KR102347974B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR102347974B1
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김준호
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 예에 따르면, 본 발명의 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 제공되어 기판을 가열하는 가열 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 처리 공간에 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 포함하되, 기체 공급 유닛은, 기체를 제1온도와 제2온도 중 선택된 온도로 공급하도록 제공될 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 증착 공정은 공정 가스를 기판 상에 증착하여 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.
기판 상에 막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크 처리하는 과정이 진행된다. 베이크 처리 과정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하거나 작업자에 따라 기판의 영역 별 온도를 조절한다.
도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 절단 사시도이다. 도 1을 참조하면, 베이크 처리 장치의 상면에는 복수 개의 도입관들(2)이 위치되며, 외부의 기체들은 도입관들(2)을 통해 버퍼 공간(4)으로 유입된다. 버퍼 공간(4)에 유입된 기체들은 버퍼 플레이트(6)의 토출홀들(8)을 통해 분배되어 기판으로 공급된다.
기체가 베이크 처리 장치 내부의 처리 공간으로 공급되는 과정에서, 기판 상에 도포된 막의 두께가 균일하게 형성되지 않거나, 기판이 베이크 처리 장치로 공급되기 전에 기판 상에 도포된 막의 두께가 균일하게 형성되지 않는 문제가 있다. 특히, 기판의 중앙 영역에 형성된 막의 두께를 조절하는 데에는 어려움이 있다.
본 발명은 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께를 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 제공되어 기판을 가열하는 가열 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 처리 공간에 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 포함하되, 기체 공급 유닛은, 기체를 제1온도와 제2온도 중 선택된 온도로 공급하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1온도의 기체를 처리 공간으로 공급하도록 제공되는 제1공급유닛과; 제1온도보다 높은 제2온도의 기체를 처리 공간으로 공급하도록 제공되는 제2공급유닛을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제2공급유닛은, 지지 유닛의 상부에 배치되는 버퍼 공간과; 버퍼 공간으로부터 기체를 전달받는 토출 공간과; 버퍼 공간과 토출 공간 사이에 제공되는 히터와; 그리고 버퍼 공간으로 기체를 토출하는 제2공급관을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1공급유닛은, 처리 공간으로 직접 기체를 토출하는 제1공급관을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1공급유닛은, 버퍼 공간과 토출 공간을 관통하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제2공급유닛은, 제2공급유닛의 내부 공간을 버퍼 공간과 토출 공간으로 구획하며 제1홀이 형성된 구획 플레이트; 토출 공간 내의 기체를 처리 공간으로 토출하는 제2홀이 형성된 토출 플레이트를 더 포함하고, 구획 플레이트는 기판의 중앙 영역에 대향되도록 제공되고 토출 플레이트는 기판의 전체 영역에 대향되도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1공급유닛과 제2공급유닛의 토출구는 기판의 중앙 영역에 대향되도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기체 공급 유닛은, 기판 상에 형성된 액막의 두께를 측정하는 측정장치와; 측정장치에 의해 측정된 기판 상의 액막의 두께를 전달받고 기체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제어기는, 측정장치에 의해 측정된 기판 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 제2온도의 기체를 공급하고, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 제1온도의 기체를 공급하되, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되도록 기체 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제어기는, 측정장치에 의해 측정된 기판 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 제2온도의 기체를 공급하되, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 두꺼울수록 기체의 유량을 증가시키고, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되도록 기체 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제어기는, 측정장치에 의해 측정된 기판 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 제1온도의 기체를 공급하되, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 얇을수록 기체의 유량을 증가시키고, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되도록 기체 공급 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 방법은, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정된 두께가 되도록 처리 공간으로 공급되는 기체의 온도 또는 유량을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제2공급유닛은, 지지 유닛의 상부에 배치되는 버퍼 공간과; 버퍼 공간으로부터 기체를 전달받는 토출 공간과; 버퍼 공간과 토출 공간 사이에 제공되는 히터와; 그리고 버퍼 공간으로 기체를 토출하는 제2공급관을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1공급유닛은 처리 공간으로 직접 기체를 토출하는 제1공급관을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1온도의 기체는 기판의 중앙 영역에 대향되는 처리 공간으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 제2온도의 기체를 공급하고, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 제1온도의 기체를 공급하되, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 제2온도의 기체를 공급하되, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 두꺼울수록 기체의 유량을 증가시키고, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 제1온도의 기체를 공급하되, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 얇을수록 기체의 유량을 증가시키고, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판 처리 방법은, 처리 공간 내에서 포토레지스트의 액막이 도포된 기판을 가열하여 액막에서 솔벤트를 증발시키는 열처리 공정을 수행하되, 열처리 공정은 처리 공간에 기체를 공급한 상태에서 히터로 기판을 가열하고, 기판을 열처리하는 동안에 처리 공간에 공급되는 기체의 온도 또는 유량이 변경될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 처리 공간으로 공급되는 기체의 온도를 높이고, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 처리 공간으로 공급되는 기체의 온도를 낮추되, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에서 많이 벗어날수록 처리 공간으로 공급되는 기체의 유량을 증가시키되, 기체는 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께를 조절할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 절단 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5의 가열 유닛과 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 7 내지 도 8은 각각 본 발명의 기판 처리 방법을 나타내는 도면이다.
