JPH01223726A - ランプアニール装置 - Google Patents
ランプアニール装置Info
- Publication number
- JPH01223726A JPH01223726A JP4882888A JP4882888A JPH01223726A JP H01223726 A JPH01223726 A JP H01223726A JP 4882888 A JP4882888 A JP 4882888A JP 4882888 A JP4882888 A JP 4882888A JP H01223726 A JPH01223726 A JP H01223726A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- heating
- lamp
- lamps
- lamp annealing
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 27
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造に用いるランプアニール
装置に関するものである。
装置に関するものである。
（従来の技術〕
第４図は従来のランプアニール装置の構成を示す断面図
である０図において＋１）は石英チャンバ、（２）は半
導体ウェハ、（３）は半導体ウェハ（２）を支えて石英
チャンバｆｉ＋へ出し入れするための支持治具、（４）
は石英チャンバ＋ｌｌ内に必要なガスを導入するための
ガス導入口、（５）は上記半導体ウェハ（２）を加熱す
る加熱ランプ、（６）は加熱ランプ（５）の出力を制御
する出力制御系である。第５図は上記加熱ランプ（５）
の配置を示す平面図である。
である０図において＋１）は石英チャンバ、（２）は半
導体ウェハ、（３）は半導体ウェハ（２）を支えて石英
チャンバｆｉ＋へ出し入れするための支持治具、（４）
は石英チャンバ＋ｌｌ内に必要なガスを導入するための
ガス導入口、（５）は上記半導体ウェハ（２）を加熱す
る加熱ランプ、（６）は加熱ランプ（５）の出力を制御
する出力制御系である。第５図は上記加熱ランプ（５）
の配置を示す平面図である。
次に動作について説明する。半導体ウェハ（２）を支持
治具（３）に乗せ、石英チャンバ（１）内に入れる。
治具（３）に乗せ、石英チャンバ（１）内に入れる。
次いでガス導入口（４）より不活性ガスを導入して石英
チャンバ（１）内を不活性ガスで満たす、更に、加熱ラ
ンプ（５）により半導体ウェハ（２）を所要の温度まで
昇温して必要時間加熱する。
チャンバ（１）内を不活性ガスで満たす、更に、加熱ラ
ンプ（５）により半導体ウェハ（２）を所要の温度まで
昇温して必要時間加熱する。
このとき、出力制御系（６）は加熱ランプ（５）全体の
出力を制御して、温度をコントロールする。
出力を制御して、温度をコントロールする。
従来のランプアニール装置は以上のように構成されてい
るので、半導体ウェハの温度を均一にすることが難しく
、また、種々の大きさや形状の半導体ウェハに対応でき
ないなどの課題があった。
るので、半導体ウェハの温度を均一にすることが難しく
、また、種々の大きさや形状の半導体ウェハに対応でき
ないなどの課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、半導体ウェハを均一に加熱できるとともに、種
々の大きさや形状の半導体ウェハに対応できるランプア
ニール装置を得ることを目的とする。
もので、半導体ウェハを均一に加熱できるとともに、種
々の大きさや形状の半導体ウェハに対応できるランプア
ニール装置を得ることを目的とする。
この発明に係るランプアニール装置は、半導体ウェハと
平行な面上に２次元に複数のランプを配置し、個々のラ
ンプの出力を制御するようにしたものである。
平行な面上に２次元に複数のランプを配置し、個々のラ
ンプの出力を制御するようにしたものである。
この発明では、２次元に配置されたランプの出力を個々
に制御することにより、種々の大きさや形状の半導体ウ
ェハの加熱を均一に行う。
に制御することにより、種々の大きさや形状の半導体ウ
ェハの加熱を均一に行う。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はランプアニール装置の構成を示す断面図である。図
において、（１）ないしく６）は第４図の従来例にて示
したものと同等であるので説明の重複を避ける。
図はランプアニール装置の構成を示す断面図である。図
において、（１）ないしく６）は第４図の従来例にて示
したものと同等であるので説明の重複を避ける。
第２図は、加熱ランプ（５）の配置を示す平面図である
。
。
次に動作について説明する。半導体ウェハ（２）を支持
治具（３）に乗せ、石英チャンバ（１）内に入れる。
治具（３）に乗せ、石英チャンバ（１）内に入れる。
次いで、ガス導入口（４）より不活性ガスを導入して石
英チャンバ（１）内を満たす、更に、加熱ランプ（５）
により半導体ウェハ（２）を所要の温度まで昇温しで必
要な時間熱処理を行なう。
英チャンバ（１）内を満たす、更に、加熱ランプ（５）
により半導体ウェハ（２）を所要の温度まで昇温しで必
要な時間熱処理を行なう。
このとき、出力制御系（６）は、第２図のように２次元
に配置された加熱ランプ（５）を個々に制御し、半導体
ウェハ（２）の表面各部分での温度が均一になるように
する。
に配置された加熱ランプ（５）を個々に制御し、半導体
ウェハ（２）の表面各部分での温度が均一になるように
する。
また、半導体ウェハ（２）の大きさや形状による加熱ラ
ンプ（５）の制御を変更、例えば小径の半導体ウェハ（
２）を加熱する場合はその半導体ウェハ（２）と対向す
る少数の加熱ランプ（５）のみを用いるなどの制御も、
出力制御系（６）により行う。
ンプ（５）の制御を変更、例えば小径の半導体ウェハ（
２）を加熱する場合はその半導体ウェハ（２）と対向す
る少数の加熱ランプ（５）のみを用いるなどの制御も、
