JP2001267250A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2001267250A JP2001267250A JP2000073455A JP2000073455A JP2001267250A JP 2001267250 A JP2001267250 A JP 2001267250A JP 2000073455 A JP2000073455 A JP 2000073455A JP 2000073455 A JP2000073455 A JP 2000073455A JP 2001267250 A JP2001267250 A JP 2001267250A
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- JP
- Japan
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- heater
- insulating layer
- heat insulating
- manufacturing apparatus
- semiconductor manufacturing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒータ中心ゾーンの温度制御性を向上する。
【解決手段】基板を水平に保持して処理を行う半導体製
造装置において、前記基板を加熱するヒータ１の外側に
設けた断熱層２の厚さを、ヒータ１の中心ゾーンｂとそ
の他の部分とで異ならせた構成。
造装置において、前記基板を加熱するヒータ１の外側に
設けた断熱層２の厚さを、ヒータ１の中心ゾーンｂとそ
の他の部分とで異ならせた構成。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を加熱するヒ
ータを有する半導体製造装置に関する。
ータを有する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の半導体製造装置における
ヒータおよび断熱層の概略構成を示す断面図である（半
導体製造装置の詳細な構造については、図２、図３を参
照）。
ヒータおよび断熱層の概略構成を示す断面図である（半
導体製造装置の詳細な構造については、図２、図３を参
照）。
【０００３】１は半導体製造装置において処理する半導
体ウェーハ等の基板（図示省略）を加熱するための抵抗
加熱型のヒータ、ｂはヒータ１の中心ゾーン、ａ、ｃは
ヒータ１の外ゾーン、２はヒータ１の外側に設けた断熱
層である。
体ウェーハ等の基板（図示省略）を加熱するための抵抗
加熱型のヒータ、ｂはヒータ１の中心ゾーン、ａ、ｃは
ヒータ１の外ゾーン、２はヒータ１の外側に設けた断熱
層である。
【０００４】従来の半導体製造装置においては、基板を
加熱するヒータ１の外側に設けた断熱層２の厚さは、す
べてのゾーンにおいて同一であった。
加熱するヒータ１の外側に設けた断熱層２の厚さは、す
べてのゾーンにおいて同一であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような構造であっ
たため、ヒータ１の中心ゾーンｂ以外のゾーン、すなわ
ち、外ゾーンａ、ｃから中心ゾーンｂへ熱が流入し、中
心ゾーンｂの温度が増大し、出力が低下する。このた
め、ヒータ１の中心ゾーンｂの温度制御が難しかった。
たため、ヒータ１の中心ゾーンｂ以外のゾーン、すなわ
ち、外ゾーンａ、ｃから中心ゾーンｂへ熱が流入し、中
心ゾーンｂの温度が増大し、出力が低下する。このた
め、ヒータ１の中心ゾーンｂの温度制御が難しかった。
【０００６】本発明の目的は、ヒータの中心ゾーンの温
度制御性を向上できる半導体製造装置を提供することに
ある。
度制御性を向上できる半導体製造装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の半導体製造装置は、基板を水平に保持して
処理を行う半導体製造装置において、前記基板を加熱す
るヒータ（すなわち、発熱体）の外側に設けた断熱層の
厚さを、前記ヒータの中心ゾーンとその他の部分とで異
ならせたことを特徴とする。
に、本発明の半導体製造装置は、基板を水平に保持して
処理を行う半導体製造装置において、前記基板を加熱す
るヒータ（すなわち、発熱体）の外側に設けた断熱層の
厚さを、前記ヒータの中心ゾーンとその他の部分とで異
ならせたことを特徴とする。
【０００８】なお、断熱層の厚さをヒータの中心ゾーン
とその他の部分とで異ならせるというのは、例えば断熱
層の中心ゾーンの厚さをその他の部分の厚さより薄くす
る等である。
とその他の部分とで異ならせるというのは、例えば断熱
層の中心ゾーンの厚さをその他の部分の厚さより薄くす
る等である。
【０００９】本発明では、基板を加熱するヒータの外側
に設けた断熱層の厚さをヒータの中心ゾーンとその他の
部分とで異ならせることにより、ヒータの中心ゾーンの
温度制御性を向上することができる。
に設けた断熱層の厚さをヒータの中心ゾーンとその他の
部分とで異ならせることにより、ヒータの中心ゾーンの
温度制御性を向上することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１１】図１は、本発明の実施の形態の半導体製造
装置におけるヒータおよび断熱層の概略構成を示す断面
図である。
装置におけるヒータおよび断熱層の概略構成を示す断面
図である。
【００１２】１は半導体製造装置において処理する半導
体ウェーハ等の基板（図２、図３の符号４参照）を加熱
するための抵抗加熱型のヒータ、２はヒータ１の外側に
設けた断熱層、ｂはヒータ１の中心ゾーン、ａ、ｃはヒ
ータ１の外ゾーンである。
体ウェーハ等の基板（図２、図３の符号４参照）を加熱
するための抵抗加熱型のヒータ、２はヒータ１の外側に
設けた断熱層、ｂはヒータ１の中心ゾーン、ａ、ｃはヒ
ータ１の外ゾーンである。
【００１３】本実施の形態の半導体製造装置において
は、基板を加熱するヒータ１の外側に設けた断熱層２の
厚さを、ヒータ１の中心ゾーンｂに略対応する部分と外
ゾーンａ、ｃに略対応する部分とで異ならせている。本
実施の形態では、例えば断熱層２の中心ゾーンｂに略対
応する部分の厚さを外ゾーンａ、ｃに略対応する部分の
厚さより薄くしてある。
は、基板を加熱するヒータ１の外側に設けた断熱層２の
厚さを、ヒータ１の中心ゾーンｂに略対応する部分と外
