JPH0590214A - 同軸型プラズマ処理装置 - Google Patents
同軸型プラズマ処理装置Info
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- JPH0590214A JPH0590214A JP3278837A JP27883791A JPH0590214A JP H0590214 A JPH0590214 A JP H0590214A JP 3278837 A JP3278837 A JP 3278837A JP 27883791 A JP27883791 A JP 27883791A JP H0590214 A JPH0590214 A JP H0590214A
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- Japan
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- chamber
- cylindrical chamber
- cylindrical
- chamber plate
- temperature
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/912—Differential etching apparatus having a vertical tube reactor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 縦長の筒状チャンバー２の上下開口をチャン
バープレート３，４で塞ぎ、筒状チャンバー２の内外に
筒状の内部電極１５及び外部電極１６を配置してなり、
上部チャンバープレート３に冷却コイル８及びこの冷却
コイル廻りの冷空気を上部チャンバープレート３に強制
的に吹き付けるファンユニット９を付設したことを特徴
とする同軸型プラズマ処理装置１。 【効果】 上部チャンバープレート３を強制冷却するこ
とにより、筒状チャンバー２の上部の温度上昇を防止
し、もって、ウェハーＷのアッシングレート均一性は良
好に保てる。
バープレート３，４で塞ぎ、筒状チャンバー２の内外に
筒状の内部電極１５及び外部電極１６を配置してなり、
上部チャンバープレート３に冷却コイル８及びこの冷却
コイル廻りの冷空気を上部チャンバープレート３に強制
的に吹き付けるファンユニット９を付設したことを特徴
とする同軸型プラズマ処理装置１。 【効果】 上部チャンバープレート３を強制冷却するこ
とにより、筒状チャンバー２の上部の温度上昇を防止
し、もって、ウェハーＷのアッシングレート均一性は良
好に保てる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハ表面のレジ
スト膜のアッシング等に用いる同軸型プラズマ処理装置
に関する。
スト膜のアッシング等に用いる同軸型プラズマ処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】外部電極と内部電極とを筒状チャンバー
を挟んで同軸状に配置したプラズマ処理装置として特公
昭５３−３３４７１号公報に開示される装置がある。
を挟んで同軸状に配置したプラズマ処理装置として特公
昭５３−３３４７１号公報に開示される装置がある。
【０００３】同軸型プラズマ処理装置の一般的な構造
は、図２に示すように石英等からなる縦長の筒状チャン
バー１００の上下の開孔をチャンバープレート１０１，
１０２で閉塞し、筒状チャンバー１００の内外に筒状の
内部電極１０３及び筒状の外部電極１０４を夫々配置
し、この外部電極１０４の外方にプレヒータ１０５を配
置してなる。
は、図２に示すように石英等からなる縦長の筒状チャン
バー１００の上下の開孔をチャンバープレート１０１，
１０２で閉塞し、筒状チャンバー１００の内外に筒状の
内部電極１０３及び筒状の外部電極１０４を夫々配置
し、この外部電極１０４の外方にプレヒータ１０５を配
置してなる。
【０００４】一方、石英等のロッドを起立してなるウェ
ハー保持体１０６に、予め５０〜１００枚のウェハー１
０７を段積み収納したものを、図中矢印の如くにプラ
ズマ処理装置に下から挿入する。筒状チャンバー１００
内を真空引きし、減圧下でＯ2（酸素）を投入し、プレ
ヒータ１０５に通電して装置全体をある程度暖めて、プ
ラズマの発生条件を整えるとともに、高周波発振器１０
８により、外部電極１０４と内部電極１０３との間に酸
素プラズマを発生せしめる。
ハー保持体１０６に、予め５０〜１００枚のウェハー１
０７を段積み収納したものを、図中矢印の如くにプラ
ズマ処理装置に下から挿入する。筒状チャンバー１００
内を真空引きし、減圧下でＯ2（酸素）を投入し、プレ
ヒータ１０５に通電して装置全体をある程度暖めて、プ
