TWI835249B - 一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置、設備及方法 - Google Patents
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Abstract
本發明實施例提供了一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置、設備及方法；該晶圓支撐桿裝置包括：晶圓支撐桿以及套筒組件；其中，該晶圓支撐桿與該套筒組件相套接，且該晶圓支撐桿沿該套筒組件的軸向方向能夠往復移動。
Description
本發明實施例屬於半導體製造技術領域，尤其關於一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置、設備及方法。
相關技術中晶圓是通過單晶矽棒生長步驟、切片步驟、磨削步驟、研磨步驟、拋光步驟和在拋光步驟之後去除附著在晶圓上的磨蝕物或雜質的清潔步驟來製備的。由這種方法製備的晶圓稱為拋光晶圓，在拋光晶圓的表面上生長一層單晶薄膜(也稱之為磊晶層)的晶圓稱為磊晶晶圓。
相比拋光晶圓，磊晶晶圓具有表面缺陷少、結晶性能優異以及電阻率可控的特性，被廣泛地應用於高集成化的積體電路(Integrated Circuit，IC)元件和金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)製程。目前，常規方案中是通過化學氣相沉積法對晶圓進行磊晶生長，具體來說，首先將晶圓傳送至磊晶沉積反應腔室的基座上，然後磊晶沉積反應腔室升溫，達到預設的溫度後送入清潔氣體(H2)以去除晶圓表面的自然氧化物，之後再送入矽源氣體在晶圓的正面連續均勻地生長一層磊晶層。但是目前通過相關技術的磊晶沉積反應生長設備所獲得的磊晶晶圓平坦度不均一，表現為特別是三根晶圓支撐桿分別對應的區域磊晶層厚度不一致，在磊晶晶圓正面形成了異常圖案。
目前，隨著金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)製程技術的不斷發展，線寬度越來越小，其對於晶圓平坦度的要求越來越嚴格。平坦度不佳的晶圓可能導致失焦，甚至可能影響到化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)的製程，進而影響產品良率。近年來，通常採用奈米形貌(Nanotopography，NT)作為評價晶圓平坦度的參數。需要說明的是，NT是指在空間波長近似0.2~10奈米nm範圍內，在品質保證區域(Fixed Quality Area，FQA)整個晶圓表面不平整的偏差，一般測試NT參數最常使用的PQA為晶圓表面中央區域的2×2平方毫米mm2(簡稱為THA2)和10×10mm2(簡稱為THA4)區域，可以理解地，NT參數則是指上述區域內的晶圓表面的高低差。另一方面，NT對CMP製程具有顯著影響，具體來說，當晶圓表面平坦時，可以均勻地拋光去除介電層；然而，當晶圓局部平坦度不佳時，就會產生過度拋光或拋光不足的現象，而過度拋光可能導致IC元件的提早崩潰，拋光不足可能導致IC元件接觸上的錯誤。
有鑑於此，本發明實施例期望提供一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置、設備及方法；能夠改善磊晶生長過程中晶圓支撐桿與基座各區域溫度的均一性，平衡了磊晶層上晶圓支撐桿對應區域與其他區域的生長速率，以提高磊晶晶圓的平坦度。
本發明實施例的技術方案是這樣實現的：
第一方面，本發明實施例提供了一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置，該晶圓支撐桿裝置包括：晶圓支撐桿以及套筒組件；其中，
