JPH0560256B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0560256B2 JPH0560256B2 JP60168956A JP16895685A JPH0560256B2 JP H0560256 B2 JPH0560256 B2 JP H0560256B2 JP 60168956 A JP60168956 A JP 60168956A JP 16895685 A JP16895685 A JP 16895685A JP H0560256 B2 JPH0560256 B2 JP H0560256B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- sample
- container
- gas
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 claims 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 10
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路の製造等に使用する
ドライエツチング装置の改良に関する。
ドライエツチング装置の改良に関する。
近年、高集積デバイスを実現するための方法と
して、Si基板に深い溝を掘り、溝の中にキヤパシ
タや素子分離領域を形成するデバイス構造が採用
されている。このようなデバイス構造を実現する
ためには、まず単結晶Siを垂直にエツチングしな
ければならない。
して、Si基板に深い溝を掘り、溝の中にキヤパシ
タや素子分離領域を形成するデバイス構造が採用
されている。このようなデバイス構造を実現する
ためには、まず単結晶Siを垂直にエツチングしな
ければならない。
Si基板を垂直エツチングする方法としては、反
応性イオンエツチング（RIE）法が知られている
が、Ｃ2やSF6等のハロゲンガスのみでRIEを行
つても完全な垂直な形状は得られず、第５図ａに
示す如く溝の中央部が脹らんだ形状となる。これ
は、イオンがカソードシース内で散乱されたり、
マスクのチヤージのために曲げられ斜めに入射す
るためである。なお、図中５１はSi基板、５２は
SiO2マスク、５３は溝を示している。
応性イオンエツチング（RIE）法が知られている
が、Ｃ2やSF6等のハロゲンガスのみでRIEを行
つても完全な垂直な形状は得られず、第５図ａに
示す如く溝の中央部が脹らんだ形状となる。これ
は、イオンがカソードシース内で散乱されたり、
マスクのチヤージのために曲げられ斜めに入射す
るためである。なお、図中５１はSi基板、５２は
SiO2マスク、５３は溝を示している。
そこで最近、デポジシヨンをエツチングと同時
に起こし、第５図ｂに示す如く側壁に重合膜（堆
積膜）５４を形成しながらエツチングすることに
より、斜め入射イオンの効果を堆積膜で相殺して
垂直にエツチングする方法が提案されている。
に起こし、第５図ｂに示す如く側壁に重合膜（堆
積膜）５４を形成しながらエツチングすることに
より、斜め入射イオンの効果を堆積膜で相殺して
垂直にエツチングする方法が提案されている。
しかしながら、この種の方法にあつては次のよ
うな問題があつた。即ち、デポジシヨンを起こす
ためには、炭素やシリコンを含んだガスをハロゲ
ンガスに混合し、エツチングと同時にSi基板等の
試料上に重合膜を形成する必要がある。この重合
膜は試料以外の電極面や真空容器の内面にも付着
する。そして、容器の内面等に付着した重合膜が
剥がれると、これがゴミ発生の原因になる等の問
題があつた。また、エツチングを繰返していくう
ちに、容器の内面に付着する重合膜が厚くなり、
この重合膜によりエツチングに異状を来たすこと
もある。このため、容器の内面を定期的に洗浄す
る必要があり、装置稼働率の低下を招く等の欠点
があつた 〔発明の目的〕 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、被エツチング試料以外
の部分に堆積膜が付着するのを防止若しくは極め
て少なくすることができ、ゴミの低減化及び装置
稼働率の向上をはかり得るドライエツチング装置
を提供することにある。
うな問題があつた。即ち、デポジシヨンを起こす
ためには、炭素やシリコンを含んだガスをハロゲ
ンガスに混合し、エツチングと同時にSi基板等の
試料上に重合膜を形成する必要がある。この重合
膜は試料以外の電極面や真空容器の内面にも付着
する。そして、容器の内面等に付着した重合膜が
剥がれると、これがゴミ発生の原因になる等の問
題があつた。また、エツチングを繰返していくう
ちに、容器の内面に付着する重合膜が厚くなり、
この重合膜によりエツチングに異状を来たすこと
もある。このため、容器の内面を定期的に洗浄す
る必要があり、装置稼働率の低下を招く等の欠点
があつた 〔発明の目的〕 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、被エツチング試料以外
