JPS6311720Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6311720Y2 JPS6311720Y2 JP7465482U JP7465482U JPS6311720Y2 JP S6311720 Y2 JPS6311720 Y2 JP S6311720Y2 JP 7465482 U JP7465482 U JP 7465482U JP 7465482 U JP7465482 U JP 7465482U JP S6311720 Y2 JPS6311720 Y2 JP S6311720Y2
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- JP
- Japan
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- quartz glass
- tube
- furnace core
- core tube
- glass tube
- Prior art date
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- Expired
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、半導体拡散炉に使用される炉芯管
に関するものである。
に関するものである。
従来からシリコンウエーハ処理のための拡散炉
には石英ガラスが使用されてきたが、その底部に
相当する内周面部分が曲面であるため、ウエーハ
支持台が不安定であり、またその出し入れ作業に
は慎重さが要求されるなど不都合な点が多かつ
た。
には石英ガラスが使用されてきたが、その底部に
相当する内周面部分が曲面であるため、ウエーハ
支持台が不安定であり、またその出し入れ作業に
は慎重さが要求されるなど不都合な点が多かつ
た。
この考案は、かかる欠点のない炉芯管にかかる
もので、肉厚断面形状において、外周面がほぼ円
形であり、内周面の底部に弦部を有することを特
徴とするものである。
もので、肉厚断面形状において、外周面がほぼ円
形であり、内周面の底部に弦部を有することを特
徴とするものである。
第1図に示すような従来の石英ガラス管のもの
を、第2図に示すように、その底部を平面とする
ことは容易に考えられるが、このような構造のも
のでは、みの底部と発熱帯との間に空所が生じ、
高温において被処理物の荷重によつて変形すると
いう難点があつた。
を、第2図に示すように、その底部を平面とする
ことは容易に考えられるが、このような構造のも
のでは、みの底部と発熱帯との間に空所が生じ、
高温において被処理物の荷重によつて変形すると
いう難点があつた。
すなわち、拡散炉は極めて精密な温度制御が要
求されるから、発熱体または外筒管を均熱に必要
なほぼ円形の状態から逸脱させて、石英ガラスに
追従するように変形させるわけにはいかないため
である。
求されるから、発熱体または外筒管を均熱に必要
なほぼ円形の状態から逸脱させて、石英ガラスに
追従するように変形させるわけにはいかないため
である。
この考案においては、発熱体または外筒管を石
英ガラスに追従変形させることなく炉芯管のみを
その内面を平面としたので、拡散処理の作業性を
著しく改善させることができる。
英ガラスに追従変形させることなく炉芯管のみを
その内面を平面としたので、拡散処理の作業性を
著しく改善させることができる。
以下に、この考案の一実施例を図によつて説明
する。
する。
第1図は、従来の拡散炉の炉芯管の断面を示す
もので、炉芯管1および外筒管2はいずれも円形
のものである。発熱体(図示しない)は外筒管の
外周に、これとほぼ同心円状に設置されている。
もので、炉芯管1および外筒管2はいずれも円形
のものである。発熱体(図示しない)は外筒管の
外周に、これとほぼ同心円状に設置されている。
第2図は炉芯管1の底部を加工して平面とする
場合を示す参考図で、この形状ではウエーハ支持
台(図示せず)が載置されて高温で処理した場
合、容易に変形を起す。 第3図はこの考案を示
す断面図で、石英ガラス炉芯管3の底部4は、外
周面5が円の一部からなり、内周面は弦部6を構
成している。その結果、この底部部分は他の肉厚
部7と異なり、厚い肉厚8を有している。従つて
この底部部分は、ウエーハ支持台が載置されても
何ら変形を起すことはない。
場合を示す参考図で、この形状ではウエーハ支持
台(図示せず)が載置されて高温で処理した場
合、容易に変形を起す。 第3図はこの考案を示
す断面図で、石英ガラス炉芯管3の底部4は、外
周面5が円の一部からなり、内周面は弦部6を構
成している。その結果、この底部部分は他の肉厚
部7と異なり、厚い肉厚8を有している。従つて
この底部部分は、ウエーハ支持台が載置されても
何ら変形を起すことはない。
なお、第4図および第5図はこの考案の変形例
を示すもので、第4図は石英ガラス炉芯管3の内
周面を正六角形にしたものである。このような形
は、これを製造する場合に容易である上に対称形
であるため、炉体としての均熱性を維持するため
にも好ましいものである。
を示すもので、第4図は石英ガラス炉芯管3の内
周面を正六角形にしたものである。このような形
は、これを製造する場合に容易である上に対称形
であるため、炉体としての均熱性を維持するため
にも好ましいものである。
弦部6の大きさは、外周面の半径0.5〜1.5倍程
度が好ましい。0.5倍以下であると従来の同一肉
厚の炉芯管とほとんど優位差が認められず、ま
た、1.5倍以上では、炉芯管の有効内容積が急激
に減少し、更に石英ガラス管自体の熱応力の不均
一性が無視し得なくなり、場合によつては熱破壊
を受けることがあり好ましくない。 第5図は石
