JPS63287015A - 化合物半導体薄膜気相成長装置 - Google Patents
化合物半導体薄膜気相成長装置Info
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- JPS63287015A JPS63287015A JP12218587A JP12218587A JPS63287015A JP S63287015 A JPS63287015 A JP S63287015A JP 12218587 A JP12218587 A JP 12218587A JP 12218587 A JP12218587 A JP 12218587A JP S63287015 A JPS63287015 A JP S63287015A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は■−ｖ族化合物半導体を気相エピタキシャル成
長させる装置に関し、特に成長した結晶の欠陥を非常に
小さくしたものである。
長させる装置に関し、特に成長した結晶の欠陥を非常に
小さくしたものである。
ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体は光デバイス、半導
体レーザー、高電子移動度トランジスタ等に使用し、従
来のＳｉ半導体にはない優れた特性を有しており、現在
盛んに実用化の研究が進められている。
体レーザー、高電子移動度トランジスタ等に使用し、従
来のＳｉ半導体にはない優れた特性を有しており、現在
盛んに実用化の研究が進められている。
このような化合物半導体を得る方法としては大きなバル
ク状の結晶が作製可能な融液からの引き上げによるチョ
クラルスキー法や石英ボート等を用いる水平ブリッジマ
ン法などがある。
ク状の結晶が作製可能な融液からの引き上げによるチョ
クラルスキー法や石英ボート等を用いる水平ブリッジマ
ン法などがある。
上記のようなバルク結晶から薄板に切り出され機械研摩
、化学エツチング等の工程を経て仕上げられたウェハー
上に所望の導電型、キャリア密度、混晶比をもつ薄膜層
を１〜１０μ■程度単層あるいは多層に作製し、更に金
属電極の蒸着等の工程を経て半導体デバイスが作製され
る。
、化学エツチング等の工程を経て仕上げられたウェハー
上に所望の導電型、キャリア密度、混晶比をもつ薄膜層
を１〜１０μ■程度単層あるいは多層に作製し、更に金
属電極の蒸着等の工程を経て半導体デバイスが作製され
る。
このような薄膜層を作製する方法の１つにガス状のハロ
ゲン化合物や水素化合物の気流中で基板上に目的結晶を
エピタキシャル成長させる方法がある。この気相エピタ
キシャル成長法は大面積の基板上に容易に均一な薄膜層
が得られるという利点を有するものであり、このうち有
機金属を用いて気相成長を行なう気相成長装置の一例を
第４図に示す。この装置は周囲に水冷ジャケット（２）
を設けた横型反応管（１）内に石英製のサセプタホルダ
ー（４）を配置し、該サセプタホルダー（４）上に断面
構形で反応管（１）の原料ガス（ａ）のガス導入口（５
）側へその尖端部を向は該導入口（５）に向って前傾の
斜面を形成したサセプタ（６）を載置し、反応管（１）
の水冷ジャケット（２）の外側に配置した高周波誘導コ
イル（３）により、サセプタ（６）の上記斜面と同一平
面を形成するように取り付けた化合物半導体基板（１４
）を所定の温度に加熱するものである。
ゲン化合物や水素化合物の気流中で基板上に目的結晶を
エピタキシャル成長させる方法がある。この気相エピタ
キシャル成長法は大面積の基板上に容易に均一な薄膜層
が得られるという利点を有するものであり、このうち有
機金属を用いて気相成長を行なう気相成長装置の一例を
第４図に示す。この装置は周囲に水冷ジャケット（２）
を設けた横型反応管（１）内に石英製のサセプタホルダ
ー（４）を配置し、該サセプタホルダー（４）上に断面
構形で反応管（１）の原料ガス（ａ）のガス導入口（５
）側へその尖端部を向は該導入口（５）に向って前傾の
斜面を形成したサセプタ（６）を載置し、反応管（１）
の水冷ジャケット（２）の外側に配置した高周波誘導コ
イル（３）により、サセプタ（６）の上記斜面と同一平
