JPS58294Y2 - 半導体拡散炉 - Google Patents
半導体拡散炉Info
- Publication number
- JPS58294Y2 JPS58294Y2 JP1978044196U JP4419678U JPS58294Y2 JP S58294 Y2 JPS58294 Y2 JP S58294Y2 JP 1978044196 U JP1978044196 U JP 1978044196U JP 4419678 U JP4419678 U JP 4419678U JP S58294 Y2 JPS58294 Y2 JP S58294Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- reaction tube
- temperature
- diffusion furnace
- semiconductor diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体拡散炉の改良に関するものである。
一般に、ダイオードやトランジスター等の半導体の製造
工程には種々の熱処理が施されるが、中でもシリコンウ
ェハー等の半導体材料のドーピングは最も重要な工程で
ある。
工程には種々の熱処理が施されるが、中でもシリコンウ
ェハー等の半導体材料のドーピングは最も重要な工程で
ある。
このドーピング工程はドーピング物質により処理温度が
異なるが、通常１０００〜１３５０℃の温度で±０．５
℃の許容範囲に厳しくコントローンすることが必要であ
る。
異なるが、通常１０００〜１３５０℃の温度で±０．５
℃の許容範囲に厳しくコントローンすることが必要であ
る。
ところで、従来、ドーピング工程等を行なうには石英ガ
ラス、炭化珪素からなる断面が真円の反応管が用いられ
ている。
ラス、炭化珪素からなる断面が真円の反応管が用いられ
ている。
しかしながら、この反応管内にシリコンウェハーを垂直
に載置してドーピング処理すると、ウェハーの周辺部と
中央部との間に大きな温度差が生じ、±０．５の許容範
囲内に制御できず、ドーピング処理に支障をきたす問題
があった。
に載置してドーピング処理すると、ウェハーの周辺部と
中央部との間に大きな温度差が生じ、±０．５の許容範
囲内に制御できず、ドーピング処理に支障をきたす問題
があった。
とくに、シリコンの単結晶技術の進歩に伴ない、５イン
チから８インチの大型シリコンウェハーが出現するよう
になると、ウェハーの周辺部と中央部との間の温度差が
増大し、さらに許容温度範囲内に制御することが困難と
なる。
チから８インチの大型シリコンウェハーが出現するよう
になると、ウェハーの周辺部と中央部との間の温度差が
増大し、さらに許容温度範囲内に制御することが困難と
なる。
本考案は上記欠点を解消するためになされたもので、内
部に載置されたシリコンウェハーの周縁部、中央部間に
温度差が生じることなく、略均−加熱し得る半導体拡散
炉を提供しようとするものである。
部に載置されたシリコンウェハーの周縁部、中央部間に
温度差が生じることなく、略均−加熱し得る半導体拡散
炉を提供しようとするものである。
以下、本考案の一実施例を図面を参照して説明する。
図中１はたとえば石英ガラス製の反応管であり、この反
応管１の断面形状は長軸りと短軸Ｓの比Ｓ／Ｌが０．６
の楕円状となっている。
応管１の断面形状は長軸りと短軸Ｓの比Ｓ／Ｌが０．６
の楕円状となっている。
なお、この反応管１の外周には鉄管１と相似したコイル
状発熱体２が配設されている。
状発熱体２が配設されている。
このような構成によれば、今、第１図及び第２図に示す
如く傾斜したシリコンウェハー３・・・３が載置された
ウェハー保持具４を反応管１内に装填してドーピング処
理すると、該反応管１は断面楕円状をなしているため、
シリコンウェハー３・・・３の外周と反応管１の内壁と
の距離が略同じとなり、発熱体２からの熱をシリコンウ
ェハー３・・・３全体に均一に放射でき、シリコンウェ
ハー３・・・３０周縁部、中央部間の許容温度差範囲を
±０．５℃に制御できる。
如く傾斜したシリコンウェハー３・・・３が載置された
ウェハー保持具４を反応管１内に装填してドーピング処
理すると、該反応管１は断面楕円状をなしているため、
シリコンウェハー３・・・３の外周と反応管１の内壁と
の距離が略同じとなり、発熱体２からの熱をシリコンウ
ェハー３・・・３全体に均一に放射でき、シリコンウェ
ハー３・・・３０周縁部、中央部間の許容温度差範囲を
±０．５℃に制御できる。
なお、長軸りが２００酩、短軸Ｓが１２０■で長さが２
８００ｍｍの楕円状反応管に、３００の傾斜をもったフ
インチシリコンウエノ・−が載置されたウェハー保持具
を装填し、外周の発熱体により該ウェハーを加熱ドーピ
ングし、ウェハーの温度分布を調べた。
８００ｍｍの楕円状反応管に、３００の傾斜をもったフ
インチシリコンウエノ・−が載置されたウェハー保持具
を装填し、外周の発熱体により該ウェハーを加熱ドーピ
ングし、ウェハーの温度分布を調べた。
