KR960026137A - 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치 - Google Patents

플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960026137A
KR960026137A KR1019950001029A KR19950001029A KR960026137A KR 960026137 A KR960026137 A KR 960026137A KR 1019950001029 A KR1019950001029 A KR 1019950001029A KR 19950001029 A KR19950001029 A KR 19950001029A KR 960026137 A KR960026137 A KR 960026137A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vapor deposition
substrate
low pressure
source gas
compound source
Prior art date
Application number
KR1019950001029A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100225916B1 (ko
Inventor
황철주
Original Assignee
황철주
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 황철주 filed Critical 황철주
Priority to KR1019950001029A priority Critical patent/KR100225916B1/ko
Priority to US08/571,404 priority patent/US5928427A/en
Priority to TW084113390A priority patent/TW340138B/zh
Priority to AT95309190T priority patent/ATE205263T1/de
Priority to JP32847595A priority patent/JP3889074B2/ja
Priority to DE69522539T priority patent/DE69522539T2/de
Priority to EP95309190A priority patent/EP0717126B1/en
Publication of KR960026137A publication Critical patent/KR960026137A/ko
Priority to US09/348,237 priority patent/US6190460B1/en
Priority to US09/348,235 priority patent/US6009831A/en
Priority to US09/348,236 priority patent/US6026764A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100225916B1 publication Critical patent/KR100225916B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H01J37/32844—Treating effluent gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 증착로를 SiC재질 또는 이와 유사한 특성을 가지는 재질의 간접전열 및 전극부재로 둘러싸거나 증착로를 전극 겸 외부관으로 형성함으로써 증착로 가열수단으로부터의 열이 복사(輻射)에 의하여 직접 반응공간(S)내로 전달되지 않고 일차적으로 그 열을 간접전열 및 전극부재(50)에 흡열한 후 전도 내지 대류에 의하여 반응공간(S)내로 전열되므로 반응공간(S)의 내부가 국부적으로 과열되거나 미가열되는 등 그 온도가 불균일하게 되는 일이 없이 반응공간(S) 내부가 전체적으로 균일한 온도로 유지되며, 이에 따라 웨이퍼(W)상에 증착되는 화합물 박막의 막질과 두께가 균일하게 이루어지게 되며, 기판을 회전시키거나 기판위에 화합물 소스가스 분산판을 이격설치함으로써 균일한 막직의 화합물 박막을 얻을 수 있도록 할 것이다.

Description

플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치의 일 실시례를 보인 단면도, 제2도는 제1도의 변형례를 보인 단면도, 제3도는 제2도의 "A부 확대도.

Claims (23)