面を形成するように取り付けた化合物半導体基板（１４
）を所定の温度に加熱するものである。
このような装置でＧａＡＳ単結晶を成長させる場合は原
料ガス（ａ）としてＶ族の水素化物ガスであるアルシン
（Ａ Ｓ Ｈ３）と、■族の原料となるガスであるトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ＞の混合ガスを用いキャリアガ
ス（８２等）（Ｃ）とともに上記ガス導入口（５）から
反応管（１）内に送り、上記の加熱された基板（１４）
上で熱分解反応等を起こし、これにより基板（１４）上
にＧａＡＳ単結晶薄膜を成長させている。
料ガス（ａ）としてＶ族の水素化物ガスであるアルシン
（Ａ Ｓ Ｈ３）と、■族の原料となるガスであるトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ＞の混合ガスを用いキャリアガ
ス（８２等）（Ｃ）とともに上記ガス導入口（５）から
反応管（１）内に送り、上記の加熱された基板（１４）
上で熱分解反応等を起こし、これにより基板（１４）上
にＧａＡＳ単結晶薄膜を成長させている。
また他の成長装置としては第５図に示すように周囲に水
冷ジャケット（２）を設けた竪型反応管（１０）内に上
部が半球状で下部が正多角誰台状のナセプタ（６）をそ
の下端面に設けた支持シャフト（１１）にて垂直に支持
し、サセプタ（６）の各側面に化合物半導体基板（１４
）をその表面がサセプタ（６）の側面と同一平面を形成
するように取り付け、反応管（１０）の水冷ジャケット
（２）の外側に配置した高周波誘導コイル（３）により
、上記サセプタ（６）の各側面上に取り付けた化合物半
導体基板（１４）を゛所定の温度に加熱するものである
。、このような装置でＧａＡＳ単結晶を成長させるには
上記と同様にＡＳＨ３ガスとＴＭＧガスを原料ガス（ａ
）としてキャリアガス（Ｃ）とともに竪型反応管（１０
）の上端に設けたガスの導入管（５）より該反応管（１
０）内に送り、加熱された基板（１４）上で熱分解反応
等を起こして基板（１４）上でＧ ａ Ａ Ｓ Ｒ膜の
単結晶としている。
冷ジャケット（２）を設けた竪型反応管（１０）内に上
部が半球状で下部が正多角誰台状のナセプタ（６）をそ
の下端面に設けた支持シャフト（１１）にて垂直に支持
し、サセプタ（６）の各側面に化合物半導体基板（１４
）をその表面がサセプタ（６）の側面と同一平面を形成
するように取り付け、反応管（１０）の水冷ジャケット
（２）の外側に配置した高周波誘導コイル（３）により
、上記サセプタ（６）の各側面上に取り付けた化合物半
導体基板（１４）を゛所定の温度に加熱するものである
。、このような装置でＧａＡＳ単結晶を成長させるには
上記と同様にＡＳＨ３ガスとＴＭＧガスを原料ガス（ａ
）としてキャリアガス（Ｃ）とともに竪型反応管（１０
）の上端に設けたガスの導入管（５）より該反応管（１
０）内に送り、加熱された基板（１４）上で熱分解反応
等を起こして基板（１４）上でＧ ａ Ａ Ｓ Ｒ膜の
単結晶としている。
これらの場合基板上に成長する半導体結晶の均一性、完
全性及び該結晶の特性は原料ガス及びキャリアガスの流
れに大きく依存し、流れが層流であるときが最良の状態
であることが知られている。このため上記横型反応管を
用いる場合は第４図に示すように断面構形のサセプタ（
６）の斜面上部に化合物半導体基板（１４）を取り付け
、下部の樹形の尖端部をカーボン製ガス整流部（１５）
とし、該整流部（１５）の斜面にガスの流れを当て一様
な層流が基板（１４）上を流れるようにしてあり、また
竪型反応管を用いる場合は第５図に示すようにサセプタ
（６）の上部形状を半球状のカーボン製ガス整流部（１
５）に形成し、この半球の頂点の上方からガスを供給す
ることにより、下方のサセプタ（３）各面に層流が流下
するような構成としている。
全性及び該結晶の特性は原料ガス及びキャリアガスの流
れに大きく依存し、流れが層流であるときが最良の状態
であることが知られている。このため上記横型反応管を
用いる場合は第４図に示すように断面構形のサセプタ（
６）の斜面上部に化合物半導体基板（１４）を取り付け
、下部の樹形の尖端部をカーボン製ガス整流部（１５）
とし、該整流部（１５）の斜面にガスの流れを当て一様
