JPS6076032U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS6076032U
JPS6076032U JP16736683U JP16736683U JPS6076032U JP S6076032 U JPS6076032 U JP S6076032U JP 16736683 U JP16736683 U JP 16736683U JP 16736683 U JP16736683 U JP 16736683U JP S6076032 U JPS6076032 U JP S6076032U
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JP
Japan
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substrate
semiconductor manufacturing
manufacturing equipment
heating element
mounting table
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管　祥次
行正　亨
義久 石田
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株式会社日立製作所
日立テクノエンジニアリング株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の半導体製造装置の真空処理部の要部縦
断面図、第２図は、本考案による半導体製造装置の一実
施例を示す真空処理部の要部縦断面図である。 １０・・・・・・真空処理室、２０・・・・・・基板、
３０・・・・・・基板載置台、５１・・・・・・液溜部
、５０・・・・・±−ドパイブ、６０・・・・・・発熱
体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空処理室に内設された基板載置台に基板を載置し、該
    基板を加熱してドライプロセスにて処理する装置におい
    て、一端に液溜部を有するヒートパイプの他端を前記基
    板載置台の前記基板が載置□　　される面と対応してそ
    の反対面に設け、液溜部に発熱体を設けたことを特徴と
    する半導体製造装置。
JP16736683U 1983-10-31 1983-10-31 半導体製造装置 Granted JPS6076032U (ja)

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JP16736683U JPS6076032U (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体製造装置

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JPS6076032U true JPS6076032U (ja) 1985-05-28
JPH0230835Y2 JPH0230835Y2 (ja) 1990-08-20

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ID=30366174

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JP (1) JPS6076032U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108712A (ja) * 1986-10-15 1988-05-13 アドバンテージ・プロダクション・テクノロジー・コーポレーション 半導体基板加熱方法及び装置
JP2020526012A (ja) * 2017-06-23 2020-08-27 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー 高温ヒートプレートペデスタル

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108712A (ja) * 1986-10-15 1988-05-13 アドバンテージ・プロダクション・テクノロジー・コーポレーション 半導体基板加熱方法及び装置
JP2020526012A (ja) * 2017-06-23 2020-08-27 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー 高温ヒートプレートペデスタル

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JPH0230835Y2 (ja) 1990-08-20

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