JPH0230835Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0230835Y2 JPH0230835Y2 JP16736683U JP16736683U JPH0230835Y2 JP H0230835 Y2 JPH0230835 Y2 JP H0230835Y2 JP 16736683 U JP16736683 U JP 16736683U JP 16736683 U JP16736683 U JP 16736683U JP H0230835 Y2 JPH0230835 Y2 JP H0230835Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mounting table
- substrate mounting
- heat pipe
- liquid reservoir
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
本考案は、半導体製造装置に係り、特にプラズ
マCVD装置等のように基板を加熱して気相処理
するのに好適な半導体製造装置に関するものであ
る。
マCVD装置等のように基板を加熱して気相処理
するのに好適な半導体製造装置に関するものであ
る。
プラズマCVD装置等のように基板を加熱して
気相処理する従来の半導体製造装置を第１図によ
り説明する。
気相処理する従来の半導体製造装置を第１図によ
り説明する。
第１図で、真空処理室１０には、対向電極（図
示省略）と上下方向に対向して、この場合は、基
板２０が複数枚同時に載置可能な基板載置台３０
が気密を保持し内設されている。基板載置台３０
の基板２０が載置される面と反対面には、セラミ
ツクヒータ４０が複数個配設され、セラミツクヒ
ータ４０は、接点を介しリード線により真空処理
室１０外の電源（図示省略）にそれぞれ接続され
ている。
示省略）と上下方向に対向して、この場合は、基
板２０が複数枚同時に載置可能な基板載置台３０
が気密を保持し内設されている。基板載置台３０
の基板２０が載置される面と反対面には、セラミ
ツクヒータ４０が複数個配設され、セラミツクヒ
ータ４０は、接点を介しリード線により真空処理
室１０外の電源（図示省略）にそれぞれ接続され
ている。
所定圧力まで減圧排気され処理ガスが真空処理
室１０に導入される。一方、基板載置台３０に複
数枚載置された基板２０は、電源ONによりセラ
ミツクヒータ４０を発熱させることで、基板載置
台３０を介し予熱される。このような状態で対向
電極と基板電極３０との間でグロー放電が生じ、
これにより基板２０は処理される。
室１０に導入される。一方、基板載置台３０に複
数枚載置された基板２０は、電源ONによりセラ
ミツクヒータ４０を発熱させることで、基板載置
台３０を介し予熱される。このような状態で対向
電極と基板電極３０との間でグロー放電が生じ、
これにより基板２０は処理される。
このような半導体製造装置では、次のような欠
点があつた。
点があつた。
(1) セラミツクヒータ相互間での発熱量およびセ
ラミツクヒータ配設間隔の相違により基板を均
一予熱することが困難となるため、基板処理精
度が低下する。
ラミツクヒータ配設間隔の相違により基板を均
一予熱することが困難となるため、基板処理精
度が低下する。
(2) 処理ガスに腐食性ガスを用いる場合は、リー
ド線および接点が腐食されるため、メンテナン
スが繁雑となる。
ド線および接点が腐食されるため、メンテナン
スが繁雑となる。
本考案の目的は、気相処理される基板を均一予
熱することで、基板の気相処理精度を向上できる
半導体製造装置を提供することにある。
熱することで、基板の気相処理精度を向上できる
半導体製造装置を提供することにある。
本考案は、液溜部を下端部に有するヒートパイ
プの上端面に基板載置台を設け、前記液溜部に発
熱体を設けたことを特徴とするもので、ヒートパ
イプにより加熱される基板載置台を介して基板を
予熱することで、その予熱を均一化しようとした
ものである。
プの上端面に基板載置台を設け、前記液溜部に発
熱体を設けたことを特徴とするもので、ヒートパ
イプにより加熱される基板載置台を介して基板を
予熱することで、その予熱を均一化しようとした
ものである。
本考案の一実施例を第２図により説明する。な
お、第２図で第１図と同一部品等は同一符号で示
し説明を省略する。
お、第２図で第１図と同一部品等は同一符号で示
し説明を省略する。
第２図で、下端部に液溜部５１を有するヒート
パイプ５０の上端面には、基板載置台３０が設け
られている。つまり、基板載置台３０の基板２０
が載置される面の反対面が、ヒートパイプ５０の
上端面と対応するように基板載置台３０は、ヒー
トパイプ５０に設けられている。液溜部５１は、
この場合、真空処理室１０外にあり、発熱体６０
が設けられている。
パイプ５０の上端面には、基板載置台３０が設け
られている。つまり、基板載置台３０の基板２０
が載置される面の反対面が、ヒートパイプ５０の
上端面と対応するように基板載置台３０は、ヒー
トパイプ５０に設けられている。液溜部５１は、
この場合、真空処理室１０外にあり、発熱体６０
が設けられている。
発熱体６０を発熱させることで、ヒートパイプ
５０に封入され液溜部５１に溜められている液体
が蒸発する。この蒸気は、ヒートパイプ５０中を
上昇しヒートパイプ５０の他端に達して凝縮、液
化する。この時の熱の授受によつて基板載置台３
０全体は均一に加熱され、基板２０は基板載置台
３０を介して均一に予熱される。なお、予熱され
た基板２０は従来と同様にして処理される。
５０に封入され液溜部５１に溜められている液体
が蒸発する。この蒸気は、ヒートパイプ５０中を
上昇しヒートパイプ５０の他端に達して凝縮、液
化する。この時の熱の授受によつて基板載置台３
０全体は均一に加熱され、基板２０は基板載置台
３０を介して均一に予熱される。なお、予熱され
た基板２０は従来と同様にして処理される。
本実施例のような半導体製造装置では、次のよ
うな効果が得られる。
うな効果が得られる。
(1) 基板載置台を介しヒートパイプにより基板を
均一予熱できるため、基板の処理精度を向上で
きる。
均一予熱できるため、基板の処理精度を向上で
きる。
(2) 処理ガスに腐食性ガスを用いても、従来技術
のようにリード線および接点を有しないため、
メンテナンスを極めて簡略化できる。
のようにリード線および接点を有しないため、
メンテナンスを極めて簡略化できる。
本考案によれば、気相処理される基板をヒート
パイプにより加熱される基板載置台を介して予熱
することで、その予熱を均一化できるので、基板
の気相処理精度を向上できる効果がある。
パイプにより加熱される基板載置台を介して予熱
することで、その予熱を均一化できるので、基板
の気相処理精度を向上できる効果がある。
第１図は、従来の半導体製造装置の真空処理部
の要部縦断面図、第２図は、本考案による半導体
製造装置の一実施例を示す真空処理部の要部縦断
面図である。 １０……真空処理室、２０……基板、３０……
基板載置台、５１……液溜部、５０……ヒートパ
イプ、６０……発熱体。
の要部縦断面図、第２図は、本考案による半導体
製造装置の一実施例を示す真空処理部の要部縦断
面図である。 １０……真空処理室、２０……基板、３０……
基板載置台、５１……液溜部、５０……ヒートパ
イプ、６０……発熱体。
Claims (1)
- 真空処理室に内設された基板載置台に基板を載
置し、前記基板載置台を介して前記基板を加熱し
気相処理する装置において、液溜部を下端部に有
するヒートパイプの上端面に前記基板載置台を設
け、前記液溜部に発熱体を設けたことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16736683U JPS6076032U (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16736683U JPS6076032U (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076032U JPS6076032U (ja) | 1985-05-28 |
| JPH0230835Y2 true JPH0230835Y2 (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=30366174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16736683U Granted JPS6076032U (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076032U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4778559A (en) * | 1986-10-15 | 1988-10-18 | Advantage Production Technology | Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus |
| CN110785837A (zh) * | 2017-06-23 | 2020-02-11 | 沃特洛电气制造公司 | 高温热板基座 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP16736683U patent/JPS6076032U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6076032U (ja) | 1985-05-28 |
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