JPH01316940A - 気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置Info
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- JPH01316940A JPH01316940A JP14696388A JP14696388A JPH01316940A JP H01316940 A JPH01316940 A JP H01316940A JP 14696388 A JP14696388 A JP 14696388A JP 14696388 A JP14696388 A JP 14696388A JP H01316940 A JPH01316940 A JP H01316940A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
反応ガスの反応により発熱体に設置された基板上にエピ
タキシャル結晶層を形成する気相エピタキシャル成長装
置に関し、 基板上に形成されるエピタキシャル結晶層の膜厚を任意
に制御可能とすることを目的とし、反応室内に基板を設
置した発熱体を設置し、該反応室内に反応ガスを導入し
、発熱体を加熱することで基板を加熱し、前記導入した
反応ガスの反応により基板上にエピタキシャル結晶層を
形成する気相エピタキシャル成長装置において、発熱体
と基板との間に発熱体より熱伝導率の低い材料からなる
温度調整板を備え、温度ｙＪ整板の各部位での厚さを変
化させることにより基板表面の温度を調整してエピタキ
シャル結晶層の膜厚を制御するように構成する。
タキシャル結晶層を形成する気相エピタキシャル成長装
置に関し、 基板上に形成されるエピタキシャル結晶層の膜厚を任意
に制御可能とすることを目的とし、反応室内に基板を設
置した発熱体を設置し、該反応室内に反応ガスを導入し
、発熱体を加熱することで基板を加熱し、前記導入した
反応ガスの反応により基板上にエピタキシャル結晶層を
形成する気相エピタキシャル成長装置において、発熱体
と基板との間に発熱体より熱伝導率の低い材料からなる
温度調整板を備え、温度ｙＪ整板の各部位での厚さを変
化させることにより基板表面の温度を調整してエピタキ
シャル結晶層の膜厚を制御するように構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は気相エピタキシャル成長装置、特に反応ガスの
反応により発熱体に設置され基板上にエピタキシャル結
晶層を形成する気相エピタキシャル成長製画に関する。
反応により発熱体に設置され基板上にエピタキシャル結
晶層を形成する気相エピタキシャル成長製画に関する。
赤外線検知素子の材料としては水銀・カドミウム・テル
ルの結晶が用いられており、このような水銀・カドミウ
ム・テルルの結晶を薄層状態にかつ大面積に形成するに
は気相エピタキシャル成長方法が採られている。
ルの結晶が用いられており、このような水銀・カドミウ
ム・テルルの結晶を薄層状態にかつ大面積に形成するに
は気相エピタキシャル成長方法が採られている。
（従来の技術）
第５図は、従来の気相エピタキシャル成長装置を示す。
水銀・カドミウム・テルルの結晶を基板上に形成する場
合、第５図に示すように、導入ガスの方向に対してテー
バを有するサセプタ台１０６に設けられ平板状のグラフ
ァイトからなるサセプタ １０１の上にカドミウムテル
ル（ＣｄＴｅ）の基板１０２を設置した状態で、反応管
１０３内に導入した後、反応管内部を排気する。
合、第５図に示すように、導入ガスの方向に対してテー
バを有するサセプタ台１０６に設けられ平板状のグラフ
ァイトからなるサセプタ １０１の上にカドミウムテル
ル（ＣｄＴｅ）の基板１０２を設置した状態で、反応管
１０３内に導入した後、反応管内部を排気する。
次いで反応管１０３にキャリアガスとしての水素ガスと
、ジメチルカドミウムを担持した水素ガス。
、ジメチルカドミウムを担持した水素ガス。
ジエチルテルルを担持した水素ガス、水銀のガスを反応
ガスとして導入し、反応管１０３の周囲に設けた高周波
加熱コイル１０４に高周波電圧を印加することで、サセ
プタ１０１を高周波誘導加熱し、それによって基板１０
２の温度を上昇させると共に、基板１０２の周囲に反応
管内部の温度を上野させ、この温度上昇によって反応管
１０３内に導入された反応ガスを分解し、その分解した
成分を基板上にエピタキシャル成長させる。
ガスとして導入し、反応管１０３の周囲に設けた高周波
加熱コイル１０４に高周波電圧を印加することで、サセ
プタ１０１を高周波誘導加熱し、それによって基板１０
２の温度を上昇させると共に、基板１０２の周囲に反応
管内部の温度を上野させ、この温度上昇によって反応管
１０３内に導入された反応ガスを分解し、その分解した
成分を基板上にエピタキシャル成長させる。
第６図は従来装置の要部を示す。例えば室温（２５℃）
の反応ガスが矢印の方向に流れると、加熱された勺セブ
タ１０１の上流側は反応ガスによって冷やされて基板１
０２の表面温度が下がる。他方、加熱されたサセプタ
１０１の下流側は温度が上げられた反応ガスが通過する
ために、基板１０２の表面温度が上流側はどは下がらな
い。このため、従来装置では反応ガスの流れ方向にサセ
プタ温度が上昇し、サセプタ １０１上に設置された基
板１０２がその全面にわたって均一に加熱されない。基
板１０２が均一に加熱されないと、基板１０２上に形成
されるエピタキシャル結晶層の組成及び膜厚が不均一と
なる。
の反応ガスが矢印の方向に流れると、加熱された勺セブ
タ１０１の上流側は反応ガスによって冷やされて基板１
