KR20220059127A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220059127A
KR20220059127A KR1020200144354A KR20200144354A KR20220059127A KR 20220059127 A KR20220059127 A KR 20220059127A KR 1020200144354 A KR1020200144354 A KR 1020200144354A KR 20200144354 A KR20200144354 A KR 20200144354A KR 20220059127 A KR20220059127 A KR 20220059127A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
substrate
processing space
unit
gas
Prior art date
Application number
KR1020200144354A
Other languages
English (en)
Inventor
안영서
이정현
방제오
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200144354A priority Critical patent/KR20220059127A/ko
Publication of KR20220059127A publication Critical patent/KR20220059127A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와; 상부 바디와 하부 바디 중 어느 하나를 이동시켜 상부 바디와 하부 바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과; 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 장치를 제어하는 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 지지 유닛에 놓인 기판의 가장자리 영역에 대향되는 영역을 배기하는 엣지 배기 부재와; 지지 유닛에 놓인 기판의 중앙 영역에 대향되는 영역을 배기하는 센터 배기 부재를 포함하고, 제어기는, 처리 공간으로 가스가 공급되는 동안 센터 배기 부재 또는 엣지 배기 부재가 기 설정 배기량으로 처리 공간을 배기하도록 배기 유닛을 제어할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 가열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다.
이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. HMDS 처리 공정은 감광액(PR:Photo-resist)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS를 공급하여 기판을 소수화 시키는 공정이다. 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액 막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도가 기설정된 온도로 조절되기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다. HMDS는 기판의 성질을 친수성에서 소수성으로 변화시킨다.
다만, 각 공정마다 요구되는 컨택트 앵글(contact angle; 감광액이 기판의 표면에 접촉하는 각도)이 상이한데, HMDS를 기판 상에 공급하는 과정에서 컨택트 앵글을 조절할 수 없는 문제가 있다.
본 발명은 처리 공간의 배기량을 조절하여 기판의 소수화 정도를 결정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 일 목적을 갖는다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와; 상부 바디와 하부 바디 중 어느 하나를 이동시켜 상부 바디와 하부 바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과; 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 장치를 제어하는 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 지지 유닛에 놓인 기판의 가장자리 영역에 대향되는 영역을 배기하는 엣지 배기 부재와; 지지 유닛에 놓인 기판의 중앙 영역에 대향되는 영역을 배기하는 센터 배기 부재를 포함하고, 제어기는, 처리 공간으로 가스가 공급되는 동안 배기 유닛이 제1시간 동안 제1배기량으로 배기하고 그 이후에 제2시간 동안 제2배기량으로 배기하되, 제1배기량은 제2배기량 보다 크게 제공되도록 배기 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1시간은 제2시간보다 짧게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 가스는 기판을 소수화 처리하는 가스일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제어기는, 배기 유닛의 배기량에 따른 기판의 컨택 앵글(contact angle) 정보를 기반으로 제1배기량을 결정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제어기는, 제1시간 동안 센터 배기 부재 그리고 엣지 배기 부재가 처리 공간을 배기하도록 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