の部分に堆積膜が付着するのを防止若しくは極め
て少なくすることができ、ゴミの低減化及び装置
稼働率の向上をはかり得るドライエツチング装置
を提供することにある。
本発明の骨子は、堆積膜を形成すべき部分を冷
却し、堆積膜を形成したくない部分を加熱するこ
とにある。
却し、堆積膜を形成したくない部分を加熱するこ
とにある。
前述した堆積膜の重合速度に着目し、本発明者
等が鋭意研究を重ねた結果、重合速度は基板温度
に強く依存し、温度が高い程低下することが判明
した。これは、重合においてはガス分子の吸着が
律速過程となつており、基板温度が高い程脱離速
度が増大し定常被覆率が低下することに起因する
と推定される。また、エツチング速度の基板温度
依存性は極めて小さいことも判明した。従つて、
試料部分のみを冷却し、他の部分を加熱すること
により、試料部分のみに重合を起こすことが可能
となる。
等が鋭意研究を重ねた結果、重合速度は基板温度
に強く依存し、温度が高い程低下することが判明
した。これは、重合においてはガス分子の吸着が
律速過程となつており、基板温度が高い程脱離速
度が増大し定常被覆率が低下することに起因する
と推定される。また、エツチング速度の基板温度
依存性は極めて小さいことも判明した。従つて、
試料部分のみを冷却し、他の部分を加熱すること
により、試料部分のみに重合を起こすことが可能
となる。
本発明はこのような点に着目し、試料が載置さ
れる第１の電極及びこの電極に対向配置された第
２の電極を備えた真空容器と、この容器内に反応
ガスを導入する手段と、上記容器内のガスを排気
する手段と、上記電極間に高周波電力を印加する
手段とを具備したドライエツチング装置におい
て、前記第１の電極の試料と対面する部分の温度
を、前記第１の電極の試料と対面しない周辺部よ
り低温に制御するために、第１の電極の試料と対
面する部分を冷却する手段と、第１の電極の試料
と対面する部分の周辺部を加熱する手段を設ける
ようにしたものである。また、必要なら真空容器
壁の温度を、第１の電極の試料と対面しない周辺
部と同様に、第１の電極の試料と対向する部分よ
りも高くするようにしてもよい。
れる第１の電極及びこの電極に対向配置された第
２の電極を備えた真空容器と、この容器内に反応
ガスを導入する手段と、上記容器内のガスを排気
する手段と、上記電極間に高周波電力を印加する
手段とを具備したドライエツチング装置におい
て、前記第１の電極の試料と対面する部分の温度
を、前記第１の電極の試料と対面しない周辺部よ
り低温に制御するために、第１の電極の試料と対
面する部分を冷却する手段と、第１の電極の試料
と対面する部分の周辺部を加熱する手段を設ける
ようにしたものである。また、必要なら真空容器
壁の温度を、第１の電極の試料と対面しない周辺
部と同様に、第１の電極の試料と対向する部分よ
りも高くするようにしてもよい。
本発明によれば、試料部分以外に重合膜が付着
するのを極めて少なくすることができる。このた
め、真空容器の内面に多量の重合膜が付着して、
エツチングに異状が生じる等の不都合を防止する
ことができる。また、容器お内面等に付着する重
合膜が極めて少なくなることから、ゴミの発生を
抑えることができる。さらに、容器内を洗浄する
までの期間を長くすることができ、これにより装
置稼働率の向上をはかり得る等の利点がある。
するのを極めて少なくすることができる。このた
め、真空容器の内面に多量の重合膜が付着して、
エツチングに異状が生じる等の不都合を防止する
ことができる。また、容器お内面等に付着する重
合膜が極めて少なくなることから、ゴミの発生を
抑えることができる。さらに、容器内を洗浄する
までの期間を長くすることができ、これにより装
置稼働率の向上をはかり得る等の利点がある。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例に係わるドライエツ
チング装置を示す概略構成図である。図中１１は
真空容器であり、この容器１１の上端開口には絶
縁環１２を介して電極（第１の電極）２０が取着
されている。そして、容器１１と電極２０で囲ま
れた空間にエツチング処理室が形成される。電極
２０は、後述する如く冷水や温水等の流路を形成
した温度制御板２１と、その下面に取着された電
極板２２とからなるもので、この電極２０の下面
に被エツチング試料３０が設置されるものとなつ
ている。また、容器１１は接地され、電極２０に
はマツチング回路１３を介して高周波電源１４が
接続されている。なお、電極２０に対向する対向
電極（第２の電極）としては容器１１の壁面が作
用するものとなつている。
チング装置を示す概略構成図である。図中１１は
真空容器であり、この容器１１の上端開口には絶
縁環１２を介して電極（第１の電極）２０が取着
されている。そして、容器１１と電極２０で囲ま
れた空間にエツチング処理室が形成される。電極
２０は、後述する如く冷水や温水等の流路を形成
した温度制御板２１と、その下面に取着された電