該晶圓支撐桿與該套筒組件相套接，且該晶圓支撐桿沿該套筒組件的軸向方向能夠往復移動。
第二方面，本發明實施例提供了一種用於晶圓磊晶生長的設備，該設備包括：圓盤形基座，該基座用於承載晶圓；基座支撐架，該基座支撐架用於支撐該基座；三組根據第一方面所述之晶圓支撐桿裝置；上部石英鐘罩和下部石英鐘罩，該上部石英鐘罩和該下部石英鐘罩一起圍閉出容納該基座的反應腔室，其中，該基座將該反應腔室分隔成上反應腔室和下反應腔室，該晶圓放置在該上反應腔室中；多個加熱燈泡，該多個加熱燈泡設置在該上部石英鐘罩和下部石英鐘罩的週邊並用於透過上部石英鐘罩和下部石英鐘罩在該反應腔室中提供用於磊晶生長的高溫環境；進氣口，該進氣口用於向該反應腔室中順序地輸送清潔氣體和矽源氣體；排氣口，該排氣口用於將該清潔氣體和該矽源氣體各自的反應尾氣排出該反應腔室。
第三方面，本發明實施例提供了一種用於晶圓磊晶生長的方法，該方法應用於第二方面所述之設備，該方法包括：通過上升和下降晶圓支撐桿使得晶圓裝載於基座中；開啟多個加熱燈泡使反應腔室的溫度升至1100℃~1150℃，並經由進氣口將矽源氣體輸送到上反應腔室中以在該晶圓表面生長一層磊晶層；
該矽源氣體從該上反應腔室穿過該晶圓的正面，並擴散至該晶圓的背面以便於從反應腔室的間隙排出至下反應腔室中；經由排氣口將包括排出至該下反應腔室的矽源氣體的反應尾氣排出該反應腔室；通過上升該晶圓支撐桿將已完成磊晶沉積反應的晶圓從該基座中卸載。
本發明實施例提供了一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置、設備及方法；該晶圓支撐桿裝置包括晶圓支撐桿和套筒組件，其中，晶圓支撐桿與套筒組件相套接，且晶圓支撐桿沿套筒組件的軸向方向能夠往復移動，在晶圓磊晶生長的過程中，由套筒組件吸收輻射熱量後再向晶圓支撐桿上端部輻射熱量，改善了磊晶層上晶圓支撐桿對應區域和其他區域的溫度均一性，平衡了磊晶層上晶圓支撐桿對應區域與其他區域的生長速率，進而消除磊晶晶圓表面的異常圖案，以提高磊晶晶圓的平坦度。
1:用於晶圓W磊晶生長的設備
2:用於晶圓W磊晶生長的設備
7:晶圓支撐桿裝置
10:基座
10A:相鄰部件
20:基座支撐架
20A:基座支撐架
201:第二凹孔
30A:上部石英鐘罩
30B:下部石英鐘罩
40:進氣口
50:排氣口
60:加熱燈泡
70:安裝部件
700:套筒組件
701:套筒
7011:第一凸起結構
702:套筒支架
7021:第一凹孔
7022:第二凸起結構
80:晶圓支撐桿
80A:晶圓支撐桿
80A-1:第一晶圓支撐桿
80A-2:第二晶圓支撐桿
80A-3:第三晶圓支撐桿
90:晶圓支撐桿承載架
RC:反應腔室
RC1:上反應腔室
RC2:下反應腔室
W:晶圓
X:中心軸線
G:間隙
D:直徑
D1:內徑
D2:外徑
H:高度
S1501-S1505:步驟
圖1為本發明實施例提供的相關技術的用於晶圓磊晶生長的設備結構示意圖；圖2為本發明實施例提供的裝載/卸載晶圓的場景示意圖之一；圖3為本發明實施例提供的裝載/卸載晶圓的場景示意圖之二；圖4為本發明實施例提供的裝載/卸載晶圓的場景示意圖之三；圖5為本發明實施例提供的相關技術的磊晶生長設備獲得的晶圓磊晶層的奈米形貌示意圖；
圖6為本發明實施例提供的在FQA為晶圓表面中央的10×10mm2區域時，晶圓磊晶層的NT值示意圖；圖7為本發明實施例提供的一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置結構示意圖；圖8為本發明實施例提供的套筒結構俯視圖示意圖；圖9為本發明實施例提供的套筒沿A-A面截取的結構示意圖；圖10為本發明實施例提供的套筒支架結構俯視圖示意圖；圖11為本發明實施例提供的套筒支架沿B-B面截取的結構示意圖；圖12為本發明實施例提供的基座支撐架結構俯視圖示意圖；圖13為本發明實施例提供的基座支撐架沿C-C面截取的結構示意圖；圖14為本發明實施例提供的一種用於晶圓磊晶生長的設備結構示意圖；圖15為本發明實施例提供的一種用於晶圓磊晶生長的方法流程示意圖。