도 9 내지 도 10은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
열처리 챔버(3200)은 기판(W)을 열처리한다. 열처리 챔버(3200)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 열처리 챔버(3200)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 열처리 챔버(3200)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 열처리 챔버(3200)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.
열처리 챔버(3200)은 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)을 포함한다. 냉각 유닛(3220)는 가열 유닛(3230)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 유닛(3220)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 유닛(3220)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 유닛(3220)에 놓인 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 가열 유닛(3230)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다.
도 5를 참조하면, 가열 유닛(3230)는 하우징(1100), 지지 유닛(1300), 가열 유닛(1400), 배기 유닛(1700), 그리고 기체 공급 유닛(1600)을 포함한다.
하우징(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 하우징(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다.
상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 상부 바디(1120)는 원통 형상일 수 있다. 상부 바디(1120)의 상면에는 개구가 형성된다. 개구는 상부 바디(1120)의 중심축과 대응되는 영역에 형성될 수 있다.
하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 하부 바디(1140)는 원통 형상일 수 있다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.
상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다.
실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)의 하단과 하부 바디(1140)의 상단의 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다.
도 6은 도 4의 가열 유닛과 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 이하, 도 6을 참조하여 가열 유닛과 지지 유닛을 설명한다. 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 지지 유닛(1300)은 안착 안착 플레이트(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 안착 플레이트(1320)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 안착 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 안착 플레이트(1320)의 상면에는 기판(W)이 안착 가능하다. 안착 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다.
안착 플레이트(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322) 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 안착 플레이트(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착 플레이트(1320)에 안착시킨다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다.
가열 유닛(1400)은 안착 플레이트(1320)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(1400)은 안착 플레이트(1320)의 내부에 위치된다. 가열 유닛(1400)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 각각의 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320) 내에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 안착 플레이트(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 안착 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터(1420)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 선택적으로 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320)의 저면에 장착될 수 있다.
배기 유닛(1700)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(1700)은 처리 공간(1110)에 유입된 외기를 강제 배기한다. 배기 유닛(1700)은, 엣지 배기홀(1710), 센터 배기홀(1720), 엣지 배기라인(1791), 센터 배기라인(1793), 통합 배기라인(1795) 그리고 감압부재(1792)를 포함한다.
엣지 배기홀(1710)과 엣지 배기라인(1791)은 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 처리 공간(1110)을 배기하고, 센터 배기홀(1720)과 센터 배기라인(1793)은 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 처리 공간(1110)을 배기한다. 일 예에서, 엣지 배기홀(1710)과 센터 배기홀(1720)은 링 형상으로 제공될 수 있다.
엣지 배기라인(1791)과 센터 배기라인(1793)은 통합 배기라인(1795)에 연결된다. 감압부재(1792)는 통합 배기라인(1795)에 연결되어 처리 공간(1110)을 배기하도록 감압을 제공한다.
기체 공급 유닛(1600)은 지지 유닛의 상부에 위치된다. 기제 공급 유닛은 처리 공간(1110)으로 기체를 공급한다. 일 예에서, 기체 공급 유닛(1600)은, 기체를 제1온도와 제2온도 중 선택된 온도로 공급하도록 제공된다. 기체 공급 유닛(1600)은 제1공급유닛(1670)과 제2공급유닛(1660)을 포함한다. 제1공급유닛(1670)은, 제1온도의 기체를 처리 공간(1110)으로 공급하도록 제공된다. 제2공급유닛(1660)은 제1온도보다 높은 제2온도의 기체를 처리 공간(1110)으로 공급하도록 제공된다.