極板２２とからなるもので、この電極２０の下面
に被エツチング試料３０が設置されるものとなつ
ている。また、容器１１は接地され、電極２０に
はマツチング回路１３を介して高周波電源１４が
接続されている。なお、電極２０に対向する対向
電極（第２の電極）としては容器１１の壁面が作
用するものとなつている。
電極２０の温度制御板２１の下面には、第２図
ａ，ｂに示す如く試料３０より僅かに大径の環状
に熱遮蔽体２３が埋込まれている。温度制御板２
１の熱遮蔽体２３の内側には、冷水を通流するた
めの冷水流路２４がエツチングにより形成されて
いる。さらに、熱遮蔽体２３の外側には、温水の
通流するための温水流路２５が形成されている。
これらの流路２４，２５には流体導入管２４ａ，
２５ａから所望の流体がそれぞれ導入され、流路
２４，２５を通過した流体は流体導出管２４ｂ，
２５ｂからそれぞれ導出される。そして、流路２
４に数［℃］程度の冷水、流路２５に80［℃］程
度の温水を通流することにより、電極２０の試料
載置部分は冷却され、その他の部分は加熱される
ものとなつている。
ａ，ｂに示す如く試料３０より僅かに大径の環状
に熱遮蔽体２３が埋込まれている。温度制御板２
１の熱遮蔽体２３の内側には、冷水を通流するた
めの冷水流路２４がエツチングにより形成されて
いる。さらに、熱遮蔽体２３の外側には、温水の
通流するための温水流路２５が形成されている。
これらの流路２４，２５には流体導入管２４ａ，
２５ａから所望の流体がそれぞれ導入され、流路
２４，２５を通過した流体は流体導出管２４ｂ，
２５ｂからそれぞれ導出される。そして、流路２
４に数［℃］程度の冷水、流路２５に80［℃］程
度の温水を通流することにより、電極２０の試料
載置部分は冷却され、その他の部分は加熱される
ものとなつている。
また、容器１１内の下部には、前記電極２０と
対向してガス導入部４１が設置されている。ガス
導入部４１は、上面にガスを通すための多数の透
孔を有したもので、この導入部４１にはマスフロ
ーコントローラ４２及びゲートバルブ４３等を介
して所定のエツチングガスが供給される。そし
て、上記透孔からエツチングガスが前記試料面に
対し均等に供給される。また、容器１１の外面及
びガス導入部４１の外面には、温水を通流するた
めのパイプ１５が取着されている。このパイプ１
５内には、前記電極２０の温水流路２５と同様に
温水が通流される。これにより、容器１１の壁面
は、加熱されるものとなつている。
対向してガス導入部４１が設置されている。ガス
導入部４１は、上面にガスを通すための多数の透
孔を有したもので、この導入部４１にはマスフロ
ーコントローラ４２及びゲートバルブ４３等を介
して所定のエツチングガスが供給される。そし
て、上記透孔からエツチングガスが前記試料面に
対し均等に供給される。また、容器１１の外面及
びガス導入部４１の外面には、温水を通流するた
めのパイプ１５が取着されている。このパイプ１
５内には、前記電極２０の温水流路２５と同様に
温水が通流される。これにより、容器１１の壁面
は、加熱されるものとなつている。
一方、容器１１の下部には容器１１内のガスを
排気するための排気口５１が形成されている。こ
の排気口５１は、ゲートバルブ５２、液体窒素ト
ラツプ５３、バルブ５４を介して油回転ポップ５
５に接続されている。そして、このポンプ５５に
より容器１１内のガスが排気されるものとなつて
いる。
排気するための排気口５１が形成されている。こ
の排気口５１は、ゲートバルブ５２、液体窒素ト
ラツプ５３、バルブ５４を介して油回転ポップ５
５に接続されている。そして、このポンプ５５に
より容器１１内のガスが排気されるものとなつて
いる。
次に、上記構成された本装置を用いたエツチン
グ例について説明する。被エツチング試料として
は単結晶Si基板を用い、エツチングガスとしては
Ｃ2／CH4の混合ガスを用いた。
グ例について説明する。被エツチング試料として
は単結晶Si基板を用い、エツチングガスとしては
Ｃ2／CH4の混合ガスを用いた。
第３図ａに示す如く単結晶Si基板３１上に
SiO2マスク３２を形成した試料を、エツチング
室内の電極２０の下面に載置する。ゲートバルブ
５２を開いて系内を真空排気した後、Ｃ2（流
量56ml／min）及びCH4（流量４ml／min）を、を
マスフローコントローラ４２を介してガス導入部
４１より導入し、容器内圧力が20［Pa］になるよ
うにバルブ５４を調節する。
SiO2マスク３２を形成した試料を、エツチング
室内の電極２０の下面に載置する。ゲートバルブ
５２を開いて系内を真空排気した後、Ｃ2（流
量56ml／min）及びCH4（流量４ml／min）を、を
マスフローコントローラ４２を介してガス導入部
４１より導入し、容器内圧力が20［Pa］になるよ
うにバルブ５４を調節する。
次いで、高周波電源１４を投入し、電極２０と
容器１１の壁面との間で放電を生起してエツチン
グを行う。このエツチングにより、第３図ｂに示
す如く側壁に重合膜３４を形成しながら垂直エツ
チングを行うことができ、断面垂直の溝３３を形