ラズマの発生条件を整えるとともに、高周波発振器１０
８により、外部電極１０４と内部電極１０３との間に酸
素プラズマを発生せしめる。
【０００５】この酸素プラズマによって、ウェハー１０
７…表面のホトレジストを灰化処理（アッシング）す
る。
７…表面のホトレジストを灰化処理（アッシング）す
る。
【０００６】図３はアッシングレートの温度依存性を示
す図であり、ｘ軸はウェハーの端部−中心−端部を示
し、ｙ軸はアッシングレートを示す。パラメータｔ０，
ｔ１，ｔ２は処理温度であって、ｔ０＜ｔ１＜ｔ２の関
係にある。同図によれば、ウェハーの中心より端部の方
がアッシングレートは高く、また、処理温度が高いほど
アッシングレートは高くなる。
す図であり、ｘ軸はウェハーの端部−中心−端部を示
し、ｙ軸はアッシングレートを示す。パラメータｔ０，
ｔ１，ｔ２は処理温度であって、ｔ０＜ｔ１＜ｔ２の関
係にある。同図によれば、ウェハーの中心より端部の方
がアッシングレートは高く、また、処理温度が高いほど
アッシングレートは高くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記プレヒータ１０５
は装置温度を一定値に保ってアッシングレートをある程
度高めることを目的として付設されている。しかし、同
軸型プラズマ処理装置でプラズマが発生すると、そのプ
ラズマの熱により筒状チャンバー１００内の温度が徐々
に上がる傾向にある。そして、同軸型プラズマ処理装置
の筒状チャンバー１００は、ウェハー １０７を５０〜
１００枚段積み収納する関係から、縦長である。その為
にドラフト作用によって筒状チャンバー１００の上部が
下部に対して高温になることが分かった。その結果、図
３に示した通り上方のウェハー１０７は、ウェハーの中
心と端部のアッシングレートの差が著しくなり好ましく
ない。
は装置温度を一定値に保ってアッシングレートをある程
度高めることを目的として付設されている。しかし、同
軸型プラズマ処理装置でプラズマが発生すると、そのプ
ラズマの熱により筒状チャンバー１００内の温度が徐々
に上がる傾向にある。そして、同軸型プラズマ処理装置
の筒状チャンバー１００は、ウェハー １０７を５０〜
１００枚段積み収納する関係から、縦長である。その為
にドラフト作用によって筒状チャンバー１００の上部が
下部に対して高温になることが分かった。その結果、図
３に示した通り上方のウェハー１０７は、ウェハーの中
心と端部のアッシングレートの差が著しくなり好ましく
ない。
【０００８】そこで本発明の目的は同軸型プラズマ処理
装置におけるアッシングレートの均一性を改善すること
にあり、具体的には上部チャンバープレートの冷却によ
る改善策を提示するものである。
装置におけるアッシングレートの均一性を改善すること
にあり、具体的には上部チャンバープレートの冷却によ
る改善策を提示するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、縦長の筒状チャンバーの上下開口をチャンバー
プレートで塞ぎ、筒状チャンバーの内外に筒状の内部電
極及び外部電極を配置してなる同軸型プラズマ処理装置
において、前記上部チャンバープレートに冷却コイル及
びこの冷却コイル廻りの冷空気を上部チャンバープレー
トに強制的に吹き付けるファンユニットを付設したこと
を特徴とする同軸型プラズマ処理装置を構成する。
発明は、縦長の筒状チャンバーの上下開口をチャンバー
プレートで塞ぎ、筒状チャンバーの内外に筒状の内部電
極及び外部電極を配置してなる同軸型プラズマ処理装置
において、前記上部チャンバープレートに冷却コイル及
びこの冷却コイル廻りの冷空気を上部チャンバープレー
トに強制的に吹き付けるファンユニットを付設したこと
を特徴とする同軸型プラズマ処理装置を構成する。
【００１０】
【作用】プロセスの要求に基づいてファンを回転し、冷
却コイル廻りの冷空気を上部チャンバープレートに吹き
付け、上部チャンバープレートを強制冷却し、もって筒
状チャンバーの上部及び内部電極の温度上昇を防止す
る。
却コイル廻りの冷空気を上部チャンバープレートに吹き
付け、上部チャンバープレートを強制冷却し、もって筒
状チャンバーの上部及び内部電極の温度上昇を防止す
る。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を添付図面に基づいて以下に
説明する。図１は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置
の断面図であり、同軸型プラズマ処理装置１は石英等か
らなる縦長の筒状チャンバー２の上部開口を上部チャン
バープレート３で閉塞し、下部開口を下部チャンバープ
レート４で閉塞し、上部チャンバープレート３の上面に
フィン５…を一体形成し、このフィン５…から少し上方