제2공급유닛(1660)은, 기체 공급원(1661), 기체 공급라인(1664), 제2조절밸브(1666), 버퍼 공간(1617), 구획 플레이트(1618), 토출 공간(1619), 토출 플레이트(1614), 히터(1615), 제2공급관(1668)을 갖는다. 버퍼 공간(1617), 구획 플레이트(1618), 토출 공간(1619) 그리고 토출 플레이트(1614)는 위에서 아래 방향을 따라 순차적으로 배치된다.
기체 공급라인(1664)은 기체 공급원(1661)으로부터 버퍼 공간(1617)으로 기체를 공급한다. 제2조절밸브(1666)는 기체 공급원(1661)으로부터 버퍼 공간(1617)으로 공급되는 기체의 유량을 조절한다.
버퍼 공간(1617)과 토출 공간(1619)은 지지 유닛(1300)의 상부에 배치된다. 일 예에서, 버퍼 공간(1617)과 토출 공간(1619)은 통 형상으로 제공될 수 있다. 구획 플레이트(1618)는, 제2공급유닛(1660)의 내부 공간을 버퍼 공간(1617)과 토출 공간(1619)으로 구획한다. 구획 플레이트(1618)는 기판(W)의 중앙 영역에 대향되며 지지 유닛(1300)과 마주하도록 제공된다. 구획 플레이트(1618)는 상부 바디로부터 이격되어 제공된다. 구획 플레이트(1618)에는 제1홀이 형성된다. 제1홀에 의해 버퍼 공간(1617)과 토출 공간(1619)은 서로 통하도록 제공된다. 이에, 토출 공간(1619)은, 버퍼 공간(1617)으로부터 기체를 전달받는다.
토출 플레이트(1614)는 토출 공간(1619) 내의 기체를 처리 공간(1110)으로 토출한다. 토출 플레이트(1614)는 구획 플레이트(1618)로부터 이격되어 제공된다. 토출 플레이트(1614)는 제2홀이 형성된다. 제2홀을 통해 토출 공간(1619) 내부의 기체가 처리 공간(1110)으로 공급된다. 일 예에서, 토출 플레이트(1614)는 기판(W)의 전체 영역에 대향되도록 제공된다. 구획 플레이트(1618)와 토출 플레이트(1614)는 원판 형상으로 제공되고, 측부가 각각 상부 바디와 히터(1615)를 포함하는 상부 플레이트(1616)에 연결된다. 구획 플레이트(1618)는 토출 플레이트(1614) 보다 직경이 작게 제공된다. 이에 따라, 버퍼 공간(1617)이 토출 공간(1619) 보다 작게 제공된다.
히터(1615)는, 상부 플레이트(1616)의 내부에 제공된다. 상부 플레이트(1616)는 버퍼 공간(1617)과 토출 공간(1619) 사이에 제공된다. 히터(1615)는 버퍼 공간(1617)에 머무는 기체를 가열한다. 제2공급관(1668)은, 버퍼 공간(1617)으로 기체를 토출한다.
제1공급유닛(1670)은, 기체 공급원(1671), 기체 공급라인(1674), 제1조절밸브(1676), 제1공급관(1678)을 갖는다.
기체 공급라인(1674)은 기체 공급원(1671)으로부터 처리공간(1110)으로 기체를 공급한다. 제1조절밸브(1676)는 기체 공급원(1671)으로부터 처리 공간(1110)으로 공급되는 기체의 유량을 조절한다.
제1공급관(1678)은 처리 공간(1110)으로 직접 기체를 토출한다. 일 예에서, 제1공급유닛(1670)은 버퍼 공간(1617)과 토출 공간(1619)을 관통하도록 제공된다.
제2공급관(1668)을 통해 버퍼 공간(1617)으로 제공된 기체는 히터(1615)에 의해 가열된다. 반면, 제1공급관(1678)을 통해 처리 공간(1110)으로 제공되는 기체는 버퍼 공간(1617)을 거치지 않아 제2공급관(1668)을 통해 버퍼 공간(1617)으로 제공된 기체 보다 그 온도가 낮다.
이하, 도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법을 설명한다.
