JPS6237082U - - Google Patents

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JPS6237082U
JPS6237082U JP12792885U JP12792885U JPS6237082U JP S6237082 U JPS6237082 U JP S6237082U JP 12792885 U JP12792885 U JP 12792885U JP 12792885 U JP12792885 U JP 12792885U JP S6237082 U JPS6237082 U JP S6237082U
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JP
Japan
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plasma gas
extract
thin film
base material
utility
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JP12792885U
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

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【図面の簡単な説明】
第1図a及び第1図bはこの考案を実施する装
置の概略図で、第1図aは2種類のガスを導入す
る場合を示し、第1図bは、1種類のガスを導入
し、2種目の物質は8で示すターゲツトに主とし
て含まれる場合を示し、第2図は、従来技術のI
VD法を実施する装置の概略図、第3図aは従来
技術のプラズマCVD法を実施する装置の概略図
、第3図bはECRを利用したプラズマCVD法
を実施する装置の概略図である。 1,1′,21,31,31′……ガス導入系
、2,32′……マイクロ波発振器系、32……
高周波電源、3,23,33′……プラズマ室、
33……処理室、4,34′……磁気コイル、5
,35′……引き出し及び加速系、6,26,3
6′……試料系、7,27……真空系、8……タ
ーゲツト、29……蒸発系。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. イオン源として電子サイクロトロン共鳴を利用
    したプラズマガスを用い、該プラズマガスの引き
    出しにイオン加速器を利用した、金属等の母材表
    面に高硬度薄膜を形成する製造装置。
JP12792885U 1985-08-23 1985-08-23 Pending JPS6237082U (ja)

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JP12792885U JPS6237082U (ja) 1985-08-23 1985-08-23

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JPS6237082U true JPS6237082U (ja) 1987-03-05

Family

ID=31023136

Family Applications (1)

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JP12792885U Pending JPS6237082U (ja) 1985-08-23 1985-08-23

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JP (1) JPS6237082U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015107628A1 (ja) * 2014-01-15 2015-07-23 Jdc株式会社 テンションパッド装置のフェルト保持構造

Cited By (1)

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