JPH05238882A - 気相成長用サセプタ - Google Patents
気相成長用サセプタInfo
- Publication number
- JPH05238882A JPH05238882A JP7861992A JP7861992A JPH05238882A JP H05238882 A JPH05238882 A JP H05238882A JP 7861992 A JP7861992 A JP 7861992A JP 7861992 A JP7861992 A JP 7861992A JP H05238882 A JPH05238882 A JP H05238882A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- wafer
- counterbore
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スリップの発生をより確実に押え、気相成長
プロセスの自由度を高める。 【構成】 ザグリ１にリング状の突起部２を同心状に設
け、この突起部２によりウェーハＷを支持する。突起部
２はウェーハＷの表面がサセプタ１０の表面にほぼ一致
する高さに形成されている。ザグリ１の底面３は気相成
長中においてもウェーハＷの底面が接触しない深さに形
成されている。これによりウェーハＷはより少ない接触
面積で安定的に支持され、スリップの発生がより確実に
押えられる。
プロセスの自由度を高める。 【構成】 ザグリ１にリング状の突起部２を同心状に設
け、この突起部２によりウェーハＷを支持する。突起部
２はウェーハＷの表面がサセプタ１０の表面にほぼ一致
する高さに形成されている。ザグリ１の底面３は気相成
長中においてもウェーハＷの底面が接触しない深さに形
成されている。これによりウェーハＷはより少ない接触
面積で安定的に支持され、スリップの発生がより確実に
押えられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造など
に用いられる気相成長用サセプタに係り、特にスリップ
の発生を押えるためのザグリ形状に関する。
に用いられる気相成長用サセプタに係り、特にスリップ
の発生を押えるためのザグリ形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面をＳｉＣコートしたカーボン
製のサセプタを高周波誘導加熱等により加熱してこのサ
セプタ上に載置されているウェーハを加熱する縦型気相
成長装置においては、ウェーハをより均一に加熱してス
リップの発生を押えるために、ウェーハ載置用のザグリ
形状につき、種々の提案がなされている。
製のサセプタを高周波誘導加熱等により加熱してこのサ
セプタ上に載置されているウェーハを加熱する縦型気相
成長装置においては、ウェーハをより均一に加熱してス
リップの発生を押えるために、ウェーハ載置用のザグリ
形状につき、種々の提案がなされている。
【０００３】図３（Ａ）及び図４（Ａ）は、従来のザグ
リ形状の代表例を示している。図３（Ａ）は、サセプタ
１０の表面に、底面１２が凹球面のザグリ１１を設けた
ものであり、図４（Ａ）は、同じくサセプタ１０の表面
に、段付のザグリ２１を設けたものである。これらのザ
グリ１１，２１は、いずれもウェーハＷの外周部のみを
サセプタ１０に接触させ、ウェーハのほぼ全体をサセプ
タ１０からの輻射熱によるいわゆる間接加熱によって加
熱するものである。
リ形状の代表例を示している。図３（Ａ）は、サセプタ
１０の表面に、底面１２が凹球面のザグリ１１を設けた
ものであり、図４（Ａ）は、同じくサセプタ１０の表面
に、段付のザグリ２１を設けたものである。これらのザ
グリ１１，２１は、いずれもウェーハＷの外周部のみを
サセプタ１０に接触させ、ウェーハのほぼ全体をサセプ
タ１０からの輻射熱によるいわゆる間接加熱によって加
熱するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３（Ａ）及び図４
（Ａ）のザグリ１１，２１は、底面が単に平面であるザ
グリに比較すると、スリップの発生を大幅に低減させる
効果を有するが、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すよう
なスリップＳを生じる。図３（Ａ）及び図４（Ａ）のザ
グリ１１，２１による気相成長については、実験の条件
等を参考例として後述するが、図３（Ａ）のザグリ１１
の場合は、加熱に伴うウェーハＷの変形により、部分的
にウェーハＷの中心近くまでウェーハＷの裏面がザグリ
１１の底面１２に接触してしまうために、図３（Ｂ）に
示すように、数は少ないが長いスリップＳを生じ、ま
た、図４（Ａ）のザグリ２１の場合はウェーハＷの外周
部の所定幅が段差部２２に接触するため、図４（Ｂ）に
示すように、外周部に長さは短かいが多数のスリップＳ
を生じてしまう。
（Ａ）のザグリ１１，２１は、底面が単に平面であるザ
グリに比較すると、スリップの発生を大幅に低減させる
効果を有するが、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すよう
なスリップＳを生じる。図３（Ａ）及び図４（Ａ）のザ
グリ１１，２１による気相成長については、実験の条件
等を参考例として後述するが、図３（Ａ）のザグリ１１
の場合は、加熱に伴うウェーハＷの変形により、部分的
にウェーハＷの中心近くまでウェーハＷの裏面がザグリ
１１の底面１２に接触してしまうために、図３（Ｂ）に
示すように、数は少ないが長いスリップＳを生じ、ま
た、図４（Ａ）のザグリ２１の場合はウェーハＷの外周
部の所定幅が段差部２２に接触するため、図４（Ｂ）に
示すように、外周部に長さは短かいが多数のスリップＳ
を生じてしまう。
【０００５】図３（Ａ）及び図４（Ａ）のザグリ１１，
２１においてスリップの発生をより少く押えるために
は、上記のようなウェーハＷとサセプタ１０との接触面
積を極力小さく押えればよいが、ウェーハＷの安定支持
等の他の理由により接触面積の低減には限界がある。
２１においてスリップの発生をより少く押えるために
は、上記のようなウェーハＷとサセプタ１０との接触面
積を極力小さく押えればよいが、ウェーハＷの安定支持
等の他の理由により接触面積の低減には限界がある。
【０００６】そこで、従来は、サセプタ形状の工夫と共
に昇温速度、降温速度を遅くしたり、気相成長温度が低
くスリップを発生し難い材料ガスを用いたりするなどの
気相成長プロセス面からの配慮を加えてスリップの発生
を押えていた。
に昇温速度、降温速度を遅くしたり、気相成長温度が低
くスリップを発生し難い材料ガスを用いたりするなどの
気相成長プロセス面からの配慮を加えてスリップの発生
を押えていた。
【０００７】本発明は、スリップの発生をより確実に押
えることができ、気相成長プロセスの自由度を拡大し得
る気相成長用サセプタを提供することを目的としてい
る。
えることができ、気相成長プロセスの自由度を拡大し得
る気相成長用サセプタを提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、気相成長用サセプタにおいて、サセプタの
表面に設けられたウェーハ載置用のザグリと、このザグ
リ内に同心状に設けられたリング状の突起部とを有し、
突起部はこの上に載置されたウェーハ表面がサセプタの
表面とほぼ一致する高さに形成され、ザグリの底面は突
起部に載置されたウェーハの裏面が気相成長中において
も接触しない深さに形成されているものである。
の本発明は、気相成長用サセプタにおいて、サセプタの
表面に設けられたウェーハ載置用のザグリと、このザグ
リ内に同心状に設けられたリング状の突起部とを有し、
突起部はこの上に載置されたウェーハ表面がサセプタの
表面とほぼ一致する高さに形成され、ザグリの底面は突
起部に載置されたウェーハの裏面が気相成長中において
も接触しない深さに形成されているものである。
【０００９】
【作用】ウェーハはリング状の突起部により外周部より
所定寸法内方の個所を支持される。この支持構造によれ
ば、突起部の頂部の幅を狭くしてもウェーハをきわめて
安定して支持することができると共に、ウェーハが変形
しても接触面積の増加を生じない。そこで、ウェーハ
は、サセプタとの接触による局部加熱を極めてわずかに
押えられ、輻射加熱によって全体がより均一に加熱さ
れ、スリップの発生がほぼ完全に押えられる。
所定寸法内方の個所を支持される。この支持構造によれ
ば、突起部の頂部の幅を狭くしてもウェーハをきわめて
安定して支持することができると共に、ウェーハが変形
しても接触面積の増加を生じない。そこで、ウェーハ
は、サセプタとの接触による局部加熱を極めてわずかに
押えられ、輻射加熱によって全体がより均一に加熱さ
れ、スリップの発生がほぼ完全に押えられる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例につき図１及び図２を参
照して説明する。図１（ａ），図１（ｂ）は本発明によ
るサセプタ１０の一部を示す断面図と平面図であり、サ
セプタ１０の表面にザグリ１が形成されている。ザグリ
１内にはリング状の突起部２が同心状に設けられてい
る。
照して説明する。図１（ａ），図１（ｂ）は本発明によ
るサセプタ１０の一部を示す断面図と平面図であり、サ
セプタ１０の表面にザグリ１が形成されている。ザグリ
１内にはリング状の突起部２が同心状に設けられてい
る。
【００１１】突起部２は、その上に載置されたウェーハ
Ｗの表面（図１において上面）がサセプタ１０の表面と
ほぼ一致する高さとなるように形成されている。突起部
２の幅、特に頂部の幅は、例えば０．５mmのように、で
きるだけ狭い方が好ましい。また、突起部２はザグリ１
の周壁から直径比に対して２〜２０％程度内方に位置す
る直径に形成されている。
Ｗの表面（図１において上面）がサセプタ１０の表面と
ほぼ一致する高さとなるように形成されている。突起部
２の幅、特に頂部の幅は、例えば０．５mmのように、で
きるだけ狭い方が好ましい。また、突起部２はザグリ１
の周壁から直径比に対して２〜２０％程度内方に位置す
る直径に形成されている。
【００１２】ザグリ１の底面３は、突起部２上に載置さ
れたウェーハＷが昇温等を含む気相成長中において変形
してもその裏面が接触しない深さに形成されている。な
お、突起部２の頂部から底面３までの寸法は、５インチ
ウェーハ用の場合には０．０８mm、６インチウェーハ用
の場合には０．１mmないしそれらより若干大きな寸法に
定めることが好ましい。
れたウェーハＷが昇温等を含む気相成長中において変形
してもその裏面が接触しない深さに形成されている。な
お、突起部２の頂部から底面３までの寸法は、５インチ
ウェーハ用の場合には０．０８mm、６インチウェーハ用
の場合には０．１mmないしそれらより若干大きな寸法に
定めることが好ましい。
【００１３】次いで本発明によるサセプタの作用につ
き、従来のサセプタと比較した実験を参照して説明す
る。実験に用いたウェーハＷは、いずれも結晶方位〈１
００〉の５インチ・シリコンウェーハであった。
き、従来のサセプタと比較した実験を参照して説明す
る。実験に用いたウェーハＷは、いずれも結晶方位〈１
００〉の５インチ・シリコンウェーハであった。
【００１４】図１に示すザグリ１の各部の寸法は次のと
おりである。 １．ザグリ１の直径：ウェーハ外径＋２mm ２．突起部２の直径：ザグリ直径×９５％ ３．サセプタ１０の表面と突起部２の頂部との高さの
差：ウェーハ厚さ ４．突起部２の頂部と底面３との高さの差：０．０８mm
おりである。 １．ザグリ１の直径：ウェーハ外径＋２mm ２．突起部２の直径：ザグリ直径×９５％ ３．サセプタ１０の表面と突起部２の頂部との高さの
差：ウェーハ厚さ ４．突起部２の頂部と底面３との高さの差：０．０８mm
【００１５】参考例として用いた従来のサセプタは、図
３（Ａ）及び図４（Ａ）に示したザグリ１１，２１を有
するものであり、ザグリ直径は両者とも上記ザグリ１と
同じであり、ウェーハＷの表面とサセプタ１０の表面が
ほぼ一致するように形成した。なお、図３（Ａ）のザグ
リ底面１２の球面はウェーハＷの裏面とのすき間がザグ
リ１１の中央部で０．０８mmとなるように定め、図４
（Ａ）のザグリ２１は中央の２段目のザグリの直径をウ
ェーハ直径より４mm小さくし、かつその深さを０．０８
mmとした。
３（Ａ）及び図４（Ａ）に示したザグリ１１，２１を有
するものであり、ザグリ直径は両者とも上記ザグリ１と
同じであり、ウェーハＷの表面とサセプタ１０の表面が
ほぼ一致するように形成した。なお、図３（Ａ）のザグ
リ底面１２の球面はウェーハＷの裏面とのすき間がザグ
リ１１の中央部で０．０８mmとなるように定め、図４
（Ａ）のザグリ２１は中央の２段目のザグリの直径をウ
ェーハ直径より４mm小さくし、かつその深さを０．０８
mmとした。
【００１６】また、気相成長条件は、次のとおりであっ
た。 １．気相成長用材料ガス：ＳｉＨＣｌ3 ２．成長温度：１１３０℃ ３．成長速度：１．５μm ／min ４．成長膜厚：１００μm
た。 １．気相成長用材料ガス：ＳｉＨＣｌ3 ２．成長温度：１１３０℃ ３．成長速度：１．５μm ／min ４．成長膜厚：１００μm
【００１７】上記の条件により気相成長を行った結果、
図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示したザグリ１１，２１の
サセプタ１０を用いた場合は、前述したように図３
（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示したようなスリップＳを発生
したのに対し、本発明による図１のザグリ１としたサセ
プタ１０を用いた場合は、図２に示すように、極めてわ
ずかなスリップＳを生じたのみである。
図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示したザグリ１１，２１の
サセプタ１０を用いた場合は、前述したように図３
（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示したようなスリップＳを発生
したのに対し、本発明による図１のザグリ１としたサセ
プタ１０を用いた場合は、図２に示すように、極めてわ
ずかなスリップＳを生じたのみである。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、スリ
ップの発生をより確実に押えることができ、これにより
昇温速度及び降温速度を高めて成長サイクルタイムの短
縮を図ることができると共に、従来、スリップに対して
使用が困難であった材料ガスが容易に使用可能となる等
の効果が得られる。
ップの発生をより確実に押えることができ、これにより
昇温速度及び降温速度を高めて成長サイクルタイムの短
縮を図ることができると共に、従来、スリップに対して
使用が困難であった材料ガスが容易に使用可能となる等
の効果が得られる。
【図１】本発明による気相成長用サセプタのザグリ形状
を示す断面図及び平面図である。
を示す断面図及び平面図である。
【図２】図１に示した気相成長用サセプタを用いた場合
のスリップ発生状況を示す図である。
のスリップ発生状況を示す図である。
【図３】従来の気相成長用サセプタのザグリの断面とこ
れを用いた場合のスリップ発生状況を示す図である。
れを用いた場合のスリップ発生状況を示す図である。
【図４】従来の他の気相成長用サセプタのザグリの断面
とこれを用いた場合のスリップ発生状況を示す図であ
る。
とこれを用いた場合のスリップ発生状況を示す図であ
る。
１，１１，２１ ザグリ ２ 突起部 ３，１２ 底面 １０ サセプタ ２２ 段差部 Ｓ スリップ Ｗ ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 気相成長用サセプタにおいて、サセプタ
の表面に設けられたウェーハ載置用のザグリと、同ザグ
リ内に同心状に設けられたリング状の突起部とを有し、
前記突起部はこの上に載置されたウェーハ表面が前記サ
セプタの表面とほぼ一致する高さに形成され、前記ザグ
リの底面は前記突起部に載置されたウェーハの裏面が気
相成長中においても接触しない深さに形成されているこ
とを特徴とする気相成長用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7861992A JPH05238882A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気相成長用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7861992A JPH05238882A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気相成長用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238882A true JPH05238882A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=13666910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7861992A Pending JPH05238882A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 気相成長用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05238882A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097872A1 (fr) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production d'une tranche de semi-conducteur et suscepteur utilise a cet effet |
| KR100527672B1 (ko) * | 2003-07-25 | 2005-11-28 | 삼성전자주식회사 | 서셉터 및 이를 포함하는 증착 장치 |
| JP2010147080A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US8216920B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-07-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon epitaxial wafer and manufacturing method thereof |
| WO2014051874A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Applied Materials, Inc. | Improved edge ring lip |
| KR20150039927A (ko) * | 2013-10-04 | 2015-04-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 서셉터 |
| JP2015095599A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | シャープ株式会社 | 化合物半導体薄膜成長装置 |
| WO2015179081A1 (en) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal processing susceptor |
| CN106206400A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有改进的热特性的晶圆基座 |
| KR20180045807A (ko) * | 2016-10-25 | 2018-05-04 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치, 환형 홀더 및 기상 성장 방법 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7861992A patent/JPH05238882A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097872A1 (fr) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production d'une tranche de semi-conducteur et suscepteur utilise a cet effet |
| US6890383B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-05-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafer and susceptor used therefor |
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| US8865602B2 (en) | 2012-09-28 | 2014-10-21 | Applied Materials, Inc. | Edge ring lip |
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| JP2015095599A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | シャープ株式会社 | 化合物半導体薄膜成長装置 |
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| US11848226B2 (en) | 2014-05-21 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal processing susceptor |
| CN106206400A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有改进的热特性的晶圆基座 |
| US10435811B2 (en) | 2014-08-28 | 2019-10-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
| US11773506B2 (en) | 2014-08-28 | 2023-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
| KR20180045807A (ko) * | 2016-10-25 | 2018-05-04 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치, 환형 홀더 및 기상 성장 방법 |
| JP2018073886A (ja) * | 2016-10-25 | 2018-05-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置、環状ホルダ、及び、気相成長方法 |
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