出力制御系（６）により行う。
なお、上記実施例では、加熱ランプ（５）で半導体ウェ
ハ（２）の片面から加熱する場合を示したが、半導体ウ
ェハ（２）の両面から加熱するように加熱ランプ（２）
を配置してもよい。
ハ（２）の片面から加熱する場合を示したが、半導体ウ
ェハ（２）の両面から加熱するように加熱ランプ（２）
を配置してもよい。
また、上記実施例では、加熱ランプ（５）が正方形をな
すように配置される場合を示したが、適当な２次元配置
ならば他の配置、例えば第３図の様な配置でも良い。
すように配置される場合を示したが、適当な２次元配置
ならば他の配置、例えば第３図の様な配置でも良い。
更に上記実施例では、不活性ガス中での熱処理に用いる
例を示したが、他のランプ加熱を用いるプロセスでも良
く、例えばランプ加熱による酸化や化学気相成長に用い
た場合、形成される膜厚の均一性が高くなるという効果
が得られる。
例を示したが、他のランプ加熱を用いるプロセスでも良
く、例えばランプ加熱による酸化や化学気相成長に用い
た場合、形成される膜厚の均一性が高くなるという効果
が得られる。
以上のように、この発明によれば、ランプアニール装置
の加熱ランプを２次元に配置して個々の加熱ランプの出
力を制御するように構成したので、種々の大きさの半導
体ウェハの加熱が均一に行なえる効果がある。
の加熱ランプを２次元に配置して個々の加熱ランプの出
力を制御するように構成したので、種々の大きさの半導
体ウェハの加熱が均一に行なえる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるランプアニール装置
の構成を示す断面図、第２図は第１図のランプアニール
装置における加熱ランプの配置を示す平面図、第３図は
この発明の他の実施例を示す加熱ランプの配置を示す平
面図、第４図は従来のランプアニール装置の構成を示す
断面図、第５図は従来のランプアニール装置のランプの
配置を示す平面図である。 図において（１）は石英チャンバ、（２）は半導体ウェ
ハ、（３）は支持治具、（４）はガス導入口、（５）は
加熱ランプ、（６）は出力制御系である。 なお、受注、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 場 謹第１図 ○○○００００−’ ○ＯＯＯ○○○ ○○○○○○○ ○Ｏ○○○Ｏ○ ○Ｏ○○○Ｏ○ ○○Ｏ○○○Ｏ ○○ｏｏｏｏ○ 第３図 ○○○Ｑ○Ｃ）ｋｊ Ｏ○○ＯＯ ○ＯＯ○○○ ＯＯ○○Ｑ ○○Ｏ○ ○○ Ｏ○○○Ｑ ○Ｏ○○○○ 第４図 第５図
の構成を示す断面図、第２図は第１図のランプアニール
装置における加熱ランプの配置を示す平面図、第３図は
この発明の他の実施例を示す加熱ランプの配置を示す平
面図、第４図は従来のランプアニール装置の構成を示す
断面図、第５図は従来のランプアニール装置のランプの
配置を示す平面図である。 図において（１）は石英チャンバ、（２）は半導体ウェ
ハ、（３）は支持治具、（４）はガス導入口、（５）は
加熱ランプ、（６）は出力制御系である。 なお、受注、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 場 謹第１図 ○○○００００−’ ○ＯＯＯ○○○ ○○○○○○○ ○Ｏ○○○Ｏ○ ○Ｏ○○○Ｏ○ ○○Ｏ○○○Ｏ ○○ｏｏｏｏ○ 第３図 ○○○Ｑ○Ｃ）ｋｊ Ｏ○○ＯＯ ○ＯＯ○○○ ＯＯ○○Ｑ ○○Ｏ○ ○○ Ｏ○○○Ｑ ○Ｏ○○○○ 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）半導体基板を加熱するための加熱ランプを複数持
ち、これらのランプの出力を個々に制御することを特徴
とするランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4882888A JPH01223726A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ランプアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4882888A JPH01223726A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ランプアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223726A true JPH01223726A (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=12814094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4882888A Pending JPH01223726A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ランプアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023836A1 (fr) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil permettant de reparer un defaut d'un substrat |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP4882888A patent/JPH01223726A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023836A1 (fr) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil permettant de reparer un defaut d'un substrat |
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