일 실시 예에 의하면, 제어기는, 처리 공간으로 가스의 공급이 종료된 이후에 엣지 배기 부재가 처리 공간을 배기하도록 배기 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제어기는, 상부 바디와 하부 바디는 처리 공간 내에서 기판이 처리되는 동안, 상부 바디의 측벽과 하부 바디의 측벽 간의 간격이 기 설정 간격을 유지하도록 구동기를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부 바디 또는 하부 바디에 제공되며 상부 바디와 하부 바디가 서로 대향되는 측면을 향해 가스를 분사하여 가스 커튼을 형성하는 가스 커튼 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 배기 유닛은, 상부 바디 또는 하부 바디에 제공되며 상부 바디와 하부 바디가 서로 대향되는 측면에서 처리 공간을 배기하는 사이드 배기 부재를 더 포함하고, 제어기는, 처리 공간으로 가스의 공급이 종료된 이후에 엣지 배기 부재 그리고 사이드 배기 부재가 처리 공간을 배기하도록 배기 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 처리 공간에 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane, HMDS)가스를 공급하여 기판의 표면을 소수화 처리하고, 소수화 처리 동안에, 처리 공간을 제1시간 동안 제1배기량으로 배기하고 그 이후에 제2시간 동안 제2배기량으로 배기하되, 제1배기량은 제2배기량 보다 크게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1시간은 제2시간보다 짧게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1시간 동안 센터 배기 부재 그리고 엣지 배기 부재가 처리 공간을 배기할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 처리 공간으로 가스의 공급이 종료된 이후에 엣지 배기 부재가 처리 공간을 배기할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 배기 유닛은, 상부 바디 또는 하부 바디에 제공되며 상부 바디와 하부 바디가 서로 대향되는 측면에서 처리 공간을 배기하는 사이드 배기 부재를 더 포함하고, 처리 공간으로 가스의 공급이 종료된 이후에 엣지 배기 부재 그리고 사이드 배기 부재가 처리 공간을 배기할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간의 배기량을 조절하여 기판의 소수화 정도를 결정할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 기판 처리 방법을 순차적을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 4의 기판 처리 장치(1000)는 도 1의 열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230) 중 하나 일 수 있다. 도 4를 참조하면, 가열 유닛(3230)은 공정 챔버(1100), 지지 유닛(1300), 가열 유닛(1400), 배기 유닛(1700), 가스 공급 유닛(1600) 그리고 가스 커튼 유닛(1900)을 포함한다.
공정 챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 공정 챔버(1100)는 상부 바디(1120), 하부 바디(1140)를 포함한다. 상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 상부 바디(1120)는 원통 형상일 수 있다. 상부 바디(1120)의 상면에는 개구가 형성된다. 개구는 상부 바디(1120)의 중심축과 대응되는 영역에 형성될 수 있다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 마찬가지로 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 하부 바디(1140)는 원통 형상일 수 있다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.
일 예에서, 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 구동기(1130)에 의해 개방 위치와 공정 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정될 수 있다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 구동기(1130)에 의해 개방 위치 및 공정 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 공정 위치는 처리 공간(1110) 내에서 기판이 처리될 때의 위치이다. 일 예에서, 공정 위치는, 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 소정의 간격을 두고 이격된 위치일 수 있다.
예컨대, 공정 위치에서 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)의 대향되는 측면은 1mm 내지 10mm의 간격을 가질 수 있다. 일 예에서, 개방 위치는, 처리 공간(1110) 내부로 기판(W)을 반입 또는 반출 시, 구동기(1130)가 상부 바디(1120)를 상부로 이동시켜 공정 챔버(1100)를 개방하는 위치이다. 본 실시 예에서는 구동기(1130)가 상부 바디(1120)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와는 달리 구동기(1130)는 하부 바디(1140)와 연결되어 하부 바디(1140)를 승하강시킬 수 있다.
지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 지지 유닛(1300)은 안착 플레이트(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 안착 플레이트(1320)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 안착 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 안착 플레이트(1320)의 상면에는 기판(W)이 안착 가능하다. 안착 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 안착 플레이트(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착 플레이트(1320)에 안착시킨다.
가열 유닛(1400)은 안착 플레이트(1320)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(1400)은 안착 플레이트(1320)의 내부에 위치된다. 일 예에서, 가열 유닛(1400)은 복수 개의 히터로 제공될 수 있다. 일 예에서, 각 히터에 대응되는 안착 플레이트(1320)의 영역은 구분되는 히팅존들로 제공될 수 있다. 예컨대, 각각의 히터는 온도가 독립 조절 가능하도록 제공될 수 있다. 각 히터는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.