成することができた。なお、このときの各部の温
度は次の通りであつた。即ち、電極２０の試料載
置部分は約20［℃］、試料載置部分以外及び容器１
１の壁面では約60［℃］であつた。
容器１１の壁面との間で放電を生起してエツチン
グを行う。このエツチングにより、第３図ｂに示
す如く側壁に重合膜３４を形成しながら垂直エツ
チングを行うことができ、断面垂直の溝３３を形
成することができた。なお、このときの各部の温
度は次の通りであつた。即ち、電極２０の試料載
置部分は約20［℃］、試料載置部分以外及び容器１
１の壁面では約60［℃］であつた。
ここで、本発明者等は、10枚の試料をエツチン
グする毎にダミーウエハを用いてゴミの数を測定
した。第４図は電極２０のみを水冷した場合（直
線Ｂ）を参考データとして、本実施例による結果
（直線Ａ）をゴミ数の経時変化として図示したも
のである。但し、この測定では、エツチング直後
の５インチウエハ上に存在する大きさ0.5［μm］
以上のゴミ数をプロツトした。この図から明らか
なように、試料の接する部分以外を加熱すること
による効果は顕著である。即ち、本実施例装置が
従来装置と異なる点は被エツチング試料３０と接
触する部分以外（電極２０の試料載置部以外及び
容器１１の内面）を加熱するか否かであり、この
違いによりゴミの数が著しく少なくなつているの
が判る。
グする毎にダミーウエハを用いてゴミの数を測定
した。第４図は電極２０のみを水冷した場合（直
線Ｂ）を参考データとして、本実施例による結果
（直線Ａ）をゴミ数の経時変化として図示したも
のである。但し、この測定では、エツチング直後
の５インチウエハ上に存在する大きさ0.5［μm］
以上のゴミ数をプロツトした。この図から明らか
なように、試料の接する部分以外を加熱すること
による効果は顕著である。即ち、本実施例装置が
従来装置と異なる点は被エツチング試料３０と接
触する部分以外（電極２０の試料載置部以外及び
容器１１の内面）を加熱するか否かであり、この
違いによりゴミの数が著しく少なくなつているの
が判る。
かくして本実施例によれば、被エツチング試料
３０と接触する部分以外、つまり電極２０の試料
載置部以外及び容器１１の壁面）に重合膜が付着
するのを極めて少なくすることができる。このた
め、ゴミの発生の極めて少ない垂直エツチングを
行うことができ、集積回路の製造に極めて有効で
ある。また、容器１１の内面等に付着する重合膜
が極めて少ないことから、容器１１内を洗浄する
必要がなくなる、若しくは洗浄するまでの期間を
長くすることができる。このため、装置稼働率の
大幅な向上をはかり得る等の利点がある。
３０と接触する部分以外、つまり電極２０の試料
載置部以外及び容器１１の壁面）に重合膜が付着
するのを極めて少なくすることができる。このた
め、ゴミの発生の極めて少ない垂直エツチングを
行うことができ、集積回路の製造に極めて有効で
ある。また、容器１１の内面等に付着する重合膜
が極めて少ないことから、容器１１内を洗浄する
必要がなくなる、若しくは洗浄するまでの期間を
長くすることができる。このため、装置稼働率の
大幅な向上をはかり得る等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のでない。例えば、前記第１の電極に形成する流
路の形状は第２図ａ，ｂに何等限定されるもので
はなく、適宜変更可能である。さらに、電極内部
に流路を形成する代りに電極の裏面に冷水及び温
水を通流するためのパイプを設けるようにしても
よい。要は、電極の試料載置部分を冷却でき、そ
の他の部分を加熱できる構成であればよい。ま
た、電極の試料載置部分及びその他の部分の設定
温度は、エツチングガスの種類及び流量等の条件
に応じて適宜変更可能である。但し、電極の試料
載置部分の温度は、堆積膜を十分形成する必要か
ら、30［℃］程度以下が望ましい。さらに、その
他の部分の温度は、堆積膜の形成を十分抑える必
要から50［℃］程度以上が望ましい。また、実施
例では第２の電極として真空容器の底壁を用いた
が、容器とは独立して第２の電極を形成してもよ
いのは、勿論のことである。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
のでない。例えば、前記第１の電極に形成する流
路の形状は第２図ａ，ｂに何等限定されるもので
はなく、適宜変更可能である。さらに、電極内部
に流路を形成する代りに電極の裏面に冷水及び温
水を通流するためのパイプを設けるようにしても
よい。要は、電極の試料載置部分を冷却でき、そ
の他の部分を加熱できる構成であればよい。ま
た、電極の試料載置部分及びその他の部分の設定
温度は、エツチングガスの種類及び流量等の条件
に応じて適宜変更可能である。但し、電極の試料
載置部分の温度は、堆積膜を十分形成する必要か
ら、30［℃］程度以下が望ましい。さらに、その
他の部分の温度は、堆積膜の形成を十分抑える必
要から50［℃］程度以上が望ましい。また、実施
