JP3275330B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3275330B2 JP3275330B2 JP27696991A JP27696991A JP3275330B2 JP 3275330 B2 JP3275330 B2 JP 3275330B2 JP 27696991 A JP27696991 A JP 27696991A JP 27696991 A JP27696991 A JP 27696991A JP 3275330 B2 JP3275330 B2 JP 3275330B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ（化学蒸着）装置
等の半導体製造装置に係り、特に枚葉式ＣＶＤ装置に使
用されるウェーハ加熱用ヒータに関する。
等の半導体製造装置に係り、特に枚葉式ＣＶＤ装置に使
用されるウェーハ加熱用ヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の１つに、シリコンウェ
ーハを低圧反応ガス雰囲気中で加熱し、ウェーハ表面に
反応生成物を蒸着させる工程（ＣＶＤ）がある。この反
応生成物を蒸着させるＣＶＤ装置として、ウェーハを１
枚ずつ処理する枚葉式のＣＶＤ装置がある。
ーハを低圧反応ガス雰囲気中で加熱し、ウェーハ表面に
反応生成物を蒸着させる工程（ＣＶＤ）がある。この反
応生成物を蒸着させるＣＶＤ装置として、ウェーハを１
枚ずつ処理する枚葉式のＣＶＤ装置がある。
【０００３】図４は本発明の対象となる枚葉式ＣＶＤ装
置の１例を示す構成説明図、図５は図４におけるヒータ
の１例を示す平面図、図６はその正面図である。図４に
おいて反応室４内にウェーハ置台５が設けられ、このウ
ェーハ置台５上にサセプタ６が設けられており、このサ
セプタ６上にウェーハ７が載置されている。
置の１例を示す構成説明図、図５は図４におけるヒータ
の１例を示す平面図、図６はその正面図である。図４に
おいて反応室４内にウェーハ置台５が設けられ、このウ
ェーハ置台５上にサセプタ６が設けられており、このサ
セプタ６上にウェーハ７が載置されている。
【０００４】ウェーハ置台５の下方に抵抗加熱型ヒータ
１が設けられており、このヒータ１によりサセプタ６が
加熱され、更にウェーハ７が加熱される。ウェーハ７の
上方の反応室４上壁には反応ガスを噴出するノズル８が
固定されている。
１が設けられており、このヒータ１によりサセプタ６が
加熱され、更にウェーハ７が加熱される。ウェーハ７の
上方の反応室４上壁には反応ガスを噴出するノズル８が
固定されている。
【０００５】このような枚葉式ＣＶＤ装置は、反応室４
内を減圧し、ノズル８より反応ガスを噴出すると共にヒ
ータ１によりサセプタ６を介してウェーハ７を加熱し、
ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成する装置である。
内を減圧し、ノズル８より反応ガスを噴出すると共にヒ
ータ１によりサセプタ６を介してウェーハ７を加熱し、
ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成する装置である。
【０００６】上記の枚葉式ＣＶＤ装置に使用される従来
のウェーハ加熱用ヒータ１としては、図５，６に示すよ
うに抵抗加熱型渦巻状ヒータであり、その両端部に電力
を印加する電極端子２が接続されている。ウェーハ７の
温度は電極端子２間に印加する電力を変化させることに
より制御される構成になっている。
のウェーハ加熱用ヒータ１としては、図５，６に示すよ
うに抵抗加熱型渦巻状ヒータであり、その両端部に電力
を印加する電極端子２が接続されている。ウェーハ７の
温度は電極端子２間に印加する電力を変化させることに
より制御される構成になっている。
【０００７】ＣＶＤ処理において、反応生成物の蒸着に
よって生成されるＣＶＤ膜は、ウェーハ表面の温度によ
って異なってくる。従って均一な膜厚にするためには、
ヒータ１による温度制御によってウェーハ温度を制御し
なければならない。
よって生成されるＣＶＤ膜は、ウェーハ表面の温度によ
って異なってくる。従って均一な膜厚にするためには、
ヒータ１による温度制御によってウェーハ温度を制御し
なければならない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来ヒータ
にあっては、ヒータ１に印加する電力を導入するＭo ，
Ｓus等の電極端子２が電極部分からの放熱によりそれ以
外のヒータ部分よりも著しく温度が低下してしまうた
め、それに伴いウェーハ温度に低温部が生じ、ウェーハ
表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜が得られないという課題が
ある。
にあっては、ヒータ１に印加する電力を導入するＭo ，
Ｓus等の電極端子２が電極部分からの放熱によりそれ以
外のヒータ部分よりも著しく温度が低下してしまうた
め、それに伴いウェーハ温度に低温部が生じ、ウェーハ
表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜が得られないという課題が