배기 유닛(1700)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 일 예에서, 배기 유닛(1700)은 처리 공간(1110)에 유입된 외기를 강제 배기한다. 배기 유닛(1700)은, 센터 배기 부재(1720), 엣지 배기 부재(1710) 그리고 사이드 배기 부재(1730)를 포함한다. 센터 배기 부재(1720)는 지지 유닛(1300)에 놓인 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 처리 공간(1110)의 영역을 배기한다. 엣지 배기 부재(1710)는 지지 유닛(1300)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 처리 공간(1110)의 영역을 배기한다. 센터 배기 부재(1720)는, 센터 배기홀(1721), 센터 배기라인(1724) 그리고 제1밸브(1726)를 포함한다. 엣지 배기 부재(1710)는, 엣지 배기홀(1711), 엣지 배기라인(1714) 그리고 제2밸브(1712)를 포함한다. 일 예에서, 센터 배기라인(1724)과 엣지 배기라인(1714)은 메인 배기라인(1795)에 연결된다. 메인 배기라인(1795)에는 감압부재(1792)와 조절 밸브(1794)가 제공된다. 감압부재(1792)는 처리 공간(1110)을 배기하도록 메인 배기라인(1795)에 감압을 제공한다. 조절 밸브(1794)는 메인 라인으로 제공되는 감압 부재의 감압력을 조절한다. 일 예에서, 엣지 배기홀(1711)과 센터 배기홀(1721)은 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1밸브(1726)는 메인 배기라인(1795)으로부터 센터 배기라인(1724)으로 제공되는 감압력을 조절한다. 제2밸브(1712)는 메인 배기라인(1795)으로부터 엣지 배기라인(1714)으로 제공되는 감압력을 조절한다.
일 예에서, 사이드 배기 부재(1730)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이의 공간에서 처리 공간(1110)을 배기한다. 일 예에서, 사이드 배기 부재(1730)는, 사이드 배기홀(1732), 사이드 배기라인(1734) 그리고 제3밸브(1736)를 포함한다. 일 예에서, 사이드 배기홀(1732)은 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 마주보는 측면에 제공된다. 일 예에서, 사이드 배기홀(1732)은 하부 바디(1140)에 제공된다. 선택적으로, 사이드 배기홀(1732)은 상부 바디(1120)에 제공될 수 있다. 감압부재(1738)는 처리 공간(1110)을 배기하도록 사이드 배기라인(1734)에 감압을 제공한다. 제3밸브(1736)는 사이드 배기라인(1734)으로 제공되는 감압부재(1738)의 감압력을 조절한다.
일 예에서, 엣지 배기홀(1711)과 센터 배기홀(1721)은 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1밸브(1726)는 메인 배기라인(1795)으로부터 센터 배기라인(1724)으로 제공되는 감압력을 조절한다. 제2밸브(1712)는 메인 배기라인(1795)으로부터 엣지 배기라인(1714)으로 제공되는 감압력을 조절한다. 엣지 배기 부재(1710)는 지지 유닛(1300)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 처리 공간(1110)의 영역을 배기한다.
가스 공급 유닛(1600)은 지지 유닛(1300)의 상부에 위치된다. 가스 공급 유닛(1600)은 처리 공간(1110)으로 가스를 공급한다. 일 예에서, 가스 공급 유닛(1600)은, 가스 공급 라인(1674), 공급관(1678) 그리고 샤워헤드(1680)를 갖는다. 가스 공급 라인(1674)은 가스 공급원(1671)으로부터 공급관(1678)을 통해 처리 공간(1110)으로 가스를 공급한다. 가스는 기판(W)의 가열 중에 처리 공간으로 공급되어 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane, HMDS) 가스일 수 있다. HMDS 가스는 기판(W)의 성질은 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 일 예에서, HMDS 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 일 예에서, 캐리어 가스는 불활성 가스로 제공될 수 있다. 예컨대, 불활성 가는 질소일 수 있다. 가스 공급 라인(1674)에는 가스 조절 밸브(1676)가 제공된다. 가스 조절 밸브(1676)는 처리 공간(1110)으로 공급되는 가스의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다.