먼저, 처리 공간(1110)으로 처리 공간(1110) 내에서 포토레지스트의 액막이 도포된 기판(W)을 반입한다. 기판 처리 장치는 반입된 기판(W)을 가열하여 액막에서 솔벤트를 증발시키는 열처리 공정을 수행한다. 기체 공급 유닛(1600)이 처리 공간(1110)에 기체를 공급한 상태에서 지지 유닛(1300)에 제공된 히터 유닛으로 기판(W)을 가열한다. 기체 공급 유닛(1600)은 기판(W)을 열처리하는 동안에 처리 공간(1110)에 공급되는 기체의 온도 또는 유량이 변경하여 기판(W)에 형성된 액막의 두께를 조절한다.
일 예에서, 제1공급유닛(1670)과 제2공급유닛(1660)의 토출구는 기판(W)의 중앙 영역에 대향되도록 제공되어 제1공급유닛(1670)과 제2공급유닛(1660)은 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액 막의 두께를 조절하도록 제공될 수 있다.
기체 공급 유닛(1600)은, 기판(W) 상에 형성된 액막의 두께를 측정하는 측정장치와 측정장치에 의해 측정된 기판(W) 상의 액막의 두께를 전달받고 기체 공급 유닛(1600)을 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.
측정장치에 의해 측정된 기판(W) 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로, 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 도 7에 도시된 바와 같이 제2공급유닛(1660)이 제2온도의 기체를 공급한다. 제2공급유닛(1660)은 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 제2온도의 기체를 계속적으로 공급한다.
버퍼 공간(1617)을 통한 기체는 토출 공간(1619)으로 전달되는데, 이때 버퍼 공간(1617)은 중앙 영역에 대향되도록 제공되어 중앙 영역에 온도가 높은 기체가 집중되어 토출된다. 버퍼 공간(1617)에서 히터(1615)에 의해 높은 온도로 가열된 기체가 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 증발을 가속화시킨다. 제2공급유닛(1660)은 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 제2온도의 기체를 계속적으로 공급한다.
측정장치에 의해 측정된 기판(W) 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로, 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 도 8에 도시된 바와 같이 1공급유닛이 제1온도의 기체를 공급한다. 기판(W)의 중앙 영역으로 상대적으로 낮은 온도의 기체를 공급함에 따라, 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 증발이 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 액막의 증발보다 늦춰짐에 따라 액막이 균일해진다. 제1공급유닛(1670)은 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 제1온도의 기체를 계속적으로 공급한다.
기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 두꺼울수록 기체의 유량을 증가시키고, 기체는 기판(W)의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급될 수 있다.
상술한 예에서는, 제1공급유닛(1670)과 제2공급유닛(1660)이 각각 제1온도와 제2온도의 기체를 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 기판 처리 장치는 도 9 내지 도 10에 도시된 바와 같이 제1공급유닛(1670) 또는 제2공급유닛(1660) 중 어느 하나만 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1공급유닛(1670))은 제1히터(1673)를 더 포함하고, 제2공급유닛(1660)은 제2히터(1663)를 더 포함할 수 있다.
제1히터(1673)는 제1공급유닛(1670)을 통해 처리 공간(1110)으로 공급되는 기체를 가열한다. 제2히터(1663)는 제2공급유닛(1660)을 통해 버퍼 공간(1617)으로 공급되는 기체를 가열한다. 기판의 중양 영역에 형성된 액막의 두께가 높을수록 제1히터(1673)와 제2히터(1663)는 기체를 더 높은 온도로 가열한다.
