U Pending JPH02102461U (ja) 1989-01-31 1989-01-31

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JP (1) JPH02102461U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002129326A (ja) * 2000-10-31 2002-05-09 Anelva Corp 基板加熱機構付シャッタを有する成膜装置及び成膜方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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