為利 貴審查委員了解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達到之功效，茲將本發明配合附圖及附件，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的申請範圍，合先敘明。
在本發明實施例的描述中，需要理解的是，術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明實施例和簡化描述，而不是指示或暗示所
指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特徵。在本發明實施例的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本發明實施例中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的具通常知識者而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明實施例中的具體含義。
參見圖1，其示出了相關技術的用於晶圓W磊晶生長的設備1。如圖1所示，該用於晶圓W磊晶生長的設備1可以包括：基座10，該基座10用於承載晶圓W；基座支撐架20A，該基座支撐架20A用於支撐基座10並在磊晶生長期間驅動基座10以一定速度繞中心軸線X旋轉，其中在基座10的旋轉過程中，晶圓W隨基座10一起繞中心軸線X旋轉，也就是說晶圓W相對於基座10是保持靜止的，由此，需要基座10的徑向邊緣與相鄰部件10A(通常為預熱環)之間具有較小的間隙G；上部石英鐘罩30A和下部石英鐘罩30B，該上部石英鐘罩30A和該下部石英鐘罩30B一起圍閉出將基座10以及基座支撐架20A容納在其中的反應腔室RC，其中，基座10將反應腔室RC分隔成上反應腔室RC1和下反應腔室RC2，晶圓W放
置在上反應腔室RC1中；通常，上反應腔室RC1中的氣壓略大於下反應腔室RC2中的氣壓使得上反應腔室RC1中的氣體會經由間隙G進入到下反應腔室RC2中；進氣口40，該進氣口40用於向上反應腔室RC1中輸送反應氣體，例如以三氯氫矽SiHCl3為例的矽源氣體、氫氣、以乙硼烷B2H6或三氫化磷PH3為例的摻雜劑氣體，以便於通過矽源氣體與氫氣反應生成矽原子並沉積在晶圓W上以在晶圓W上生長磊晶層，同時通過摻雜劑氣體對晶圓W的磊晶層進行摻雜以獲得所需的電阻率；排氣口50，該排氣口50用於將反應尾氣排出反應腔室RC；多個加熱燈泡60，該多個加熱燈泡60設置在上部石英鐘罩30A和下部石英鐘罩30B的週邊並用於透過上部石英鐘罩30A和下部石英鐘罩30B在反應腔室RC中提供用於氣相磊晶沉積的高溫環境；以及用於組裝用於晶圓W磊晶生長的設備1的各個元件的安裝部件70。
可以理解地，在上述的用於晶圓W磊晶生長的設備1中還設置有晶圓支撐桿80A以及設置在晶圓支撐桿80A正下方位置處的晶圓支撐桿承載架90，如圖2所示，在磊晶沉積反應前，晶圓W由機械手(圖中未示出)放置在晶圓支撐桿80A上，通過晶圓支撐桿80A下降，使得晶圓W裝載到基座10內(即按照圖2→圖3→圖4的循序執行)，然後進行磊晶沉積反應。待磊晶沉積反應完成後，晶圓支撐桿80A上升，將磊晶晶圓從基座10內頂起(即按照圖4→圖3→圖2的循序執行))，最後由機械手取出。可以理解地，在磊晶沉積反應前後，通過晶圓支撐桿承載架90的上升和下降帶動晶圓支撐桿80A的上升和下降，以實現晶圓W在基座10內的上升和下降。需要說明的是，在用於晶圓W磊晶生長的設備1中包含了三根晶圓支撐桿80A，分別為第一晶圓支撐桿80A-1，第二晶圓支撐桿80A-2和第三晶圓支撐桿80A-3，這三根晶圓支撐桿80A繞基座支撐架20A的縱向軸線
的周向方向上均勻地分佈於基座10的正下方。需要說明的是，在本發明實施例中，設定晶圓W的中心為原點，第一晶圓支撐桿80A-1與晶圓W中心的距離為-100±2毫米mm，第二晶圓支撐桿80A-2與晶圓W中心之間的距離為100±2mm。
可以理解地，在磊晶生長過程中晶圓W的正面由上部加熱燈泡60以熱輻射的方式為磊晶沉積反應提供熱量，而晶圓W的背面由基座10和晶圓支撐桿80A以熱輻射的方式為磊晶沉積反應提供熱量。
需要說明的是，在用於晶圓W磊晶生長的設備1中，基座10的材質為覆蓋碳化矽塗層的石墨；晶圓支撐桿80A的材質為玻璃碳，且其直徑為4mm；基座支撐架20A和晶圓支撐桿承載架90的材質為透明石英。
參見圖5，其示出了由用於晶圓W磊晶生長的設備1獲得的磊晶晶圓正面的奈米形貌。由圖5可以看出，磊晶晶圓正面上三根晶圓支撐桿80A分別對應的區域處形成了異常圖案(圖中黑色虛線矩形所示處)，其中在圖5中黑色直線左側的異常圖案為第一晶圓支撐桿80A-1對應的區域，黑色直線右側的異常圖案為第二晶圓支撐桿80A-2對應的區域。根據圖5示出的磊晶晶圓正面的奈米形貌，設定FQA為磊晶晶圓正面中央的10×10mm2區域，在此區域內採集多個測試點的NT值繪製得到如圖6所示的磊晶層NT值與不同測試點之間的關係曲線圖。由圖6可以看出，第一晶圓支撐桿80A-1和第二晶圓支撐桿80A-2對應區域的磊晶層的NT值明顯大於其他區域的NT值，具體來說，第一晶圓支撐桿80A-1對應區域的磊晶層的NT值約為-12.5nm，第二晶圓支撐桿80A-2對應區域的磊晶層的NT值約為-8.5nm。這主要是因為基座10與晶圓支撐桿80A的材質不同，導致基座10與晶圓支撐桿80A的熱輻射係數不同，且晶圓支撐桿80A的直徑尺寸小於基座10的開孔直徑尺寸，從而導致在磊晶生長過程中晶圓支撐桿80A與基座表面及
其開孔處接收的磊晶沉積反應熱量不均一，這種差異造成晶圓支撐桿80A對應區域的磊晶層生長速率與其他區域的生長速率不同，最終影響了磊晶層厚度的均一性，使得磊晶晶圓表面產生了異常圖案。
基於上述闡述，本發明實施例期望提供一種用於晶圓W磊晶生長的晶圓支撐桿裝置，以能夠改善晶圓W磊晶層上晶圓支撐桿80A對應區域與基座10上其他區域的溫度差異，平衡磊晶層上晶圓支撐桿對應區域與其他區域的生長速率，進而提高磊晶晶圓的平坦度。參見圖7，其示出了本發明實施例期望提供一種用於晶圓W磊晶生長的晶圓支撐桿裝置7，該晶圓支撐桿裝置7包括：晶圓支撐桿80以及套筒組件700；其中，該晶圓支撐桿80與該套筒組件700相套接，且該晶圓支撐桿沿該套筒組件700的軸向方向能夠往復移動。
可以理解地，通過在基座10下方位置安裝晶圓支撐桿80A與套筒組件700，且晶圓支撐桿80A與套筒組件700套接，在磊晶生長過程中，避免了加熱燈泡60直接向晶圓支撐桿80上端部輻射熱量，而是由套筒組件700吸收加熱燈泡60的輻射熱量後再向晶圓支撐桿80上端部輻射熱量，平衡了晶圓支撐桿80與基座10表面，以及晶圓支撐桿80和基座10開孔附近區域的溫度差異，平衡了晶圓支撐桿80對應區域和其他區域磊晶層生長速率得到厚度均一的磊晶層，以消除磊晶晶圓表面的異常圖案，進而提高了磊晶晶圓的平坦度。
對於圖7所示的晶圓支撐桿裝置700，在一些可能的實現方式中，如圖7所示，該套筒組件700包括套筒701和套筒支架702，且該套筒701與該套筒支架702的上端部連接，該套筒支架702的下端部與基座支撐架20連接。