ゾーンａ、ｃに略対応する部分とで異ならせている。本
実施の形態では、例えば断熱層２の中心ゾーンｂに略対
応する部分の厚さを外ゾーンａ、ｃに略対応する部分の
厚さより薄くしてある。
【００１４】本実施の形態の構造では、断熱層２の中心
ゾーンｂに略対応する部分の厚さを外ゾーンａ、ｃに略
対応する部分の厚さより薄くしたので、断熱層２および
ヒータ１の中心ゾーンｂの熱容量が減少し、ヒータ１の
中心ゾーンｂにおいて外部への放熱が増大し、中心ゾー
ンｂのヒータ１の出力が増大し、ヒータ１の中心ゾーン
ｂの温度制御性が向上する。
ゾーンｂに略対応する部分の厚さを外ゾーンａ、ｃに略
対応する部分の厚さより薄くしたので、断熱層２および
ヒータ１の中心ゾーンｂの熱容量が減少し、ヒータ１の
中心ゾーンｂにおいて外部への放熱が増大し、中心ゾー
ンｂのヒータ１の出力が増大し、ヒータ１の中心ゾーン
ｂの温度制御性が向上する。
【００１５】次に、本実施の形態の半導体製造装置の詳
細な構造について、図２、図３を用いて説明する。
細な構造について、図２、図３を用いて説明する。
【００１６】図２は、本実施の形態の枚葉式半導体製造
装置の側面断面図、図３は図２の平面断面図である。
装置の側面断面図、図３は図２の平面断面図である。
【００１７】図２、図３において、３は反応管、４は処
理する基板であるウェーハ、５はウェーハ支持台、１は
ヒータ、２は断熱層、６ａ、６ｂはガス導入フランジ、
７ａ、７ｂはガス導入ライン、８ａ、８ｂはガス排気ラ
イン、９はゲート弁である。
理する基板であるウェーハ、５はウェーハ支持台、１は
ヒータ、２は断熱層、６ａ、６ｂはガス導入フランジ、
７ａ、７ｂはガス導入ライン、８ａ、８ｂはガス排気ラ
イン、９はゲート弁である。
【００１８】石英製、炭化珪素製、あるいはアルミナ製
の反応管３は、水平方向に偏平な空間を有する筒状であ
り、反応管３の内部に２枚のウェーハ４を載置するウェ
ーハ支持台５が設けられている。反応管３の両端には、
気密にガス導入フランジ６ａ、６ｂがそれぞれ設けられ
ている。一方のガス導入フランジ６ａには、ゲート弁９
を介して搬送室（図示省略）が連設されている。２個の
ガス導入フランジ６ａ、６ｂには、それぞれガス導入ラ
イン７ａ、７ｂ、ガス排気ライン８ａ、８ｂが連通され
ている。
の反応管３は、水平方向に偏平な空間を有する筒状であ
り、反応管３の内部に２枚のウェーハ４を載置するウェ
ーハ支持台５が設けられている。反応管３の両端には、
気密にガス導入フランジ６ａ、６ｂがそれぞれ設けられ
ている。一方のガス導入フランジ６ａには、ゲート弁９
を介して搬送室（図示省略）が連設されている。２個の
ガス導入フランジ６ａ、６ｂには、それぞれガス導入ラ
イン７ａ、７ｂ、ガス排気ライン８ａ、８ｂが連通され
ている。
【００１９】反応管３の上下には、例えばヒータ１がそ
れぞれ設けられ、反応管３内部を均一に加熱するように
なっている。また、上下２個のヒータ１および反応管３
を覆うように、断熱層２が設けられている。
れぞれ設けられ、反応管３内部を均一に加熱するように
なっている。また、上下２個のヒータ１および反応管３
を覆うように、断熱層２が設けられている。
【００２０】ゲート弁９が開かれ、図示しないウェーハ
搬送ロボットにより図２、図３の左方からウェーハ４が
搬入され、ウェーハ支持台５に載置される。本例では、
ウェーハ支持台５には、２枚のウェーハ４が載置され
る。
搬送ロボットにより図２、図３の左方からウェーハ４が
搬入され、ウェーハ支持台５に載置される。本例では、
ウェーハ支持台５には、２枚のウェーハ４が載置され
る。
【００２１】前記ウェーハ搬送ロボットが後退してゲー
ト弁９が閉じられ、反応室３内にガス導入ライン７ａ、
７ｂから反応ガスが導入され、両側のガス排気ライン８
ａ、８ｂから排気される。なお、処理の均一性を確保す
るため、反応ガスは対角に向かって、例えばガス導入ラ
イン７ａからガス排気ライン８ｂに向かって流され、ま
たはガス導入ライン７ｂからガス排気ライン８ａに向か
って流され、あるいは所要時間毎に流れの向きが変更さ
れるように流される。
ト弁９が閉じられ、反応室３内にガス導入ライン７ａ、
７ｂから反応ガスが導入され、両側のガス排気ライン８
ａ、８ｂから排気される。なお、処理の均一性を確保す
るため、反応ガスは対角に向かって、例えばガス導入ラ
イン７ａからガス排気ライン８ｂに向かって流され、ま
たはガス導入ライン７ｂからガス排気ライン８ａに向か
って流され、あるいは所要時間毎に流れの向きが変更さ
れるように流される。
【００２２】ウェーハ４の処理が完了すると、ゲート弁
９が開かれ、前記ウェーハ搬送ロボットにより前記搬送
室の方へ搬出される。
９が開かれ、前記ウェーハ搬送ロボットにより前記搬送
室の方へ搬出される。
【００２３】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。
【００２４】例えば、上記実施の形態においては、ヒー
タ１の各ゾーンに略対応するように断熱層２の厚さを異
ならせるようにしたが、図４（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、各ゾーンに対応しないように断熱層２の厚さを異な
らせるようにしてもよい。また、図４（ｃ）に示すよう
に、断熱層２の厚さを複数箇所において異ならせるよう
にしてもよい。また、上記実施の形態においては、各ゾ
ーンに分割されたヒータ１について説明したが、ゾーン
に分割されていないヒータを用いてもよい。
タ１の各ゾーンに略対応するように断熱層２の厚さを異
ならせるようにしたが、図４（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、各ゾーンに対応しないように断熱層２の厚さを異な
らせるようにしてもよい。また、図４（ｃ）に示すよう
に、断熱層２の厚さを複数箇所において異ならせるよう
にしてもよい。また、上記実施の形態においては、各ゾ
ーンに分割されたヒータ１について説明したが、ゾーン
に分割されていないヒータを用いてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ヒータの中心ゾーンの温度制御性が向上し、基板の温度
制御性が向上し、プロセス条件の制御が容易となる。
ヒータの中心ゾーンの温度制御性が向上し、基板の温度
制御性が向上し、プロセス条件の制御が容易となる。
【図１】本発明の実施の形態の半導体製造装置における
ヒータおよび断熱層の概略構成を示す断面図である。