例では第２の電極として真空容器の底壁を用いた
が、容器とは独立して第２の電極を形成してもよ
いのは、勿論のことである。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例に係わるドライエツ
チング装置を示す概略構成図、第２図は上記装置
に用いた試料側電極の一例を示す模式図、第３図
は被エツチング試料及びエツチング形状を示す断
面図、第４図はウエハ枚数とゴミの数との関係を
示す特性図、第５図は従来の問題点を説明するた
めの断面図である。 １１……真空容器、１４……高周波電源、１５
……温水パイプ、２０……電極、２１……温度制
御板、２２……電極板、２３……熱遮蔽体、２４
……冷水流路、２５……温水流路、３０……被エ
ツチング試料、３１……単結晶Si基板、３２……
SiO2マスク、３３……溝、３４……重合膜（堆
積膜）、４１……ガス導入部、５１……排気口。
チング装置を示す概略構成図、第２図は上記装置
に用いた試料側電極の一例を示す模式図、第３図
は被エツチング試料及びエツチング形状を示す断
面図、第４図はウエハ枚数とゴミの数との関係を
示す特性図、第５図は従来の問題点を説明するた
めの断面図である。 １１……真空容器、１４……高周波電源、１５
……温水パイプ、２０……電極、２１……温度制
御板、２２……電極板、２３……熱遮蔽体、２４
……冷水流路、２５……温水流路、３０……被エ
ツチング試料、３１……単結晶Si基板、３２……
SiO2マスク、３３……溝、３４……重合膜（堆
積膜）、４１……ガス導入部、５１……排気口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 試料が載置される第１の電極及びこの電極に
対向配置された第２の電極を備えた真空容器と、
この容器内にエツチングガスを導入する手段と、
上記容器内のガスを排気する手段と、上記電極間
に高周波電力を印加する手段と、前記第１の電極
の試料と対面する部分を冷却する手段と、前記第
１の電極の試料と対面する部分の周辺部を加熱す
る手段とを具備してなることを特徴とするドライ
エツチング装置。 ２ 前記冷却する手段として前記第１の電極の試
料と対面する部分に冷水を通流せしめる冷水流路
を形成し、前記加熱する手段として前記第１の電
極の試料と対面する部分の周辺部に温水を通流せ
しめる温水流路を形成したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の特性のドライエツチング
装置。 ３ 前記冷却する手段としてペルチエ効果素子を
用い、前記加熱する手段としてヒータを用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドラ
イエツチング装置。 ４ 前記エツチングガスは、ハロゲン原子を含有
するガスと堆積用ガスとの混合ガスであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエ
ツチング装置。 ５ 前記第２の電極は、前記容器の壁部で形成さ
れたものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のドライエツチング装置。 ６ 前記真空容器は、その壁面を加熱されるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16895685A JPS6230329A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16895685A JPS6230329A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230329A JPS6230329A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0560256B2 true JPH0560256B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=15877669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16895685A Granted JPS6230329A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111835A (ja) * | 1991-12-10 | 1995-05-02 | Toho Leo Kk | 樹木の支持施工方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179421A (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-17 | Tokuda Seisakusho Ltd | 放電電極 |
| JP2804037B2 (ja) * | 1988-02-05 | 1998-09-24 | 株式会社東芝 | ドライエッチング方法 |