英ガラス炉芯管3の内周面の底部に弦部を有する
と共に被処理物の形状に応じて炉芯管の下半部
に、底部と同様の弦部9を設けたものである。
度が好ましい。0.5倍以下であると従来の同一肉
厚の炉芯管とほとんど優位差が認められず、ま
た、1.5倍以上では、炉芯管の有効内容積が急激
に減少し、更に石英ガラス管自体の熱応力の不均
一性が無視し得なくなり、場合によつては熱破壊
を受けることがあり好ましくない。 第5図は石
英ガラス炉芯管3の内周面の底部に弦部を有する
と共に被処理物の形状に応じて炉芯管の下半部
に、底部と同様の弦部9を設けたものである。
実施例
外周が、直径136mmの円形で、内周が中心角60゜
の弦部を有する内径130mmの欠円の石英ガラス管
を、半導体用炉芯管として準備し、この炉芯管内
に75mmウエーハを載置したウエーハ支持台を挿入
した。醸素ガスを流しながら1100゜,20hrの拡散
処理を行なつた。
の弦部を有する内径130mmの欠円の石英ガラス管
を、半導体用炉芯管として準備し、この炉芯管内
に75mmウエーハを載置したウエーハ支持台を挿入
した。醸素ガスを流しながら1100゜,20hrの拡散
処理を行なつた。
この拡散処理を繰返し、これを従来の均一な肉
厚で、円形の石英ガラス管および第2図で示すよ
うに加工した異形石英ガラス管と同じ条件で比較
したところ、従来の円形石英ガラス管の場合は、
処理中の不安定さは拡散処理を繰返すに従い次第
に増大し、また第2図で示した参考試料の場合は
予想どおり変形が著しく、この考案のものが5ケ
月使用しても何ら変形しなかつたのに対し、わず
か1ケ月で使用不能になつた。 この考案の炉芯
管は、上述のように拡散炉の均熱特性に悪影響を
与えることなく、拡散処理の操作が極めて容易に
行なえるようになるという優れた効果を奏するも
のである。
厚で、円形の石英ガラス管および第2図で示すよ
うに加工した異形石英ガラス管と同じ条件で比較
したところ、従来の円形石英ガラス管の場合は、
処理中の不安定さは拡散処理を繰返すに従い次第
に増大し、また第2図で示した参考試料の場合は
予想どおり変形が著しく、この考案のものが5ケ
月使用しても何ら変形しなかつたのに対し、わず
か1ケ月で使用不能になつた。 この考案の炉芯
管は、上述のように拡散炉の均熱特性に悪影響を
与えることなく、拡散処理の操作が極めて容易に
行なえるようになるという優れた効果を奏するも
のである。
第1図は、従来の円筒状の拡散炉用石英ガラス
管および外筒管の状態を示す断面図である。第2
図は、この考案のものと比較するための参考図で
ある。第3図、第4図および第5図は、この考案
を説明するために示す拡散炉の部分断面図であ
る。 1,3……炉芯管、2……外筒管、4……底
部、5……外周面、6,9……弦部、7……肉厚
部。
管および外筒管の状態を示す断面図である。第2
図は、この考案のものと比較するための参考図で
ある。第3図、第4図および第5図は、この考案
を説明するために示す拡散炉の部分断面図であ
る。 1,3……炉芯管、2……外筒管、4……底
部、5……外周面、6,9……弦部、7……肉厚
部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 肉厚断面形状において、外周面が円をなし、
内周面の底部に弦部を有することを特徴とする
半導体拡散炉用石英ガラス管。 (2) 弦部の長さが、半径の0.5〜1.5倍であること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記
載の石英ガラス管。 (3) 内周面が正多角形であることを特徴とする実
用新案登録請求の範囲第1項および第2項記載
の石英ガラス管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7465482U JPS58177940U (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体拡散炉用石英ガラス管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7465482U JPS58177940U (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体拡散炉用石英ガラス管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58177940U JPS58177940U (ja) | 1983-11-28 |
JPS6311720Y2 true JPS6311720Y2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=30084068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7465482U Granted JPS58177940U (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体拡散炉用石英ガラス管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58177940U (ja) |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP7465482U patent/JPS58177940U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58177940U (ja) | 1983-11-28 |
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