  1. 일측에 웨이퍼가 출입되는 웨이퍼 출입구가 구비되고 타측에 반응 생성물을 배출하기 위한 배기관과 화합물 소스가스를 주입하기 위한 화합물 소스가스 공급관을 가지는 증착기 베이스와, 이 증착기 베이스의 상부에 안착되는 석영재질로 된 내 · 외부관을 가지며 내부관의 내부에는 증착공간이 형성되고, 내 · 외부관사이에는 화합물 소스가스 공급관과 증착공간을 연결한 화합물 소스가스 유동로가 형성된 증착로와, 이 증착로 내부에서 승강가능하게 설치도는 기판과, 이 기판에 결합되는 전극과 기판가열수단과, 상기 증착로를 둘러싸는 간접전열 및 전극부재와, 상기 간접전열 및 전극부재를 둘러싸는 증착로 가열수단 및, 상기 전극과 간접전열 및 전극부재에 고주파 전원을 공급하는 RF발생기로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판을 회전시키기 위한 기판회전수단을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 상부에는 화합물 소스가스 분산판을 이격설치하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 분산판은 기판과의 사이에 신축조절이 가능한 다수개의 지지봉에 의하여 연결설치되어 기판과 분산판사이의 간격을 조절할 수 있도록 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 지지봉을 서로 반대방향의 나사부를 가지는 상·하봉으로 형성하고 이들의 나사부에 버클을 나사결합하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  6. 일측에 웨이퍼가 출입되는 웨이퍼 출입구가 구비되고 타측에 반응 생성물을 배출하기 위한 배기관을 가지는 증착기 베이스와, 이 증착기 베이스의 상부에 안착되어 그 내부에 증착공간을 형성하는 단일 석영관으로 구성되는 증착로와, 이 증착로의 상부에 상단부가 위치하는 화합물 소스가스 주입관과, 상기 증착로 내부에서 승강가능하게 설치되는 기판과, 이 기판에 결합되는 전극과 기판가열수단과, 상기 증착로를 둘러싸는 간접전열 및 전극부재와, 상기 간접전열 및 전극부재를 둘러싸는 증착로 가열수단 및 상기 전극과 간접전열 및 전극부재에 고주파 전원을 공급하는 RF발생기로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판을 회전시키기 위한 기판회전수단을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 기판의 상부에는 화합물 소스가스 분산판을 이격설치하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 분산판은 기판과의 사이에 신축조절이 가능한 다수개의 지지봉에 의하여 연결설치되어 기판과 분산판사이의 간격을 조절할 수 있도록 설치된 것임을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 지지봉을 서로 반대방향의 나사부를 가지는 상·하봉으로 형성하고 이들의 나사부에 버클을 나사결합하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 공급관을 증착기 베이스(10)의 측면에 관통시켜 그 내측단에 상단이 증착공간(S)의 상부에 이르는 연장관(13a)을 연장형성하여서 된 것을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  12. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 공급관을 반응공간의 상부측에까지 상향 연장되는 연장관부를 가지는 외부주입관과, 상기 연장관부의 내부에 삽입되는 연장관부를 가지는 내부 주입관으로 구성하여 외부 주입관의 내주면과 내부 주입관의 외주면 사이의 통로와 내부 주입관의 내부 통로를 통하여 2종류의 화합물 소스가스를 주입할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 외부 주입관의 연장관의 상단 높이는 반응공간의 상단 부근에 위치하도록 하며, 상기 내부 주입관의 연장관의 상단 높이는 적어도 증착로 가열수단의 최하단 높이보다 높고 반응공간의 중단 위치정도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  14. 제6항 내지 제10항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 공급관이 증착기 베이스의 개폐판을 관통하여 그 상단이 증착공간의 상부에 이르도록 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 공급관을 외부 주입관과 이 외부 주입관의 내부에 삽입되는 내부 주입관으로 구성하여 증착기 베이스의 개폐판을 상하로 관통하여 증착공간내로 연장시킨 것을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 외부 주입관의 상단 높이는 반응공간의 상단 부근에 위치하도록 하며, 상기 내부 주입관의 상단 높이는 적어도 증착로 가열수단의 최하단 높이보다 높고 반응공간의 중단위치정도로 한 것을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  17. 일측에 웨이퍼가 출입되는 웨이퍼 출입구가 구비되고 타측에 반응 생성물을 배출하기 위한 배기관과 화합물 소스가스를 주입하기 위한 화합물 소스가스 공급관을 가지는 증착기 베이스와, 이 증착기 베이스의 상부에 안착되는 석영재질로 된 내부관과 이 내부관을 둘러싸는 SiC재질의 전극겸용 외부관을 가지며 내부관의 내부에는 증착공간이 형성되고 내·외부관사이에는 화합물 소스가스 공급관과 증착공간을 연결하는 화합물 소스가스 유동로가 형성된 증착로와, 이 증착로 내부에서 승강가능하게 설치되는 기판과, 이 기판에 결합되는 전극과 기판가열수단과, 상기 간접전열 및 전극부재를 둘러싸는 증착로 가열수단 및, 상기 전극과 간접전열 및 전극부재에 고주파 전원을 공급하는 RF발생기로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  18. 일측에 웨이퍼가 출입되는 웨이퍼 출입구가 구비되고 타측에 반응 생성물을 배출하기 위한 배기관과 화합물 소스가스를 주입하기 위한 화합물 소스가스 공급관을 가지는 증착기 베이스와, 이 증착기 베이스의 상부에 안착되는 SiC재질로 된 전극 겸용 외부관을 가지는 증착로와, 이 증착로 내부에서 승강가능하게 설치되는 기판과, 이 기판에 결합되는 전극과 기판가열수단과, 상기 간접전열 및 전극부재를 둘러싸는 증착로 가열수단 및, 상기 전극과 간접전열 및 전극부재에 고주파 전원을 공급하는 RF발생기로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 기판을 회전시키기 위한 기판회전수단을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 기판의 상부에는 화합물 소스가스 분산판을 이격설치하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  21. 제18항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 분산판은 기판과의 사이에 신축조절이 가능한 다수개의 지지봉에 의하여 연결설치되어 기판과 분산판사이의 간격을 조절할 수 있도록 설치된 것임을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  22. 제19항에 있어서, 상기 지지봉을 서로 반대방향의 나사부를 가지는 상·하봉으로 형성하고 이들의 나사부에 버클을 나사결합하여서 됨을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
  23. 제19항에 있어서, 상기 화합물 소스가스 공급관이 증착기 베이스의 개폐판을 관통하여 그 상단이 증착공간의 상부에 이르도록 설치한 것임을 특징으로 하는 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001029A 1994-12-16 1995-01-21 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치 KR100225916B1 (ko)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950001029A KR100225916B1 (ko) 1994-12-16 1995-01-21 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치
US08/571,404 US5928427A (en) 1994-12-16 1995-12-13 Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
TW084113390A TW340138B (en) 1994-12-16 1995-12-15 Apparatus for low pressure chemical vapor deposition the invention relates to an apparatus for low pressure chemical vapor deposition
JP32847595A JP3889074B2 (ja) 1994-12-16 1995-12-18 低圧化学蒸着装置
AT95309190T ATE205263T1 (de) 1994-12-16 1995-12-18 Vorrichtung zur chemischen dampfabscheidung bei niedrigem druck
DE69522539T DE69522539T2 (de) 1994-12-16 1995-12-18 Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung bei niedrigem Druck
EP95309190A EP0717126B1 (en) 1994-12-16 1995-12-18 Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
US09/348,237 US6190460B1 (en) 1994-12-16 1999-07-06 Apparatus for low pressure chemical vapor depostion
US09/348,235 US6009831A (en) 1994-12-16 1999-07-06 Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
US09/348,236 US6026764A (en) 1994-12-16 1999-07-06 Apparatus for low pressure chemical vapor deposition