に、通水銅管６と冷却フィン７…とからなる冷却コイル
８を設け、この冷却コイル８の少し上方にファンユニッ
ト９を設けたことを特徴とする。
説明する。図１は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置
の断面図であり、同軸型プラズマ処理装置１は石英等か
らなる縦長の筒状チャンバー２の上部開口を上部チャン
バープレート３で閉塞し、下部開口を下部チャンバープ
レート４で閉塞し、上部チャンバープレート３の上面に
フィン５…を一体形成し、このフィン５…から少し上方
に、通水銅管６と冷却フィン７…とからなる冷却コイル
８を設け、この冷却コイル８の少し上方にファンユニッ
ト９を設けたことを特徴とする。
【００１２】上記ファンユニット９は熱電対１０、温度
コントローラ１１及び可変速運転用インバータ（以下、
単に「インバータ」と言う）１２の閉ループにより制御
される。又、筒状チャンバー２の内外に同心円状に内部
電極１５と外部電極１６を夫々配置し、この外部電極１
６の外方に上部ヒータ１７と下部ヒータ１８を段積み配
置してなる。
コントローラ１１及び可変速運転用インバータ（以下、
単に「インバータ」と言う）１２の閉ループにより制御
される。又、筒状チャンバー２の内外に同心円状に内部
電極１５と外部電極１６を夫々配置し、この外部電極１
６の外方に上部ヒータ１７と下部ヒータ１８を段積み配
置してなる。
【００１３】上部ヒータ１７は上部コントローラ１９を
介して給電され、上部コントローラ１９は上部熱電対２
０の測定値に基づいて上部ヒータ１７をＯＮ／ＯＦＦ制
御する。
介して給電され、上部コントローラ１９は上部熱電対２
０の測定値に基づいて上部ヒータ１７をＯＮ／ＯＦＦ制
御する。
【００１４】又、下部ヒータ１８は下部コントローラ２
１を介して給電され、下部コントローラ２１は下部熱電
対２２の測温値に基づいて下部ヒータ１８をＰＩＤ制御
する。ＰＩＤ制御は比例−積分−微分制御をいい、測温
値が設定値から十分に離れていればヒータ出力を高め、
測温値が設定値に近づくほどヒータ出力を絞り、オーバ
ーシュートやハンチングを防止する制御方式である。
１を介して給電され、下部コントローラ２１は下部熱電
対２２の測温値に基づいて下部ヒータ１８をＰＩＤ制御
する。ＰＩＤ制御は比例−積分−微分制御をいい、測温
値が設定値から十分に離れていればヒータ出力を高め、
測温値が設定値に近づくほどヒータ出力を絞り、オーバ
ーシュートやハンチングを防止する制御方式である。
【００１５】なお、本実施例では上部ヒータ１７、下部
ヒータ１８ともに赤外線ヒータである。図中、２４はガ
ス導入管であり、２５は排気管である。
ヒータ１８ともに赤外線ヒータである。図中、２４はガ
ス導入管であり、２５は排気管である。
【００１６】以上の構成からなる同軸型プラズマ処理装
置の作用を次に述べる。排気管２５において筒状チャン
バー２内を１０-5Ｔｏｒｒ（トール）程度まで真空排気
した後に酸素若しくは酸素ヘリウム混合ガスをガス導入
管２４から補給して、筒状チャンバー２内を０．５〜
１．０ Ｔｏｒｒに保つ。
置の作用を次に述べる。排気管２５において筒状チャン
バー２内を１０-5Ｔｏｒｒ（トール）程度まで真空排気
した後に酸素若しくは酸素ヘリウム混合ガスをガス導入
管２４から補給して、筒状チャンバー２内を０．５〜
１．０ Ｔｏｒｒに保つ。
【００１７】一方、上部ヒータ１７及び下部ヒータ１８
にて筒状チャンバー２内の温度を８０℃に保ち、外部電
極１６と内部電極１５との間にプラズマを発生せしめて
ウェハーＷのアッシングを開始する。アッシング処理時
間はホトラジストの膜厚、ウェハーの処理枚数にもよる
が約２０分である。この間に筒状チャンバー２の温度が
徐々に上昇するので、上部ヒータ１７は上部コントロー
ラ１９によりＯＦＦされ、下部ヒータ１８も下部コント
ローラ２１により徐々に絞られ、筒状チャンバー２内の
温度上昇を抑制する。
にて筒状チャンバー２内の温度を８０℃に保ち、外部電
極１６と内部電極１５との間にプラズマを発生せしめて
ウェハーＷのアッシングを開始する。アッシング処理時
間はホトラジストの膜厚、ウェハーの処理枚数にもよる
が約２０分である。この間に筒状チャンバー２の温度が
徐々に上昇するので、上部ヒータ１７は上部コントロー
ラ１９によりＯＦＦされ、下部ヒータ１８も下部コント
ローラ２１により徐々に絞られ、筒状チャンバー２内の
温度上昇を抑制する。
【００１８】又、図１上部においては、熱電対１０が上
部チャンバープレート３の温度を常時モニターしてい
る。温度コントローラ１１は例えば設定温度が９０℃で
あり、熱電対１０の検出温度が９０℃を超えるとファン
ユニット９を始動する。
部チャンバープレート３の温度を常時モニターしてい
る。温度コントローラ１１は例えば設定温度が９０℃で
あり、熱電対１０の検出温度が９０℃を超えるとファン
ユニット９を始動する。
【００１９】通水銅管６には１０〜２０℃の冷却水が連
続的に通水されているので、ファンユニット９による空
気流れＫは冷却フィン７で十分に冷却された後、上部チ
ャンバープレート３に衝突する。上部チャンバープレー
ト３は上面にフィン５…があるために伝熱面積は大き
く、十分に強制冷却される。
続的に通水されているので、ファンユニット９による空
気流れＫは冷却フィン７で十分に冷却された後、上部チ
ャンバープレート３に衝突する。上部チャンバープレー
ト３は上面にフィン５…があるために伝熱面積は大き
く、十分に強制冷却される。
【００２０】ファンユニット９が始動後も、上部チャン
バープレート３の温度上昇が続く場合は、温度コントロ
ーラ１１はインバータ１２を介してファンユニット９の
回転数を上昇し、空気流量を増加する。上記の冷却作用
が順調で上部チャンバープレート３の温度が９０℃に低
下したら、インバータ１２にてファンユニット９の回転
数を絞り、更に８５℃で停止する。
バープレート３の温度上昇が続く場合は、温度コントロ
ーラ１１はインバータ１２を介してファンユニット９の
回転数を上昇し、空気流量を増加する。上記の冷却作用
が順調で上部チャンバープレート３の温度が９０℃に低
下したら、インバータ１２にてファンユニット９の回転
数を絞り、更に８５℃で停止する。
【００２１】即ち、温度コントローラ１１の応答性を筒
状チャンバー２内の温度特性にある程度合せておけば、
上部チャンバープレート３の温度が８５℃〜９０℃の範
囲に収める様にファンユニット９を連続的に運転するこ
とは容易に可能である。
状チャンバー２内の温度特性にある程度合せておけば、
上部チャンバープレート３の温度が８５℃〜９０℃の範
囲に収める様にファンユニット９を連続的に運転するこ
とは容易に可能である。
【００２２】尚、本実施例では上部チャンバープレート
３と冷却コイル８は非一体構造であるから、上部チャン
バープレート３の構成は複雑にならない。更に、本実施
例ではヒータを上下に分割し、上部ヒータ１７を絞り、
下部ヒータ１８を制御するようにしているので、縦長の
筒状チャンバ２内の高さ方向の温度均一性を図れる。よ
って、上部チャンバープレート３の強制冷却と上下に分
割されたヒータ１７，１８との協働により、筒状チャン
バー２内の温度が所要範囲内に維持されるので、ウェハ
ー端部のアッシングレートが抑えられて均一なアッシン
グレートが再現性よく得られる。
３と冷却コイル８は非一体構造であるから、上部チャン
バープレート３の構成は複雑にならない。更に、本実施
例ではヒータを上下に分割し、上部ヒータ１７を絞り、
下部ヒータ１８を制御するようにしているので、縦長の
筒状チャンバ２内の高さ方向の温度均一性を図れる。よ
って、上部チャンバープレート３の強制冷却と上下に分
割されたヒータ１７，１８との協働により、筒状チャン
バー２内の温度が所要範囲内に維持されるので、ウェハ
ー端部のアッシングレートが抑えられて均一なアッシン
グレートが再現性よく得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上に述べた通り本発明は、上部チャン
バープレートを強制冷却することにより、筒状チャンバ
ーの上部の温度上昇を防止し、もって、ウェハーのアッ
シングレート均一性は良好に保てる。
バープレートを強制冷却することにより、筒状チャンバ
ーの上部の温度上昇を防止し、もって、ウェハーのアッ
シングレート均一性は良好に保てる。
【図１】本発明に係る同軸型プラズマ処理装置の断面図
【図２】従来の同軸型プラズマ処理装置の断面図
【図３】アッシングレートの温度依存性を示す図
１…同軸型プラズマ処理装置、２…筒状チャンバー、３
…上部チャンバープレート、４…下部チャンバープレー
ト、８…冷却コイル、９…ファンユニット、１５…内部
電極、１６…外部電極、Ｋ…空気流れ、Ｗ…ウェハー。
…上部チャンバープレート、４…下部チャンバープレー
ト、８…冷却コイル、９…ファンユニット、１５…内部
電極、１６…外部電極、Ｋ…空気流れ、Ｗ…ウェハー。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】以上の構成からなる同軸型プラズマ処理装
置の作用を次に述べる。排気管２５において筒状チャン
バー２内を１０ー3 Ｔｏｒｒ（トール）程度まで真空排気
した後に酸素若しくは酸素ヘリウム混合ガスをガス導入
管２４から補給して、筒状チャンバー２内を０．５〜
１．０Ｔｏｒｒに保つ。
置の作用を次に述べる。排気管２５において筒状チャン
バー２内を１０ー3 Ｔｏｒｒ（トール）程度まで真空排気
した後に酸素若しくは酸素ヘリウム混合ガスをガス導入
管２４から補給して、筒状チャンバー２内を０．５〜