일 예에서, 공급관(1678)은 지지 유닛(1300)에 놓인 기판의 중앙 영역에 대응되는 위치에 제공된다. 일 예에서, 공급관(1678)을 통해 처리 공간으로 공급되는 가스는 직접적으로 기판 상으로 공급되지 않고 샤워헤드(1680)를 거쳐 공급된다. 샤워헤드(1680)는 처리 공간으로 공급되는 가스가 기판의 전 영역에 균등하게 제공될 수 있도록 한다.
일 예에서, 샤워헤드(1680)는 지지 유닛(1300)에 놓인 기판의 상면에 대응되는 위치에 대응되는 크기로 제공된다. 일 예에서 샤워헤드(1680)는, 토출 플레이트(1614)와 고정 플레이트(1616)를 포함한다. 토출 플레이트(1614)는 토출 공간(1619) 내의 가스를 처리 공간(1110)으로 토출한다. 토출 플레이트(1614)는 고정 플레이트(1616)로부터 이격되어 제공된다. 일 예에서, 토출 플레이트(1614)와 고정 플레이트(1616)는 동일한 단면적을 가지도록 제공된다. 토출 플레이트(1614)와 고정 플레이트(1616)는 사이드 플레이트(1615)에 의해 연결된다. 토출 플레이트(1614)는 토출홀이 형성된다. 토출홀을 통해 토출 공간(1619) 내부의 가스가 처리 공간(1110)으로 공급된다. 일 예에서, 토출 플레이트(1614)는 기판(W)의 전체 영역에 대향되도록 제공된다.
가스 커튼 유닛(1900)은 처리 공간(1110) 내에서 기판(W)이 처리되는 동안 처리 공간(1110) 내부의 분위기가 유출되는 것을 방지한다. 또한, 가스 커튼 유닛(1900)은 처리 공간(1110) 내에서 기판(W)이 처리되는 동안, 처리 공간(1110)으로 외기가 유입되는 것을 방지한다. 일 예에서, 가스 커튼 유닛(1900)은 가스 공급 라인(1920), 공급홀(1930) 그리고 가스 공급원(1910)을 포함한다. 가스 공급 라인(1920)은 가스 공급원(1910)으로부터 가스를 공급받아 공급홀(1930)에 공급한다. 가스 공급 라인(1920)에는 조절 밸브(1922)가 설치된다. 조절 밸브(1922)는 공급홀(1930)로 유입되는 가스의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다. 일 예에서, 공급홀(1930)은 처리 공간(1110) 내에서 기판(W)이 처리되는 동안 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이의 공간으로 가스를 분사한다. 일 예에서, 가스는 질소로 제공된다.
이하에서는 도 5 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다. 본 발명의 제어기는 기판 처리 방법을 수행하기 위해 기판 처리 장치(1000)를 제어한다.
먼저, 처리 공간(1110)의 외부로부터 이송된 기판(W)을 지지 유닛(1300)에 안착한다. 기판(W)의 이송 후 공정 챔버(1100)는 상부 바디(1120)의 하강으로 공정 위치에 놓인다. 일 예에서, 처리 공간(1110)에서 기판이 처리되는 동안 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)는 기 설정 간격을 유지한다. 가스 커튼 유닛(1900)은 공정 챔버(1100)가 공정 위치에 놓이면 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이로 가스를 공급한다. 이에, 처리 공간(1110)과 처리 공간(1110) 외부의 기류의 이동이 차단된다.
지지 유닛(1300) 상에 기판(W)이 놓이면, 가스 공급 유닛(1600)에서는 가스를 공급한다. 공급되는 밀착용 가스는 HMDS 가스 또는 HMDS와 캐리어 가스가 혼합되어 공급될 수 있다.
처리 공간(1110)에 가스가 공급되면, 배기 유닛(1700)은 처리 공간(1110)을 배기한다. 일 예에서, 배기 유닛(1700)의 배기량은, 기판 처리 공정에서 얻고자 하는 기판(W)의 컨택 앵글(conatact angle)에 따라 달리 결정된다. 예컨대, 기판(W)을 처리하는 동안 처리 공간(1110)의 배기량이 높을수록 기판(W)의 컨택 앵글은 낮아진다. 이에, 필요로 하는 기판(W)의 컨택 앵글이 낮을수록 배기 유닛(1700)의 배기량을 높게 설정할 수 있다.
