JPH0417330A - 同軸型プラズマ処理装置 - Google Patents
同軸型プラズマ処理装置Info
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- JPH0417330A JPH0417330A JP12063590A JP12063590A JPH0417330A JP H0417330 A JPH0417330 A JP H0417330A JP 12063590 A JP12063590 A JP 12063590A JP 12063590 A JP12063590 A JP 12063590A JP H0417330 A JPH0417330 A JP H0417330A
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- Japan
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- chamber
- inner electrode
- internal electrode
- electrode
- cylindrical chamber
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- Pending
Links
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウェハ表面のレジスト膜のアッシング等
に用いる同軸型プラズマ処理装置に関する。
に用いる同軸型プラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
外部電極と内部電極とを筒状チャンバーを挟んで同軸状
に配置したプラズマ処理装置として特公昭５３−３３４
７１号公報に開示される装置がある。
に配置したプラズマ処理装置として特公昭５３−３３４
７１号公報に開示される装置がある。
同軸型プラズマ処理装置の一般的な構造は第５図に示す
ように、合成石英等から成る筒状チャンバー１００の両
端開口をチャンバープレート１０１．１０２で閉塞し、
筒状チャンバー１００の外側には高周波発振器１０３に
接続される板状外部電極１０４を設け、筒状チャンバー
１００の内側には外部電極１０４と電気的に絶縁された
内部電極１０５を設けている。
ように、合成石英等から成る筒状チャンバー１００の両
端開口をチャンバープレート１０１．１０２で閉塞し、
筒状チャンバー１００の外側には高周波発振器１０３に
接続される板状外部電極１０４を設け、筒状チャンバー
１００の内側には外部電極１０４と電気的に絶縁された
内部電極１０５を設けている。
そして、内部電極１０５はパンチングメタル或いは金網
等からなり、外部電極１０４と内部電極１０５との間で
発生したプラズマによるダメージが、内部電極１０５の
内方に保持具１０６によって支持されているウェハ１０
７まで及ばないようにしている。
等からなり、外部電極１０４と内部電極１０５との間で
発生したプラズマによるダメージが、内部電極１０５の
内方に保持具１０６によって支持されているウェハ１０
７まで及ばないようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の同軸型プラズマ処理装置にあっては、処
理中に内部温度か２００〜３００℃まで上昇する問題が
ある。即ちアルミニウム下地の表面に形成したレジスト
膜をアッシングする際に温度が２００℃以上になると、
アルミニウムの下地表面の結晶成長により表面が粗くな
り、またレジスト中の不純物が拡散したり更にはレジス
ト膜がひび割れるようにアッシングされ、細かなゴミと
なってウェハ表面に付着する課題がある。
理中に内部温度か２００〜３００℃まで上昇する問題が
ある。即ちアルミニウム下地の表面に形成したレジスト
膜をアッシングする際に温度が２００℃以上になると、
アルミニウムの下地表面の結晶成長により表面が粗くな
り、またレジスト中の不純物が拡散したり更にはレジス
ト膜がひび割れるようにアッシングされ、細かなゴミと
なってウェハ表面に付着する課題がある。
また従来の同軸型プラズマ処理装置にあっては、チャー
ジアップによるダメージを十分に防止できない。即ち内
部電極１０５はその基端部が一方のチャンバープレート
１０１に支持されており、他方のチャンバープレート１
０２と内部電極１０５の先端部との間には隙間１０８を
形成するようにしている。（このようにしないとチャン
バープレート１０２によって筒状チャンバー１００の開
口を密に閉塞できない。） そして、隙間１０８があるとこの隙間１０８を通って外
部電極１０４と内部電極１０５との間で発生したプラズ
マか内部に侵入し、隙間１０８の近くのウェハ１０７に
電荷か蓄積されチャージアップによるダメージか発生す
る。
ジアップによるダメージを十分に防止できない。即ち内
部電極１０５はその基端部が一方のチャンバープレート
１０１に支持されており、他方のチャンバープレート１
０２と内部電極１０５の先端部との間には隙間１０８を
形成するようにしている。（このようにしないとチャン
バープレート１０２によって筒状チャンバー１００の開
口を密に閉塞できない。） そして、隙間１０８があるとこの隙間１０８を通って外
部電極１０４と内部電極１０５との間で発生したプラズ
マか内部に侵入し、隙間１０８の近くのウェハ１０７に
電荷か蓄積されチャージアップによるダメージか発生す
る。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく本発明は、筒状チャンバーの外側
に高周波発振器に接続する外部電極を配置し、筒状チャ
ンバーの内側に前記外部電極と電気的に絶縁されるとと
もに多数の小孔を形成した内部電極を同軸状に配置した
プラズマ処理装置の内部電極を、内側の第１内部電極と
外側の第２内部電極とで構成した。
に高周波発振器に接続する外部電極を配置し、筒状チャ
ンバーの内側に前記外部電極と電気的に絶縁されるとと
もに多数の小孔を形成した内部電極を同軸状に配置した