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR19940034617 1994-12-16
KR94-34617 1994-12-16
KR1019950001029A KR100225916B1 (ko) 1994-12-16 1995-01-21 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960026137A true KR960026137A (ko) 1996-07-22
KR100225916B1 KR100225916B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=66533766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950001029A KR100225916B1 (ko) 1994-12-16 1995-01-21 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100225916B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3804913B2 (ja) * 2000-09-19 2006-08-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
US20060281310A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Applied Materials, Inc. Rotating substrate support and methods of use

Also Published As

Publication number Publication date
KR100225916B1 (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900004440B1 (ko) 배럴형 기상 성장장치
KR100400488B1 (ko) 냉벽화학기상증착용방법및장치
US6403927B1 (en) Heat-processing apparatus and method of semiconductor process
KR960706572A (ko) 가스 확산기 판 조립체와 무선 주파수 전극(Gas diffuser plate assembly and RF electrode)
US7429717B2 (en) Multizone heater for furnace
KR20100076979A (ko) 냉각된 백킹 플레이트를 구비한 플라즈마 강화 화학 기상 증착 프로세스 챔버
KR20090010230A (ko) 확산기 플레이트 및 분사기 조립체를 구비하는 배치 처리 챔버
KR19990042689A (ko) 화학기상증착 장비의 가열장치
KR20090097808A (ko) 탑재대 구조체 및 열처리 장치
JPH03218624A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
KR101740007B1 (ko) 증발원
GB2290859A (en) Apparatus for uniformly heating a substrate
KR20210081449A (ko) 감소된 입자 생성을 위한 가스 확산기 장착 플레이트
KR960026137A (ko) 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치
JPH09115836A (ja) 薄膜蒸着装置
JP2007095923A (ja) 半導体結晶の成長装置
GB975542A (en) Vapor deposition process
KR100302114B1 (ko) 플라즈마를이용한반도체소자의제조장치
KR100286330B1 (ko) 반도체의유체접촉방식복사가열장치
KR101410820B1 (ko) 상부 전극 조립체 및 이를 포함하는 박막 처리 장치
JPH0397222A (ja) 枚葉式ｃｖｄ装置
KR960029486A (ko) 플라즈마가 적용된 종형 저압 화학 증기 증착장치
KR101537986B1 (ko) 기판처리장치
JP4062925B2 (ja) 基板温度制御装置
KR20240109023A (ko) 기판 열처리 장치 및 기판 열처리 장치의 온도 제어방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19980930

Effective date: 19990430

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080617

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee