JPS5950095A - 化学反応器 - Google Patents
化学反応器Info
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- JPS5950095A JPS5950095A JP57201221A JP20122182A JPS5950095A JP S5950095 A JPS5950095 A JP S5950095A JP 57201221 A JP57201221 A JP 57201221A JP 20122182 A JP20122182 A JP 20122182A JP S5950095 A JPS5950095 A JP S5950095A
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- susceptor
- wafer
- chemical reactor
- cavity
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反応器、特に単結晶の加工片上に材料層をエピ
タキシャル法により成長させる形式の改良型化学反応器
に関する。
タキシャル法により成長させる形式の改良型化学反応器
に関する。
単結晶シリコンの円盤形ウェーハ上に材料層をエピタキ
シャル法により析出させる化学反応器は当該技術分野に
おいては公知である。ウェーハは代表的な寸法として３
インチ（７，６２ｃｒｎ）、４インチ（ｌｏ、１６ｃＩ
ｎ）又は５インチ（１２，７ｃｒｎ）の直径を有する。
シャル法により析出させる化学反応器は当該技術分野に
おいては公知である。ウェーハは代表的な寸法として３
インチ（７，６２ｃｒｎ）、４インチ（ｌｏ、１６ｃＩ
ｎ）又は５インチ（１２，７ｃｒｎ）の直径を有する。
代表的な場合、エピタキシャル層を析出させる化学反応
器には二つの形式のものがある。
器には二つの形式のものがある。
その一つの形式においては代表的な場合グラファイト製
のサスセプタと呼ばれる鉛直に装架された傾斜支持板の
上に支持される。ウェーハ及びサスセプタは反応室内に
置かれる。反応室中に気体が通過される。ウェーハ及び
サスセプタは赤外線ランプ又はラジオ周波数作動コイル
のいずｎかによって高温に、代表的な場合として摂氏９
００ないし１２５０度に加熱される。ランプからの熱エ
ネルギーは直接に、後側をサスセプタ上に留められたウ
ェーハの前側を加熱する。コイルからのラジオ周波数誘
導電流は初め、サスセプタを加熱し、次いでサスセプタ
が伝導と放射との組合せによりサスセプタ上に留められ
たウェーハの後側を加熱する。その後、反応室中に導入
された処理気体がウェーハ上にエピタキシャル析出され
る。サスセプタ及びウェーハ間の温度差はウェーハの頂
部表面及び底部表面間ｌこ温度勾配を生ずるのみならず
、ウェーハの中心部と外縁部との間に温度勾配を生ずる
。加熱サイクル中は比較的に一定温度にウニ・−ハを保
つことによりウェーハにかかる熱応力の大きさを低減す
ることが望ましい。
のサスセプタと呼ばれる鉛直に装架された傾斜支持板の
上に支持される。ウェーハ及びサスセプタは反応室内に
置かれる。反応室中に気体が通過される。ウェーハ及び
サスセプタは赤外線ランプ又はラジオ周波数作動コイル
のいずｎかによって高温に、代表的な場合として摂氏９
００ないし１２５０度に加熱される。ランプからの熱エ
ネルギーは直接に、後側をサスセプタ上に留められたウ
ェーハの前側を加熱する。コイルからのラジオ周波数誘
導電流は初め、サスセプタを加熱し、次いでサスセプタ
が伝導と放射との組合せによりサスセプタ上に留められ
たウェーハの後側を加熱する。その後、反応室中に導入
された処理気体がウェーハ上にエピタキシャル析出され
る。サスセプタ及びウェーハ間の温度差はウェーハの頂
部表面及び底部表面間ｌこ温度勾配を生ずるのみならず
、ウェーハの中心部と外縁部との間に温度勾配を生ずる
。加熱サイクル中は比較的に一定温度にウニ・−ハを保
つことによりウェーハにかかる熱応力の大きさを低減す
ることが望ましい。
化学反応器の第二の形式においてはウェーハは同様にサ
スセプタ上に支持されるが、サスセプタは水平に装架さ
れ、代表的な場合にはサスセプタはやはりグラファイト
で作られる。ウェーハはサスセプタの前方ｌこある円筒
形空所内に支持される。
スセプタ上に支持されるが、サスセプタは水平に装架さ
れ、代表的な場合にはサスセプタはやはりグラファイト
で作られる。ウェーハはサスセプタの前方ｌこある円筒
形空所内に支持される。
サスセプタの後側を加熱する銅コイルにラジオ周波数エ
ネルギーが供給されることにより、グラファイト製サス
セプタからの伝導及び放射の組合せによりウェーハが加
熱される。この方法によって、主にウェーハ底部表面及
びサスセプタ頂部表面間の熱的接触によりウェーハが加
熱される。これはウェーハの頂部表面及び底部表面間に
温度勾配を生ずる。温度勾配はウェーハを彎曲させて（
ウェーハと）サスセプタ頂部表面との間の熱的接触を失
なわしめることによりウェーハ表面間の温度勾配を増大
させる。このことはざらにウェーハを彎曲させ、それが
さらにウェーハの中心部と外縁部との間における半径方
向熱勾配を増大させる。
ネルギーが供給されることにより、グラファイト製サス
セプタからの伝導及び放射の組合せによりウェーハが加
熱される。この方法によって、主にウェーハ底部表面及
びサスセプタ頂部表面間の熱的接触によりウェーハが加
熱される。これはウェーハの頂部表面及び底部表面間に
温度勾配を生ずる。温度勾配はウェーハを彎曲させて（
ウェーハと）サスセプタ頂部表面との間の熱的接触を失
なわしめることによりウェーハ表面間の温度勾配を増大
させる。このことはざらにウェーハを彎曲させ、それが
さらにウェーハの中心部と外縁部との間における半径方
向熱勾配を増大させる。
これらの温度勾配により起生される応力はウェーハの原
子配列構造内及びエピタキシャル析出層内における結晶
学的転位（又は結晶学的滑り）により緩和される。
子配列構造内及びエピタキシャル析出層内における結晶
学的転位（又は結晶学的滑り）により緩和される。
ウェーハはサスセプタの前方及び後方に配置された熱源
の組合せによって加熱し得る。その熱源はランプからの
赤外線エネルギーか又は銅コイルに供給されたラジオ周
波数エネルギーのいずれでもよい。
の組合せによって加熱し得る。その熱源はランプからの
赤外線エネルギーか又は銅コイルに供給されたラジオ周
波数エネルギーのいずれでもよい。
層がエピタキシャル析出された後に、ウェーハは半導体
装置を形成すべくさらに処理される。
装置を形成すべくさらに処理される。
ウェーハ及びウェーハ上にエピタキシャル析出された材
料層における転位又は滑りは不純物の吸込口になると信
ぜられ、究極的にはウエーハカラ製造されるバイポーラ
回路装置におけるダイオード洩れ及びエミッターコレク
タ間の短絡を起こしかねない。さらにＭＯ８装置につい
ては滑りは洩れを起こし装置の性能を喪失させる。した
がってエピタキシャル成長層内及びウェーハ内の転位を
低減又は除去することが、ある種の半導体装置の不合格
率を低減させて歩止まりを改善する上に重要である。
料層における転位又は滑りは不純物の吸込口になると信
ぜられ、究極的にはウエーハカラ製造されるバイポーラ
回路装置におけるダイオード洩れ及びエミッターコレク
タ間の短絡を起こしかねない。さらにＭＯ８装置につい
ては滑りは洩れを起こし装置の性能を喪失させる。した
がってエピタキシャル成長層内及びウェーハ内の転位を
低減又は除去することが、ある種の半導体装置の不合格
率を低減させて歩止まりを改善する上に重要である。
本発明においては実質的に単結晶である加工片上にエピ
タキシャル法により材料層を析出させる改良型化学反応
器は加工片を支持する装置を有する０この支持装置は一
つの表面内に曲線形の空所を有し、その空所内に加工片
を支持する。加工片を加熱する装置が与えられている。
タキシャル法により材料層を析出させる改良型化学反応
器は加工片を支持する装置を有する０この支持装置は一
つの表面内に曲線形の空所を有し、その空所内に加工片
を支持する。加工片を加熱する装置が与えられている。
反応器中にその材料を導入する装置及び加工片上にエピ
タキシャル法により材料層を析出させる装置も与えられ
ている。
タキシャル法により材料層を析出させる装置も与えられ
ている。
第１図を参照すると代表的な反応器１１０１が示されて
いる。反応器０αは中に反応室（１４１を閉じ込めるベ
ル形ジャー（鐘形ジャー）ｕ２Ｊを含む。ベル形ジャー
（１２１内にはサスセプタと呼ばれるグラファイト製支
持板αａがある。サスセプタＵωは一つの表面（Ｉｇｌ
’ｘ有する。第２図を参照すると円盤形単結晶シリコン
のウェーハである二つのほぼ平面状平行表面（２υ（ハ
）を有した刀ロエ片ｔ２２１が示されており、この加工
片は一表面（搬上にサスセプタσｅにより支持されてい
る。ラジオ周波数エネルギーが与えられるコイルンｅ等
からの熱源が一表面α印の反対側表面（２４Ｉに隣接し
て配置されている。他の形式の熱源としては赤外線ラン
プがある。前述したようにランプもしくはコイル（２６