| JPH02121330A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH02268429A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JPH03167825A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング装置およびエッチング方法 |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767173A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS58153332A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16895685A patent/JPS6230329A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767173A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS58153332A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111835A (ja) * | 1991-12-10 | 1995-05-02 | Toho Leo Kk | 樹木の支持施工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230329A (ja) | 1987-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4889640B2 (ja) | 処理領域で基板に化学気相堆積を行うためのチャンバ | |
| KR102523441B1 (ko) | 다수의 프리커서 유동을 위한 반도체 처리 챔버 | |
| JP7176860B2 (ja) | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ | |
| US4817558A (en) | Thin-film depositing apparatus | |
| KR100234661B1 (ko) | 이방성 에칭장치 | |
| US20030119328A1 (en) | Plasma processing apparatus, and cleaning method therefor | |
| EP0157052A1 (en) | Low resistivity tungsten silicon composite film | |
| JPH10144614A (ja) | Ｃｖｄプラズマリアクタにおける面板サーマルチョーク | |
| JP2002280378A (ja) | バッチ式リモートプラズマ処理装置 | |
| JP2002115069A (ja) | シャワーヘッド | |
| JPS63238288A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP4435111B2 (ja) | Ａｌｄ装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH0560256B2 (ja) | ||
| JPH11121384A (ja) | 堆積装置のサセプタ | |
| JP2010103544A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| KR20030074418A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
| JP4267506B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20220293453A1 (en) | Multi-zone semiconductor substrate supports | |
| JP3279466B2 (ja) | 半導体ウエハの処理装置及び半導体素子 | |
| KR20050061950A (ko) | 플라즈마 반응 챔버 | |
| JPH07263427A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPS60102742A (ja) | 処理装置 | |
| JP2004063523A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH11265879A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH06283439A (ja) | 基板ホルダ及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |