JPH06678B2 - 有機金属熱分解気相結晶成長装置 - Google Patents
有機金属熱分解気相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH06678B2 JPH06678B2 JP59249747A JP24974784A JPH06678B2 JP H06678 B2 JPH06678 B2 JP H06678B2 JP 59249747 A JP59249747 A JP 59249747A JP 24974784 A JP24974784 A JP 24974784A JP H06678 B2 JPH06678 B2 JP H06678B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- crystal growth
- vapor phase
- phase crystal
- holding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は有機金属熱分解気相結晶成長装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕 有機金属熱分解気相結晶成長法は液相結晶成長法、気相
成長法と同様ＩＩＩ−Ｖ族結晶の結晶成長方法として近
年注目されている技術である。近赤外可視半導体レーザ
の開発もこの方法によってなされている。この方法の特
徴としては、大面積、再現性、均一性の面で他の
方法よりもすぐれている。しかしながら従来の方法でサ
セプターの構造に問題を有していた。即ち第３図の断面
図において、グラファイト製サセプター302上に基板保
持板301を置きその上に半導体基板303を置く。このサセ
プター302を石英製反応炉内に入れ高周波誘導加熱する
ことにより半導体基板303を７００〜８００℃にする。
それと同時に水素ガス、有機金属及びドーピングガスを
反応炉内に導入すると、有機金属及びドーピングガスは
サセプター302の近傍で熱分解し、半導体基板303に結晶
成長する。又基板保持板301、グラファイト製サセプタ
ー302上及び側面にも積層する。このため多数回グラフ
ァイト製サセプター302を使用すると、基板保持板301が
サセプター302の溝部に入らなくなることにより、温度
むらが半導体基板303内に発生し、成長厚み、組成、及
び結晶成長表面形態が悪化することや、サセプター302
の上側面の角部に多結晶が針状に析出し、 反応炉内からサセプター302を挿出入する時の塵埃の発
生原因となっていた。〔発明の目的〕 本発明は前述した従来装置の欠点を改良したもので、縦
型有機金属熱分解気相結晶成長装置において、グラファ
イト製サセプターを多数回使用しても半導体基板内の温
度不均一や、塵埃発生を防止し、均一性、再現性の良い
成長結晶を得るためにサセプターを改良した気相結晶成
長装置を提供することにある。
成長法と同様ＩＩＩ−Ｖ族結晶の結晶成長方法として近
年注目されている技術である。近赤外可視半導体レーザ
の開発もこの方法によってなされている。この方法の特
徴としては、大面積、再現性、均一性の面で他の
方法よりもすぐれている。しかしながら従来の方法でサ
セプターの構造に問題を有していた。即ち第３図の断面
図において、グラファイト製サセプター302上に基板保
持板301を置きその上に半導体基板303を置く。このサセ
プター302を石英製反応炉内に入れ高周波誘導加熱する
ことにより半導体基板303を７００〜８００℃にする。
それと同時に水素ガス、有機金属及びドーピングガスを
反応炉内に導入すると、有機金属及びドーピングガスは
サセプター302の近傍で熱分解し、半導体基板303に結晶
成長する。又基板保持板301、グラファイト製サセプタ
ー302上及び側面にも積層する。このため多数回グラフ
ァイト製サセプター302を使用すると、基板保持板301が
サセプター302の溝部に入らなくなることにより、温度
むらが半導体基板303内に発生し、成長厚み、組成、及
び結晶成長表面形態が悪化することや、サセプター302
の上側面の角部に多結晶が針状に析出し、 反応炉内からサセプター302を挿出入する時の塵埃の発
生原因となっていた。〔発明の目的〕 本発明は前述した従来装置の欠点を改良したもので、縦
型有機金属熱分解気相結晶成長装置において、グラファ
イト製サセプターを多数回使用しても半導体基板内の温
度不均一や、塵埃発生を防止し、均一性、再現性の良い
成長結晶を得るためにサセプターを改良した気相結晶成
長装置を提供することにある。
本発明は半導体基板を加熱するサセプターを２分割し、
一方は例えば該サセプターの内周を上、下に摺動する基
板保持板と一体で分離可能としており、他方は該サセプ
ター支持台から取りはずさない構成となっている。又基
板保持板と一体で分離可能となるサセプターの材料を他
方のサセプター材料と異なる材料で作成されていること
により、結晶成長膜の均一性、再現性の向上を計ったも
のである。
一方は例えば該サセプターの内周を上、下に摺動する基
板保持板と一体で分離可能としており、他方は該サセプ
ター支持台から取りはずさない構成となっている。又基
板保持板と一体で分離可能となるサセプターの材料を他
方のサセプター材料と異なる材料で作成されていること
により、結晶成長膜の均一性、再現性の向上を計ったも
のである。
本発明２分割サセプターを用いることにより、サセプタ
ー上部側面に付着する反応生成物による半導体基板表面
への反応生成物汚染を防止出来ることにより高品質で均
一性の高い結晶成長膜が得られる。又、下部サセプター
としてのグラファイト製サセプターの交換も頻繁に行う
ことはなく、上部サセプターの入れ換えを行うだけで良
いため反応炉内を不純物汚染から防ぐことが出来、高純
度結晶が得られた。
ー上部側面に付着する反応生成物による半導体基板表面
への反応生成物汚染を防止出来ることにより高品質で均
一性の高い結晶成長膜が得られる。又、下部サセプター
としてのグラファイト製サセプターの交換も頻繁に行う
ことはなく、上部サセプターの入れ換えを行うだけで良
いため反応炉内を不純物汚染から防ぐことが出来、高純
度結晶が得られた。
本発明の実施例の断面図を第１図に示す。下部サセプタ
ーとなる円形のサセプター１０３は高周波誘導電流を有
効に吸収するグラファイトで製作されている。その上部
に円形の基板保持板101を乗せ、その上に半導体基板104
を乗せてある。基板保持板101がサセプター103から落下
しないように上部サセプターとしてのグラファイト製サ
セプターリング102で固定してある。又、基板保持板101
の外径とサセプターリング102の内径は摺動可能な精度
で切削加工してある。第２図はサセプター203とサセプ
ターリング202を分離したものである。両者を合体させ
ると基板保持板201はサセプターリング202の内面を摺動
してその上面と一致する。半導体基板204を石英製反応
炉へ挿出入する時は第２図のようにして上部のサセプタ
ーリング202を分離すれば良い。ここで例えば基板保持
板201をサファイヤ板及びシリコン板を用いれば、通常
のGaAs,GaAlAs,Inp,InGaAsP等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の結晶を成長しても王水等の酸処理によって容易に
再生可能である。又サセプターリング202の上側面に積
層した反応生成物の除去も容易に出来得る利点がある。
このサセプターリング材料をグラファイトではなく、石
英等耐酸性材料で製作すれば、基板保持板同様再生可能
で、多数回の使用に供することが出来る。
ーとなる円形のサセプター１０３は高周波誘導電流を有
効に吸収するグラファイトで製作されている。その上部
に円形の基板保持板101を乗せ、その上に半導体基板104
を乗せてある。基板保持板101がサセプター103から落下
しないように上部サセプターとしてのグラファイト製サ
セプターリング102で固定してある。又、基板保持板101
の外径とサセプターリング102の内径は摺動可能な精度
で切削加工してある。第２図はサセプター203とサセプ
ターリング202を分離したものである。両者を合体させ
ると基板保持板201はサセプターリング202の内面を摺動
してその上面と一致する。半導体基板204を石英製反応
炉へ挿出入する時は第２図のようにして上部のサセプタ
ーリング202を分離すれば良い。ここで例えば基板保持
板201をサファイヤ板及びシリコン板を用いれば、通常
のGaAs,GaAlAs,Inp,InGaAsP等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の結晶を成長しても王水等の酸処理によって容易に
再生可能である。又サセプターリング202の上側面に積
層した反応生成物の除去も容易に出来得る利点がある。
このサセプターリング材料をグラファイトではなく、石
英等耐酸性材料で製作すれば、基板保持板同様再生可能
で、多数回の使用に供することが出来る。
第１図は本発明の一実施例の２分割サセプターの断面
図、第２図は本発明の一実施例の２分割サセプターの分
離断面図、第３図は従来のサセプターの断面図である。 101,201…基板保持板、102,202…サセプターリング、10
3,203…サセプター、104,204…半導体基板。
図、第２図は本発明の一実施例の２分割サセプターの分
離断面図、第３図は従来のサセプターの断面図である。 101,201…基板保持板、102,202…サセプターリング、10
3,203…サセプター、104,204…半導体基板。
Claims (2)
- 【請求項１】縦型有機金属熱分解気相結晶成長装置にお
いて、半導体基板を加熱するサセプターが上、下２分割
になり、上部サセプターに基板保持板が設置され、且つ
該基板保持板と上部サセプターが一体で下部サセプター
と分離できることを特徴とする有機金属熱分解気相結晶
成長装置。 - 【請求項２】基板保持板と一体で分離可能とした上部サ
セプターの材料を下部サセプターの材料と異なるもので
作成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の有機金属熱分解気相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249747A JPH06678B2 (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249747A JPH06678B2 (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61132595A JPS61132595A (ja) | 1986-06-20 |
| JPH06678B2 true JPH06678B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=17197611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59249747A Expired - Lifetime JPH06678B2 (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06678B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2546414B2 (ja) * | 1990-07-06 | 1996-10-23 | 日新電機株式会社 | 気相成長装置 |
| JP6058491B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2017-01-11 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 気相成長用反応装置 |
| KR20190005818A (ko) * | 2018-12-28 | 2019-01-16 | 주식회사 테스 | 서셉터 어셈블리 및 이를 포함하는 mocvd 장치 |
| WO2020139030A1 (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 주식회사 테스 | 서셉터 어셈블리, 이를 포함하는 mocvd 장치 및 mocvd 장치로부터 상측 서셉터를 인출하기 위한 제어 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59160564U (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-27 | 東芝機械株式会社 | 化学気相成長装置 |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59249747A patent/JPH06678B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61132595A (ja) | 1986-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63209122A (ja) | 液相薄膜結晶成長方法及び装置 | |
| JPH06678B2 (ja) | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 | |
| JPH08143396A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPS6318618A (ja) | サセプタ−用カバ− | |
| US5020474A (en) | Apparatus for vapor phase epitaxial growth | |
| US5091044A (en) | Methods of substrate heating for vapor phase epitaxial growth | |
| CN218147045U (zh) | 一种长晶后石墨件处理装置 | |
| JPS6021900A (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JPH0558793A (ja) | 炭化珪素の液相成長方法および基板ホルダ | |
| JPS6163591A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JPH01144620A (ja) | 半導体成長装置 | |
| JPH10297997A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPS6120041Y2 (ja) | ||
| JPS6344463Y2 (ja) | ||
| JPS63242994A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JPS6120042Y2 (ja) | ||
| JPH03137095A (ja) | 気相エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0279422A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置及び成長方法 | |
| JPS5935878B2 (ja) | 半導体単結晶育成法 | |
| JPS63190795A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS58125819A (ja) | 半導体の製造装置 | |
| JPH02299224A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH03115189A (ja) | 結晶成長方法およびそれに用いる基板ホルダー | |
| JPS63304614A (ja) | 半導体エピタキシャル成長方法 | |
| JPH05230650A (ja) | 基板保持装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |