JPS59125976U - 薄膜成長装置用グラファイト加熱台 - Google Patents

薄膜成長装置用グラファイト加熱台

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JPS59125976U
JPS59125976U JP1756483U JP1756483U JPS59125976U JP S59125976 U JPS59125976 U JP S59125976U JP 1756483 U JP1756483 U JP 1756483U JP 1756483 U JP1756483 U JP 1756483U JP S59125976 U JPS59125976 U JP S59125976U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film growth
graphite heating
heating table
growth equipment
Prior art date
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Application number
JP1756483U
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English (en)
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JPS6344463Y2 (ja
Inventor
河原田　美裕
秋山　正博
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6344463Y2 publication Critical patent/JPS6344463Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の高周波誘導方式における薄膜成長装置の
加熱部の一部断面図、第２図は本考案薄膜成長装置の一
実施例を示す加熱部の一部断面図、第３図は同じく他の
実施例を示す加熱部の一部断面図である。 １・・・・・・成長基板、２・・・・・・グラファイト
交換部、３・・・・・・グラファイト加熱部、４・・・
・・・熱電対、５・・・・・・熱電対保護管、６・・・
・・・加熱部支持棒。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高周波誘導加熱方式による薄膜成長装置において、成長
    基板を装着するグラファイト加熱部の装着部が取りはず
    し交換可能であることを特徴とする薄膜成長装置。
JP1756483U 1983-02-10 1983-02-10 薄膜成長装置用グラファイト加熱台 Granted JPS59125976U (ja)

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JP1756483U JPS59125976U (ja) 1983-02-10 1983-02-10 薄膜成長装置用グラファイト加熱台

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JPS59125976U true JPS59125976U (ja) 1984-08-24
JPS6344463Y2 JPS6344463Y2 (ja) 1988-11-18

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ID=30148797

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4424426Y1 (ja) * 1967-07-20 1969-10-15
JPS5431472A (en) * 1977-08-15 1979-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Molding of embossed product

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4424426Y1 (ja) * 1967-07-20 1969-10-15
JPS5431472A (en) * 1977-08-15 1979-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Molding of embossed product

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JPS6344463Y2 (ja) 1988-11-18

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