プラズマ処理装置の内部電極を、内側の第１内部電極と
外側の第２内部電極とで構成した。
（作用）
外部電極と第１及び第２の内部電極との間の空間で発生
したプラズマ中のイオンや荷電粒子が内部電極によって
その侵入を阻止され、有効なプラズマだけが第１及び第
２の内部電極小孔を通ってウェハまで到達する。
したプラズマ中のイオンや荷電粒子が内部電極によって
その侵入を阻止され、有効なプラズマだけが第１及び第
２の内部電極小孔を通ってウェハまで到達する。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置の一部切
欠斜視図、第２図は同軸型プラズマ処理装置の縦断面図
である。
欠斜視図、第２図は同軸型プラズマ処理装置の縦断面図
である。
同軸型プラズマ処理装置は合成石英、パイレックスガラ
ス等から成る筒状チャンバー１を装置本体等に固定し、
この筒状チャンバー１の上端開口をチャンバープレート
２で閉塞し、下端開口をチャンバープレート３で閉塞し
ている。これらチャンバープレート２，３はアルミニウ
ム或いは銅等の熱伝導性に優れた金属材料にて構成して
アースし、チャンバープレート３については昇降自在と
し、その上面に多数のウェハＷを保持する保持体４を設
けている。
ス等から成る筒状チャンバー１を装置本体等に固定し、
この筒状チャンバー１の上端開口をチャンバープレート
２で閉塞し、下端開口をチャンバープレート３で閉塞し
ている。これらチャンバープレート２，３はアルミニウ
ム或いは銅等の熱伝導性に優れた金属材料にて構成して
アースし、チャンバープレート３については昇降自在と
し、その上面に多数のウェハＷを保持する保持体４を設
けている。
また、筒状チャンバー１の外周には高周波発振器５に接
続される筒状外部電極６を配置し、筒状チャンバー１の
内方には前記外部電極６と同軸状に内部電極７を配置し
ている。
続される筒状外部電極６を配置し、筒状チャンバー１の
内方には前記外部電極６と同軸状に内部電極７を配置し
ている。
内部電極７は内側の第１内部電極７ａと外側の第２内部
電極７ｂから構成される。これら第１内部電極７ａ及び
第２内部電極７ｂはいずれもパンチングメタル或いは金
網からなり多数の小孔８・・・を有している。また、第
１内部電極７ａはその基端部（上端部）が前記チャンバ
ープレート２の下面に取り付けられ、先端部（下端部）
とチャンバ−プレート３上面との間には隙間９が形成さ
れている。一方、第２内部電極７ｂはその基端部（下端
部）が前記チャンバープレート３の上面に取り付けられ
、先端部（上端部）は第１内部電極７ａの半分以上の高
さ位置にある。
電極７ｂから構成される。これら第１内部電極７ａ及び
第２内部電極７ｂはいずれもパンチングメタル或いは金
網からなり多数の小孔８・・・を有している。また、第
１内部電極７ａはその基端部（上端部）が前記チャンバ
ープレート２の下面に取り付けられ、先端部（下端部）
とチャンバ−プレート３上面との間には隙間９が形成さ
れている。一方、第２内部電極７ｂはその基端部（下端
部）が前記チャンバープレート３の上面に取り付けられ
、先端部（上端部）は第１内部電極７ａの半分以上の高
さ位置にある。
また、外部電極６と内部電極７との間に形成されるプラ
ズマ発生空−間１０にはガスボンベ等につながる反応ガ
ス導入管１１及び真空ポンプにつながる排気管１２を臨
ませている。
ズマ発生空−間１０にはガスボンベ等につながる反応ガ
ス導入管１１及び真空ポンプにつながる排気管１２を臨
ませている。
以上において、排気管１２を介してチャンバー１内を減
圧した状態でガス導入管１１から反応ガスを導入すると
ともに、外部電極６に高周波を印加する。すると、外部
電極６と内部電極７との間のプラズマ発生空間１０にプ
ラズマが発生し、この中の有効なプラズマが内部電極７
の小孔８を通って内部電極７で囲まれる空間に入り、ウ
ェハＷ表面のレジスト膜と反応してレジスト膜を除去す
る。
圧した状態でガス導入管１１から反応ガスを導入すると
ともに、外部電極６に高周波を印加する。すると、外部
電極６と内部電極７との間のプラズマ発生空間１０にプ
ラズマが発生し、この中の有効なプラズマが内部電極７
の小孔８を通って内部電極７で囲まれる空間に入り、ウ
ェハＷ表面のレジスト膜と反応してレジスト膜を除去す
る。
第３図及び第４図は別実施例を示す断面図であり、第３
図に示す実施例にあっては外側の第２内部電極７ｂの高
さ寸法を低く設定しており、第４図に示す実施例にあっ
ては、第１内部電極７ａの基端部をチャンバープレート
３の上面に取り付け、第２内部電極７ｂの基端部をチャ
ンバープレート２の下面に取り付けている。
図に示す実施例にあっては外側の第２内部電極７ｂの高
さ寸法を低く設定しており、第４図に示す実施例にあっ
ては、第１内部電極７ａの基端部をチャンバープレート
３の上面に取り付け、第２内部電極７ｂの基端部をチャ
ンバープレート２の下面に取り付けている。
（効果）
以上に説明したように本発明によれば、同軸型プラズマ
処理装置の内部電極を、内側の第１内部電極と外側の第
２内部電極からなる二重構造としたことで、内部電極自
体による放熱効果が高くなり且つ輻射熱を低減し、チャ
ンバー内の温度を大幅に下げることができる。
処理装置の内部電極を、内側の第１内部電極と外側の第
２内部電極からなる二重構造としたことで、内部電極自
体による放熱効果が高くなり且つ輻射熱を低減し、チャ
ンバー内の温度を大幅に下げることができる。
また内部電極を二重構造とすることで、プラズマ中のイ
オンや荷電粒子が侵入する隙間を塞ぐことができチャー
ジアップによるダメージを低減することができる。
オンや荷電粒子が侵入する隙間を塞ぐことができチャー
ジアップによるダメージを低減することができる。
第１図は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置の一部切
欠斜視図、第２図は同軸型プラズマ処理装置の縦断面図
、第３図及び第４図は別実施例を示す縦断面図、第５図
は従来例の縦断面図である。 尚、図面中１は筒状チャンバー ２．３はチャンバープ