）又はこれら両者を一表面賭かつまたは反対側表面シ炉
こ隣接して配置し得る。ベル形ジャーａｚ内において反
応を起こし、かつ加工片（２４上に材料層をエピタキシ
ャル析出させるための気体が装置（ト）により与えられ
、ベル形ジャー［１２１中に供給される。装置ｘｔ…は
また、気体の流量を調整する。
いる。反応器０αは中に反応室（１４１を閉じ込めるベ
ル形ジャー（鐘形ジャー）ｕ２Ｊを含む。ベル形ジャー
（１２１内にはサスセプタと呼ばれるグラファイト製支
持板αａがある。サスセプタＵωは一つの表面（Ｉｇｌ
’ｘ有する。第２図を参照すると円盤形単結晶シリコン
のウェーハである二つのほぼ平面状平行表面（２υ（ハ
）を有した刀ロエ片ｔ２２１が示されており、この加工
片は一表面（搬上にサスセプタσｅにより支持されてい
る。ラジオ周波数エネルギーが与えられるコイルンｅ等
からの熱源が一表面α印の反対側表面（２４Ｉに隣接し
て配置されている。他の形式の熱源としては赤外線ラン
プがある。前述したようにランプもしくはコイル（２６
）又はこれら両者を一表面賭かつまたは反対側表面シ炉
こ隣接して配置し得る。ベル形ジャーａｚ内において反
応を起こし、かつ加工片（２４上に材料層をエピタキシ
ャル析出させるための気体が装置（ト）により与えられ
、ベル形ジャー［１２１中に供給される。装置ｘｔ…は
また、気体の流量を調整する。
気体はベル形ジャーａｚ中に入り、線Ｇ３３を通過し、
反応器（＋０１の中心から放散する。上述した素子はす
べて先行技術において公知のものである。先行技術の反
応器は第２図に示すようなサスセプタａθを備えた反応
器凹を含む。サスセプタσ０はその一表面ｕ８内に空所
（２）を有する。空所■は円筒形である。
反応器（＋０１の中心から放散する。上述した素子はす
べて先行技術において公知のものである。先行技術の反
応器は第２図に示すようなサスセプタａθを備えた反応
器凹を含む。サスセプタσ０はその一表面ｕ８内に空所
（２）を有する。空所■は円筒形である。
ウェーハρ々はサスセプタａ■によってその一表面脅の
ほぼ全体がサスセプタ（１６１上に停留するように支持
されている。
ほぼ全体がサスセプタ（１６１上に停留するように支持
されている。
本発明による改良型反応器は第３図に示すようなサスセ
プタ（１１６）を備えた反応器（１（ｌを含む。
プタ（１１６）を備えた反応器（１（ｌを含む。
サスセプタ（１１６）は−表面（１１８）とその中の空
所（１２０）とを有する。空所（１２のは曲線状の底部
表面（１１９）を備えた円形の直状側壁（１１７）を有
する。加工片シフは空所（１２０）内に停留する。空所
０２０）は、−表面１２３１のほぼ全体がサスセプタ（
１１６）に接触することはないように、底表面（１１９
）に沿って一表面關にて加工片１２２１を支持する形状
にされている。加工片（２２１は一表面（２３）の縁付
近に支持され、他の場所では一表面制とサスセプタ（１
１６）との間に空隙がある。空所（１２０）の底部表面
（１１９）は第３図に示すように球面状にされている。
所（１２０）とを有する。空所（１２のは曲線状の底部
表面（１１９）を備えた円形の直状側壁（１１７）を有
する。加工片シフは空所（１２０）内に停留する。空所
０２０）は、−表面１２３１のほぼ全体がサスセプタ（
１１６）に接触することはないように、底表面（１１９
）に沿って一表面關にて加工片１２２１を支持する形状
にされている。加工片（２２１は一表面（２３）の縁付
近に支持され、他の場所では一表面制とサスセプタ（１
１６）との間に空隙がある。空所（１２０）の底部表面
（１１９）は第３図に示すように球面状にされている。
第３図に示した図は誇張されていること及び空所（１２
０）は極端に浅くされていることを強調しておく。
０）は極端に浅くされていることを強調しておく。
第４図を参照すると反応器（１０１内で使用されるもう
一つのサスセプタ（２１６）が示されている。サスセプ
タ（２１６）はその中に空所（２２のを有した一表面（
２１８）を含み、この空所（２２０）が前記加工片ｕ２
１を支持する６、空所（２２０）は再び非常に浅い。空
所（２２０）は曲線状の側部表面（２２１）と実質上平
面状の円形底部表面（２２２）を備えた円形側壁（２１
７）とを有する。底部表面（２２２）の直径は加工片シ
４の直径より小さくされているべきである。第４図に示
すように底部表面（２２２）は約２インチ（３，０８ｃ
ｍ）の直径を有する。側部表面（２２１）は約２２５イ
ンチ（５７１，５ｃｍ）の曲率半径を有する。空所（２
２０）の曲線領域の全深さは約０．００５インチ（０，
１２’／ｍｍ ）である。
