JPS6242416A - 半導体基板加熱用サセプタ - Google Patents
半導体基板加熱用サセプタInfo
- Publication number
- JPS6242416A JPS6242416A JP18155385A JP18155385A JPS6242416A JP S6242416 A JPS6242416 A JP S6242416A JP 18155385 A JP18155385 A JP 18155385A JP 18155385 A JP18155385 A JP 18155385A JP S6242416 A JPS6242416 A JP S6242416A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- semiconductor substrate
- heating
- hollow part
- temperature distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体基板加熱用サセプタ、特に半導体基板上
に被膜を形成させるための気相成長装置等に用いる加熱
用サセプタに関する。
に被膜を形成させるための気相成長装置等に用いる加熱
用サセプタに関する。
半導体装置の製造工程において、半導体基板の高温処理
はよく行なわれる工程である。特に半導体基板上に被膜
を形成させるための気相成長工程では、基板を１０００
℃以上の高温に加熱づる必要がある。一般にこれらの高
温処理装置では半導体基板を支持し、加熱するためにサ
セプタが用いｄれる。第３図（ａ＞に従来の一般的なサ
セプタの断面図を示す。サセプタ１′の上面には半導体
基板２を載置するための凹部が設けられており、１ｊセ
ブタ１′と半導体基板２とは、この凹部で面接触をする
。第４図（ａ）は従来の別なすはブタの断面図である。
はよく行なわれる工程である。特に半導体基板上に被膜
を形成させるための気相成長工程では、基板を１０００
℃以上の高温に加熱づる必要がある。一般にこれらの高
温処理装置では半導体基板を支持し、加熱するためにサ
セプタが用いｄれる。第３図（ａ＞に従来の一般的なサ
セプタの断面図を示す。サセプタ１′の上面には半導体
基板２を載置するための凹部が設けられており、１ｊセ
ブタ１′と半導体基板２とは、この凹部で面接触をする
。第４図（ａ）は従来の別なすはブタの断面図である。
このサセプタ１″に設けられた四部は球面状をしており
、半導体基板２の周縁部においてのみ線接触を行う。
、半導体基板２の周縁部においてのみ線接触を行う。
しかしながら、このような従来のサセプタを用いて加熱
を行った場合には、半導体基板２の湿度分布が一様にな
らないという欠点がある。これは一般に半導体基板２の
中央部は周辺部に比べて温度上昇が遅くなるためである
。従って第３図（ａ）に示すような形状のサセプタ１′
を用いた場合、半導体基板２の加熱は主にサセプタ１′
からの熱伝導により、その温度分布は第３図（ｂ）に示
すように中央部が低くなる。しかも半導体基板２には実
際にはそりがあり、一様な面接触が得られないため、実
・際の温度分布は第３図（ｂ）に示すグラフより更に変
動が激しく不均一なものとなる。
を行った場合には、半導体基板２の湿度分布が一様にな
らないという欠点がある。これは一般に半導体基板２の
中央部は周辺部に比べて温度上昇が遅くなるためである
。従って第３図（ａ）に示すような形状のサセプタ１′
を用いた場合、半導体基板２の加熱は主にサセプタ１′
からの熱伝導により、その温度分布は第３図（ｂ）に示
すように中央部が低くなる。しかも半導体基板２には実
際にはそりがあり、一様な面接触が得られないため、実
・際の温度分布は第３図（ｂ）に示すグラフより更に変
動が激しく不均一なものとなる。
第４図（ａ）に示すような形状のサセプタ１“を用いた
場合は、周辺部における一様な線接触が得られ、基板の
加熱は主にサセプタ１″からの放射によるため、ある程
度均一な温度分布が得られるが、周辺部からも熱が伝導
するため、半導体基板２の温度分布は第４図（ｂ）に示
すように周辺部が更に高くなる。
場合は、周辺部における一様な線接触が得られ、基板の
加熱は主にサセプタ１″からの放射によるため、ある程
度均一な温度分布が得られるが、周辺部からも熱が伝導
するため、半導体基板２の温度分布は第４図（ｂ）に示
すように周辺部が更に高くなる。
このように加熱中に半導体基板内の湿度分布が一様でな
くなると、温度差に基づく熱応力が生じ、半導体基板を
構成する結晶に欠陥が発生し、更にはこれがスリップに
発展し、半導体素子の特性に著しい悪形費を与えること
になる。結果的に、製造された半導体装置の歩留り、信
頼性を低下さけることになり、大きな問題を生じる。
くなると、温度差に基づく熱応力が生じ、半導体基板を
構成する結晶に欠陥が発生し、更にはこれがスリップに
発展し、半導体素子の特性に著しい悪形費を与えること
になる。結果的に、製造された半導体装置の歩留り、信
頼性を低下さけることになり、大きな問題を生じる。
〔発明の目的）
そこで本発明は半導体基板を一様に加熱することができ
、製造される半導体装置の歩げずつ、信頼性を向上させ
ることができる半導体基板加熱用サセプタを提供するこ
とを目的とする。
、製造される半導体装置の歩げずつ、信頼性を向上させ
ることができる半導体基板加熱用サセプタを提供するこ
とを目的とする。
本発明の特徴は、半導体基板を高温処理する装置に用い
る加熱用サセプタにＪ３いて、半導体基板の周辺部と接
触する領域に中空部を設け、半導体基板が一様に加熱さ
れるようにし、製造される半導体装置の歩留り、信頼性
を向上させることができるようにした点にある。
る加熱用サセプタにＪ３いて、半導体基板の周辺部と接
触する領域に中空部を設け、半導体基板が一様に加熱さ
れるようにし、製造される半導体装置の歩留り、信頼性
を向上させることができるようにした点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第２
図（ａ）は本発明に係るサセプタの一実施例の断面図で
ある。サセプタ１の上に半導体基板２が載せられている
。サセプタ１はほぼ円盤状の形をしており、その内部に
円環状の中空部３が設けられている。中空部３はり〜セ
ブタ１の半導体基板２の周辺部と接触する部分の直下に
形成されていることになる。前述のように従来のサセプ
タでは、中心部より周辺部の温度が高くなる傾向があっ
たが、本発明に係るサセプタ１では、周辺部への熱伝導
は中空部３の存在により阻まれ、温度分布が一様化する
。中空部３の形状、位置を最適なものにすれば、理想的
には第２図（ｂ）に示すように完全に一様な温度分布を
得ることができる。
図（ａ）は本発明に係るサセプタの一実施例の断面図で
ある。サセプタ１の上に半導体基板２が載せられている
。サセプタ１はほぼ円盤状の形をしており、その内部に
円環状の中空部３が設けられている。中空部３はり〜セ
ブタ１の半導体基板２の周辺部と接触する部分の直下に
形成されていることになる。前述のように従来のサセプ
タでは、中心部より周辺部の温度が高くなる傾向があっ
たが、本発明に係るサセプタ１では、周辺部への熱伝導
は中空部３の存在により阻まれ、温度分布が一様化する
。中空部３の形状、位置を最適なものにすれば、理想的
には第２図（ｂ）に示すように完全に一様な温度分布を
得ることができる。
第１図は、本発明に係るサセプタの比較的実施が容易な
実施例の断面図を示す。サセプタ本体４は円盤状をして
おり、その上面中央部には円柱状の溝が掘られている。
実施例の断面図を示す。サセプタ本体４は円盤状をして
おり、その上面中央部には円柱状の溝が掘られている。
この溝の大きさは、本実施例の場合直径１０５＃、深さ
２０．ｓ程度である。
２０．ｓ程度である。
この溝の中に台座５が置かれている。台座５は段差をも
った円柱状をしており、上段の直径は溝の直径と等しく
１０５Ｉ！ＩＩｉで、その上に直径１００ｍの半導体基
板２が載せられている。下段の直径は溝の直径より小さ
くなっており、溝の外壁との間に円環状の中空部３が形
成される。サセプタ本体４と台座５とはどもに烏純度グ
ラフフィト上にＳｉＣを被覆したものを用いた。
った円柱状をしており、上段の直径は溝の直径と等しく
１０５Ｉ！ＩＩｉで、その上に直径１００ｍの半導体基
板２が載せられている。下段の直径は溝の直径より小さ
くなっており、溝の外壁との間に円環状の中空部３が形
成される。サセプタ本体４と台座５とはどもに烏純度グ
ラフフィト上にＳｉＣを被覆したものを用いた。
最後に第３図（ａ）、第４図（ａ）に示す従来のサセプ
タと、第１図に示す本発明に係るサセプタとを用い、気
相成長を行った結果の欠陥発生状態を比較する。なお気
相成長は、直径１０゜ｚａテＭ’ｉｓ’ｔ！Ｋｔｉｆｉ
１．５ｘ ７０１８ｃｍ−”＜ＡＳＴＭ４．８１）ｆ７
）ＣＺシＩＪ−１ン（１００）ウェハ上に水素をキャリ
ガスとしてｓｉ］→２ｃ１２を用い、１２００℃の雰囲
気内で厚み１０μｍのシリコン単結晶層を成長させると
いう同じ条件で行った。
タと、第１図に示す本発明に係るサセプタとを用い、気
相成長を行った結果の欠陥発生状態を比較する。なお気
相成長は、直径１０゜ｚａテＭ’ｉｓ’ｔ！Ｋｔｉｆｉ
１．５ｘ ７０１８ｃｍ−”＜ＡＳＴＭ４．８１）ｆ７
）ＣＺシＩＪ−１ン（１００）ウェハ上に水素をキャリ
ガスとしてｓｉ］→２ｃ１２を用い、１２００℃の雰囲
気内で厚み１０μｍのシリコン単結晶層を成長させると
いう同じ条件で行った。
欠陥の発生状態をウェハ上のｈ−タルスリップ長で比較
すると、第３図（ａ）に示すサセプタを用いた場合２０
ｔｎｓ以上、第４図（ａ）に示すサセプタを用いた場合
５〜１０＋＋ｍ程度であったが、本発明に係る第１図に
示づ゛サセプタを用いた場合はスリップの発生は見られ
なかった。このように本発明に係るサセプタを気相成長
装置に用いた場合、良質の単結晶を成長させることがで
きる。
すると、第３図（ａ）に示すサセプタを用いた場合２０
ｔｎｓ以上、第４図（ａ）に示すサセプタを用いた場合
５〜１０＋＋ｍ程度であったが、本発明に係る第１図に
示づ゛サセプタを用いた場合はスリップの発生は見られ
なかった。このように本発明に係るサセプタを気相成長
装置に用いた場合、良質の単結晶を成長させることがで
きる。
（発明の効果）
以上のとおり本発明によれば、半導体基板を高温処理す
る装置に用いる加熱用サセプタの半導体基板の周辺部と
接触する領域に中空部を設けるようにしたため、半導体
基板が一様に加熱されるようになり、製造される半導体
装置の歩留り、信頼性を向上させることができるように
なる。
る装置に用いる加熱用サセプタの半導体基板の周辺部と
接触する領域に中空部を設けるようにしたため、半導体
基板が一様に加熱されるようになり、製造される半導体
装置の歩留り、信頼性を向上させることができるように
なる。
第１図は本発明に係るサセプタの一実施例の断面図、第
２図（ａ）は本発明に係るサセプタの別な一実施例の断
面図、同図（ｂ）は該サセプタを用いて加熱した場合の
半導体基板の温度分布を示すグラフ、第３図（ａ）は従
来のサセプタの断面図、同図（ｂ）は該サセプタを用い
て加熱した場合の半導体基板の温度分布を示すグラフ、
第４図（ａ）は従来の別なサセプタの断面図、同図（ｂ
）は該サセプタを用いて加熱した場合の半導体基板の湿
度分布を示すグラフである。 １．１’、１″・・・サセプタ、２・・・半導体基板、
３・・・中空部、４・・・リセブタ本体、５・・・台座
。 出願人代理人 佐 藤 −紺 （Ｇ） （ｂ） 厩 ２ 図 （ａ） 外３ ｚ （ａ） （ｂ） も４ 図
２図（ａ）は本発明に係るサセプタの別な一実施例の断
面図、同図（ｂ）は該サセプタを用いて加熱した場合の
半導体基板の温度分布を示すグラフ、第３図（ａ）は従
来のサセプタの断面図、同図（ｂ）は該サセプタを用い
て加熱した場合の半導体基板の温度分布を示すグラフ、
第４図（ａ）は従来の別なサセプタの断面図、同図（ｂ
）は該サセプタを用いて加熱した場合の半導体基板の湿
度分布を示すグラフである。 １．１’、１″・・・サセプタ、２・・・半導体基板、
３・・・中空部、４・・・リセブタ本体、５・・・台座
。 出願人代理人 佐 藤 −紺 （Ｇ） （ｂ） 厩 ２ 図 （ａ） 外３ ｚ （ａ） （ｂ） も４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板を高温処理する装置に用いる加熱用サセ
プタであって、前記半導体基板の周辺部と接触する領域
に中空部を設けたことを特徴とする半導体基板加熱用サ
セプタ。 ２、サセプタ本体が円盤状をしており、中空部が円環状
をしていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体基板加熱用サセプタ。 ３、半導体基板を高温処理する装置が気相成長装置であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
記載の半導体基板加熱用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18155385A JPS6242416A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 半導体基板加熱用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18155385A JPS6242416A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 半導体基板加熱用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242416A true JPS6242416A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16102796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18155385A Pending JPS6242416A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 半導体基板加熱用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242416A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126995A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
| JP2003086522A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2009071122A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
| JP2011222739A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| US9487862B2 (en) | 2010-07-28 | 2016-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor growing apparatus |
| JP2017084989A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル成長装置、炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP18155385A patent/JPS6242416A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126995A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
| JP2003086522A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2009071122A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
| JP2011222739A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| US9487862B2 (en) | 2010-07-28 | 2016-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor growing apparatus |
| JP2017084989A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル成長装置、炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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