JPH10233277A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH10233277A JPH10233277A JP9049774A JP4977497A JPH10233277A JP H10233277 A JPH10233277 A JP H10233277A JP 9049774 A JP9049774 A JP 9049774A JP 4977497 A JP4977497 A JP 4977497A JP H10233277 A JPH10233277 A JP H10233277A
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- heat insulating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/62—Heating elements specially adapted for furnaces
- H05B3/64—Heating elements specially adapted for furnaces using ribbon, rod, or wire heater
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/62—Heating elements specially adapted for furnaces
- H05B3/66—Supports or mountings for heaters on or in the wall or roof
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒータ線のクリープや熱膨張等による伸びの
一端側への累積を防止することができ、ヒータ線の耐久
性の向上が図れる熱処理装置を提供する。 【解決手段】 反応管３の周囲に配置される螺旋状のヒ
ータ線９と、このヒータ線９の周囲に設けられる円筒状
の断熱材１０と、この断熱材１０の内周に上記ヒータ線
９を熱膨張および熱収縮可能に所定のピッチで支持する
支持体１８とを備えた熱処理装置において、上記ヒータ
線９を適宜ターン毎に固定手段２１を介して上記断熱材
に固定している。
一端側への累積を防止することができ、ヒータ線の耐久
性の向上が図れる熱処理装置を提供する。 【解決手段】 反応管３の周囲に配置される螺旋状のヒ
ータ線９と、このヒータ線９の周囲に設けられる円筒状
の断熱材１０と、この断熱材１０の内周に上記ヒータ線
９を熱膨張および熱収縮可能に所定のピッチで支持する
支持体１８とを備えた熱処理装置において、上記ヒータ
線９を適宜ターン毎に固定手段２１を介して上記断熱材
に固定している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体装置の製造においては、
被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）などの処理を施すために、
各種の熱処理装置が用いられている。そして、その一般
的な熱処理装置は、半導体ウエハを収容して処理するた
めの処理室を形成する反応管（プロセスチューブ）と、
この反応管の周囲に配置された抵抗発熱体と、この抵抗
発熱体の周囲に配置された断熱材とを備え、その断熱材
の内壁面に上記抵抗発熱体が支持体を介して支持されて
いる。
被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）などの処理を施すために、
各種の熱処理装置が用いられている。そして、その一般
的な熱処理装置は、半導体ウエハを収容して処理するた
めの処理室を形成する反応管（プロセスチューブ）と、
この反応管の周囲に配置された抵抗発熱体と、この抵抗
発熱体の周囲に配置された断熱材とを備え、その断熱材
の内壁面に上記抵抗発熱体が支持体を介して支持されて
いる。
【０００３】上記抵抗発熱体としては、例えばバッチ処
理が可能な熱処理装置の場合でいうと、円筒状の断熱材
の内壁面に沿って配置される螺旋状のヒータ線が用いら
れ、炉内を例えば１２００℃程度に高温に加熱すること
ができる。また、上記断熱材としては、例えばセラミッ
クファイバ等からなる断熱材料を円筒状に焼成してなる
ものが用いられ、輻射熱および伝導熱として奪われる熱
量を減少させて効率のよい加熱を助長することができ
る。上記支持体としては、例えばセラミック製のものが
用いられ、上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能に所
定のピッチで支持するようになっている。
理が可能な熱処理装置の場合でいうと、円筒状の断熱材
の内壁面に沿って配置される螺旋状のヒータ線が用いら
れ、炉内を例えば１２００℃程度に高温に加熱すること
ができる。また、上記断熱材としては、例えばセラミッ
クファイバ等からなる断熱材料を円筒状に焼成してなる
ものが用いられ、輻射熱および伝導熱として奪われる熱
量を減少させて効率のよい加熱を助長することができ
る。上記支持体としては、例えばセラミック製のものが
用いられ、上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能に所
定のピッチで支持するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記熱処理
装置においては、上記ヒータ線が螺旋状に形成されてい
ると共に熱膨張および熱収縮可能なように断熱材とのク
リアランスをとって支持されている。しかし、ヒータ線
は高温下で使用されることによりクリープ歪を生じ、そ
の線長は時間とともに徐々に伸びて行く。また、加熱時
においても、ヒータ線は熱膨張を起こす。これらヒータ
線の伸びが一端側に累積する現象を生じ、これによりヒ
ータ線の一端側の巻径が増大して断熱材と接触し、その
接触箇所ならびに近傍箇所が座屈等の変形を発生し、破
断しやすくなり、耐久性が低下する不具合がある。
装置においては、上記ヒータ線が螺旋状に形成されてい
ると共に熱膨張および熱収縮可能なように断熱材とのク
リアランスをとって支持されている。しかし、ヒータ線
は高温下で使用されることによりクリープ歪を生じ、そ
の線長は時間とともに徐々に伸びて行く。また、加熱時