０２の表面温度が下がる。他方、加熱されたサセプタ
１０１の下流側は温度が上げられた反応ガスが通過する
ために、基板１０２の表面温度が上流側はどは下がらな
い。このため、従来装置では反応ガスの流れ方向にサセ
プタ温度が上昇し、サセプタ １０１上に設置された基
板１０２がその全面にわたって均一に加熱されない。基
板１０２が均一に加熱されないと、基板１０２上に形成
されるエピタキシャル結晶層の組成及び膜厚が不均一と
なる。
従って、従来装置では基板の各部位での表面温度を任意
に制御できないために、基板上に形成されるエピタキシ
ャル結晶層の膜厚を一定に制御することも含めて膜厚及
び組成を任意に制御できないという問題が生じていた。
に制御できないために、基板上に形成されるエピタキシ
ャル結晶層の膜厚を一定に制御することも含めて膜厚及
び組成を任意に制御できないという問題が生じていた。
本発明は、基板上に形成されるエピタキシャル結晶層の
組成及び膜厚を任意に制御可能とすることのできる気相
エピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。
組成及び膜厚を任意に制御可能とすることのできる気相
エピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。
第１図は、本発明の原理説明図である。同図中、１は反
応室、２は基板、３は発熱体、４は温度調整板である。
応室、２は基板、３は発熱体、４は温度調整板である。
基板２は、反応室１内に設置された発熱体３上に設置さ
れる。基板２は、反応室１内に反応ガスを導入して発熱
体３を加熱することで加熱され、導入した反応ガスの反
応によりエピタキシャル結晶層が基板２上に形成される
。
れる。基板２は、反応室１内に反応ガスを導入して発熱
体３を加熱することで加熱され、導入した反応ガスの反
応によりエピタキシャル結晶層が基板２上に形成される
。
温度調整板４は、発熱体３より熱伝導率の低い材料から
なり発熱体３と基板２との間に設けられ、エピタキシャ
ル結晶層の膜厚は、温度調整板４の各部位での厚さを変
化させて基板表面の温度を調整することにより制御され
る。
なり発熱体３と基板２との間に設けられ、エピタキシャ
ル結晶層の膜厚は、温度調整板４の各部位での厚さを変
化させて基板表面の温度を調整することにより制御され
る。
従って、基板上に形成されるエピタキシャル結晶層の組
成及び膜厚を任意に制御できる。
成及び膜厚を任意に制御できる。
第２図及び第３図は、本発明の一実施例の要部を示す。
同図中、反応管及び高周波加熱コイルは前述の従来例と
実質的に同じであるため、その図示及び説明は省略する
。
実質的に同じであるため、その図示及び説明は省略する
。
サセプタ台１０は、反応管（図示せず）に導入する矢印
で示す反応ガスの導入方向に対してテーバを有し、例え
ばグラファイトからなるサセプタ１１を設けられている
。サセプタ１１上には、ナセブタ１１より熱伝導率の低
い材料からなる温度調整板１２が設けられており、基板
（ウェーハ）１３はこの温度調整板１２上に設置される
。本実施例では、グラファイトに比べて熱伝導率が低く
３ｍでも安定しているサファイア、アルミナ等が温度調
整板１２に用いられる。
で示す反応ガスの導入方向に対してテーバを有し、例え
ばグラファイトからなるサセプタ１１を設けられている
。サセプタ１１上には、ナセブタ１１より熱伝導率の低
い材料からなる温度調整板１２が設けられており、基板
（ウェーハ）１３はこの温度調整板１２上に設置される
。本実施例では、グラファイトに比べて熱伝導率が低く
３ｍでも安定しているサファイア、アルミナ等が温度調
整板１２に用いられる。
高周波加熱コイル（図示せず）によりサセプタ１１が高
周波誘導加熱された際にサセプタ台１゜上の基板１３の
上流側での温度低下を防ぐと共に基板１３の表面温度を
均一化するために、温度調整板１２の厚さは上流側では
薄く下流側では厚く設定されている。つまり、温度調整
板１２の厚さは、上流側から下流側に向って増加する。
周波誘導加熱された際にサセプタ台１゜上の基板１３の
上流側での温度低下を防ぐと共に基板１３の表面温度を
均一化するために、温度調整板１２の厚さは上流側では
薄く下流側では厚く設定されている。つまり、温度調整
板１２の厚さは、上流側から下流側に向って増加する。
この様に、本実施例では温度調整板１２の各部位での厚
さを変化させることにより基板１３の各部位での表面温
度を任意に制御できる。従って、温度調整板１２の各部
位での厚さを第２図に示す如く変化させることにより、
基板１３上に均一な組成及び膜厚のエピタキシャル結晶
層を形成することができる。
さを変化させることにより基板１３の各部位での表面温
度を任意に制御できる。従って、温度調整板１２の各部
位での厚さを第２図に示す如く変化させることにより、
基板１３上に均一な組成及び膜厚のエピタキシャル結晶
層を形成することができる。
第４図は、本発明の他の実施例の要部を示す。
同図中、２０は反応室、２１はサセプタ台、２２はサセ
プタ、２３は温度調整板、２４は基板（つ工−ハ）を示
す。サセプタ２２及び温度調整板２３は、前記実施例と
同様の材料からなる。
プタ、２３は温度調整板、２４は基板（つ工−ハ）を示
す。サセプタ２２及び温度調整板２３は、前記実施例と
同様の材料からなる。
本実施例では、反応ガスが矢印で示す如く反応室２０の
外周部へ流れるので、ａｒｍ調整板２３の厚さはその中
央部から外周部にかけて増加する。
外周部へ流れるので、ａｒｍ調整板２３の厚さはその中
央部から外周部にかけて増加する。
これにより、前記実施例の場合と同様に、基板２４上に