１．０Ｔｏｒｒに保つ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】一方、上部ヒータ１７及び下部ヒータ１８
にて筒状チャンバー２内の温度を８０℃に保ち、外部電
極１６と内部電極１５との間にプラズマを発生せしめて
ウェハーＷのアッシングを開始する。アッシング処理時
間はホトレジストの膜厚、ウェハーの処理枚数にもよる
が約２０分である。この間に筒状チャンバー２の温度が
徐々に上昇するので、上部ヒータ１７は上部コントロー
ラ１９によりＯＦＦされ、下部ヒータ１８も下部コント
ローラ２１により徐々に絞られ、筒状チャンバー２内の
温度上昇を抑制する。
にて筒状チャンバー２内の温度を８０℃に保ち、外部電
極１６と内部電極１５との間にプラズマを発生せしめて
ウェハーＷのアッシングを開始する。アッシング処理時
間はホトレジストの膜厚、ウェハーの処理枚数にもよる
が約２０分である。この間に筒状チャンバー２の温度が
徐々に上昇するので、上部ヒータ１７は上部コントロー
ラ１９によりＯＦＦされ、下部ヒータ１８も下部コント
ローラ２１により徐々に絞られ、筒状チャンバー２内の
温度上昇を抑制する。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】 縦長の筒状チャンバーの上下開口をチャ
ンバープレートで塞ぎ、筒状チャンバーの内外に筒状の
内部電極及び外部電極を配置してなる同軸型プラズマ処
理装置において、前記上部チャンバープレートに冷却コ
イル及びこの冷却コイル廻りの冷空気を上部チャンバー
プレートに強制的に吹き付けるファンユニットを付設し
たことを特徴とする同軸型プラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278837A JPH0590214A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 同軸型プラズマ処理装置 |
| US07/954,210 US5364488A (en) | 1991-09-30 | 1992-09-30 | Coaxial plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278837A JPH0590214A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590214A true JPH0590214A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17602845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3278837A Pending JPH0590214A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5364488A (ja) |
| JP (1) | JPH0590214A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980064156A (ko) * | 1996-12-16 | 1998-10-07 | 조셉 제이, 스위니 | 반도체 웨이퍼 처리용 시스템을 위한 폐쇄 루프 돔의 열제어장치 |
| KR100841867B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 공정챔버의 냉각장치 |
| CN102610481A (zh) * | 2004-09-01 | 2012-07-25 | 艾克塞利斯技术公司 | 用于增加光阻移除率之装置及等离子体灰化方法 |
| CN103177954A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 使用温度可控的限制环的刻蚀装置 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786174A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP3553688B2 (ja) * | 1995-05-10 | 2004-08-11 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US5589041A (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-31 | Sony Corporation | Plasma sputter etching system with reduced particle contamination |
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