な層流が基板（１４）上を流れるようにしてあり、また
竪型反応管を用いる場合は第５図に示すようにサセプタ
（６）の上部形状を半球状のカーボン製ガス整流部（１
５）に形成し、この半球の頂点の上方からガスを供給す
ることにより、下方のサセプタ（３）各面に層流が流下
するような構成としている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが一般に原料として用いるＶ族の水素化物ガスは
■−ｖ族化合物半導体の結晶成長を行なう温度領域（６
００〜８００℃）では熱分解率が低く（特に６００〜７
００℃で著しい）、かつ該分解率はサセプタ及びガス整
流部に付着した当該化合物の多結晶による触媒作用等に
より影響される。このためガス整流部を洗浄した直後や
サセプタ表面の付着物を取り除いた直後に成長した結晶
は、その後時間の経過に伴なってガス整流部表面等に付
着物が付着した状態で成長した結晶とは異なった特性を
示すため、歩留りは低下し、得られる結晶毎に品質上の
不安定さがあった。
■−ｖ族化合物半導体の結晶成長を行なう温度領域（６
００〜８００℃）では熱分解率が低く（特に６００〜７
００℃で著しい）、かつ該分解率はサセプタ及びガス整
流部に付着した当該化合物の多結晶による触媒作用等に
より影響される。このためガス整流部を洗浄した直後や
サセプタ表面の付着物を取り除いた直後に成長した結晶
は、その後時間の経過に伴なってガス整流部表面等に付
着物が付着した状態で成長した結晶とは異なった特性を
示すため、歩留りは低下し、得られる結晶毎に品質上の
不安定さがあった。
ざらにガス整流部はその材質をサセプタと同じカーボン
にした場合、基板部と同じ温度まで加熱されるので原料
ガスがガス整流部に当った個所で熱分解してしまい上記
の多結晶の付着物が生成することになる。従ってこれを
回避する方法として誘導加熱によりガス整流部が加熱さ
れるのを防ぐために通常はガス整流部の材質に石英を用
いている。ところが、このように石英を用いたとしても
上記付着物は皆無とはならず、わずかに生成し、ざらに
この付着物は石英表面との密着度が悪く、基板上への結
晶成長の操作を数回行なうと上記多結晶の付着物が石英
表面から剥離してしまうため、ガスの流れに乗って下方
の基板表面に落下した場合は単結晶の表面欠陥の原因と
なる等の問題も生じていた。
にした場合、基板部と同じ温度まで加熱されるので原料
ガスがガス整流部に当った個所で熱分解してしまい上記
の多結晶の付着物が生成することになる。従ってこれを
回避する方法として誘導加熱によりガス整流部が加熱さ
れるのを防ぐために通常はガス整流部の材質に石英を用
いている。ところが、このように石英を用いたとしても
上記付着物は皆無とはならず、わずかに生成し、ざらに
この付着物は石英表面との密着度が悪く、基板上への結
晶成長の操作を数回行なうと上記多結晶の付着物が石英
表面から剥離してしまうため、ガスの流れに乗って下方
の基板表面に落下した場合は単結晶の表面欠陥の原因と
なる等の問題も生じていた。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、結晶の表面欠陥を
なくし、品質の安定したエピタキシャルウェハーを製造
可能にした化合物半導体薄膜気相成長装置を開発したも
ので、■族水素化物ガスをサセプタ上に保持した基板面
上に流し、該サセプタの上流側にガス整流部を設けて上
記ガスの流れを層流とし、サセプタ上に保持した基板上
に■−ｖ族化合物半導体薄膜を成長゛させる装置におい
て、ガス整流部を上記Ｖ族元素を構成元素とする半導体
結晶で形成することを特徴とするものである。
なくし、品質の安定したエピタキシャルウェハーを製造
可能にした化合物半導体薄膜気相成長装置を開発したも
ので、■族水素化物ガスをサセプタ上に保持した基板面
上に流し、該サセプタの上流側にガス整流部を設けて上
記ガスの流れを層流とし、サセプタ上に保持した基板上
に■−ｖ族化合物半導体薄膜を成長゛させる装置におい
て、ガス整流部を上記Ｖ族元素を構成元素とする半導体
結晶で形成することを特徴とするものである。
このようにガス整流部にＶ族元素を構成元素とする半導
体結晶を使用するのはガスの流れを層流に変化させる整
流部表面に必然的に生成してしまう■−ｖ族化合物結晶
の付着物を上記の新たな半導体結晶上に成長させること
により強固に着床させるためであり、これにより付着物
の剥離を完全になくすことができ、さらにＶ族原料ガス
の分解を促進する触媒作用については基板上への単結晶
成長の当初から触媒として働く半導体結晶が存在してい
ることになり該結晶に付着物結晶が成長しても触媒作用
は同一であり、ウェハーの品質は安定したものとなる。
体結晶を使用するのはガスの流れを層流に変化させる整
流部表面に必然的に生成してしまう■−ｖ族化合物結晶
の付着物を上記の新たな半導体結晶上に成長させること
により強固に着床させるためであり、これにより付着物
の剥離を完全になくすことができ、さらにＶ族原料ガス
の分解を促進する触媒作用については基板上への単結晶
成長の当初から触媒として働く半導体結晶が存在してい
ることになり該結晶に付着物結晶が成長しても触媒作用
は同一であり、ウェハーの品質は安定したものとなる。
本発明を実施例に基づき説明する。
実施例工
第１図は横型反応管を用いた場合を示すもので図におい
て（１）は横型反応管、（２）は該反応管の外周に設け
た水冷ジャケット、（３）は水冷ジャケットの外側に設
けた高周波誘導コイルを示し、横型反応管（１）内に石
英製のナセプタホルダー（４）を配置し、該ホルダー（
４）上に断面楔形で横型反応管（１）の原料ガス（ａ）
及びキャリアガス（Ｃ）のガス導入口（５）側へその尖
端部を向は該導入口（５）に向って前傾の斜面を形成し
たサセプ°り（６）を載置し、原料ガス（ａ）及びキャ
リアガス（Ｃ）の流れの下流側をカーボン類の結晶成長
部（７）とし、斜面上にＧａＡｓ単結晶基板（８）をそ
の上面が斜面と同一平面を形成するように取り付けた。
て（１）は横型反応管、（２）は該反応管の外周に設け
た水冷ジャケット、（３）は水冷ジャケットの外側に設
けた高周波誘導コイルを示し、横型反応管（１）内に石
英製のナセプタホルダー（４）を配置し、該ホルダー（
４）上に断面楔形で横型反応管（１）の原料ガス（ａ）
及びキャリアガス（Ｃ）のガス導入口（５）側へその尖
端部を向は該導入口（５）に向って前傾の斜面を形成し
たサセプ°り（６）を載置し、原料ガス（ａ）及びキャ
リアガス（Ｃ）の流れの下流側をカーボン類の結晶成長
部（７）とし、斜面上にＧａＡｓ単結晶基板（８）をそ
の上面が斜面と同一平面を形成するように取り付けた。
上記尖端部即ち原料ガス（ａ）及びキャリアガス（Ｃ）
の流れの上流側は石英製のガス整流部（９）とし、同様
に斜面上にＧａＡｓ単結晶基板（８）をその上面が斜面
と同一平面を形成するように取り付けた。
の流れの上流側は石英製のガス整流部（９）とし、同様
に斜面上にＧａＡｓ単結晶基板（８）をその上面が斜面
と同一平面を形成するように取り付けた。
上記のような薄膜気相成長装置にて導入口（５）よりキ
ャリアガスを反応管（１）に導入した後、水冷ジャケッ
ト（２）に冷却水（ｂ）を送り、高周波誘導コイル（３
）によりＧａＡｓ単結晶基板（８）を加熱し、ガス導入
口（５）からキャリアガスと混合した原料ガス（ａ）を
供給し、結晶成長部（７）のＧａＡｓ単結晶基板（８）
上にＧａＡＳを成長させた。このように得られたＧａＡ
Ｓ化合物半導体薄膜は欠陥の非常に少ない極めて優れた
単結晶であった。
ャリアガスを反応管（１）に導入した後、水冷ジャケッ
ト（２）に冷却水（ｂ）を送り、高周波誘導コイル（３
）によりＧａＡｓ単結晶基板（８）を加熱し、ガス導入
口（５）からキャリアガスと混合した原料ガス（ａ）を
供給し、結晶成長部（７）のＧａＡｓ単結晶基板（８）
上にＧａＡＳを成長させた。このように得られたＧａＡ
Ｓ化合物半導体薄膜は欠陥の非常に少ない極めて優れた
単結晶であった。
なお上記の場合、サセプタホルダー（４）とガス整流部
（９）の材質は共に石英であるので両者を一体に形成す
ることもでき、またガス整流部（９）はカーボン類とし
結晶成長部（７）と一体に形成することもでき部品点数
を減らすことが可能となる。
（９）の材質は共に石英であるので両者を一体に形成す
ることもでき、またガス整流部（９）はカーボン類とし
結晶成長部（７）と一体に形成することもでき部品点数
を減らすことが可能となる。
実施例■
第２図は竪型反応管を用いた場合を示すもので、図にお
いて（１０）は竪型反応管、（２）は該反応管の外周に
設けた水冷ジャケット、（３）は水冷ジャケットの外側
に設けた高周波誘導コイルを示し、竪型反応管（１０）
内に上部に半球状のガス整流部（９）と下部に正多角鉗
台状の結晶成長部（７）を有するサセプタ（６）をその
下端面に設けた支持シャフト（１１）にて垂直に支持す
る。上記ガス整流部（９）はＧａＡＳ単結晶インゴット
から削り出したものであり、結晶成長部（７）はカーボ
ンを加工したもので、該成長部（７）の各側面にＧａＡ
ｓ単結晶基板（８）をその表面が結晶成長部（７）の側
面と同一平面を形成するように取り付けである。
いて（１０）は竪型反応管、（２）は該反応管の外周に
設けた水冷ジャケット、（３）は水冷ジャケットの外側
に設けた高周波誘導コイルを示し、竪型反応管（１０）
内に上部に半球状のガス整流部（９）と下部に正多角鉗
台状の結晶成長部（７）を有するサセプタ（６）をその
下端面に設けた支持シャフト（１１）にて垂直に支持す
る。上記ガス整流部（９）はＧａＡＳ単結晶インゴット
から削り出したものであり、結晶成長部（７）はカーボ
ンを加工したもので、該成長部（７）の各側面にＧａＡ
ｓ単結晶基板（８）をその表面が結晶成長部（７）の側
面と同一平面を形成するように取り付けである。
このような薄膜気相成長装置の反応管（１０）の導入口
（５）よりキャリアガス（Ｃ）を反応管（１）に導入し
た後水冷ジャケット（２）に冷却水（ｂ）を流して、高
周波誘導コイル（３）にてＧａＡｓ単結晶基板（８）を
加熱しガス導入口（５）から原料ガスとキャリアガスと
の混合ガスを供給し、ＧａＡｓ単結晶基板（８）上にＧ
ａＡＳを成長させた。このようにして得られたＧａＡｓ
化合物半導体薄膜は欠陥が少なく極めて優れた単結晶で
あった。
（５）よりキャリアガス（Ｃ）を反応管（１）に導入し
た後水冷ジャケット（２）に冷却水（ｂ）を流して、高
周波誘導コイル（３）にてＧａＡｓ単結晶基板（８）を
加熱しガス導入口（５）から原料ガスとキャリアガスと
の混合ガスを供給し、ＧａＡｓ単結晶基板（８）上にＧ
ａＡＳを成長させた。このようにして得られたＧａＡｓ
化合物半導体薄膜は欠陥が少なく極めて優れた単結晶で
あった。
なお上記の場合半球状のガス整流部を第３図（イ）に示
すように多面体形状から成る石英ホルダー（１２）とし
、該ホルダー（１２）のそれぞれの面にＧａＡｓ単結晶
インゴットから切り出した短冊形基板（１３）を密着固
定してガス整流部を形成してもよく、また第３図（ロ）
に示すように原料ガスを分解する触媒作用や多結晶付着
物が生成するのはガス整流部の結晶成長部（７）と隣接
する部分のみであるためガス整流部の上部を半球状の石
英ホルダー（１２°）とし、下部の結晶成長部（７）と
の隣接部の周囲表面だけに短冊形基板（１３）を固定し
ておくことも可能である。
すように多面体形状から成る石英ホルダー（１２）とし
、該ホルダー（１２）のそれぞれの面にＧａＡｓ単結晶
インゴットから切り出した短冊形基板（１３）を密着固
定してガス整流部を形成してもよく、また第３図（ロ）
に示すように原料ガスを分解する触媒作用や多結晶付着
物が生成するのはガス整流部の結晶成長部（７）と隣接
する部分のみであるためガス整流部の上部を半球状の石
英ホルダー（１２°）とし、下部の結晶成長部（７）と
の隣接部の周囲表面だけに短冊形基板（１３）を固定し
ておくことも可能である。
このように本発明によれば結晶欠陥が極めて少なく、品
質の安定性に侵れたｍ−ｖ族化合物半導体薄膜が製造で
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
質の安定性に侵れたｍ−ｖ族化合物半導体薄膜が製造で
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す側断面図、第２図は本
発明の他の実施例を示す側断面図、第３図（イ） （ロ
）は本発明の他の実施例を示ずそれぞれ要部外観図、第
４図及び第５図は従来例を示す側断面図である。 １・・・・・・・・横型反応管 ２・・・・・・・・水冷ジャケット ３・・・・・・・・高周波誘導コイル ４・・・・・・・・サセプタホルダー ５・・・・・・・・ガス導入口 ６・・・・・・・・サセプタ ７・・・・・・・・結晶成長部 ８・・・・・・・・ＧａＡｓ単結晶基板９・・・・・・
・・ガス整流部 １０・・・・・・・・竪型反応管 １１・・・・・・・・支持シャフト １２．１２°・・・・石英ホルダー １３・・・・・・・・短冊形基板 １４・・・・・・・・化合物半導体基板１５・・・・・
・・・カーボン製ガス整流部ａ・・・・・・・・原料ガ
ス ｂ・・・・・・・・冷却水 Ｃ・・・・・・・・キレリアガス 第１図 第２図 第４図 第５図
発明の他の実施例を示す側断面図、第３図（イ） （ロ
）は本発明の他の実施例を示ずそれぞれ要部外観図、第
４図及び第５図は従来例を示す側断面図である。 １・・・・・・・・横型反応管 ２・・・・・・・・水冷ジャケット ３・・・・・・・・高周波誘導コイル ４・・・・・・・・サセプタホルダー ５・・・・・・・・ガス導入口 ６・・・・・・・・サセプタ ７・・・・・・・・結晶成長部 ８・・・・・・・・ＧａＡｓ単結晶基板９・・・・・・
・・ガス整流部 １０・・・・・・・・竪型反応管 １１・・・・・・・・支持シャフト １２．１２°・・・・石英ホルダー １３・・・・・・・・短冊形基板 １４・・・・・・・・化合物半導体基板１５・・・・・
・・・カーボン製ガス整流部ａ・・・・・・・・原料ガ
ス ｂ・・・・・・・・冷却水 Ｃ・・・・・・・・キレリアガス 第１図 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- Ｖ族水素化物ガスをサセプタ上に保持した基板面上に流
し、該サセプタの上流側にガス整流部を設けて上記ガス
の流れを層流とし、サセプタ上に保持した基板上にIII
−Ｖ族化合物半導体薄膜を成長させる装置において、ガ
ス整流部を上記Ｖ族元素を構成元素とする半導体結晶で
形成することを特徴とする化合物半導体薄膜気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12218587A JPH0691022B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 化合物半導体薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12218587A JPH0691022B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 化合物半導体薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287015A true JPS63287015A (ja) | 1988-11-24 |
| JPH0691022B2 JPH0691022B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=14829682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12218587A Expired - Lifetime JPH0691022B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 化合物半導体薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691022B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197383A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP12218587A patent/JPH0691022B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197383A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691022B2 (ja) | 1994-11-14 |
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