일 예에서, 처리 공간(1110)을 제1시간 동안 제1배기량으로 배기하고 그 이후에 제2시간 동안 제2배기량으로 배기할 수 있다. 일 예에서, 제1시간은, 처리 공간(1110) 내로 가스를 공급하여 기판(W) 처리를 진행하기 시작하는 순간으로부터 기산될 수 있다. 그리고, 제2시간은, 처리 공간(1110) 내로 가스를 공급하여 기판(W) 처리를 진행하기 시작하는 순간으로부터 제1시간이 경과한 시간으로부터 기산될 수 있다. 일 예에서, 제1시간은 제2시간 보다 짧은 시간으로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1시간은 처리 공간(1110) 내로 가스를 공급하여 기판(W)을 처리하는 전체 공정 중 5 내지 15퍼 센트에 해당하는 시간일 수 있다.
일 예에서, 제1배기량은 제2배기량 보다 크게 제공된다. 기판(W) 상으로 HMDS 가스를 공급하여 기판(W)을 처리하는 동안, 일반적으로 기판(W)의 컨택 앵글은 공정 초기에 결정된다. 이에, 공정 초기인 제1시간에서 배기량을 공정 후반인 제2시간 보다 크게 하여 기판(W)의 컨택 앵글을 조절할 수 있다.
일 예에서, 엣지 배기 부재(1710)는 기판(W)이 처리 공간(1110) 내에서 처리되는 동안 및 기판(W)이 처리 공간(1110) 내에서 처리된 이후의 시간 동안 항시 처리 공간(1110)을 배기한다. 엣지 배기 부재(1710)에 의해 배기될 수 있는 시간당 배기량은 한정적이다. 이에, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1시간 동안, 엣지 배기 부재(1710)에 의한 배기와 센터 배기 유닛(1700)에 의한 배기가 동시에 이루어지도록 한다. 일 예에서, 센터 배기 유닛(1700)에 의한 배기량을 조절하여 배기 유닛(1700)의 배기량을 조절할 수 있다. 선택적으로, 엣지 배기 부재(1710)에 의한 배기량을 조절하여 배기 유닛(1700)의 배기량을 조절할 수 있다. 일 예에서, 제어기에는 센터 배기 부재(1720)의 배기량에 따른 기판(W)의 컨택 앵글 정보가 미리 입력된다. 제어기는 미리 입력된 컨택 앵글 정보를 기반으로 배기 유닛(1700)의 배기량을 조절하여 원하는 컨택 앵글을 얻는다. 일 예에서, 제어기는 제1시간 동안 센터 배기 부재(1720)의 배기량을 조절한다. 선택적으로, 제어기는 제1시간 동안 센터 배기 부재(1720) 그리고 엣지 배기 부재의 배기량을 조절할 수 있다. 또한, 선택적으로, 제어기는 제1시간 동안 엣지 배기 부재(1710)의 배기량을 조절할 수 있다. 일 예에서, 제1시간 동안 시간 당 배기 유닛(1700)의 배기량은 동일하게 제공될 수 있다. 선택적으로, 제1시간 동안 시간 당 배기 유닛(1700)의 배기량은 점진적으로 줄어들도록 제공될 수 있다.
이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 가스에 의해 처리되고 나면, 가스의 공급이 중단된다. 일 예에서, 처리 공간(1110)으로 가스의 공급이 중단되면 센터 배기 유닛(1700)의 배기는 중단될 수 있다. 일 예에서, 제2시간의 기산 시점은 처리 공간(1110)으로 가스의 공급이 중단된 시점일 수 있다. 일 예에서, 제2시간동안 사이드 배기 부재(1730)에 의한 배기가 동시에 이루어질 수 있다.