においても、ヒータ線は熱膨張を起こす。これらヒータ
線の伸びが一端側に累積する現象を生じ、これによりヒ
ータ線の一端側の巻径が増大して断熱材と接触し、その
接触箇所ならびに近傍箇所が座屈等の変形を発生し、破
断しやすくなり、耐久性が低下する不具合がある。
【０００５】特に、縦型の熱処理装置の場合、ヒータ線
を複数のゾーンに分けて制御できるようにヒータ線がゾ
ーン毎に端子板を介して断熱材に固定されているため、
ヒーター線のクリープや熱膨張等による伸びが重力によ
り各ゾーンの下側のターンに集中して累積し、下側のタ
ーンが断熱材と接触してヒータ線の伸びを吸収できなく
なり、座屈等の変形を発生し、破断しやすくなり、耐久
性が低下する不具合がある。
を複数のゾーンに分けて制御できるようにヒータ線がゾ
ーン毎に端子板を介して断熱材に固定されているため、
ヒーター線のクリープや熱膨張等による伸びが重力によ
り各ゾーンの下側のターンに集中して累積し、下側のタ
ーンが断熱材と接触してヒータ線の伸びを吸収できなく
なり、座屈等の変形を発生し、破断しやすくなり、耐久
性が低下する不具合がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、ヒータ線のクリ
ープや熱膨張等による伸びの一端側への累積を防止する
ことができ、ヒータ線の耐久性の向上が図れる熱処理装
置を提供することにある。
ープや熱膨張等による伸びの一端側への累積を防止する
ことができ、ヒータ線の耐久性の向上が図れる熱処理装
置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のうち請求項１記載の熱処理装置は、反応管の
周囲に配置される螺旋状のヒータ線と、このヒータ線の
周囲に設けられる円筒状の断熱材と、この断熱材の内周
に上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能に所定のピッ
チで支持する支持体とを備えた熱処理装置において、上
記ヒータ線を適宜ターン毎に固定手段を介して上記断熱
材に固定したことを特徴としている。
に本発明のうち請求項１記載の熱処理装置は、反応管の
周囲に配置される螺旋状のヒータ線と、このヒータ線の
周囲に設けられる円筒状の断熱材と、この断熱材の内周
に上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能に所定のピッ
チで支持する支持体とを備えた熱処理装置において、上
記ヒータ線を適宜ターン毎に固定手段を介して上記断熱
材に固定したことを特徴としている。
【０００８】請求項２記載の熱処理装置は、請求項１に
おける上記固定手段がヒータ線に外向きに突設されて上
記断熱材に埋め込まれる固定部からなることを特徴とし
ている。
おける上記固定手段がヒータ線に外向きに突設されて上
記断熱材に埋め込まれる固定部からなることを特徴とし
ている。
【０００９】請求項３記載の熱処理装置は、縦型の反応
管の周囲に配置される螺旋状のヒータ線と、このヒータ
線の周囲に設けられる円筒状の断熱材と、この断熱材の
内周に上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能に所定の
ピッチで支持する支持体と、上記ヒータ線を複数のゾー
ンに分けて制御するための端子板とを備えた熱処理装置
において、上記ヒータ線に各ゾーンの適宜ターン毎に固
定部を外向きに突設し、これら固定部の先端を上記断熱
材に埋め込み、この固定部によりヒータ線を上記支持体
および端子板とは別に断熱材に固定したことを特徴とし
ている。
管の周囲に配置される螺旋状のヒータ線と、このヒータ
線の周囲に設けられる円筒状の断熱材と、この断熱材の
内周に上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能に所定の
ピッチで支持する支持体と、上記ヒータ線を複数のゾー
ンに分けて制御するための端子板とを備えた熱処理装置
において、上記ヒータ線に各ゾーンの適宜ターン毎に固
定部を外向きに突設し、これら固定部の先端を上記断熱
材に埋め込み、この固定部によりヒータ線を上記支持体
および端子板とは別に断熱材に固定したことを特徴とし
ている。
【００１０】請求項４記載の熱処理装置は、請求項３に
おける上記支持体がヒータ線の内側に位置される基部に
ヒータ線の隣合うピッチ間を通って径方向外方へ延出す
る複数本の支持片を櫛歯状に一体形成し、これら支持片
の先端部を上記断熱材に埋設して取付けられており、こ
の支持体と重なる位置に上記ヒーター線の固定部が配置
されていることを特徴としている。
おける上記支持体がヒータ線の内側に位置される基部に
ヒータ線の隣合うピッチ間を通って径方向外方へ延出す
る複数本の支持片を櫛歯状に一体形成し、これら支持片
の先端部を上記断熱材に埋設して取付けられており、こ
の支持体と重なる位置に上記ヒーター線の固定部が配置
されていることを特徴としている。
【００１１】
【実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添付図面
に基づいて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装置に
適用した実施の形態を示す縦断面図、図２は同縦型熱処
理装置におけるヒータを下方から見た斜視図、図３はヒ
ータ線に設けられた固定部を示す斜視図、図４はヒータ
を部分的に示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図
である。
に基づいて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装置に
適用した実施の形態を示す縦断面図、図２は同縦型熱処
理装置におけるヒータを下方から見た斜視図、図３はヒ
ータ線に設けられた固定部を示す斜視図、図４はヒータ
を部分的に示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図
である。
【００１２】図１に一例として示した縦型熱処理装置
は、被処理体である半導体ウエハＷに減圧ＣＶＤによる
成膜処理を施すのに適するように構成されている。この
縦型熱処理装置は、熱処理炉の取付基板としての例えば
ステンレススチール製のベースプレート１を備えてい
る。このベースプレート１は、後述する反応管３を通す
ための開口を有している。
は、被処理体である半導体ウエハＷに減圧ＣＶＤによる
成膜処理を施すのに適するように構成されている。この
縦型熱処理装置は、熱処理炉の取付基板としての例えば
ステンレススチール製のベースプレート１を備えてい
る。このベースプレート１は、後述する反応管３を通す
ための開口を有している。
【００１３】上記ベースプレート１の下部には、耐熱性
金属例えばステンレススチール製の短い円筒状のマニホ
ールド２がベースプレート１の開口と軸心を一致させて
ボルト止めにより着脱可能に取付けられている。このマ
ニホールド２には、これより起立した状態で、処理室を
形成する耐熱性材料例えば石英製の円筒状の反応管（プ
ロセスチューブ）３が取付けられている。
金属例えばステンレススチール製の短い円筒状のマニホ
ールド２がベースプレート１の開口と軸心を一致させて
ボルト止めにより着脱可能に取付けられている。このマ
ニホールド２には、これより起立した状態で、処理室を
形成する耐熱性材料例えば石英製の円筒状の反応管（プ
ロセスチューブ）３が取付けられている。
【００１４】この反応管３は、内管４と外管５の二重管
構造になっていることが好ましい。反応管３を実質的に
形成する外管５は、上端が閉塞されており、下部開口端
が上記マニホールド２の上部開口端に気密に接続されて
いる。内管４は、上下両端部が開放されており、その下
部開口端がマニホールド２の内周に形成された段部に支
持されている。
構造になっていることが好ましい。反応管３を実質的に
形成する外管５は、上端が閉塞されており、下部開口端
が上記マニホールド２の上部開口端に気密に接続されて
いる。内管４は、上下両端部が開放されており、その下
部開口端がマニホールド２の内周に形成された段部に支
持されている。
【００１５】上記マニホールド２には、反応管３内に図
示しないガス供給源からの処理ガス等を導入するための
入口ポート６と、反応管３内を図示しない減圧手段によ
り例えば１０〜１０-8Ｔｏｒｒ程度に減圧排気するため
の出口ポート７が設けられている。上記入口ポート６
は、上記内管４の内側に処理ガス等を導入するようにな
っており、出口ポート７は、反応管３における内管４と
外管５の間に形成された環状通路を介して処理後の排ガ
スを排出するように設けられている。
示しないガス供給源からの処理ガス等を導入するための
入口ポート６と、反応管３内を図示しない減圧手段によ
り例えば１０〜１０-8Ｔｏｒｒ程度に減圧排気するため
の出口ポート７が設けられている。上記入口ポート６
は、上記内管４の内側に処理ガス等を導入するようにな
っており、出口ポート７は、反応管３における内管４と
外管５の間に形成された環状通路を介して処理後の排ガ
スを排出するように設けられている。
【００１６】上記反応管３の周囲には、反応管３内を高
温例えば８００〜１２００℃程度に加熱するヒータ８が
設けられている。このヒータ８は、反応管３の周囲を囲
むようにその高さ方向（鉛直方向）に沿って螺旋状に形
成された抵抗発熱体からなるヒータ線（エレメントとも
いう）９と、このヒータ線９の外側周囲を包囲するよう
に設けられた円筒状の断熱材１０とから主に構成されて
いる。上記ヒータ線９は、後述するように断熱材１０の
内側に支持体１１を介して熱膨張および熱収縮可能に支
持されている。上記断熱材１０の外側は、冷却ジャケッ
ト構造の図示しないアウターシェルで覆われている。な
お、上記ヒータ８は、上記ベースプレート１の上部に取
付けられている。
温例えば８００〜１２００℃程度に加熱するヒータ８が
設けられている。このヒータ８は、反応管３の周囲を囲
むようにその高さ方向（鉛直方向）に沿って螺旋状に形
成された抵抗発熱体からなるヒータ線（エレメントとも
いう）９と、このヒータ線９の外側周囲を包囲するよう
に設けられた円筒状の断熱材１０とから主に構成されて
いる。上記ヒータ線９は、後述するように断熱材１０の
内側に支持体１１を介して熱膨張および熱収縮可能に支
持されている。上記断熱材１０の外側は、冷却ジャケッ
ト構造の図示しないアウターシェルで覆われている。な
お、上記ヒータ８は、上記ベースプレート１の上部に取
付けられている。
【００１７】上記マニホールド２の下方には、その下部
開口端（炉口）を開閉する例えばステンレススチール製
の蓋体（キャップ）１２が昇降機構１３により昇降可能
に設けられている。この蓋体１２上には、多数枚例えば
１５０枚程度の半導体ウエハＷを水平状態で上下方向に
所定の間隔をおいて多段に保持するウエハボート１４が
保温筒１５を介して載置されている。上記昇降機構１３
によって、反応管３に対する上記ウエハボート１４の搬
入（ロード）、搬出（アンロード）および蓋体の開閉が
行なわれる。なお、蓋体１２には、保温筒１５を回転駆
動する回転機構１６等が設けられている。
開口端（炉口）を開閉する例えばステンレススチール製
の蓋体（キャップ）１２が昇降機構１３により昇降可能
に設けられている。この蓋体１２上には、多数枚例えば
１５０枚程度の半導体ウエハＷを水平状態で上下方向に
所定の間隔をおいて多段に保持するウエハボート１４が
保温筒１５を介して載置されている。上記昇降機構１３
によって、反応管３に対する上記ウエハボート１４の搬
入（ロード）、搬出（アンロード）および蓋体の開閉が
行なわれる。なお、蓋体１２には、保温筒１５を回転駆
動する回転機構１６等が設けられている。
【００１８】一方、上記ヒータ線９は、発熱抵抗線、例
えば鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）およびアルミニウム
（Ａｌ）の合金線であるカンタル線からなっている。こ
のヒータ線９の太さは、熱処理炉の仕様によっても異な
るが、例えば直径が３．５ｍｍ程度のものが用いられ
る。
えば鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）およびアルミニウム
（Ａｌ）の合金線であるカンタル線からなっている。こ
のヒータ線９の太さは、熱処理炉の仕様によっても異な
るが、例えば直径が３．５ｍｍ程度のものが用いられ
る。
【００１９】上記ヒータ線９は、図２に示すように、上
記断熱材１０の内壁面に沿って、断熱材と接触しない所