その結果、シリコンウニ・・−の周縁部は設定温度とな
り、中心部に向かうに従って周縁部より低くなるが、中
心点の温度は設定温度より０．５（ｌｃ低い程度でドー
ピング工程の許容範囲に制御できた。
り、中心部に向かうに従って周縁部より低くなるが、中
心点の温度は設定温度より０．５（ｌｃ低い程度でドー
ピング工程の許容範囲に制御できた。
これに対し内径２００ｍｍＸ長さ２８００１ｍの従来の
真円状反応管にフインチシリコンウエハーが垂直に載置
されたウェハー保持具を装填し、加熱、ドーピングして
ウェハーの温度分布を調べた。
真円状反応管にフインチシリコンウエハーが垂直に載置
されたウェハー保持具を装填し、加熱、ドーピングして
ウェハーの温度分布を調べた。
その結果、シリコンウニノ・−の周辺部は設定温度とな
り、中心部は該設定温度より２℃も低く、ドーピング工
程の許容範囲から外れた０ また、本考案に用いる反応管の断面形状を楕円とする場
合は長軸と短軸との比を０．９５〜０．１０にすること
が望ｌしい。
り、中心部は該設定温度より２℃も低く、ドーピング工
程の許容範囲から外れた０ また、本考案に用いる反応管の断面形状を楕円とする場
合は長軸と短軸との比を０．９５〜０．１０にすること
が望ｌしい。
この理由はその比が０．９５より太きいとウェハーの温
度分布を十分均一化できず、かといってｏ、ｉｏより小
さいどウェハーの挿入が困難となり実用性にそぐわなく
なるからである。
度分布を十分均一化できず、かといってｏ、ｉｏより小
さいどウェハーの挿入が困難となり実用性にそぐわなく
なるからである。
以上詳述した如く、本考案によれば内部に載置されたシ
リコンウェハーを加熱処理する際、該ウェハーの周縁部
、中央部間の温度差を僅少にでき、つ１り温度分布を均
一化でき、もってシリコンウェハーの温度分布が±０．
５℃の許容範囲に処理する必要があるドーピング工程に
有効に利用できる半導体拡散炉を提供できるものである
。
リコンウェハーを加熱処理する際、該ウェハーの周縁部
、中央部間の温度差を僅少にでき、つ１り温度分布を均
一化でき、もってシリコンウェハーの温度分布が±０．
５℃の許容範囲に処理する必要があるドーピング工程に
有効に利用できる半導体拡散炉を提供できるものである
。
第１図は本考案の一実施例を示す半導体拡散炉の断面図
、第２図は第１図の■−■断面図である。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・発熱体、３・・
・３・・・・・・シリコンウェハー、４・・・・・・ウ
エノ・−保持具。
、第２図は第１図の■−■断面図である。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・発熱体、３・・
・３・・・・・・シリコンウェハー、４・・・・・・ウ
エノ・−保持具。
Claims (1)
- 断面形状が楕円の反応管と、この反応管内の底部に載置
されウェハーを軸方向に傾斜して支持するウェハー保持
具とを具備したことを特徴とする半導体拡散炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978044196U JPS58294Y2 (ja) | 1978-04-06 | 1978-04-06 | 半導体拡散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978044196U JPS58294Y2 (ja) | 1978-04-06 | 1978-04-06 | 半導体拡散炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54148466U JPS54148466U (ja) | 1979-10-16 |
| JPS58294Y2 true JPS58294Y2 (ja) | 1983-01-06 |
Family
ID=28920050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978044196U Expired JPS58294Y2 (ja) | 1978-04-06 | 1978-04-06 | 半導体拡散炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58294Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49124951U (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-25 |
-
1978
- 1978-04-06 JP JP1978044196U patent/JPS58294Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54148466U (ja) | 1979-10-16 |
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