均一な組成及び膜厚のエピタキシャル結晶層を形成する
ことができる。
均一な組成及び膜厚のエピタキシャル結晶層を形成する
ことができる。
以上本発明を実施例により説明したが、本発明は本発明
の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこれ
らを排除するものではない。
の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこれ
らを排除するものではない。
本発明によれば、発熱体と基板との間に設けられ発熱体
より熱伝導率の低い材料からなる温度調整板の各部位で
の厚さを変化させているので、基板表面の温度を調整す
ることにより基板上に形成されるエピタキシャル結晶層
の組成及び膜厚を任意に制御することができ、実用的に
は極めて有用である。
より熱伝導率の低い材料からなる温度調整板の各部位で
の厚さを変化させているので、基板表面の温度を調整す
ることにより基板上に形成されるエピタキシャル結晶層
の組成及び膜厚を任意に制御することができ、実用的に
は極めて有用である。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の一実施例の要部を示す断面図、第３図
は本発明の一実施例の要部を示す斜視図、第４図は本発
明の他の実施例の要部を示す断面図、 第５図は従来装置を示す断面図、 第６図は従来装置の要部を示す断面図である。 第１図〜第４図において、 １は反応室、 ２は基板、 ３は発熱体、 ４は温度調整板、 １０．２１はサセプタ台、 １１．２２は勺セブタ、 １２．２３は湿度調整板、 １２．２４は基板（ウェーハ）、 ２０は反応室 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 ；葛虱し 同 弁理士 片 山 柊 平 、、′（曹〉・、１
パ： ゛・（ン 第２図 第４図 第５図 第 ｉ 図
は本発明の一実施例の要部を示す斜視図、第４図は本発
明の他の実施例の要部を示す断面図、 第５図は従来装置を示す断面図、 第６図は従来装置の要部を示す断面図である。 第１図〜第４図において、 １は反応室、 ２は基板、 ３は発熱体、 ４は温度調整板、 １０．２１はサセプタ台、 １１．２２は勺セブタ、 １２．２３は湿度調整板、 １２．２４は基板（ウェーハ）、 ２０は反応室 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 ；葛虱し 同 弁理士 片 山 柊 平 、、′（曹〉・、１
パ： ゛・（ン 第２図 第４図 第５図 第 ｉ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応室（１）内に基板（２）を設置した発熱体（３）
を設置し、該反応室内に反応ガスを導入し、該発熱体を
加熱することで該基板を加熱し、前記導入した反応ガス
の反応により該基板上にエピタキシャル結晶層を形成す
る気相エピタキシャル成長装置において、 該発熱体（３）と該基板（２）との間に該発熱体より熱
伝導率の低い材料からなる湿度調整板（４）を備え、 該温度調整板の各部位での厚さを変化させることにより
該基板表面の温度を調整して該エピタキシャル結晶層の
膜厚を制御することを特徴とする気相エピタキシャル成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14696388A JPH01316940A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14696388A JPH01316940A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316940A true JPH01316940A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15419542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14696388A Pending JPH01316940A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316940A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677140A (ja) * | 1992-05-14 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
| JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置 |
| JP2007273660A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP14696388A patent/JPH01316940A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677140A (ja) * | 1992-05-14 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
| JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置 |
| JP2007273660A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
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