ある。
【０００９】なお、ウェーハ７の直径よりもサセプタ６
の直径が大きく、これに対応してヒータ１の直径も定め
られているため、ヒータ１の中心部の電極端子２部分と
外側部の電極端子２部分のうち、主に中心部の電極端子
２部分の温度低下が問題になる。
の直径が大きく、これに対応してヒータ１の直径も定め
られているため、ヒータ１の中心部の電極端子２部分と
外側部の電極端子２部分のうち、主に中心部の電極端子
２部分の温度低下が問題になる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、反応室内に設けたサセプタ上にウェーハを
載置し、該サセプタの下方に抵抗加熱型ヒータを設け、
該ヒータによりサセプタを介してウェーハを加熱処理す
る半導体製造装置において、電力が印加される抵抗加熱
型ヒータの少なくとも中心側の端部に、該ヒータの端部
分の温度低下を補償する該ヒータとは別体の補助ヒータ
を接続してなる。
決するため、反応室内に設けたサセプタ上にウェーハを
載置し、該サセプタの下方に抵抗加熱型ヒータを設け、
該ヒータによりサセプタを介してウェーハを加熱処理す
る半導体製造装置において、電力が印加される抵抗加熱
型ヒータの少なくとも中心側の端部に、該ヒータの端部
分の温度低下を補償する該ヒータとは別体の補助ヒータ
を接続してなる。
【００１１】
【作用】このような構成とすることによりヒータ１の端
部分１Ａの温度低下を補助ヒータ３により補償すること
ができ、ウェーハ表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を得るこ
とができることになる。
部分１Ａの温度低下を補助ヒータ３により補償すること
ができ、ウェーハ表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を得るこ
とができることになる。
【００１２】
【実施例】図１（Ａ）は本発明の半導体製造装置に係る
ヒータの第１実施例を示す平面図、図１（Ｂ）はその正
面図である。この第１実施例は、図４の枚葉式ＣＶＤ装
置において、電力が印加される抵抗加熱型渦巻状ヒータ
１の中心側端部を下方に折曲げて、この部分をヒータ１
の端部分１Ａの温度低下を補償する補助ヒータ３とした
構成とする。
ヒータの第１実施例を示す平面図、図１（Ｂ）はその正
面図である。この第１実施例は、図４の枚葉式ＣＶＤ装
置において、電力が印加される抵抗加熱型渦巻状ヒータ
１の中心側端部を下方に折曲げて、この部分をヒータ１
の端部分１Ａの温度低下を補償する補助ヒータ３とした
構成とする。
【００１３】第１実施例において渦巻状ヒータ１の電極
端子２間に電力を印加すると、ヒータ１の中心側の電極
端子２部分の温度低下を補助ヒータ３により補償するこ
とができることになる。
端子２間に電力を印加すると、ヒータ１の中心側の電極
端子２部分の温度低下を補助ヒータ３により補償するこ
とができることになる。
【００１４】図２は第２実施例を示す正面図である。こ
の第２実施例は抵抗加熱型渦巻状ヒータ１の中心側端部
に、２つの補助ヒータ３を連ねてなる。この第２実施例
においても図１の第１実施例と同様の作用効果を奏する
ことになる。
の第２実施例は抵抗加熱型渦巻状ヒータ１の中心側端部
に、２つの補助ヒータ３を連ねてなる。この第２実施例
においても図１の第１実施例と同様の作用効果を奏する
ことになる。
【００１５】図３は第３実施例を示す正面図である。こ
の第３実施例は抵抗加熱型渦巻状ヒータ１の中心側電極
端子２に補助ヒータ３を接続し、この補助ヒータ３に電
極端子２Ａを接続してなる。この第３実施例についても
上記第１，第２実施例と同様の作用効果を奏することに
なる。
の第３実施例は抵抗加熱型渦巻状ヒータ１の中心側電極
端子２に補助ヒータ３を接続し、この補助ヒータ３に電
極端子２Ａを接続してなる。この第３実施例についても
上記第１，第２実施例と同様の作用効果を奏することに
なる。
【００１６】なお、ウェーハ７はその表面の温度が最高
１５００℃位まで加熱され、膜生成時のウェーハ温度は
１０００℃程度である。又、ヒータ１に電力を印加する
電極端子２は一般にネジ等でヒータ１の端部に緩まない
ように接続し、端子部分の発熱を少なくしている。
１５００℃位まで加熱され、膜生成時のウェーハ温度は
１０００℃程度である。又、ヒータ１に電力を印加する
電極端子２は一般にネジ等でヒータ１の端部に緩まない
ように接続し、端子部分の発熱を少なくしている。
【００１７】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、反応室内
に設けたサセプタ上にウェーハを載置し、該サセプタの
下方に抵抗加熱型ヒータを設け、該ヒータによりサセプ
タを介してウェーハを加熱処理する半導体製造装置にお
いて、電力が印加される抵抗加熱型ヒータの少なくとも
中心側の端部に、該ヒータの端部分の温度低下を補償す
る該ヒータとは別体の補助ヒータを接続してなるので、
ヒータの端部分の温度低下を補助ヒータにより補償する
ことができ、ウェーハの温度を均一にできるため、ウェ
ーハ表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を得ることができる。
に設けたサセプタ上にウェーハを載置し、該サセプタの
下方に抵抗加熱型ヒータを設け、該ヒータによりサセプ
タを介してウェーハを加熱処理する半導体製造装置にお
いて、電力が印加される抵抗加熱型ヒータの少なくとも
中心側の端部に、該ヒータの端部分の温度低下を補償す
る該ヒータとは別体の補助ヒータを接続してなるので、
ヒータの端部分の温度低下を補助ヒータにより補償する
ことができ、ウェーハの温度を均一にできるため、ウェ
ーハ表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を得ることができる。
【図１】（Ａ）は本発明の半導体製造装置に係るヒータ
の第１実施例を示す平面図、（Ｂ）はその正面図であ
る。
の第１実施例を示す平面図、（Ｂ）はその正面図であ
る。
【図２】第２実施例を示す正面図である。
【図３】第３実施例を示す正面図である。
【図４】本発明の対象となる枚葉式ＣＶＤ装置の１例を
示す構成説明図である。
示す構成説明図である。
【図５】図４におけるヒータの１例を示す平面図であ
る。
る。
【図６】その正面図である。
１ 抵抗加熱型（渦巻状）ヒータ １Ａ 端部分 ２ 電極端子 ２Ａ 電極端子 ３ 補助ヒータ ４ 反応室 ５ ウェーハ置台 ６ サセプタ ７ ウェーハ ８ ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 文秀 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−278322（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−135363（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−80530（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内に設けたサセプタ上にウェーハ
を載置し、該サセプタの下方に抵抗加熱型ヒータを設
け、該ヒータによりサセプタを介してウェーハを加熱処
理する半導体製造装置において、 電力が印加される抵抗加熱型ヒータの少なくとも中心側
の端部に、該ヒータの端部分の温度低下を補償する該ヒ
ータとは別体の補助ヒータを接続してなる半導体製造装
置。 - 【請求項２】 抵抗加熱型ヒータの端部に、複数の補助
ヒータを連ねてなる請求項１の半導体製造装置。 - 【請求項３】 抵抗加熱型ヒータの電極端子に、補助ヒ
ータを接続してなる請求項１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27696991A JP3275330B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27696991A JP3275330B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001296059A Division JP2002203797A (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590177A JPH0590177A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3275330B2 true JP3275330B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=17576938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27696991A Expired - Fee Related JP3275330B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3275330B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103811246B (zh) * | 2012-11-14 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及等离子体加工设备 |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP27696991A patent/JP3275330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0590177A (ja) | 1993-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080208 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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