ヒータおよび断熱層の概略構成を示す断面図である。
【図２】本実施の形態の枚葉式半導体製造装置の側面断
面図である。
面図である。
【図３】図２の半導体製造装置の平面断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施の形態のヒ
ータおよび断熱層の概略構成を示す断面図である。
ータおよび断熱層の概略構成を示す断面図である。
【図５】従来の半導体製造装置におけるヒータおよび断
熱層の概略構成を示す断面図である。
熱層の概略構成を示す断面図である。
１…ヒータ、２…断熱層、３…反応管、４…ウェーハ、
５…ウェーハ支持台、６ａ、６ｂ…ガス導入フランジ、
７ａ、７ｂ…ガス導入ライン、８ａ、８ｂ…ガス排気ラ
イン、９…ゲート弁。
５…ウェーハ支持台、６ａ、６ｂ…ガス導入フランジ、
７ａ、７ｂ…ガス導入ライン、８ａ、８ｂ…ガス排気ラ
イン、９…ゲート弁。
フロントページの続き (72)発明者 太田 岳児 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 石川 顕治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 宮田 敏光 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 BB02 DP04 EB02 EK06 EK21 EK24
Claims (1)
- 【請求項１】基板を水平に保持して処理を行う半導体製
造装置において、前記基板を加熱するヒータの外側に設
けた断熱層の厚さを、前記ヒータの中心ゾーンとその他
の部分とで異ならせたことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000073455A JP2001267250A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000073455A JP2001267250A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267250A true JP2001267250A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18591696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000073455A Pending JP2001267250A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267250A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010510687A (ja) * | 2006-11-22 | 2010-04-02 | エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | 化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁 |
| US8585820B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-11-19 | Soitec | Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition |
| US9580836B2 (en) | 2006-11-22 | 2017-02-28 | Soitec | Equipment for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials |
-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000073455A patent/JP2001267250A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010510687A (ja) * | 2006-11-22 | 2010-04-02 | エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | 化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁 |
| JP2012186478A (ja) * | 2006-11-22 | 2012-09-27 | Soytec | 化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁 |
| US8545628B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-10-01 | Soitec | Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber |
| US8585820B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-11-19 | Soitec | Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition |
| US8887650B2 (en) | 2006-11-22 | 2014-11-18 | Soitec | Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber |
| US9038565B2 (en) | 2006-11-22 | 2015-05-26 | Soitec | Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition |
| US9580836B2 (en) | 2006-11-22 | 2017-02-28 | Soitec | Equipment for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050329 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060515 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060926 |