一つのサスセプタ（２１６）が示されている。サスセプ
タ（２１６）はその中に空所（２２のを有した一表面（
２１８）を含み、この空所（２２０）が前記加工片ｕ２
１を支持する６、空所（２２０）は再び非常に浅い。空
所（２２０）は曲線状の側部表面（２２１）と実質上平
面状の円形底部表面（２２２）を備えた円形側壁（２１
７）とを有する。底部表面（２２２）の直径は加工片シ
４の直径より小さくされているべきである。第４図に示
すように底部表面（２２２）は約２インチ（３，０８ｃ
ｍ）の直径を有する。側部表面（２２１）は約２２５イ
ンチ（５７１，５ｃｍ）の曲率半径を有する。空所（２
２０）の曲線領域の全深さは約０．００５インチ（０，
１２’／ｍｍ ）である。
第５図を参照すると反応器（１０）内で使用されるさら
にもう一つのサスセプタ（３１６）が示されている。
にもう一つのサスセプタ（３１６）が示されている。
サスセプタ（３１６）はその中に空所（３２０）を備え
た面にして加工片（２４を支持するための表面（３１８
）を有する。第４図に示した空所（２２０）と同様に、
空所（３２０）は円形であって、直状側壁（３１７）及
び曲線状側部表面（３２１）を備えている。＠線状側部
表面（３２１）は約１２５インチ（３１７，５ｃｍ）の
半径を有する。円形底部表面（３２２）は実質的に平面
であり、３．０インチ（７，６２ｃ／ｎ）の直径を有す
る。
た面にして加工片（２４を支持するための表面（３１８
）を有する。第４図に示した空所（２２０）と同様に、
空所（３２０）は円形であって、直状側壁（３１７）及
び曲線状側部表面（３２１）を備えている。＠線状側部
表面（３２１）は約１２５インチ（３１７，５ｃｍ）の
半径を有する。円形底部表面（３２２）は実質的に平面
であり、３．０インチ（７，６２ｃ／ｎ）の直径を有す
る。
空所（３２））の曲線状領域の深さは約０．００４イン
チ（ｏ、１０２ｍｍ）である。サスセプタ（１１６）
（２１６）（３１６）は直径が３インチ（７，６２ｃｍ
） ５３超える加工片（２４の支持に対し有用である
。
チ（ｏ、１０２ｍｍ）である。サスセプタ（１１６）
（２１６）（３１６）は直径が３インチ（７，６２ｃｍ
） ５３超える加工片（２４の支持に対し有用である
。
サスセプタ（１１６） （２１６）又は（３１６）を備
えた反応器（１０）を含む本発明の改良型反応器を用い
てシリコンの迅結晶ウェーハ上のエピタキシャル析出層
内及びそのウェーハ内における転位は実質的に低減され
ることが見出されている。
えた反応器（１０）を含む本発明の改良型反応器を用い
てシリコンの迅結晶ウェーハ上のエピタキシャル析出層
内及びそのウェーハ内における転位は実質的に低減され
ることが見出されている。
本発明の理諭は以下の通りである。先行技術の反応器内
で使用されたサスセプタａ６１における加工片Ｑりは、
加工片ｕ２１の一表面１２３）のほぼ全体に及ぶ空所（
２υ内サスセプタｔ１６１と接触している。熱は一表面
［有］にわたって主にサスセプタα６）から伝導によっ
て加工片Ｑりに加えられる。他表面ｔ２１）は室圓に対
し蕗出される１）サスセプタ１６１からの熱が加工片シ
２１を加熱するにつれ、加工片（２２１の一表面■３）
が刀ロエ片（２々の他表面Ｑυと異なった温度となる。
で使用されたサスセプタａ６１における加工片Ｑりは、
加工片ｕ２１の一表面１２３）のほぼ全体に及ぶ空所（
２υ内サスセプタｔ１６１と接触している。熱は一表面
［有］にわたって主にサスセプタα６）から伝導によっ
て加工片Ｑりに加えられる。他表面ｔ２１）は室圓に対
し蕗出される１）サスセプタ１６１からの熱が加工片シ
２１を加熱するにつれ、加工片（２２１の一表面■３）
が刀ロエ片（２々の他表面Ｑυと異なった温度となる。
その結果、二つの表面Ｑυ２３）間に温度差すなわち温
度勾配が生ずる。
度勾配が生ずる。
他表面より高温さなった表面がより速く膨張する。
その後、加工片シフは第６図に誇張して示すように弓形
になる。°加工片（２２１が彎曲することによって卵工
片勝はサスセプタとの物理的接触を失ない、表面シυ（
ハ）間の温度勾配を増大させ、それがさらに彎曲を生せ
しめる。このことは加工片（２２１の高い中心部監度及
びより低い外縁部温度の間に半径方向温度勾配を生せし
める。その結果生ずる熱応力は加熱サイクルの際に加工
片材料内に結晶学的転位を発生せしめることがある。材
料層が他表面Ｑυ上にエピタキシャル析出されるときは
、材料層は加工片（２秒の形にしたがって同様に弓形と
なる。しかし層付き加工片が冷却されて実質上平面状に
戻されるとき、析出された材料層及び加工片Ｑ中に転位
が起こる。