定の巻径および所定のピッチで螺旋状に形成されてい
る。この螺旋状のヒータ線９には、上記断熱材１０を貫
通して外部に延出された電極接続用の端子板１７が断熱
材１０の軸方向に適宜間隔で設けられており、熱処理炉
である反応管３内を上下方向に複数のゾーンに分けて温
度制御ができるように構成されている。この端子板１７
はヒータ線９と同じ材質からなり、溶断防止と放熱量の
抑制の観点から所要断面積の板状に形成されている。
記断熱材１０の内壁面に沿って、断熱材と接触しない所
定の巻径および所定のピッチで螺旋状に形成されてい
る。この螺旋状のヒータ線９には、上記断熱材１０を貫
通して外部に延出された電極接続用の端子板１７が断熱
材１０の軸方向に適宜間隔で設けられており、熱処理炉
である反応管３内を上下方向に複数のゾーンに分けて温
度制御ができるように構成されている。この端子板１７
はヒータ線９と同じ材質からなり、溶断防止と放熱量の
抑制の観点から所要断面積の板状に形成されている。
【００２０】上記ヒータ線９は、耐熱性および電気絶縁
性を有する材料例えばセラミックからなる支持体（セパ
レータともいう）１１を介して円筒状の上記断熱材の内
側に所定熱量が確保できる配列ピッチおよび断熱材１０
の内壁面から所定の隙間を隔てた状態で、熱膨張および
熱収縮可能に取付けられている。この支持体１１は、図
４（ａ）、（ｂ）にも示すように、ヒータ線９の内側に
位置される基部１８にヒータ線９の隣り合うピッチ間を
通って径方向外方へ延出する複数本の支持片１９を櫛歯
状に一体形成してなり、ヒータ線９を熱膨張および熱収
縮可能（螺旋の半径方向および周方向へ移動可能）に所
定のピッチで緩く支持するようになっている。
性を有する材料例えばセラミックからなる支持体（セパ
レータともいう）１１を介して円筒状の上記断熱材の内
側に所定熱量が確保できる配列ピッチおよび断熱材１０
の内壁面から所定の隙間を隔てた状態で、熱膨張および
熱収縮可能に取付けられている。この支持体１１は、図
４（ａ）、（ｂ）にも示すように、ヒータ線９の内側に
位置される基部１８にヒータ線９の隣り合うピッチ間を
通って径方向外方へ延出する複数本の支持片１９を櫛歯
状に一体形成してなり、ヒータ線９を熱膨張および熱収
縮可能（螺旋の半径方向および周方向へ移動可能）に所
定のピッチで緩く支持するようになっている。
【００２１】上記支持体１１は、支持片１９の先端部を
断熱材１０中に埋設することにより、断熱材１０の内側
に取付けられている。この場合、支持体１１が断熱材１
０から抜けないように取付強度の向上を図るために、支
持片１９の先端部には拡大部ないし突起部が形成されて
いることが好ましい。支持体１１は、支持片１９の先端
部を断熱材１０に埋設させた状態で断熱材１０の軸方向
に沿って直列に配置されると共に、周方向に所定の間隔
例えば３０度の間隔で配置されている。
断熱材１０中に埋設することにより、断熱材１０の内側
に取付けられている。この場合、支持体１１が断熱材１
０から抜けないように取付強度の向上を図るために、支
持片１９の先端部には拡大部ないし突起部が形成されて
いることが好ましい。支持体１１は、支持片１９の先端
部を断熱材１０に埋設させた状態で断熱材１０の軸方向
に沿って直列に配置されると共に、周方向に所定の間隔
例えば３０度の間隔で配置されている。
【００２２】鉛直方向に配置された螺旋状のヒータ線９
は、ゾーン毎に端子板１７を介して断熱材１０に固定さ
れていると共に、支持体１１を介して熱膨張および熱収
縮可能に支持されているため、この状態のままでは、ク
リープや熱膨張等による伸びを生じた場合、その伸びが
重力によって各ゾーンの下側へ累積する傾向がある。そ
こで、上記ヒータ線９のクリープや熱膨張等による伸び
の重力による各ゾーン下側への累積を防止するために、
上記ヒータ線９は、適宜ターン毎例えば１ターン毎また
は数ターン毎に固定手段としての固定部２１により上記
支持体１１および端子板１７とは別に上記断熱材１０に
固定されている。
は、ゾーン毎に端子板１７を介して断熱材１０に固定さ
れていると共に、支持体１１を介して熱膨張および熱収
縮可能に支持されているため、この状態のままでは、ク
リープや熱膨張等による伸びを生じた場合、その伸びが
重力によって各ゾーンの下側へ累積する傾向がある。そ
こで、上記ヒータ線９のクリープや熱膨張等による伸び
の重力による各ゾーン下側への累積を防止するために、
上記ヒータ線９は、適宜ターン毎例えば１ターン毎また
は数ターン毎に固定手段としての固定部２１により上記
支持体１１および端子板１７とは別に上記断熱材１０に
固定されている。
【００２３】上記固定部２１としては、例えばヒータ線
９と同じ材質の棒状材からなることが好ましい。この棒
状の固定部２１は、図３に示すようにヒータ線９の外周
部に溶接等で外向き、すなわち径方向外方に向って所定
の長さで突設されている。この固定部２１の先端部を上
記断熱材１０に埋め込むことによりヒータ線９が適宜タ
ーン毎に固定部２１を介して断熱材１０に固定されてい
る。従って、上記固定部２１は、ヒータ線９に一体的に
設けられた固定部材、あるいは固定脚部ということがで
きる。
９と同じ材質の棒状材からなることが好ましい。この棒
状の固定部２１は、図３に示すようにヒータ線９の外周
部に溶接等で外向き、すなわち径方向外方に向って所定
の長さで突設されている。この固定部２１の先端部を上
記断熱材１０に埋め込むことによりヒータ線９が適宜タ
ーン毎に固定部２１を介して断熱材１０に固定されてい
る。従って、上記固定部２１は、ヒータ線９に一体的に
設けられた固定部材、あるいは固定脚部ということがで
きる。
【００２４】上記固定部２１は、長過ぎるとヒータ線９
の熱を外部へ放熱する作用をする不具合があり、短過ぎ
ると断熱材１０に対する固定強度が低くなる不具合があ
るため、これらを勘案して、断熱材１０を貫通しないで
断熱材１０中に収まる所定の長さに設定されていること
が好ましい。また、固定部２１には、応力がかかるよう
になるため、これに耐え得る所定の太さないし断面積で
形成されていることが好ましい。更に、固定部１０が断
熱材１０から抜けないように固定強度の向上を図るため
に、固定部１０の先端部には拡大部ないし突起部が形成
されていてもよい。
の熱を外部へ放熱する作用をする不具合があり、短過ぎ
ると断熱材１０に対する固定強度が低くなる不具合があ
るため、これらを勘案して、断熱材１０を貫通しないで
断熱材１０中に収まる所定の長さに設定されていること
が好ましい。また、固定部２１には、応力がかかるよう
になるため、これに耐え得る所定の太さないし断面積で
形成されていることが好ましい。更に、固定部１０が断
熱材１０から抜けないように固定強度の向上を図るため
に、固定部１０の先端部には拡大部ないし突起部が形成
されていてもよい。
【００２５】上記固定部２１は、上記支持体１１と重な
る位置、すなわち支持体１１と同じ位置になるようにヒ
ータ線９に設けられていることが好ましい。これによ
り、ヒータ線９の固定部２１が支持体１１に隠れるた
め、見栄えがよくなり、外観の向上等が図れる。この場
合、上記ヒータ線９の固定部２１は、隣合う支持片１９
間の隙間を利用して支持片１９と同じ方向へ突出され、
先端部が断熱材１０に埋設ないし植設される。ヒータ線
９にゾーン毎に設けられた上記固定部２１は、円筒状の
断熱材１０の軸方向に整列されていてもよく、あるいは
周方向に一定間隔で規則正しく位置ずれさせて配設され
ていてもよく、あるいは周方向に不規則に位置ずれさせ
て配設されていてもよい。
る位置、すなわち支持体１１と同じ位置になるようにヒ
ータ線９に設けられていることが好ましい。これによ
り、ヒータ線９の固定部２１が支持体１１に隠れるた
め、見栄えがよくなり、外観の向上等が図れる。この場
合、上記ヒータ線９の固定部２１は、隣合う支持片１９
間の隙間を利用して支持片１９と同じ方向へ突出され、
先端部が断熱材１０に埋設ないし植設される。ヒータ線
９にゾーン毎に設けられた上記固定部２１は、円筒状の
断熱材１０の軸方向に整列されていてもよく、あるいは
周方向に一定間隔で規則正しく位置ずれさせて配設され
ていてもよく、あるいは周方向に不規則に位置ずれさせ
て配設されていてもよい。
【００２６】次に、上記ヒータ８の製造方法の一例につ
いて説明する。先ず、予め螺旋状に成型されると共に端
子板１７および固定部２１が設けられたヒータ線９と、
このヒータ線９を支持するための支持体１１と、この支
持体１１を支持するためのドラム状の治具とを準備す
る。この治具の外周に上記支持体１１を配置し、治具を
回転させながら上記ヒータ線９を支持体１１の支持片１
９間に通しつつ螺旋状に巻き付ける。
いて説明する。先ず、予め螺旋状に成型されると共に端
子板１７および固定部２１が設けられたヒータ線９と、
このヒータ線９を支持するための支持体１１と、この支
持体１１を支持するためのドラム状の治具とを準備す
る。この治具の外周に上記支持体１１を配置し、治具を
回転させながら上記ヒータ線９を支持体１１の支持片１
９間に通しつつ螺旋状に巻き付ける。
【００２７】次に、上記治具におけるヒータ線９の外側
に上記端子板１７および支持体１１の支持片１９を避け
た状態でメッシュ状のろ過材を配置し、この治具を断熱
材料をなす無機質繊維を含む懸濁液中に浸漬させ、治具
の内側から吸引することにより上記ろ過材上に断熱材料
を堆積させる。この場合、治具を回転させることによ
り、断熱材料の懸濁液を攪拌することができると共に、
ろ過材上に均一な厚さで断熱材料を堆積させることがで
きる。この工程で、所望の層厚の断熱材１０が形成さ
れ、支持体１１の支持片１９の先端部およびヒータ線９
の固定部２１の先端部が断熱材１０中に埋設される。
に上記端子板１７および支持体１１の支持片１９を避け
た状態でメッシュ状のろ過材を配置し、この治具を断熱
材料をなす無機質繊維を含む懸濁液中に浸漬させ、治具
の内側から吸引することにより上記ろ過材上に断熱材料
を堆積させる。この場合、治具を回転させることによ
り、断熱材料の懸濁液を攪拌することができると共に、
ろ過材上に均一な厚さで断熱材料を堆積させることがで
きる。この工程で、所望の層厚の断熱材１０が形成さ
れ、支持体１１の支持片１９の先端部およびヒータ線９
の固定部２１の先端部が断熱材１０中に埋設される。
【００２８】次に、上記治具を懸濁液中から引き上げ、
ろ過材上に堆積した断熱材料を自然或いは強制的に乾燥
させることにより、円筒状の断熱材１０を得る。乾燥
後、上記断熱材１０からろ過材および治具を除去し、断
熱材１０の表面処理等を行うことにより、円筒状の断熱
材１０の内壁面に支持体１１、端子板１７および固定部
２１を介してヒータ線９が支持された状態のヒータ８が
得られる。
ろ過材上に堆積した断熱材料を自然或いは強制的に乾燥
させることにより、円筒状の断熱材１０を得る。乾燥
後、上記断熱材１０からろ過材および治具を除去し、断
熱材１０の表面処理等を行うことにより、円筒状の断熱
材１０の内壁面に支持体１１、端子板１７および固定部
２１を介してヒータ線９が支持された状態のヒータ８が
得られる。
【００２９】以上のように構成された熱処理装置によれ
ば、ヒータ線９が適宜ターン毎に固定手段である固定部
２１により上記支持体１１および端子板１７とは別に上
記断熱材１０に固定されているため、ヒータ線９のクリ
ープや熱膨張等による伸びが一端側へ累積する現象を防
止することが可能となる。従って、ヒータ線９の一端側
の巻径が増大して断熱材１０の内周面と接触することが
なくなるため、ヒータ線９の座屈等の変形や破断が発生
することがなくなり、ヒータ線９の耐久性の向上が図れ
る。
ば、ヒータ線９が適宜ターン毎に固定手段である固定部
２１により上記支持体１１および端子板１７とは別に上
記断熱材１０に固定されているため、ヒータ線９のクリ
ープや熱膨張等による伸びが一端側へ累積する現象を防
止することが可能となる。従って、ヒータ線９の一端側
の巻径が増大して断熱材１０の内周面と接触することが
なくなるため、ヒータ線９の座屈等の変形や破断が発生
することがなくなり、ヒータ線９の耐久性の向上が図れ
る。
【００３０】また、上記固定部２１がヒータ線９に外向
きに突設されており、固定部２１の先端部が上記断熱材
１０中に埋め込まれているため、簡単な構造で容易にヒ
ータ線９を適宜ターン毎に固定部２１を介して断熱材１
０に固定することができる。特に、縦型熱処理装置の場
合、固定部２１によりヒータ線９が各ゾーンの適宜ター
ン毎に断熱材１０に固定されているため、ヒータ線９の
クリープや熱膨張等による伸びが重力により各ゾーンの
下側のターンに集中して累積する現象を防止することが
可能となり、ヒータ線９の耐久性の向上が図れる。
きに突設されており、固定部２１の先端部が上記断熱材
１０中に埋め込まれているため、簡単な構造で容易にヒ
ータ線９を適宜ターン毎に固定部２１を介して断熱材１
０に固定することができる。特に、縦型熱処理装置の場
合、固定部２１によりヒータ線９が各ゾーンの適宜ター
ン毎に断熱材１０に固定されているため、ヒータ線９の
クリープや熱膨張等による伸びが重力により各ゾーンの
下側のターンに集中して累積する現象を防止することが
可能となり、ヒータ線９の耐久性の向上が図れる。
【００３１】ヒータ線９のセパレータである支持体１１
がヒータ線９の内側に位置される基部１８にヒータ線９
の隣合うピッチ間を通って径方向外方へ延出する複数本
の支持片１９を櫛歯状に一体形成し、これら支持片１９
の先端部を上記断熱材１０に埋設して取付けられてお
り、この支持体１１と重なる位置に上記ヒーター線９の
固定部２１が配置されているため、ヒータ線９の固定部
２１が支持体１１に覆い隠される状態となり、見栄えが
よい。
がヒータ線９の内側に位置される基部１８にヒータ線９
の隣合うピッチ間を通って径方向外方へ延出する複数本
の支持片１９を櫛歯状に一体形成し、これら支持片１９
の先端部を上記断熱材１０に埋設して取付けられてお
り、この支持体１１と重なる位置に上記ヒーター線９の
固定部２１が配置されているため、ヒータ線９の固定部
２１が支持体１１に覆い隠される状態となり、見栄えが
よい。
【００３２】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、固定部２１としては、図５に示
すように板状のものであってもよく、その先端にヒータ
線９を位置決めするためのフランジ部２１ａが形成され
ていてもよい。請求項１におけるヒータ線を固定する固
定手段としては、支持体１１にヒータ線９を直接固定す
る構造であってもよい。また、請求項３におけるヒータ
線の固定部としては、支持体１１と重なる位置に配置さ
れていることが好ましいが、必ずしも支持体１１と重な
る位置に配置されていなくてもよい。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、固定部２１としては、図５に示
すように板状のものであってもよく、その先端にヒータ
線９を位置決めするためのフランジ部２１ａが形成され
ていてもよい。請求項１におけるヒータ線を固定する固
定手段としては、支持体１１にヒータ線９を直接固定す
る構造であってもよい。また、請求項３におけるヒータ
線の固定部としては、支持体１１と重なる位置に配置さ
れていることが好ましいが、必ずしも支持体１１と重な
る位置に配置されていなくてもよい。
【００３３】本発明が適用される熱処理装置としては、
減圧ＣＤＶ以外に、例えば酸化、拡散、アニール等の処
理に適するものであってもよい。また、熱処理装置とし
ては、横型のものであってもよい。被処理体としては、
少なくとも面状の被処理体であればよく、半導体ウエハ
Ｗ以外に、例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。
減圧ＣＤＶ以外に、例えば酸化、拡散、アニール等の処
理に適するものであってもよい。また、熱処理装置とし
ては、横型のものであってもよい。被処理体としては、
少なくとも面状の被処理体であればよく、半導体ウエハ
Ｗ以外に、例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【００３５】（１）請求項１記載の熱処理装置によれ
ば、反応管の周囲に配置される螺旋状のヒータ線と、こ
のヒータ線の周囲に設けられる円筒状の断熱材と、この
断熱材の内周に上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能
に所定のピッチで支持する支持体とを備えた熱処理装置
において、上記ヒータ線を適宜ターン毎に固定手段を介
して上記断熱材に固定しているため、ヒータ線のクリー
プや熱膨張等による伸びの一端側への累積を防止するこ
とができ、ヒータ線の耐久性の向上が図れる。
ば、反応管の周囲に配置される螺旋状のヒータ線と、こ
のヒータ線の周囲に設けられる円筒状の断熱材と、この
断熱材の内周に上記ヒータ線を熱膨張および熱収縮可能
に所定のピッチで支持する支持体とを備えた熱処理装置
において、上記ヒータ線を適宜ターン毎に固定手段を介
して上記断熱材に固定しているため、ヒータ線のクリー
プや熱膨張等による伸びの一端側への累積を防止するこ
とができ、ヒータ線の耐久性の向上が図れる。
【００３６】（２）請求項２記載の熱処理装置によれ
ば、上記固定手段がヒータ線に外向きに突設されて上記
断熱材に埋め込まれる固定部からなるため、簡単な構造
で容易にヒータ線を断熱材に固定することができる。
ば、上記固定手段がヒータ線に外向きに突設されて上記
断熱材に埋め込まれる固定部からなるため、簡単な構造
で容易にヒータ線を断熱材に固定することができる。
【００３７】（３）請求項３記載の熱処理装置によれ
ば、縦型の反応管の周囲に配置される螺旋状のヒータ線
と、このヒータ線の周囲に設けられる円筒状の断熱材
と、この断熱材の内周に上記ヒータ線を熱膨張および熱
収縮可能に所定のピッチで支持する支持体と、上記ヒー
タ線を複数のゾーンに分けて制御するための端子板とを
備えた熱処理装置において、上記ヒータ線に各ゾーンの
適宜ターン毎に固定部を外向きに突設し、これら固定部
の先端を上記断熱材に埋め込み、この固定部によりヒー
タ線を上記支持体および端子板とは別に断熱材に固定し
ているため、ヒーター線のクリープや熱膨張等による伸
びを固定部毎に止められ、重力により各ゾーンの下側の
ターンに集中して累積する現象を防止することができ、
ヒータ線の耐久性の向上が図れる。
ば、縦型の反応管の周囲に配置される螺旋状のヒータ線
と、このヒータ線の周囲に設けられる円筒状の断熱材
と、この断熱材の内周に上記ヒータ線を熱膨張および熱
収縮可能に所定のピッチで支持する支持体と、上記ヒー
タ線を複数のゾーンに分けて制御するための端子板とを
備えた熱処理装置において、上記ヒータ線に各ゾーンの
適宜ターン毎に固定部を外向きに突設し、これら固定部
の先端を上記断熱材に埋め込み、この固定部によりヒー
タ線を上記支持体および端子板とは別に断熱材に固定し
ているため、ヒーター線のクリープや熱膨張等による伸
びを固定部毎に止められ、重力により各ゾーンの下側の
ターンに集中して累積する現象を防止することができ、
ヒータ線の耐久性の向上が図れる。
【００３８】（４）請求項４記載の熱処理装置によれ
ば、上記支持体がヒータ線の内側に位置される基部にヒ
ータ線の隣合うピッチ間を通って径方向外方へ延出する
複数本の支持片を櫛歯状に一体形成し、これら支持片の
先端部を上記断熱材に埋設して取付けられており、この
支持体と重なる位置に上記ヒーター線の固定部が配置さ
れているため、ヒータ線の固定部が支持体により隠れ、
見栄えがよい。
ば、上記支持体がヒータ線の内側に位置される基部にヒ
ータ線の隣合うピッチ間を通って径方向外方へ延出する
複数本の支持片を櫛歯状に一体形成し、これら支持片の
先端部を上記断熱材に埋設して取付けられており、この
支持体と重なる位置に上記ヒーター線の固定部が配置さ
れているため、ヒータ線の固定部が支持体により隠れ、
見栄えがよい。
【図１】本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図２】同縦型熱処理装置におけるヒータの内部を下方
から見た斜視図である。
から見た斜視図である。
【図３】ヒータ線に設けられた固定部を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】ヒータを部分的に示す図で、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態を示す要部断面図であ
る。
る。
３ 反応管 ９ ヒータ線 １０ 断熱材 １１ 支持体 １７ 端子板 １８ 支持体の基部 １９ 支持体の支持片 ２１ 固定部（固定手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長内 長栄 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内
Claims (4)
- 【請求項１】 反応管の周囲に配置される螺旋状のヒー
タ線と、このヒータ線の周囲に設けられる円筒状の断熱
材と、この断熱材の内周に上記ヒータ線を熱膨張および
熱収縮可能に所定のピッチで支持する支持体とを備えた
熱処理装置において、上記ヒータ線を適宜ターン毎に固
定手段を介して上記断熱材に固定したことを特徴とする
熱処理装置。 - 【請求項２】 上記固定手段がヒータ線に外向きに突設
されて上記断熱材に埋め込まれる固定部からなることを
特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 縦型の反応管の周囲に配置される螺旋状
のヒータ線と、このヒータ線の周囲に設けられる円筒状
の断熱材と、この断熱材の内周に上記ヒータ線を熱膨張
および熱収縮可能に所定のピッチで支持する支持体と、
上記ヒータ線を複数のゾーンに分けて制御するための端
子板とを備えた熱処理装置において、上記ヒータ線に各
ゾーンの適宜ターン毎に固定部を外向きに突設し、これ
ら固定部の先端を上記断熱材に埋め込み、この固定部に
よりヒータ線を上記支持体および端子板とは別に断熱材
に固定したことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項４】 上記支持体がヒータ線の内側に位置され
る基部にヒータ線の隣合うピッチ間を通って径方向外方
へ延出する複数本の支持片を櫛歯状に一体形成し、これ
ら支持片の先端部を上記断熱材に埋設して取付けられて
おり、この支持体と重なる位置に上記ヒーター線の固定
部が配置されていることを特徴とする請求項３記載の熱
処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049774A JPH10233277A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 熱処理装置 |
| US09/023,769 US6008477A (en) | 1997-02-18 | 1998-02-13 | Heat treatment apparatus |
| TW087102164A TW363214B (en) | 1997-02-18 | 1998-02-17 | Heat treatment apparatus |
| KR10-1998-0004791A KR100483457B1 (ko) | 1997-02-18 | 1998-02-17 | 열처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049774A JPH10233277A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233277A true JPH10233277A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12840529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9049774A Pending JPH10233277A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 熱処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6008477A (ja) |
| JP (1) | JPH10233277A (ja) |
| KR (1) | KR100483457B1 (ja) |
| TW (1) | TW363214B (ja) |
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| US7974525B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-07-05 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus |
| US8023806B2 (en) | 2007-03-20 | 2011-09-20 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus |
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| TWI392843B (zh) * | 2007-03-20 | 2013-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱處理爐及直立式熱處理裝置 |
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| FR2902082B1 (fr) * | 2006-06-12 | 2009-10-30 | Alcatel Sa | Systeme de deploiement d'appendices spatiaux et appendice spatial comportant un tel systeme |
| SE530968C2 (sv) * | 2007-03-05 | 2008-11-04 | Sandvik Intellectual Property | Insats och värmeelement för elektriska ugnar |
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| RU2761867C1 (ru) * | 2021-07-01 | 2021-12-13 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" | Устройство для термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных плёнок |
| CN115410956B (zh) * | 2022-07-09 | 2024-03-01 | 江苏先锋精密科技股份有限公司 | 一种除气预热腔用晶圆预热装置及其制造方法 |
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| JP2764729B2 (ja) * | 1988-12-06 | 1998-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH0410199A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Sanwa Shutter Corp | 無断駐車警報装置 |
| US5324920A (en) * | 1990-10-18 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Sagami Limited | Heat treatment apparatus |
| JPH079036Y2 (ja) * | 1990-11-13 | 1995-03-06 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 縦型熱処理炉 |
| JPH0632269A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-08 | Suzuki Motor Corp | 自動２・３輪車のサイドカバー取付構造 |
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-
1997
- 1997-02-18 JP JP9049774A patent/JPH10233277A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-13 US US09/023,769 patent/US6008477A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-17 TW TW087102164A patent/TW363214B/zh active
- 1998-02-17 KR KR10-1998-0004791A patent/KR100483457B1/ko not_active IP Right Cessation
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| US8023806B2 (en) | 2007-03-20 | 2011-09-20 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus |
| TWI392843B (zh) * | 2007-03-20 | 2013-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱處理爐及直立式熱處理裝置 |
| US8134100B2 (en) | 2007-06-01 | 2012-03-13 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and method of manufacturing the same |
| JP2009180462A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉 |
| US8476560B2 (en) | 2008-01-31 | 2013-07-02 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing furnace |
| JP2010014117A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Siemens Ag | 避雷器を備えた風車羽根及び風車羽根の表面を保護するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6008477A (en) | 1999-12-28 |
| KR100483457B1 (ko) | 2005-08-29 |
| TW363214B (en) | 1999-07-01 |
| KR19980071421A (ko) | 1998-10-26 |
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