JPS6344463Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6344463Y2 JPS6344463Y2 JP1983017564U JP1756483U JPS6344463Y2 JP S6344463 Y2 JPS6344463 Y2 JP S6344463Y2 JP 1983017564 U JP1983017564 U JP 1983017564U JP 1756483 U JP1756483 U JP 1756483U JP S6344463 Y2 JPS6344463 Y2 JP S6344463Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite
- thin film
- graphite heating
- exchange
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野）
本考案は再現性良く薄膜成長を行える薄膜成長
装置に関するものである。
装置に関するものである。
（従来技術）
従来のこの種装置を、MOCVD装置を例にと
り説明する。MOCVDは縦型または横型の反応
管が用いられるが縦型の反応管によるガリウム砒
素（GaAs）の成長を例にとると、第４図に示す
ように、反応管１０に原料であるトリメチルガリ
ウム（Ga（CH3）3以下、TMGという）とアルシ
ン（AsH3）を輸送ガスである水素（H2）ととも
に導入口１０ａより導入し、TMGとAsH3の反
応によつて加熱された成長基板１上にGaAsの結
晶を成長させることができる。この場合、通常反
応管１０には石英ガラスを用い、また成長基板１
を加熱するには高純度のグラフアイト製の加熱部
３の上に成長基板１を置き、反応管１０の外部よ
り高周波誘導加熱による方法が通常行われてい
る。温度はグラフアイト加熱部３の内部に入れた
熱電対により測定する。従来の高周波誘導加熱方
式のMOCVD装置の加熱部は、第１図に示すよ
うに、上部に平坦な面をもつグラフアイト加熱部
３の単体をコイル内に置き、グラフアイト加熱部
３の上部平面上に置いた成長基板１を誘導加熱さ
れたグラフアイト加熱部３からの熱伝導によつて
加熱するようになつている。しかし、成長回数を
重ねると、グラフアイト面上にも多結晶が成長
し、成長基板１とグラフアイト加熱部３との接触
状態が悪くなり、再現性の良い結晶成長が行えな
くなる欠点があつた。
り説明する。MOCVDは縦型または横型の反応
管が用いられるが縦型の反応管によるガリウム砒
素（GaAs）の成長を例にとると、第４図に示す
ように、反応管１０に原料であるトリメチルガリ
ウム（Ga（CH3）3以下、TMGという）とアルシ
ン（AsH3）を輸送ガスである水素（H2）ととも
に導入口１０ａより導入し、TMGとAsH3の反
応によつて加熱された成長基板１上にGaAsの結
晶を成長させることができる。この場合、通常反
応管１０には石英ガラスを用い、また成長基板１
を加熱するには高純度のグラフアイト製の加熱部
３の上に成長基板１を置き、反応管１０の外部よ
り高周波誘導加熱による方法が通常行われてい
る。温度はグラフアイト加熱部３の内部に入れた
熱電対により測定する。従来の高周波誘導加熱方
式のMOCVD装置の加熱部は、第１図に示すよ
うに、上部に平坦な面をもつグラフアイト加熱部
３の単体をコイル内に置き、グラフアイト加熱部
３の上部平面上に置いた成長基板１を誘導加熱さ
れたグラフアイト加熱部３からの熱伝導によつて
加熱するようになつている。しかし、成長回数を
重ねると、グラフアイト面上にも多結晶が成長
し、成長基板１とグラフアイト加熱部３との接触
状態が悪くなり、再現性の良い結晶成長が行えな
くなる欠点があつた。
（考案の目的）
本考案は、このような従来の欠点を除去するた
め、成長基板と接触するグラフアイト加熱部の上
部を交換可能としたものである。以下本考案の一
実施例を図面により詳細に説明する。
め、成長基板と接触するグラフアイト加熱部の上
部を交換可能としたものである。以下本考案の一
実施例を図面により詳細に説明する。
（考案の構成）
第２図は本考案薄膜成長装置の一実施例を示す
一部断面図である。図において１は成長基板、２
はグラフアイト交換部で、グラフアイト加熱部３
の上面に挿入し取付け、取外し可能にしたもので
ある。４は熱電対、５は熱電対保護管、６は支持
棒である。なお、この使用方法は従来と同じであ
るが、グラフアイト交換部２に結晶が成長し、成
長基板１への熱伝導が悪くなつた場合、グラフア
イト交換部２のみを交換する。
一部断面図である。図において１は成長基板、２
はグラフアイト交換部で、グラフアイト加熱部３
の上面に挿入し取付け、取外し可能にしたもので
ある。４は熱電対、５は熱電対保護管、６は支持
棒である。なお、この使用方法は従来と同じであ
るが、グラフアイト交換部２に結晶が成長し、成
長基板１への熱伝導が悪くなつた場合、グラフア
イト交換部２のみを交換する。
このようにすると成長基板１と接触するグラフ
アイト交換部２が交換可能であるので、成長基板
１とグラフアイト加熱部３のグラフアイト交換部
２との接触状態が悪くなり熱伝導が悪くなつた場
合、グラフアイト交換部２が容易に交換でき、再
現性の良い結晶成長が行える利点がある。
アイト交換部２が交換可能であるので、成長基板
１とグラフアイト加熱部３のグラフアイト交換部
２との接触状態が悪くなり熱伝導が悪くなつた場
合、グラフアイト交換部２が容易に交換でき、再
現性の良い結晶成長が行える利点がある。
さらに従来のようにグラフアイト加熱部３全体
を洗浄するのに比べ、グラフアイト交換部２は薄
くできるので洗浄が容易に行える。また洗浄後も
グラフアイト交換部２は薄いため交換部内部に吸
着された不純物ガスも容易に脱ガスが可能であ
る。
を洗浄するのに比べ、グラフアイト交換部２は薄
くできるので洗浄が容易に行える。また洗浄後も
グラフアイト交換部２は薄いため交換部内部に吸
着された不純物ガスも容易に脱ガスが可能であ
る。
この実施例は、グラフアイト交換部２をグラフ
アイト加熱部３の上部に挿入するだけの構造であ
るが、第３図に示すように、グラフアイト交換部
２とグラフアイト加熱部３をねじを切つてかみあ
わせる構造をとれば、グラフアイト交換部２とグ
ラフアイト加熱部３の間に完全な熱伝導が行わ
れ、さらに再現性の良い結晶成長が行える。
アイト加熱部３の上部に挿入するだけの構造であ
るが、第３図に示すように、グラフアイト交換部
２とグラフアイト加熱部３をねじを切つてかみあ
わせる構造をとれば、グラフアイト交換部２とグ
ラフアイト加熱部３の間に完全な熱伝導が行わ
れ、さらに再現性の良い結晶成長が行える。
（考案の効果）
以上詳細に説明したように、本考案はグラフア
イト加熱部の上部が取りはずしが可能なので容易
に交換でき、再現性の良い薄膜成長が行える効果
があり、高周波誘導加熱方式の薄膜成長装置に利
用することができる。
イト加熱部の上部が取りはずしが可能なので容易
に交換でき、再現性の良い薄膜成長が行える効果
があり、高周波誘導加熱方式の薄膜成長装置に利
用することができる。
第１図は従来の高周波誘導方式における薄膜成
長装置の加熱部の一部断面図、第２図は本考案薄
膜成長装置用グラフアイト加熱台の一実施例の一
部断面図、第３図は同じく他の実施例の一部断面
図、第４図は従来の縦型反応管の構造説明図であ
る。 １……成長基板、２……グラフアイト交換部、
３……グラフアイト加熱部、４……熱電対、５…
…熱電対保護管、６……加熱部支持棒、１０……
反応管、１０ａ……導入口。
長装置の加熱部の一部断面図、第２図は本考案薄
膜成長装置用グラフアイト加熱台の一実施例の一
部断面図、第３図は同じく他の実施例の一部断面
図、第４図は従来の縦型反応管の構造説明図であ
る。 １……成長基板、２……グラフアイト交換部、
３……グラフアイト加熱部、４……熱電対、５…
…熱電対保護管、６……加熱部支持棒、１０……
反応管、１０ａ……導入口。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 薄膜を表面に成長させる基板を上部に装着
し、グラフアイト加熱部を高周波誘導により加
熱して、前記薄膜を成長させる薄膜成長装置用
グラフアイト加熱台において、 前記グラフアイト加熱台をグラフアイト交換
部とグラフアイト加熱部とで形成するととも
に、該グラフアイト交換部の上部に前記基板を
装着する平面部を、下部に凸部または凹部を形
成し、前記グラフアイト加熱部の上部に、前記
グラフアイト交換部の凸部または凹部に対応し
て着脱自在の結合手段を設けて構成したもので
あることを特徴とする薄膜成長装置用グラフア
イト加熱台。 ２ 前記結合手段は前記グラフアイト交換部の凸
部または凹部と、前記グラフアイト加熱部の凹
部または凸部とが互いに嵌合または螺合するよ
うに形成されたことを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第１項記載の薄膜成長装置用グラフ
アイト加熱台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1756483U JPS59125976U (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 薄膜成長装置用グラファイト加熱台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1756483U JPS59125976U (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 薄膜成長装置用グラファイト加熱台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125976U JPS59125976U (ja) | 1984-08-24 |
| JPS6344463Y2 true JPS6344463Y2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=30148797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1756483U Granted JPS59125976U (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 薄膜成長装置用グラファイト加熱台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125976U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4424426Y1 (ja) * | 1967-07-20 | 1969-10-15 | ||
| JPS5431472A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Molding of embossed product |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP1756483U patent/JPS59125976U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4424426Y1 (ja) * | 1967-07-20 | 1969-10-15 | ||
| JPS5431472A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Molding of embossed product |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59125976U (ja) | 1984-08-24 |
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