レート、５は高周波発振器、６は外部電極、７は内部、
電極、７ａは第１内部電極、７ｂは第２内部電極、１０
はプラズマ発生空間である。 願人
欠斜視図、第２図は同軸型プラズマ処理装置の縦断面図
、第３図及び第４図は別実施例を示す縦断面図、第５図
は従来例の縦断面図である。 尚、図面中１は筒状チャンバー ２．３はチャンバープ
レート、５は高周波発振器、６は外部電極、７は内部、
電極、７ａは第１内部電極、７ｂは第２内部電極、１０
はプラズマ発生空間である。 願人
Claims (1)
- 筒状チャンバーの外側に高周波発振器に接続する外部
電極を配置し、筒状チャンバーの内側に前記外部電極と
電気的に絶縁されるとともに多数の小孔を形成した内部
電極を同軸状に配置したプラズマ処理装置において、前
記内部電極を内側の第１内部電極と外側の第２内部電極
とで構成し、第１内部電極については筒状チャンバーの
一方の開口を閉塞するチャンバープレートに支持し、第
２内部電極については筒状チャンバーの他方の開口を閉
塞するチャンバープレートに支持したことを特徴とする
同軸型プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12063590A JPH0417330A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12063590A JPH0417330A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417330A true JPH0417330A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14791102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12063590A Pending JPH0417330A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0417330A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362353A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-08 | Lsi Logic Corporation | Faraday cage for barrel-style plasma etchers |
| US5364488A (en) * | 1991-09-30 | 1994-11-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coaxial plasma processing apparatus |
| US5383984A (en) * | 1992-06-17 | 1995-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus etching tunnel-type |
| US6067930A (en) * | 1991-11-22 | 2000-05-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coaxial plasma processing apparatus |
| WO2002035895A3 (en) * | 2000-10-27 | 2002-07-18 | Nkt Res As | A method and an apparatus for excitation of a plasma |
| CN110544613A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP12063590A patent/JPH0417330A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364488A (en) * | 1991-09-30 | 1994-11-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coaxial plasma processing apparatus |
| US6067930A (en) * | 1991-11-22 | 2000-05-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coaxial plasma processing apparatus |
| US5383984A (en) * | 1992-06-17 | 1995-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus etching tunnel-type |
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| WO2002035895A3 (en) * | 2000-10-27 | 2002-07-18 | Nkt Res As | A method and an apparatus for excitation of a plasma |
| CN110544613A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
| US11355320B2 (en) * | 2018-05-28 | 2022-06-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method for plasma processing |
| CN110544613B (zh) * | 2018-05-28 | 2023-05-26 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
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