になる。°加工片（２２１が彎曲することによって卵工
片勝はサスセプタとの物理的接触を失ない、表面シυ（
ハ）間の温度勾配を増大させ、それがさらに彎曲を生せ
しめる。このことは加工片（２２１の高い中心部監度及
びより低い外縁部温度の間に半径方向温度勾配を生せし
める。その結果生ずる熱応力は加熱サイクルの際に加工
片材料内に結晶学的転位を発生せしめることがある。材
料層が他表面Ｑυ上にエピタキシャル析出されるときは
、材料層は加工片（２秒の形にしたがって同様に弓形と
なる。しかし層付き加工片が冷却されて実質上平面状に
戻されるとき、析出された材料層及び加工片Ｑ中に転位
が起こる。
本発明の改良型反応器においてはサスセプタの空所は、
−表面（ハ）全体がサスセプタと接触することなく一表
面（ハ）上に加工片ｅつが支持されるように、形成され
る。加工片シ々は、加工片■々とサスセプタとの間に間
隙があるようにサスセプタ内空所中に支持される。熱は
サスセプタの中を伝導され、サスセプタは次に加工片（
２２１がサスセプタと接触している領域で加工片（２々
を刀口熱する。サスセプタからの熱はまた、加工片（２
２１がサスセプタと接触していない場所において、放射
により加工片シフに伝達される。伝導と放射によるこの
加熱法の組立せが加工片Ｑりのより一様な加熱を与える
結果、ウェーハにかかる熱応力の大きさを低減すること
によりウェーハの結晶学的転位の大きさを最小化するも
のと思われる。改良型反応器を用いた場合、加工片＠が
最初に加熱される際、頂部表面回及び底部表面［有］の
間には依然として温度勾配があって加工片Ｑ々を彎曲さ
せる。しかし先行技術のサスセプタσ印とは異なり加工
片ｃ２２１が彎曲する１につれ、刀ロエ片はサスセプタ
の高温表面と接触する傾向を有し、二つの平面状表面間
の温度勾配及び加工片４の中心部と外縁部との間の半径
方向温度勾配を低減する。
−表面（ハ）全体がサスセプタと接触することなく一表
面（ハ）上に加工片ｅつが支持されるように、形成され
る。加工片シ々は、加工片■々とサスセプタとの間に間
隙があるようにサスセプタ内空所中に支持される。熱は
サスセプタの中を伝導され、サスセプタは次に加工片（
２２１がサスセプタと接触している領域で加工片（２々
を刀口熱する。サスセプタからの熱はまた、加工片（２
２１がサスセプタと接触していない場所において、放射
により加工片シフに伝達される。伝導と放射によるこの
加熱法の組立せが加工片Ｑりのより一様な加熱を与える
結果、ウェーハにかかる熱応力の大きさを低減すること
によりウェーハの結晶学的転位の大きさを最小化するも
のと思われる。改良型反応器を用いた場合、加工片＠が
最初に加熱される際、頂部表面回及び底部表面［有］の
間には依然として温度勾配があって加工片Ｑ々を彎曲さ
せる。しかし先行技術のサスセプタσ印とは異なり加工
片ｃ２２１が彎曲する１につれ、刀ロエ片はサスセプタ
の高温表面と接触する傾向を有し、二つの平面状表面間
の温度勾配及び加工片４の中心部と外縁部との間の半径
方向温度勾配を低減する。
このことは加工片■りの熱応力の大きさを低減し、最小
量の滑°りを有したエビタキシャ）し層を持つ加工片し
唖そ生せしめる。
量の滑°りを有したエビタキシャ）し層を持つ加工片し
唖そ生せしめる。
さらに、側壁（１１７） （２１７）又は（３１７）か
らの熱が放射によって加工片Ｉ２２＋の縁からのエネル
ギー損失を回避する二次効果を有していることが見出さ
れている。
らの熱が放射によって加工片Ｉ２２＋の縁からのエネル
ギー損失を回避する二次効果を有していることが見出さ
れている。
しかし、放射及び伝導によりサスセプタに加工片（７２
）を加熱せしめるべく単に加工片の一表面（ハ）とサス
セプタとの間に間・隙を与えるだけでは転位を低減する
ζこ十分でないことが見出されている。笑際、第７図に
示すように空所が円錐形である場合、第８図に示すよう
に二重凹所とされている場合、又は第９図に示すように
環状の溝である場合、には転位の問題は悪化する。第７
図、第８図、又は第９図に示すように、空所が造形され
た場合は加工片シ渇内の転位の数及び程度は増大する。
）を加熱せしめるべく単に加工片の一表面（ハ）とサス
セプタとの間に間・隙を与えるだけでは転位を低減する
ζこ十分でないことが見出されている。笑際、第７図に
示すように空所が円錐形である場合、第８図に示すよう
に二重凹所とされている場合、又は第９図に示すように
環状の溝である場合、には転位の問題は悪化する。第７
図、第８図、又は第９図に示すように、空所が造形され
た場合は加工片シ渇内の転位の数及び程度は増大する。