參見圖8，其示出了套筒701的俯視示意圖，為了能夠實現套筒701與套筒支架702的裝配，對於上述的實現方式中，在一些示例中，如圖9所示，該套筒701的下端部設置有第一凸起結構7011，如圖10所示，以與該套筒支架702上端部的第一凹孔7021相配合連接，以使得套筒701固定地安裝在套筒支架702上。
可以理解地，為了能夠實現套筒支架701與基座支撐架20的裝配，對於上述的實現方式中，在一些示例中，如圖11所示，該套筒支架702的下端部設置有第二凸起結構7022，以與圖12中所示的該基座支撐架20的第二凹孔201相配合連接，以使得套筒支架702固定地安裝在基座支撐架20上，其第二凹孔201的側視圖具體如圖13所示。
對於圖7所示的晶圓支撐桿裝置7，為了使得晶圓支撐桿80能夠沿套筒組件700的軸向方向往復移動以實現晶圓W的裝載和卸載，在一些可能的實現方式中，如圖8和圖9所示，該套筒701的內徑D1為4~4.5mm，外徑D2為8~10mm，高度H為10~15mm。而在本發明的實施例中，如圖7所示，該晶圓支撐桿80的直徑D為3.7~3.9mm。由此可以理解地，套筒701的內徑D1大於晶圓支撐桿80的直徑D，使得晶圓支撐桿80和套筒701的內表面之間存在間隙，以便於晶圓支撐桿80的上升和下降。
此外，為了平衡晶圓支撐桿80和基座10之間的溫度差異，該套筒701的外表面覆蓋有碳化矽薄膜，可以理解地，由於基座10的材質為覆蓋碳化矽塗層的石墨，因此，在套筒701的外表面設置成由碳化矽薄膜覆蓋，可以保證套筒701和基座10的熱輻射係數相同，這樣在加熱燈泡60提供磊晶生長過程中的熱量時，能夠使得磊晶層上晶圓支撐桿80的對應位置接收的熱量與其他區域一致，
進而使得晶圓W表面各區域磊晶層的生長速率一致。而另一方面，該套筒支架702的材質設置為透明石英，與晶圓支撐桿承載架90的材質相同。
參見圖14，本發明實施例還提供了一種用於晶圓W磊晶生長的設備2，該用於晶圓W磊晶生長的設備2包括：圓盤形基座10，該基座用於承載晶圓W；基座支撐架20，該基座支撐架20用於支撐該基座10；三組根據前述技術方案所述之晶圓支撐桿裝置7(圖中黑色虛線矩形所示)；上部石英鐘罩30A和下部石英鐘罩30B，該上部石英鐘罩30A和該下部石英鐘罩30B一起圍閉出容納該基座10的反應腔室RC，其中，該基座10將該反應腔室RC分隔成上反應腔室RC1和下反應腔室RC2，該晶圓W放置在該上反應腔室RC1中；多個加熱燈泡60，該多個加熱燈泡60設置在該上部石英鐘罩30A和下部石英鐘罩30B的週邊並用於透過上部石英鐘罩30A和下部石英鐘罩30B在該反應腔室RC中提供用於磊晶生長的高溫環境；進氣口40，該進氣口40用於向該反應腔室RC中順序地輸送清潔氣體和矽源氣體；排氣口50，該排氣口50用於將該清潔氣體和該矽源氣體各自的反應尾氣排出該反應腔室RC。
可以理解地，在晶圓支撐桿裝置7安裝在用於晶圓W磊晶生長的設備2中時，套筒組件700中的套筒701的上端部與基座10的下表面緊貼，以保證加熱燈泡60產生的熱量經過套筒701後再熱輻射至晶圓支撐桿80的上端部，以保證晶圓支撐桿701與基座10各區域接收的熱量均一，從而使得裝載至基座10內的晶圓W表面各區域磊晶層的生長速率一致，從而提高了磊晶晶圓的平坦度。
參見圖15，本發明實施例還提供了一種用於晶圓W磊晶生長的方法，該磊晶生長方法應用於本發明實施例提供的用於晶圓W磊晶生長的設備2，該方法包括：S1501、通過上升和下降晶圓支撐桿80使得晶圓W裝載於基座10中；S1502、開啟多個加熱燈泡60使反應腔室的溫度升至1100℃~1150℃，並經由進氣口40將矽源氣體輸送到上反應腔室RC1中以在該晶圓W表面生長一層磊晶層；S1503、該矽源氣體從該上反應腔室RC1穿過該晶圓W的正面，並擴散至該晶圓W的背面以便於從反應腔室RC的間隙G排出至下反應腔室RC2中；S1504、經由排氣口50將包括排出至該下反應腔室RC2的矽源氣體的反應尾氣排出該反應腔室RC；S1505、通過上升該晶圓支撐桿將已完成磊晶沉積反應的晶圓從該基座中卸載。
需要說明的是：本發明實施例所記載的技術方案之間，在不衝突的情況下，可以任意組合。
以上僅為本發明之較佳實施例，並非用來限定本發明之實施範圍，如果不脫離本發明之精神和範圍，對本發明進行修改或者等同替換，均應涵蓋在本發明申請專利範圍的保護範圍當中。
20:基座支撐架
70:安裝部件
80:晶圓支撐桿
700:套筒組件
701:套筒
702:套筒支架
D:直徑
H:高度
Claims (7)
- 一種用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置，該晶圓支撐桿裝置包括：晶圓支撐桿以及套筒組件；其中，該晶圓支撐桿與該套筒組件相套接，且該晶圓支撐桿沿該套筒組件的軸向方向能夠往復移動；該套筒組件包括套筒和套筒支架，且該套筒與該套筒支架的上端部連接，該套筒支架的下端部與基座支撐架連接；該套筒的外表面覆蓋有碳化矽薄膜，且該套筒支架的材質為透明石英；該套筒的上端部與基座的下表面緊貼。
- 如請求項1所述之用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置，其中，該套筒的下端部設置有第一凸起結構，以與該套筒支架上端部的第一凹孔相配合連接。
- 如請求項2所述之用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置，其中，該套筒支架的下端部設置有第二凸起結構，以與該基座支撐架的第二凹孔相配合連接。
- 如請求項1所述之用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置，其中，該套筒的內徑D1為4~4.5mm，外徑D2為8~10mm，高度H為10~15mm。
- 如請求項1所述之用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置，其中，該晶圓支撐桿的直徑D為3.7~3.9mm。
- 一種用於晶圓磊晶生長的設備，該設備包括：圓盤形基座，該基座用於承載晶圓； 基座支撐架，該基座支撐架用於支撐該基座；三組根據請求項1至5中任一項所述之用於晶圓磊晶生長的晶圓支撐桿裝置；上部石英鐘罩和下部石英鐘罩，該上部石英鐘罩和該下部石英鐘罩一起圍閉出容納該基座的反應腔室，其中，該基座將該反應腔室分隔成上反應腔室和下反應腔室，該晶圓放置在該上反應腔室中；多個加熱燈泡，該多個加熱燈泡設置在該上部石英鐘罩和下部石英鐘罩的週邊並用於透過上部石英鐘罩和下部石英鐘罩在該反應腔室中提供用於磊晶生長的高溫環境；進氣口，該進氣口用於向該反應腔室中順序地輸送清潔氣體和矽源氣體；排氣口，該排氣口用於將該清潔氣體和該矽源氣體各自的反應尾氣排出該反應腔室。
- 一種用於晶圓磊晶生長的方法，該方法應用於請求項8所述之用於晶圓磊晶生長的設備，其中，該方法包括：通過上升和下降晶圓支撐桿使得晶圓裝載於基座中；開啟多個加熱燈泡使反應腔室的溫度升至1100℃~1150℃，並經由進氣口將矽源氣體輸送到上反應腔室中以在該晶圓表面生長一層磊晶層；該矽源氣體從該上反應腔室穿過該晶圓的正面，並擴散至該晶圓的背面以便於從反應腔室的間隙排出至下反應腔室中；經由排氣口將包括排出至該下反應腔室的矽源氣體的反應尾氣排 出該反應腔室；通過上升該晶圓支撐桿將已完成磊晶沉積反應的晶圓從該基座中卸載。
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