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1000: 기판 처리 장치
1600: 기체 공급 유닛
1660: 제2공급유닛
1670: 제1공급유닛

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 제공되어 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과;
    상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 처리 공간에 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 포함하되,
    상기 기체 공급 유닛은,
    상기 기판 상에 형성된 액막의 두께를 측정하는 측정장치와;
    상기 측정장치에 의해 측정된 상기 기판 상의 액막의 두께를 전달받고 상기 기체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 측정장치에 의해 측정된 상기 기판의 중앙 영역 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로 상기 처리 공간 내로 상기 기체를 제1온도와 제2온도 중 선택된 온도로 공급하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 측정장치에 의해 측정된 상기 기판 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 제2온도의 상기 기체를 공급하고,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 상기 제1온도의 상기 기체를 공급하되,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되도록 상기 기체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 상기 제2온도의 상기 기체를 공급하되,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 두꺼울수록 상기 기체의 유량을 증가시키고,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되도록 상기 기체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 측정장치에 의해 측정된 상기 기판 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 상기 제1온도의 상기 기체를 공급하되,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 얇을수록 상기 기체의 유량을 증가시키고,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되도록 상기 기체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1온도의 기체를 상기 처리 공간으로 공급하도록 제공되는 제1공급유닛과;
    상기 제1온도보다 높은 제2온도의 상기 기체를 상기 처리 공간으로 공급하도록 제공되는 제2공급유닛을 가지는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2공급유닛은,
    상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 버퍼 공간과;
    상기 버퍼 공간으로부터 기체를 전달받는 토출 공간과;
    상기 버퍼 공간과 상기 토출 공간 사이에 제공되는 히터와; 그리고
    상기 버퍼 공간으로 기체를 토출하는 제2공급관을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1공급유닛은,
    상기 처리 공간으로 직접 기체를 토출하는 제1공급관을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1공급유닛은,
    상기 버퍼 공간과 상기 토출 공간을 관통하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2공급유닛은,
    상기 제2공급유닛의 내부 공간을 버퍼 공간과 토출 공간으로 구획하며 제1홀이 형성된 구획 플레이트;
    상기 토출 공간 내의 기체를 상기 처리 공간으로 토출하는 제2홀이 형성된 토출 플레이트를 더 포함하고,
    상기 구획 플레이트는 상기 기판의 중앙 영역에 대향되도록 제공되고 상기 토출 플레이트는 상기 기판의 전체 영역에 대향되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제1공급유닛과 상기 제2공급유닛의 토출구는 상기 기판의 중앙 영역에 대향되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제5항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판의 중앙 영역 상에 형성된 액막의 두께가 기 설정된 두께가 되도록 상기 처리 공간으로 공급되는 기체의 온도 또는 유량을 제어하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 제2온도의 상기 기체를 공급하고,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 상기 제1온도의 상기 기체를 공급하되,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 상기 제2온도의 상기 기체를 공급하되,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 두꺼울수록 상기 기체의 유량을 증가시키고,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 상기 제1온도의 상기 기체를 공급하되,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 얇을수록 상기 기체의 유량을 증가시키고,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제2공급유닛은,
    상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 버퍼 공간과;
    상기 버퍼 공간으로부터 기체를 전달받는 토출 공간과;
    상기 버퍼 공간과 상기 토출 공간 사이에 제공되는 히터와; 그리고
    상기 버퍼 공간으로 기체를 토출하는 제2공급관을 포함하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1공급유닛은 상기 처리 공간으로 직접 기체를 토출하는 제1공급관을 포함하는 기판 처리 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1온도의 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 대향되는 처리 공간으로 공급되는 기판 처리 방법.
  18. 삭제
  19. 처리 공간 내에서 포토레지스트의 액막이 도포된 기판을 가열하여 상기 액막에서 솔벤트를 증발시키는 열처리 공정을 수행하되, 상기 열처리 공정은 상기 처리 공간에 기체를 공급한 상태에서 히터로 상기 기판을 가열하고, 상기 기판을 열처리하는 동안에 상기 기판 상의 중앙 영역 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로 상기 처리 공간에 공급되는 상기 기체의 온도 또는 유량이 변경되되,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 이상인 경우 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 기체의 온도를 높이고,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값 미만인 경우 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 기체의 온도를 낮추되,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법.
  20. 처리 공간 내에서 포토레지스트의 액막이 도포된 기판을 가열하여 상기 액막에서 솔벤트를 증발시키는 열처리 공정을 수행하되, 상기 열처리 공정은 상기 처리 공간에 기체를 공급한 상태에서 히터로 상기 기판을 가열하고, 상기 기판을 열처리하는 동안에 상기 기판 상의 중앙 영역 상에 형성된 액막의 두께를 기반으로 상기 처리 공간에 공급되는 상기 기체의 온도 또는 유량이 변경되되,
    상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에서 벗어나면 상기 처리 공간으로 공급되는 상기 기체의 유량을 증가시키되,
    상기 기체는 상기 기판의 중앙 영역에 형성된 액막의 두께가 기 설정값에 도달할 때까지 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법.
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