したがって加工片Ｑ２１を支持するためのサスセプタに
おける空所の特定の形が、加工片（２ａ上にエピタキシ
ャル成長される材料層内及び加工片＠内ｌこおける転位
の数及び程度に重要な効果を有する。
おける空所の特定の形が、加工片（２ａ上にエピタキシ
ャル成長される材料層内及び加工片＠内ｌこおける転位
の数及び程度に重要な効果を有する。
第１図は化学反応器の一形式の側断面図、第２図は先行
技術の支持板の誇張された側断面図、第３図は本発明の
改良型反応器に使用される支持板の一実施例の誇張され
た側１析面図、第４図は本発明の改良型反応器に使用さ
れる支持板のもう一つの実施例の誇張された側断面図、
第５図は本発明の改良型反応器に使用される支持板のさ
らにもう一つの実施例の誇張された側断面図、第６図は
、先行技術の支持板であって析出過程中のウェーハの形
をしていると考えられる支持板の誇張された側断面図、
第７図は悪化した状態の転位が生ずる支持板の誇張され
た側断面図、第８図は悪化した状態の転位が生ずるもう
一つの支持板の誇張された側断面図、第９図は悪化した
状態の転位が生ずるさらにもう一つの支持板の誇張され
た側断面図である。 １５− ■０・・・化学反応器 ２２・・・加工片 ２６・・・加工片°を加熱する装置 ３０．３２・・・ エピタキシャル析出材料を導入する
装置１１６、２１６．３１６・・・ 加工片を支持する
装置１２０、２２０．３２０・・・ 空所 １６一
技術の支持板の誇張された側断面図、第３図は本発明の
改良型反応器に使用される支持板の一実施例の誇張され
た側１析面図、第４図は本発明の改良型反応器に使用さ
れる支持板のもう一つの実施例の誇張された側断面図、
第５図は本発明の改良型反応器に使用される支持板のさ
らにもう一つの実施例の誇張された側断面図、第６図は
、先行技術の支持板であって析出過程中のウェーハの形
をしていると考えられる支持板の誇張された側断面図、
第７図は悪化した状態の転位が生ずる支持板の誇張され
た側断面図、第８図は悪化した状態の転位が生ずるもう
一つの支持板の誇張された側断面図、第９図は悪化した
状態の転位が生ずるさらにもう一つの支持板の誇張され
た側断面図である。 １５− ■０・・・化学反応器 ２２・・・加工片 ２６・・・加工片°を加熱する装置 ３０．３２・・・ エピタキシャル析出材料を導入する
装置１１６、２１６．３１６・・・ 加工片を支持する
装置１２０、２２０．３２０・・・ 空所 １６一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１） 二つの実質上平面状の平行な表面を有した実
質的に単結晶である刀目工片にエピタキシャル法により
材料層を析出するための化学反応器であって、 該加工片を支持する装置にしてその一つの表・面内に該
加工片を支持するための曲線状空所を有しており、しか
も該一つの表面全体が該支持装置に接触することは実質
上無いように該曲線状空所が該加工片を該平面状平行表
面の上に支持し得る該支持装置と、 該加工片を刀日熱するための装置と、 該材料を該反応器中に導入し、力）つ該加工片上に該材
料層をエピタキシャル法により析出させる装置と、 を含む化学反応器。 （２、特許請求の範囲第＋１１項に記載の化学反応器に
おいて該加工片が実質上円盤形のウェーハである化学反
応器。 （３〕 特許請求の範囲第（２少項に記載の化学反応
器において該空所が実質上球状である化学反応器。 １４３ 特許請求の範囲第１２Ｊ項に記載の化学反応
器において該空所が実質上円形であると共に実質的に曲
線状の側面と実質的に円形の平面状底面とを備えており
、該底面の直径が該力ｎ工片の直径未満である化学反応
器。 （５３特許請求の範囲第１３１項又は第し４Ｊ項に記載
の化学反応器において該空所が円形の直状側壁をも有し
ている化学反応器。 ＋６１ 特許請求の範囲第１１）項に記載の化学反応
器において、該加熱装置が該支持装置の該一つの表面の
反対側表面に瞬接した位置にある化学反応器。 （７）特許請求の範囲第（１）項に記載の化学反応器に
おいて該支持装置がグラファイト製である化学反応器。 （８）特許請求の範囲第（１）項に記載の化学反応器に
おいて該加工片が単結晶シリコンウェーハである化学反
応器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US41654182A | 1982-09-10 | 1982-09-10 | |
| US416541 | 1982-09-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950095A true JPS5950095A (ja) | 1984-03-22 |
Family
ID=23650371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201221A Pending JPS5950095A (ja) | 1982-09-10 | 1982-11-18 | 化学反応器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950095A (ja) |
| KR (1) | KR840005913A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4986215A (en) * | 1988-09-01 | 1991-01-22 | Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. | Susceptor for vapor-phase growth system |
| US6740367B2 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film-forming device |
| US6761771B2 (en) | 2000-10-19 | 2004-07-13 | Asm Japan K.K. | Semiconductor substrate-supporting apparatus |
| JP2012028631A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
| US8216920B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-07-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon epitaxial wafer and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5012971A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-10 |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP57201221A patent/JPS5950095A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-09 KR KR1019830004249A patent/KR840005913A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5012971A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-10 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4986215A (en) * | 1988-09-01 | 1991-01-22 | Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. | Susceptor for vapor-phase growth system |
| US6740367B2 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film-forming device |
| US6761771B2 (en) | 2000-10-19 | 2004-07-13 | Asm Japan K.K. | Semiconductor substrate-supporting apparatus |
| US8216920B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-07-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon epitaxial wafer and manufacturing method thereof |
| JP2012028631A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR840005913A (ko) | 1984-11-19 |
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