JPH01125819A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPH01125819A
JPH01125819A JP62283054A JP28305487A JPH01125819A JP H01125819 A JPH01125819 A JP H01125819A JP 62283054 A JP62283054 A JP 62283054A JP 28305487 A JP28305487 A JP 28305487A JP H01125819 A JPH01125819 A JP H01125819A
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大戸　隆
Masanori Nishimura
正紀 西村
Eiichi Sotodani
栄一 外谷
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Coorstek KK
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08—Preparation of the foundation plate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｆｉｌ悲札１１１ この発明は絶縁被膜で覆った半導体基板の表面上に気相
成長法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離基
板の支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置の改
良に関するものである。
丈ｊ！ｕＵ【 特開昭６０−１６０６１１号公報に開示されているよう
に、各種の気相成長装置が既に公知である。
例えば、従来の縦型気相成長装置は、反応炉の中にサセ
プターが水平姿勢を維持して段。
けられ、そのサセプターの下部に加熱用の高周波コイル
が設けられている。
サセプターは炭素基材の全面に同じ２０〜２００μｍ厚
の５ｉＣＩＩが形成されている。
、　が　゛　しよ　と　る、　　１、 最近、サセプターが大型になるにつけ、サセプターの周
辺部が下向きにそってしまう欠点が目立つようになって
ぎた。これによりサセプターに設置するウェーハに悪影
響を受けることが判明した。
立」しユ月コ１ この発明は前述のような従来装置の欠点を解消して、サ
セプターのそり現象を回避することのできる気相成長装
置を提供することを目的としている。
１１悲１１ 前）ホの目的を達成するために、この発明は特許請求の
範囲第１項に記載された気相成長装置を要旨としている
。
口　　　　　　　　　　　　　　だ　　のこの発明にお
いては、サセプター１２の上面側の５ｉＣｌ！Ｊと下面
側のＳｉＣ膜とが異なる膜厚を有する。すなわち、上面
側の膜厚くたとえば９０μｌ）を下面側の膜厚くたとえ
ば６０μ−）の１．１〜１．５倍に設定する。これによ
ってサセプター１２のそりを防止するのである。
そのようなサセプター１２を備えるものであれば気相成
長装置の構造は任意のものでよいが、好ましくはガス管
１４の外側に支持管１１を同心に設け、その支持管１１
のうち、少なくともサセプター１２と接触するフランジ
部分１１ａをＳｉ　３　Ｎ４焼結１体またはそれと同等
の熱膨張係数の基材で構成し、その表面に更にＳｉ３Ｎ
４のコーティング層を設ける。フランジ部分１１ａだけ
でなく、支持管１１の全体を３ｉ　３　Ｎ４焼結体また
はそれと同等の熱膨張係数の基材で構成し、その表面全
体を３ｉ　３　Ｎ４のコーティング層で被覆すると、さ
らに効果的である。
１皿ｌｌ サセプター１２の下面側のＳｉＣ膜が上面側の５ｉＣ１
Ｎよりも厚いので、サセプター１２の周辺部が下向きに
そることが阻止される。
そのため、す憔ブタ−１２の上面は常に平坦に保持でき
、ウェーハを良好な状態で処即できる。
丸１九 以下、図面を参照して、この発明の好適な実施例を説明
する。
この発明による気相成長装置は特にサセプターの構造を
改良したものであり、その他の部分の構成は従来と同様
のものを採用できる。
さて、この発明においては、炭素基材のサセプター１２
の上面側に薄い（たとえば６０μｔ）厚みのＳｉＣ膜を
形成し、下面側には厚い（たとえば９０μｍ）厚みのＳ
ｉＣ膜を形成する。上面側と下面側の膜厚の比を１゜１
〜１．５に設定する。
ガス管１４の外側に支持管１１を同心状態に設け、その
支持管１１を特別な構成としている。すなわち、支持管
１１の全体または少なくとも７ランジ部分１１ａをＳｉ
３Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨張係数の基材で構
成し、その表面にさらに３ｉ　３　Ｎ４のコーティング
層を設けている。このＳｔ　ａ　Ｎ４のコーティング層
の厚さはその基材中の不純物が外部に飛出さない程度の
厚みにするのが望ましい。
フランジ部分１１ａは図示した形状のみでなく、他の種
々の形状を採用することができる。例えば、フランジ部
分１１ａを支持管１１の一定位置に固定しないで、必要
に応じて上下に位置を調節できるように構成することも
できる。
サセプター１２は中心に貫通孔を有し、その内周部が支
持管１１のフランジ部分１・１ａによって支持されてい
る。サセプター１２は水平を保らつつ支持管１１と一緒
に回転可能となっている。ガス管１４は固定されたまま
である。
高周波コイル１３がそのサセプター１２の下方部に配置
されており、加熱に供される。
ウェーハ５はサセプター１２の上側に設置される。
ガス＠１４の内部を通ってシリコンニ［ビタキシャルガ
スがガス管１４の上方部の孔から吹き出され、各ウェー
ハ５に至り、周知の気相成長が行なわれる。
この結果、従来の方法で得たサセプターのＳｉつ１−ハ
の不良発生は１０００枚につき３〜５枚であった。本発
明の実施例によれば表−１に示すように改善された。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による縦型気相成長装置の主要部分を
示す概略縦断面図である。 １１、、、、、支持管 １２、、、、”、サセプター １３、、、、、高周波コイル １４、、、、、ガス管 ５、、、、、、ウェーハ １１ａ、、、、フランジ部分 ノー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）絶縁被膜で覆った半導体基板の表面上に気相成長
    法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離基板の
    支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置において
    、反応炉中に水平に配置したサセプターが炭素基材の表
    面にＳｉＣ膜を形成したものであつて、かつサセプター
    の上面側の膜厚に比較して下面側の膜厚が１．１〜１．
    ５倍になつていることを特徴とする気相成長装置。
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