본 발명에 의하면, 처리 공간(1110)의 배기량을 조절하여 기판의 컨택 앵글을 조절할 수 있는 이점이 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1100: 공정 챔버
1300: 지지 유닛
1400: 가열 유닛
1600: 가스 공급 유닛
1700: 배기 유닛
1900: 가스 커튼 유닛
3230: 가열 유닛

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
    상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 이동시켜 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기와;
    상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과;
    상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 장치를 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 배기 유닛은,
    상기 지지 유닛에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역에 대향되는 영역을 배기하는 엣지 배기 부재와;
    상기 지지 유닛에 놓인 상기 기판의 중앙 영역에 대향되는 영역을 배기하는 센터 배기 부재를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 처리 공간으로 상기 가스가 공급되는 동안 상기 배기 유닛이 제1시간 동안 제1배기량으로 배기하고 그 이후에 제2시간 동안 제2배기량으로 배기하되,
    상기 제1배기량은 상기 제2배기량 보다 크게 제공되도록 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1시간은 상기 제2시간보다 짧게 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가스는 기판을 소수화 처리하는 가스인 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 배기 유닛의 배기량에 따른 상기 기판의 컨택 앵글(contact angle) 정보를 기반으로 상기 제1배기량을 결정하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제1시간 동안 상기 센터 배기 부재 그리고 상기 엣지 배기 부재가 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리 공간으로 상기 가스의 공급이 종료된 이후에 상기 엣지 배기 부재가 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 상부 바디와 상기 하부 바디는 상기 처리 공간 내에서 상기 기판이 처리되는 동안, 상기 상부 바디의 측벽과 상기 하부 바디의 측벽 간의 간격이 기 설정 간격을 유지하도록 상기 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디에 제공되며 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 대향되는 측면을 향해 가스를 분사하여 가스 커튼을 형성하는 가스 커튼 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디에 제공되며 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 대향되는 측면에서 상기 처리 공간을 배기하는 사이드 배기 부재를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 처리 공간으로 상기 가스의 공급이 종료된 이후에 상기 엣지 배기 부재 그리고 상기 사이드 배기 부재가 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    처리 공간에 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane, HMDS)가스를 공급하여 기판의 표면을 소수화 처리하고,
    상기 소수화 처리 동안에,
    상기 처리 공간을 제1시간 동안 제1배기량으로 배기하고 그 이후에 제2시간 동안 제2배기량으로 배기하되,
    상기 제1배기량은 상기 제2배기량 보다 크게 제공되는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1시간은 상기 제2시간보다 짧게 제공되는 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1시간 동안 상기 센터 배기 부재 그리고 상기 엣지 배기 부재가 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 처리 공간으로 상기 가스의 공급이 종료된 이후에 상기 엣지 배기 부재가 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디에 제공되며 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 대향되는 측면에서 상기 처리 공간을 배기하는 사이드 배기 부재를 더 포함하고,
    상기 처리 공간으로 상기 가스의 공급이 종료된 이후에 상기 엣지 배기 부재 그리고 상기 사이드 배기 부재가 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법.
KR1020200144354A 2020-11-02 2020-11-02 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20220059127A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200144354A KR20220059127A (ko) 2020-11-02 2020-11-02 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200144354A KR20220059127A (ko) 2020-11-02 2020-11-02 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220059127A true KR20220059127A (ko) 2022-05-10

Family

ID=81592227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200144354A KR20220059127A (ko) 2020-11-02 2020-11-02 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220059127A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102343637B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102303593B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220059127A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102319197B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US11145524B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102282145B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102347974B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102315663B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102277545B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220095355A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102282147B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102255278B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102359532B1 (ko) 기판 처리 장치 및 지지 유닛
KR102204883B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102282146B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102298086B1 (ko) 가스 공급 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
KR102246678B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102277549B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102303596B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102319198B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102081707B1 (ko) 밸브 유닛 및 액 공급 유닛
KR20220011259A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102191385B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220011261A (ko) 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법
KR20210013256A (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination